LNEAS MICROCINTAS CINTA

Antes de 1965 casi todo el equipo de microondas utiliz coaxial, guas de onda o lneas de cinta paralelas. En aos recientes, con la introduccin de circuitos integrados monolticos de microonda (MMIC's) las lneas de microcinta y lneas de cinta paralelas han sido usadas ampliamente., porque ellas proporcionan una libre y accesible superficie en la cual el dispositivo de estado slido puede ser colocado. Por lo cual describiremos las lneas paralelas, coplanares y lneas de cinta protegidas y microcintas, las cuales se muestran en la figura 1. Todos los dispositivos elctricos y electrnicos con una potencia de salida alta usan convencionalmente lneas, tales como las lneas coaxiales o guas de onda, para la transmisin de potencia. Como sea al dispositivo de estado slido de microondas es usual mente fabricado como un chip semiconductor con un volumen del orden de O.OO8 - O.O8 mm. El mtodo de aplicar seales a los chips y extraer potencia como salida de ellos mismos, es enteramente diferente del usado para dispositivos de tubos de vaco. Circuitos integrados de microondas con lneas de microcinta son comnmente empleados con los chips. La lnea de microcinta es tambin llamada una lnea de cinta abierta. En aplicaciones de ingeniera, las unidades de MKS no han sido universalmente adoptadas para el uso en el diseo de lneas de microcintas. As en el presenta trabajo, se usar ya sea el sistema ingls o el MKS de unidades, .dependiendo de la aplicacin, para propsitos prcticos. Los modos en las lneas de microcinta son solamente quasi-transverso elctrico y magntico(TEM). As la teora de las lneas de TEM acopladas se aplica aproximadamente igual. Las prdidas por radiacin en lneas de microcinta es un problema, particularmente en las discontinuidades y postes d circuitos cortos, ngulos y as sucesivamente. Como sea el uso de materiales

109

LNEAS DE CAMPO DIAGRAMAS ESQUEMTICOS DE LAS LNEAS DE CINTA Delgados, y altamente dielctricos reduce considerablemente las prdidas por radiacin de una lnea de cinta abierta. Una lnea de microcinta posee una ventaja sobre las lneas de cinta balanceadas porque la lnea de cinta abierta tiene mejores caractersticas de interconexin y una fabricacin ms sencilla. Diversas investigaciones han analizado el circuito de una lnea de microcinta montada en un sustrato infinito de dielctrico sobre un plano de tierra infinito. El anlisis numrico de lneas de microcintas, como sea, requiere cmputos digitales largos, puesto que los problemas de la lnea de microcinta pueden ser generalmente resueltos por transformaciones conformadas sin requerir clculos numricos completos.

IMPEDANCIA CARACTERSTICA DE LAS LNEAS DE MICROCINTA Las lneas de microcinta son usadas extensamente para interconectar circuitos lgicos de alta velocidad en computadoras digitales, porque ellas pueden ser fabricadas por tcnicas automticas y ellas proporcionan las rutas requeridas para las seales. La figura 2 muestra las secciones transversales de una lnea de microcinta y un alambre sobre un plano de tierra para propsitos comparativos. En la figura 2 (a) se puede visualizar la impedancia caracterstica de una lnea de microcinta, siendo sta una funcin del ancho de la lnea de microcinta, el grosor de la lnea de cinta, la distancia entre la lnea y el plano de tierra, y de la constante del material homogneo dielctrico. Diferentes mtodos para determinar la impedancia caracterstica de las lneas, de microcinta han sido desarrolladas. La ecuacin de campo fue empleada por diferentes autores para tener un clculo de un valor preciso de la impedancia caracterstica. Como sea, este requiere el uso de un proceso en una computadora digital un poco extenso siendo extremadamente complicado. Otro mtodo es derivar la ecuacin de la impedancia caracterstica de la lnea de microcinta a partir de una ecuacin bastante conocida. Este mtodo es llamado un mtodo comparativo o mtodo indirecto. La ecuacin bastante conocida de la impedancia caracterstica de un alambre sobre una lnea de transmisin aterrizada, corno se muestra en la figura 2-b, esta dada por:

Zo

60 4h ln d r

(1)

110

donde : r = Constante dielctrica del medio ambiente. H = La altura desde el centro de el alambre a el plano de tierra. d = Dimetro del alambre. Si los valores efectivos o equivalentes de la constante dielctrica relativa r del medio ambiente y el dimetro d del alambre puede ser determinado a partir de la lnea de microcinta, la impedancia caracterstica de la lnea de microcinta puede ser determinada.

CONSTANTE DIELCTRICA EFECTIVA Para un medio dielctrico homogneo, el tiempo de retraso de propagacin por unidad de longitud es:

Td

(2)

donde : = Permeabilidad del medio = Permitividad del medio En el espacio libre, el tiempo de retraso de la propagacin es:

Tdf
donde :

o o 3.333 _ ns / m _ o _ 1.016 _ ns / ft

(3)

En lneas de trasmisin usadas para interconexin, la permeabilidad relativa es 1. Consecuentemente, el tiempo de retraso de propagacin para una lnea en un medio no magntico es:

111

Td 1.106

_ ns / ft

(4)

La constante dielctrica relativa efectiva para una lnea de microcinta puede ser relacionada con la constante dielctrica relativa del material que la constituye.- Digiacomo y sus colaboradores descubrieron una ecuacin emprica para la constante dielctrica relativa efectiva de una lnea de microcinta en funcin del tiempo de retraso y de la constante dielctrica de varios materiales dielctricos, tales como la fibra de vidrioepoixy y nylon fenolico. La ecuacin emprica, mostrada en la figura 3 es expresada como;
r0

0.475

0.67

(5)

donde: r : es la constante dielctrica relativa del material. r0 : es la constante dielctrica relativa efectiva para una lnea de microcinta.

TRANSFORMACIN DE UN CONDUCTOR RECTANGULAR EN UN CONDUCTOR EQUIVALENTE CIRCULAR La seccin transversal de una lnea de microcinta es rectangular, as el conductor rectangular debe ser transformado a un conductor equivalente circular. Springfield descubri una ecuacin emprica para la transformacin. Su ecuacin es:

d
donde :

0.67w(0.8

t ) w

d = Dimetro del conductor sobre tierra. W = Ancho de la lnea de rnicrocinta t = Grosor de la lnea de transmisin La limitacin de la relacin del grosor-ancho esta entre 0.1 y 0.8 como se indica en la figura 4.

ECUACIN DE LA IMPEDANCIA CARACTERSTICA Substituyendo la ecuacin 5 para la constante dielctrica y la ecuacin 6 para el dimetro equivalente en la ecuacin 1 se tiene;

112

Z0
Para ( h < 0.8 w ) ...(7) Donde:

87 5.98h ln para(h 0.8w) r 1.41 0.8w t

(7)

r = Constante Dielctrica relativa de el material h = Peso de la lnea de microcinta a la tierra w = AfeBS2/ide la lnea de microcinta t = Grosor de la lnea de microcinta

La ecuacin 7 es la ecuacin de la impedancia caracterstica para una lnea de microcinta delgada. La velocidad de propagacin

C
r0

3 x10 8
r0

m/s

(8)

La impedancia carcteristica para una lnea de microcinta ancha fue derivada por Assadouriany otros y es expresada corno:

Z0

h w

377 h * para( w w r

h)

(9)

LIMITACIONES DE LA ECUACIN 7 La mayora de las lneas de microcinta estn hechas de placas de cobre con un grosor de 1.4 o 2.8 mils (1 o 2 onzas de cobre por pie cuadrado). Los anchos ms delgados de las lneas en produccin son de 0.OO5 0.010 pulgadas. Los anchos de las lneas son usualmente menos que 0.020 pulgadas, consecuentemente, las relaciones de grosor-ancho de menos de 0.1 no son comunes. La aproximacin de la

113

lnea recta de la ecuacin 6 es un valor exacto de la impedancia caracterstica, o de la relacin del grosor ancho entre 0.1 y 0.8. Dado que la constante dielctrica de los materiales usada no vara excesivamente con la frecuencia, la constante dielctrica de una lnea de microcinta puede ser considerada independiente de la frecuencia. La validez de la ecuacin 7 es dudosa para valores de dielctricos de grosor t que son en un 80% ms grandes que el ancho de la lnea w. Valores tpicos para la impedancia caracterstica de una lnea de microcinta varan de 50 a 150 , si los valores de los parmetros varan de una r = 5.23 t = 2.8 millas, w = 10 millas y h = millas a una r = 2.9, t = 2.8 milla, w = 10 millas y h = 67 millas.

PERDIDAS EN LNEAS DE MICROCINTAS Las lneas de transmisin de microcintas consistentes de cintas conductoras adheridas a un dielctrico con un respaldo de conductor ( ver figura 5) son ampliamente usadas en tecnologa de computadoras y microonda. Debido a que tales cintas se fabrican fcilmente por tcnicas de fabricacin de circuitos impresos, poseyendo un merito tcnico y econmico. La impedancia caracterstica y velocidad de propagacin de la onda de una lnea de microcinta fue analizadas en hojas precedentes. Las otras caractersticas de las lneas de microcintas es la atenuacin. La constante de atenuacin del modo dominante de las microcintas depende de factores geomtricos, propiedades elctricas de el substrato y de los conductores as de cmo la frecuencia. Para sustratos de dielctricos no magnticos, ocurren dos tipos de perdidas en el modo dominante de las microcintas: Perdidas en el substrato del dielctrico. perdidas ohmicas por el efecto Skin en los conductores de cinta y el plano de tierra. La suma de estas dos perdidas puede expresarse como perdidas por unidad de longitud en trminos del factor de atenuacin . A partir de la teora de las lneas de transmisin, la potencia que tiene una onda viajando en la direccin positiva del eje de las z esta dada por:

P P
donde:

1 * VI 2 PO e
2 z

1 (V e 2

I e

1 |V | e 2 ZO

2 z

PO

2Z O

es la potencia en z= 0

La constante de atenuacin

puede ser expresada como:

dP dz 2 P( z )
donde:
d

=es la constante de atenuacin del dielctrico la constante ohmica de atenuacin

c =es

114

El gradiente de potencia en la direccin de z en la ecuacin 11 puede ser expresada en trminos de la perdida de potencia disipada debido a la resistencia por unidad de longitud en el dielctrico. Esto es,

dP( z ) dz

d 1 VI * dz 2

1 2

dV 1 I* dz 2

dI * V dz

1 1 ( RI ) I * V *V 2 2
1 | I |2 R 2
donde: = es la conductividad de la placa de substrato de dielctrico. Sustituyendo la ecuacin 12 en la ecuacin 11 resulta:

1 | V |2 2

Pc Pd

Pd Np / cm 2 P( z ) Pc Np / cm 2 P( z )

PERDIDAS EN EL DIELCTRICO Cuando en la conductividad de un dielctrico no puede ser despreciada, los campos elctricos y magnticos en el dielctrico no estn muy separados en tiempo de fase. En este caso la constante de atenuacin esta expresada por:

Np / cm

donde: =es la conductividad del substrato de dielctrico en mhos/cm. Esta constante dielctrica puede ser expresada en trminos de las perdidas tangenciales como muestra la siguiente ecuacin:

tan
Entonces la constante dielctrica de atenuacin esta expresada como:

tan Np / cm

115

Dado que la lnea de microcinta es un sistema dielctrico mezclado no magntico, el dielctrico arriba de la lnea de microcinta es el aire, en el cual no ocurren perdidas. Welch y Pratt desarrollaron una expresin para la constante de atenuacin del substrato de dielctrico. Poco despus Later y Pucel y sus colaboradores modificaron la ecuacin de Welchs. El resultado es:

4.34

q
ro

o o dB / cm
re

1.634x109

FACTOR DE ATENUACIN ELCTRICA

FIGURA 7.

En la ecuacin 18 la conservacin del factor de 1 Np = 8.686 dB es usada, ro es la constante dielctrica efectiva del substrato, como se expresa en la ecuacin 5, y q denota el factor de relleno del dielctrico, definido por Wheeler como:

ro r

1 1

Nosotros expresamos la constante de atenuacin por unidad de longitud como:

27 .3(

r ro

tan g

116

donde:

g
y

o
ro

o = es la longitud de onda en el espacio libre, o g

C f
or

y C es la velocidad de la luz en l vaci.

Si las perdidas tangencial, tan , es independiente de la frecuencia, la atenuacin del dielctrico por longitud de onda es tambin independiente de la frecuencia. Por otra parte, si la conductividad del substrato es independiente de la frecuencia, en cuanto a semiconductores, la atenuacin del dielctrico por unidad es tambin independiente de la frecuencia. Desde que q es una funcin E r y w/h, los factores de relleno para las perdidas tangenciales qEn / Ero y para la conductividad q / Ero son tambien funciones de estas cantidades. La figura 6 muestra las perdidas tangenciales del factor del relleno contra w / h para un rango de constantes dielctricas conveniente para microondas de circuitos integrados. Para varios propsitos prcticos, este factor es considerado 1. la figura 7 muestra el producto d contra w / h para dos substratos semiconductores, silicn y galio arsnico que es usado para circuitos integrados de microondas.

PERDIDAS OHMICAS Son los conductores no perfectos. La densidad de corriente en los conductores de una lnea de microcinta es concentrado en una hoja, esta aproximadamente de una profundidad skin dentro de la superficie del conductor delgado y el delgado plano de tierra son asumidos de al menos de 3 o 4 penetracin skin. La densidad de corriente en el conductor de cinta y el conductor de microcinta contribuye en mayor parte a las perdidas ohmicas, un diagrama de la densidad de corriente J para una lnea de microcinta es mostrado en la figura 8. Debido a la complejidad matemtica, expresiones exactas para la densidad de corriente de una lnea de microcinta de grosor no-cero nunca haban sido derivadas. Varios investigadores asuman, por simplicidad, que la distribucin de corriente es uniforme e igual a I / w en ambos conductores y confinado a la regin | x | < w / 2. con esta Asuncin, la constante de atenuacin conductora de una lnea de microcinta de cierto ancho esta dada por:

8.686Ro w dB / cm para Zow h

117

FACTOR DE RELLENO

DISTRIBUCIN DE CORRIENTE EN CONDUCTORES DE MICROCINTA

Donde:

Ra

Es la superficie de resistencia skin en

/ cuadrado

Ra

es

/ Square

1 f

es la penetracin skin en cm

118

Para una lnea delgada de microcintas con w / h < 1, como sea la ecuacin 21 no es aplicable. La razn es que la corriente de distribucin en el conductor no es uniforme como se asumi. Pucel y sus colaboradores derivaron las siguientes tres formulas a partir de los resultados de Wheelers.

x1

h w

h 2h ln w t
dB y cm

t h

para 2

w 24 h

donde

es expresado en

e = 2.718G w=w+ w

25
4 w 1 t 2h 1 t

ln

para

2t w h h w h

26

ln

para

27

Los valores de c obtenidos de las ecuaciones 22 y 24 estn representados en la figura 9. Para propsitos de comparacin, los valores de c se basan en Assadourian y Rimis, ecuacin 21 los cuales tambin son mostrados.

119

PERDIDAS POR RADIACIN En adicin a las perdidas de los conductores y en el dielctrico, la lnea de microcinta tambin tiene perdidas por radiacin. Las perdidas por radiacin tambin dependen del espesor del substrato y de la constante dielctrica, tambin como de su geometra. Lewin hizo los clculos de las perdidas por radiacin para varias discontinuidades basndose en los siguientes conceptos:

Transmisin TEM. dielctrico uniforme en los alrededores de la cinta, iguales en magnitud para un valor dado. Depreciacin de la radiacin de la componente paralela a la lnea del campo elctrico transverso (TE). Grosor del substrato, mucho menor que la longitud de onda en el espacio libre. Los resultados de Lewin muestran que la relacin de potencia radiada a la potencia total disipada para una lnea de microcinta circuitada-abierta es:

p rad Pt

240

h
0

r0

Z0

28

donde F( r0) es un factor de radiacin dado por:

r0 r0 r0

1 2

r0 r0

1
r0

ln

r0 r0

1 1

29

en la cual r0 es la constante dielctrica efectiva y 0 = c/f es la longitud de onda en el espacio libre. El factor de radiacin decrece conforme se incrementa la constante dielctrica del substrato. As, la ecuacin 28 se puede expresar como:

p rad Pt

Rr 30 Z0

donde Rr es la resistencia de radiacin de una lnea de microcinta circuitada-abierta y esta dada por: Rr = 240 2(h/ 0)2F( r0) 31 La relacin de la resistencia de radiacin Rr a la parte real de la impedancia caracterstica Z0 de la lnea de microcinta es igual a una pequea fraccin de la potencia radiada para una sola discontinuidad de un circuito abierto. Se ve de la ecuacin 28 que la perdida por radiacin sufre un decremento cuando la impedancia caracterstica disminuye. Para substratos de constantes dielctricas bajas, la radiacin es significativa en niveles de impedancia altos. Para substratos de constantes dielctricas altas, la radiacin comienza a ser significante hasta que niveles de baja impedancia son alcanzados.

FACTOR DE CALIDAD (Q) PARA LINEAS DE MICROCINTA Varios circuitos integrados de microonda requeridos para circuitos resonantes de alta calidad. El factor de calidad Q de una lnea de microcintas muy alto, esta limitado por las perdidas por radiacin de los

120

substratos con constantes dielctricas bajas. Retomando la corriente de distribucin uniforme de una lnea de microcinta, la constante de atenuacin ohmica de una lnea de microcinta ancha esta dada por la ecuacin 21 como:

8.686 R Z0w

dB/cm

y la impedancia caracterstica de una lnea de microcinta ancha, como se muestra en la ecuacin 9 es:

Z0

h w

377
r

cm

30

La longitud de onda en la lnea de microcinta es:

30
0

cm
r

32

donde f es la frecuencia en GHz.

Dado que Q0 esta relacionada con la constante de atenuacin del conductor por:

Qc
donde
0 esta

27 .3
c

33

en dB/ g, Qc es el ancho de una lnea de microcinta expresada como:

Qc

39.5

h f GHz 34 Rg

donde h es medida en cm y Rg es expresada como:

Rg

f GHz

/Square

35

Finalmente el factor de calidad Qc de una lnea de microcinta ancha es:

Qc
donde
c

0.63h

f GHz 36

es la conductividad de la placa de substrato de dielctrico en mhos/m. = 5.8 107 mhos/m y Qc es:

Para una cinta de cobre,

Qc

4780h f GHz 37

121

Para aluminio de 25 mil a 10 GHz, el mximo Q c conseguibles de una lnea de microcinta ancha es de 954. Similarmente, un factor de calidad Qd es relacionado con la constante dielctrica de atenuacin:

Qd

27 .3
d

38

donde

esta en dB/ g.

Sustituyendo la ecuacin 20 en la ecuacin 38 da:

Qd
r0

tan

1 39 tan

donde 0 es la longitud de onda en el espacio libre en cm. Note que el Qd para la constante de atenuacin del dielctrico de una lnea de microcinta es aproximadamente el reciproco de las prdidas dielctricas tangenciales y es constante relativa con la frecuencia.

LINEAS DE CINTAS PARALELAS Una lnea de cinta paralela consiste de dos cintas paralelas perfectas separadas por un dielctrico de espesor uniforme, como muestra la figura 10. El ancho de las cintas es w y la distancia de separacin es d, y la constante dielctrica de la placa de dielctrico que los separa es rd.

PARMETROS DISTRIBUIDOS En un circuito integrado de microondas una lnea de cinta puede ser fcilmente fabricada en un substrato de dielctrico usando tcnicas de circuitos impresos. Una lnea de cinta paralela es similar a una lnea de transmisin bifilar, as que puede transmitir el modo TEM propagndose en la direccin positiva de la Z en un alinea de microcinta sin perdidas (R = G = 0). El campo elctrico esta en la direccin Y, y el campo magntico en la direccin X. Si el ancho w es mucho mayor que la distancia de separacin d, la capacitanca es despreciable. Entonces la ecuacin para la inductancia a lo largo de las lneas de cinta paralelas puede ser escrita como:

d w
c

H/m

1.1

122

donde como:

es la permeabilidad del conductor. La capacitancia entre los dos conductores puede expresarse

w d
d

F/m

1 .2

donde

d es

la permitividad del dielctrico que los separa.

Si las dos lneas de cinta paralelas tienen la misma resistencia y el dielctrico que los separa tiene la misma conductancia en paralelo, la lnea paralela de cinta presentara perdidas. Esta resistencia en series para ambas lneas esta dada por:

2Rg w

2 w

f
c

/m

1 .3

donde:

f
c

es la resistencia superficial del conductor en

/Square y

es la conductividad del

conductor en mhos/m. La conductancia en paralelo de la lnea de cinta es:

mhos/m

1 .4

donde:

es la conductividad del substrato dielctrico.

123

IMPEDANCIA CARACTERSTICA La impedancia caracterstica de una lnea de cinta paralela de pocas perdidas es:

Z0

L C

d w

d d

377 d w rd

para w>>d

1 .5

La velocidad de fase a lo largo de las lneas paralelas es:

Vp

1 LC

1
d d

C
rd

m/s

para

c=

1 .6

La impedancia caracterstica de una lnea de cinta paralela con perdidas en frecuencias de microondas (R<< L y G<< C)puede aproximarse como:

Z0

L C

377 d w rd

para w>>d

1 .7

PERDIDAS POR ATENUACIN

La constante de propagacin de un alinea de cinta en frecuencias de microondas puede expresarse como:

j L G

j C

para R<< L y G<< C

1 C R 2 L

L C

LC

1 .8

Entonces las constantes de atenuacin y fase son:

124

1 C R 2 L

L C

Np/m

1 .9

LC

rad/m

1.10

Sustituyendo los parmetros distribuidos de una lnea de cinta paralela en la ecuacin 1.9 de la constante de atenuacin para el conductor y las perdidas del dielctrico.

1 C R 2 L

1 d

f
c

Np/m

1.11

1 C G 2 L

188
rd

Np/m

1.12

Ejemplo. Una lnea de cinta paralela con pocas perdidas tiene una banda conductora de ancho w. El substrato dielctrico separando a los dos conductores tiene una constante dielctrica relativa rd de 6 (berrilla u oxido de berrillo) y un espesor d de 4mm.Calcule: El ancho requerido w de la cinta conductora para que tenga una impedancia caracterstica de 50 . La capacitancia de la lnea de cinta. La inductancia de la lnea de cinta. La velocidad de fase de la onda en la lnea de cinta paralela.

SOLUCIN: A partir de la ecuacin 1.5 el ancho de la banda conductora es:

377 d Z0 rd

377 4 10 50 6

12.31 10

La capacitancia de la lnea de cinta es:

w d
d

8.854 10

12

6 12 .31 10 4 10 3

1.6340 10

10

pF / m

La inductancia de la lnea:

125

d w
c

10 7 4 10 12 .31 10 3

4.081 10

H /m

La velocidad de fase es:

Vp

C
rd

3 108 6

122474487.139m / s

c) La inductancia de la lnea de cinta es:

d w
C

10 7 12 .31

4 10 10 3

0.41

Vp
d) La velocidad de fase es:

C rd

10 8 6

1.222

10 8 m

LINEAS DE CINTAS COPLANARES Una lnea de cinta coplanar consiste de dos lneas conductoras sobre una superficie de substrato con una lnea de tierra, como muestra la figura 11. La lnea de cinta coplanar tiene ventajas sobre la lnea de cintas paralelas, porque dos cintas se encuentran sobre la misma superficie del substrato para conexiones convenientes. En circuitos integrados de microondas (MICs) . Los alambres siempre tienen presente problemas de reproductividad y rehabilitacin. Las lneas coplanares eliminan estas dificultades involucradas conectando los elementos en paralelo entre el cable conductor y la lnea de tierra. Con lo cual el costo se reduce. La impedancia caracterstica de una lnea de cinta coplanar es:

.................(2.1)

126

Donde Io es la corriente total pico en una cinta y la Pavg es la potencia promedio corriendo en la direccin Z positiva. La potencia promedio que esta fluyendo puede expresarse como:

...............(2.2)

DIAGRAMA ESQUEMATICO DE UNA LINEA DE CINTA COPLANAR

donde: Ex Hy Intensidad de campo elctrico en la direccin positiva de X. Intensidad de campo magntico en la direccin positiva de Y.

Zo

2 Pavg 2 I0

Conjugado. A partir de la ecuacin 2.1, la impedancia caracterstica de la lnea coplanar es:

Zo

250 10

100 10

9 2

50

127

LINEAS DE CINTA RESGUARDADA

Una lnea de cinta resguardada tiene una lnea conductora incrustada en el medio dielctrico y esta no tiene conexin con los planos que la resguardan. Como muestra la figura 12. La impedancia caracterstica para el ancho de la lnea de cinta (w/d 0.35) es: .............(3.1)

Zo

94.15 r

w d

Cf 8.854 r

K 1
donde: t d El grosor de la cinta. La distancia entre los dos planos de tierra.

1 t

y es la capacitancia marginal de pF/m.

Cf

8.854 r

2 K ln K

1 ln K 2

La figura 13 muestra la impedancia caracterstica Zo para una lnea de cinta resguardada, con la relacin t/d como una parmetro.

EJEMPLO. Impedancia caracterstica de una lnea cinta resguardada. Una lnea de cinta resguardada tiene los siguientes parmetros: Constante dielctrica del aislador (poliestireno) Er = 2.56 Ancho de cinta w = 25 mils Grosor de la cinta t = 70 mils. CALCULE: El factor K. La capacitancia marginal. La impedancia de la lnea.

SOLUCION. a)Usando la ecuacin .1, el factor K es obtenido. b) A partir de la ecuacin 3.1, la capacitancia marginal es:

128

t d

14 70

1.25

Cf

15.16 pF / m

Cf

8.854 r

2 K ln K

1 ln K 2

Cf

8.854 2.56 2 1.25 ln 1.25 1 3.14.16

1.25 1 ln 1.252

La impedancia caracterstica a partir de la ecuacin 3.1 es:

Zo= 50.29

Impedancia caracterstica Zo de una lnea parcialmente resguardada con la relacin t/d con parmetro.

129

ESTUDIO COMPLETO DE LA MICROCINTA. Cuando uno deja aparte la simple aproximacin cuasiestatica y trata determinar el actual campo de distribucin en la microcinta, se enfrenta a un problema matemtico demasiado complejo. Para salvar esto, se han hecho diversas aproximaciones, las cuales se clasifican en tres categoras:

1.- MODOS ACOPLADOS: El modo dominante es el hbrido, y esta formado de componentes TEM y trminos adicionales, inclusive TE o TM dependiendo de los autores.Tales modos permiten la evaluacin del efecto de dispersin y la definicin de la permisividad dependiente de la frecuencia. 2. - DIFERENCIAS FINITAS: Como esta aproximacin esta basada sobre el corte a travs de la seccin en cuadrados pequeos, se supone una seccin finita. La microcinta debe ser encerrada en una caja metlica para usar este mtodo.

3. - METODOS DE INTEGRACION: El campo de la microcinta est representado por el desarrollo de series de Fourier. Los coeficientes de los trminos son obtenidos por apareamiento de puntos. La aproximacin TEM es bastante adecuado para el diseo de la mayora de los circuitos y su ancho es limitado de cualquier forma por el efecto de la radiacin. La propagacin real se muestra en el diagrama, la aproximacin CUASI- TEM es vista como la linealidad de ( ) caracterstica del modo dominante.

PROCESOS DE MANUFACTURA. En el plato dielctrico de espesor constante y caractersticas elctricas es metalizada sobre cualquier lado de ambas caras. Las tcnicas de filme delgado son generalmente usadas: por evaporacin, chispeo, substrato plstico, etc., una hoja de metal delgada es pegada con presin y temperatura sobre substrato. Los procesos de filme grueso (proteccin de seda, placas conductivas) son generalmente no lo suficientemente uniforme para las aplicaciones de microondas. La mayora de los manufacturadores comerciales proveen de substratos ya metalizados.

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El procesamiento de manufactura para circuitos planaras se busca en la impresin estndar del circuito: Aspiracin de la mscara a escala del circuito impreso. La mascara final es obtenida por reduccin fotogrfica sobre un filme de alta resolucin, usando cmaras de precisin. Limpieza mecnica y qumica de las superficies metalizadas del substrato seguida por el secado enorme. Deposicin de una capa de fotoresistencias. Existen variados procedimientos que pueden ser usados: inmersin, rociado, centrifugado. Exposicin.- La capa sensitiva a la luz es expuesta a travs de la mascara reducida a luz ultravioleta. La ultima debe caer linealmente sobre el substrato para aproximadamente reproducir cuidadosamente el 2222 layout. Desarrollo. Para alta precisin la temperatura del bao y del tiempo debe ser cuidadosamente controlada. Grabado. Por inmersin dentro de un bao agitado o por el rociado de agentes sobre el circuito. El agente grabador usado depende sobre el metal a remover Removimiento qumico de la fotoresistencia remanente. Electroplateado. En algunas aplicaciones particulares, la capa de metal es subsecuentemente plateados (cobre u oro). Los circuitos deben ser cuidadosamente enjuagados entre las diferentes operaciones.

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