El fotodiodo es un dispositivo de unin pn que opera con polarizacin en inversa.

El fotodiodo tiene una peqea ventana transprente que permite que la luz incida en la unin pn, o sea que slo funciona en presencia de la luz. Cuando est polarizado en inversa, un diodo rectificador tiene una corriente de fuga inversa muy pequea. lo mismo es cierto para el fotodiodo; un fotodiodo difiere de un diodo rectificador en que la corriente en inversa crece con intensidad luminosa en la unin pn. Cuando no hay luz incidente, la corriente en inversa es casi despreciable y se denomina corriente obscura.

Fotodiodo
Fotodiodo

Fotodiodos.

Tipo

Semiconductor

Principio de funcionamiento

Efecto fotoelctrico

Smbolo electrnico

Configuracin

nodo y Ctodo

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan

una tensin muy pequea con el positivo en elnodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.
Contenido
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1 Principio de operacin 2 Composicin 3 Uso 4 Investigacin 5 Vase tambin 6 Enlaces externos

[editar]Principio

de operacin

Un fotodiodo es una unin PN o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energa llega al diodo, excita un electrn dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de l, estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente. Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama polarizacin directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y prcticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que vara con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producir un aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados al ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo.

[editar]Composicin
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1m);germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro material semiconductor.

Material

Longitud de onda (nm)

Silicio

1901100

Germanio

8001900

Indio galio arsnico (InGaAs) 8002600

sulfuro de plomo

<1000-3900

Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren refrigeracin por nitrgeno lquido. Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia.

[editar]Uso
A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y

viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo.

Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del Cd

transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.

Usados en fibra ptica

[editar]Investigacin
La investigacin a nivel mundial en este campo se centra (en torno a 2005) especialmente en el desarrollo de clulas solares econmicas, miniaturizacin y mejora de los sensores CCD y CMOS, as como de fotodiodos ms rpidos y sensibles para su uso en telecomunicaciones con fibra ptica. Desde 2005 existen tambin semiconductores orgnicos. La empresa NANOIDENT Technologies fue la primera en el mundo en desarrollar un fotodetector orgnico, basado en fotodiodos orgnicos.