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CONCEITOS TEÓRICOS E EX ERCÍCIOS PROPOSTOS DE ELETROMAGNETISMO C C a a p p í

CONCEITOS TEÓRICOS E EX ERCÍCIOS PROPOSTOS DE ELETROMAGNETISMO

CCaappííttuulloo VV:: CCOONNDDUUTTOORR EESS,, DDIIEELLÉÉTTRRIICCOOSS EE CCAAPPAACCIITTÂÂNNCCIIAA

29

Capítulo V

CONDUTOR ES, DIELÉTRICOS E CAPACITÂ NCIA

5.1 – CORRENTE (I) E DENS IDADE DE CORRENTE ( J )

A corrente elétrica (convenciona

l) representa o movimento de cargas positiva s e é expressa por:

dQ I = dt
dQ
I =
dt

> 0

(Un idade de corrente: C/s ou A)

A densidade de corrente de con

volume (nuvem) de cargas com d ensidade volumétrica ρ v (em C/m 3 ) numa ve locidade v (em m/s).

vecção J

(uma grandeza vetorial) represent

a o movimento de um

(Un idade de densidade de corrente: A/m 2 ) 2 )

Para um condutor com densidad e de carga dos elétrons ρ v = ρ e , onde os elét rons se deslocam com

velocidade de arrastamento (“dri ft speed”)

v

=

v

d

= −µ

e

E

(µ e = mobilidade dos elétrons), tem-se:

J

= ρ

e

v

d

= ρ

e

(

−µ

e

E)

=

(

− ρ

e

µ

e

)E

Definindo

J = σ E
J = σ E

σ = −ρ

e

µ

e

co mo condutividade do condutor (em S/m), ob temos finalmente:

densida de de corrente de condução

(Forma pontua

l da Lei de Ohm)

A tabela a seguir mostra as expr essões para cálculo da condutividade σ de vários meios. Observe

que o sinal menos é compensado pelo valor negativo da densidade volumétric a de carga negativa.

 

Meio

Condutividade σσσσ [S/m]

Líq uido ou gás

σ = – ρ µ + ρ + µ +

C

ondutor

 

σ = – ρ e µ e

 

Sem icondutor

σ =

ρ e µ e +

ρ h

µ h

µ = ρ = d

mobilidade da carga (sempre +) [m 2 /(V s)]

ensidade volumétrica de carga (±) [C/m 3 ]

h

lacuna ou buraco (do inglês “hole”)

e

elétron

Relação entre corrente e dens idade de corrente (ver figura):

A corrente dI que atravessa uma área dS é dada por (ver figura):

dI = J N dS (de onde te dI = J cos θ dS =
dI
= J
N dS
(de onde te
dI
= J cos θ dS = J dS cos θ
dI
= J • dS
I
=
J
dS
Daí,
s

m-se:

J N =

dI

dS

)

dS (de onde te dI = J cos θ dS = J dS cos θ dI
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5.2 – CONTINUIDADE DA C ORRENTE

A corrente através de uma super igual a razão do decréscimo de região – princípio da continuida

fície fechada (fluxo de cargas positivas par a fora da superfície) é cargas positivas (ou acréscimo de cargas ne gativas) no interior da de. Matematicamente, expressamos como:

dQ i I J dS = − • = ∫ s dt
dQ
i
I
J
dS
= −
= ∫ s
dt

(Forma integral da equação da continuid ade)

onde + dQ i = razão (taxa) de acr dt

éscimo (incremento) de cargas no tempo den tro da superfície.

Aplicando o teorema da divergên

∂ρ v ∇ • J = − ∂ t
∂ρ
v
∇ • J = −
∂ t

cia à expressão acima, obtemos:

(Forma pontual da equação da continuida de)

“A corrente ou carga po r segundo que sai (diverge) de um pequeno v olume é igual a razão de decréscimo de carga p or unidade de volume em cada ponto.”

5.3 – CONDUTORES METÁL ICOS – RESISTÊNCIA (R)

Definição de resistência de um c

ondutor qualquer:

 

V ab

 

a

b

E

dL

R =

=

I

s

σ E

dS

[]

(parâmetro positivo)

Para um condutor que possui se

cilíndrico da figura, com área S e

ção reta uniforme (condutor comprimento ):

E

V

ab

0

E

dL

R = σ S
R =
σ
S

R =

I

s

σ E

dS

σ

ES

=

=

E • dL R = σ S R = I ∫ s σ E • dS

Exemplo:Calcular R para o cond

utor em forma de cunha da figura, para J (o u I) no sentido radial.

I

I

k

=

J k E = = a
J
k
E =
= a

k

σ

σ

ln

ρ

ρ

ρ

σρ

b

a

ρ

ρ

ln

b

ρ

a

=

J =

S

ρφ h

k

σρ

ρ

ρ

=

ρ

ρ

b

a

=

d

R =

φ

h

∫ ∫

0

0

k

ρ

ρ

d

φ

dz

k

φ

h

σφ h

a =     J = S ρφ h k σρ ρ ρ =
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5.4 – O MÉTODO DAS IMAG ENS

Aplicação:

Na solução de pro deste por uma super

blemas envolvendo um plano condutor ater rado pela substituição fície equipotencial mais as cargas imagens, c omo ilustra a figura.

mais as cargas imagens, c omo ilustra a figura. Exemplo : Calcular o campo elé trico

Exemplo: Calcular o campo elé

trico E no ponto P(0,1,1) m, para a configur ação mostrada abaixo.

Aplicando o método das imag

E = E

1

E

+ E

+ E

1

e

2

E

onde

2 são os campos

devido, respectivamente, a c

(carga original) e a carga imag Assim,

ens, temos:

no ponto P arga objeto em.

e a carga imag Assim, ens, temos: no ponto P arga objeto em. − a z

a

z

y

+ 3a

o vetor distância orientado de Q 1 = Q a P,

z

o vetor distância orientado

de Q 2 = –Q

a

P.

Q Q 1 2 E = a + a R 2 R 2 2 4
Q
Q
1
2
E =
a
+
a
R
2
R 2
2
4
πε
R
1 4
πε
R
o
1
o
2
onde:
a 1 =
R
/
R
, sendo
= a
R
1
1
R 1
y
a 2 =
R
/
R
, sendo
= a
R
2
2
R 2

Substituindo os valores, temos :

− 9 a − a − 9 a + 3a 10 × 10 y z
− 9
a
− a
− 9
a
+ 3a
10
× 10
y
z
− 10 × 10
y
z
E =
+
− 9
− 9
10
2 10
4 π
2
4
π
10 10
36 π
36 π
E = 2
E =
2

Daí:

2

(

a

y

a

z

)

90

(

a 10 10
a
10
10
− 40,35a

40,35a

z

E = 28,97a
E = 28,97a
E = 28,97a
E = 28,97a

E = 28,97a

y

90

y

+ 3a

z

[V/m]

)

(

= 31,82 a

y

a

z

)

(

2,85 a

y

+ 3a

z

)

(Nota: Conferir o sentido de E n a figura)

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5.5 – A NATUREZA DOS MA TERIAIS DIELÉTRICOS – POLARIZAÇ ÃO (P)

Polarização P

é definido como

sendo o momento elétrico total por unidade de volume, isto é:

P

=

lim

v

0

1

n

v

unidade de volume, isto é: P = lim ∆ v → 0 1 n ∆ v

v

i

p

=

1

i

=

li m

v

0

p

total

v

(Unidade: C/m 2 – mesma unidade de D )

onde n é o número de di polos elétricos por unidade de volume v

A lei de Gauss relaciona a densid ade de fluxo elétrico D com a carga elétrica

livre, Q, isto é:

Q =

D dS

( Nota: D sai ou diverge da carga livre positi va)

Por analogia, pode-se também re lacionar o campo P com uma carga, Q P , que produz este campo,

sendo esta carga chamada de car

ga de polarização.

Q

P

= −

P dS

( Nota: P sai ou diverge da carga de polariza

ção negativa)

A lei Gauss em termos da carga

Q T

=

ε

o

E dS

total, Q T , (lei de Gauss generalizada) é expr

essa por:

onde:

Q T = Q + Q P = soma da c arga livre com a carga de polarização

ε o = 8,854×10 -12 = per

missividade elétrica do vácuo (unidade: F/m

)

Substituindo as cargas pelas suas expressões com integrais, obtemos a seguint e expressão geral que

relaciona os 3 campos D = ε + P o E
relaciona os 3 campos
D = ε
+
P
o E

D ,

E

e

P , para qualquer tipo de meio:

(Nota:

No vácuo P = 0 )

Para um material linear, homogê neo e isotrópico (mesma propriedade em tod as as direções) tem-se:

P = χ ε E e o
P
= χ
ε
E
e
o

[C/m 2 ]

sendo χ e é a suscetibilidade el constante é relacionada com a pe

ε R , (grandeza também adimensio nal) através da expressão:

étrica do material (constante adimensional rmissividade elétrica relativa (ou constante

χ

e

= ε

R

1

Combinando estas 3 últimas equ ações obtém-se:

onde:

D = εE ε = ε ε R o
D = εE
ε = ε
ε
R
o

sendo ε a permissividade elétri

ca absoluta do material, dada em F/m.

, χ lê-se “csi”). Esta dielétrica) do material,

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Relações usando as densidades

polarização, ρ P , e de carga total, ρ T :

volumétricas de carga livre, ρ v (ou simples mente ρ), de carga de

Q

Q

Q

=

P

T

v ρ

=

=

v

v

v dv

ρ P

ρ T

dv

dv

D = ρ v

P = −ρ

P

ε

o

E = ρ

T

5.6 – CONDIÇÕES DE CONT ORNO PARA MATERIAIS DIELÉTRIC OS PERFEITOS

DE CONT ORNO PARA MATERIAIS DIELÉTRIC OS PERFEITOS Condição de contorno para as c omponentes tangenciais:

Condição de contorno para as c omponentes tangenciais:

Para o pequeno percurso fe chado retangular da figura, pode-se aplicar:

E

retângulo

dL

=

0

(válida para o campo

E

conservati vo)

Fazendo h 0 (tendend o a fronteira), obtemos:

E L

t1

E

t2

L

=

0

E

t1

= E

t2

= E E t1 t2
= E
E t1
t2

(E t é contínuo)

Condição de contorno para as c omponentes normais:

Para o pequeno cilindro da figura, pode-se aplicar:

D dS = Q

cilindro

interna

(Lei de Gauss)

Fazendo h 0 (tendend o a fronteira), obtemos:

(i) Para a fronteira com car ga (ρ S 0):

D

n1

S

D

n2

S

= ρ

S

S

D n1

D

n2

= ρ

S

(ii) Para a fronteira sem car ga (ρ S = 0):

= D D n1 n2
= D
D n1
n2

(Nest e caso D n é contínuo)

(Neste caso D n é descontínuo)

Relação de contorno se o meio 2 for um condutor perfeito (σ 2 → ∞ E 2 = D 2 = 0):

Componentes tangenciais:

Componentes normais:

E = 0 t1 = ρ D n1 s
E
=
0
t1
= ρ
D n1
s

D = 0 t1 = ρ / ε E n1 s 1
D
=
0
t1
= ρ
/ ε
E n1
s
1

(as comp. tangenc iais se anulam)

(existem some nte comp. normais)

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5.7 – CAPACITÂNCIA

Qualquer dispositivo formado po r 2 condutores separados por um dielétrico forma um capacitor (figura) cuja capacitância é definida como:

C =

Q

s

ε E

dS

=

V

o

+

E

dL

 

[F] (parâmetro positivo)

+ E • dL   − [F] (parâmetro positivo) 5.8 – EXEMPLOS DE CÁLCU LO DE

5.8 – EXEMPLOS DE CÁLCU LO DE CAPACITÂNCIA

Análise do capacitor de placas p lanas paralelas:

C

=

Q

S

0

ε Ea

z

dSa

z

ε ES

=

=

V

o

0

d

Ea

z

dza

z

E(0

d)

Observe também as fórmulas:

Ed

V

o =

D = εE =

Q

S

= ρ

S

ε S C = d
ε
S
C =
d

onde os campos E e D são consid erados constantes no dielétrico do capacitor ideal.

Ex. 1: Carrega-se um capacitor

de placas planas paralelas no espaço livre co m uma fonte de tensão

constante. Desconsideran do os efeitos de bordas (capacitor ideal), d eterminar as variações

instantâneas sofridas por: W E , D, E, C, Q, V, e ρ s , quando:

a) O espaço livre entre as placas é substituído por um dielétrico com ε R = 3;

b) A fonte de tensão é re movida com as placas afastadas tal que d 2 = 3 d 1 .

Solução do caso 1(a) – ver figur a abaixo:

3 d 1 . Solução do caso 1(a) – ver figur a abaixo : V 2

V 2 = V 1 = V

(mesma fonte de ten são)

E 2 = E 1

(E = V/d)

D 2 = 3 D 1

(D = ε R ε 0 E)

C 2 = 3 C 1

(C = ε R ε 0 S/d)

ρ S2 = 3 ρ S1

(ρ S = D N = D)

Q 2 = 3 Q 1

(Q = ρ S S)

W 2 = 3 W 1

(W = (1/2) C V 2 ou W = (1/2) ε R ε 0 E 2 vol)

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Solução do caso 1(b) – ver figur a abaixo:

C I I A A 35 Solução do caso 1(b) – ver figur a abaixo :

Q 2 = Q 1

(fonte de tensão rem ovida)

ρ S2 = ρ S1

(ρ S = Q/S)

D 2 = D 1

(D = D N = ρ S )

 

E 2 = E 1

(E = D/ε 0 )

C 2 = C 1 /3

(C = ε R ε 0 S/d)

 

V 2 = 3V 1

(V = Q/C

ou

V = E d)

W 2 = 3 W 1

(W = (1/2) C V 2 ou

W = (1/2) ε R ε 0 E 2 vol)

Ex. 2: Determinar C de um capa citor coaxial de raios a e b (a < b).

Para uma Gaussiana cilíndrica de raio a < ρ < b e comprimento L

D

dS

=

Q

int erna

D2

πρ

L

= +

Q

D

=

Q

2 π ρ L

E =

D

Q

= a

V

V

o

o

ε 2

περ

L

 

ρ

=

V

ab

= −

a

ρ=

Q a b 2 περ L
Q
a
b 2
περ
L

ρ

dρa

ρ

Q

ln

a

V

 

Q

ln

b

=

=

 
 

2

πε

L

ρ

b

o

2

πε

L

a

 

C =

Q

=

 

2

πε

L

 

V

o

ln(b / a )

Q =   2 πε L   V o ln(b / a ) Ex. 3 :

Ex. 3: Determinar C de um capa citor esférico de raios a e b (a < b).

Para uma gaussiana esférica de r aio a < r < b

D

dS

=

Q

int erna

 

D4

π

r

2

=

Q

D =

E =

D

=

Q

 
 

ε

4

πε

r

2 a

r

V

=

V

= −

a

 
 

o

ab

r

=

b

4

 

Q

1

a

V

=

 

πε

 

 

o

4

r

b

Q

4

π

r

2

Q

a r 2
a
r
2

πε r

V

o

=

dr a

Q

r

1

1

4 πε

o

a

b

o 4 r   b Q 4 π r 2 Q a r 2 πε
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Q 4 πε C = = 1 1 V o − a b
Q
4 πε
C =
=
1
1
V o
a b

(Se

b → ∞

C = 4πε a

= capacitância do capa citor esférico isolado)

Ex. 4: Determinar C de uma linh a de transmissão com dois fios infinitos pa ralelos

Seja uma configuração condutor a constituída por 2 fios (infinitos) paralelos, de permissividade ε, conforme m ostrado na figura abaixo.

situados em um meio

, conforme m ostrado na figura abaixo. situados em um meio Foi visto no capítulo 4

Foi visto no capítulo 4 que a dife rença de potencial entre 2 pontos A e B devi do a um fio infinito com carga uniformemente distrib uída é dada por:

V

AB

=

ρ

L

2

πε

ln

ρ

B

ρ

A

( ρ A e ρ B são as menores distâncias do fio aos pontos A e B)

(01)

Para os 2 fios infinitos paralelos da figura, com cargas simétricas com densida de linear uniforme, o potencial do ponto P(x, y, 0) em relação a um ponto qualquer O (referência) n o plano x = 0, é:

onde:

V

PO

=

ρ

L

ln

ρ

0 ρ

ρ

L

l

0

=

ρ

L

ln

ρ

2

2

πε

 

ρ

n

2

1 ρ

πε

2

2

πε

 

ρ

1

(02)

ρ 1 e ρ 10 = ρ 0 são as meno res distâncias do fio 1 (carga +) aos pontos P e O, respectivamente; ρ 2 e ρ 20 = ρ 0 são as meno res distâncias do fio 2 (carga –) aos pontos P e O, respectivamente.

Da figura tem-se: ρ ( x − a ) 2 2 + y 1 =
Da figura tem-se:
ρ
(
x − a
)
2
2 + y
1 =
ρ
(
x + a
)
2
2 + y
2 =

(03)

(04)

Substituindo (03) e (04) em (02) e fazendo V PO = V (com a referência V 0 = 0 implícita), obtém-se:

V =

ρ ( 2 2 x + a ) 2 + y 2 ρ ( x
ρ
(
2
2
x
+
a
)
2 +
y
2 ρ
(
x
+
a
)
+
y
L ln
=
L ln
(
)
2
2 πε
x
a
2 +
y
4 πε
(
x
a
)
2
2
+
y

(05)

Seja V = V 1 = constante, uma su perfície equipotencial. Então, o lugar geomét rico dos pontos no espaço em que V = V 1 é obtido f azendo:

(

x

+

a

)

2

+

y

2

(

x

a

)

2

+

y

2

= e

4

πε

V

1

/

ρ

L

= k

1

(06)

onde k 1 é uma constante arbitrári a dependente de V 1 e expressa por:

V

1

=

ρ

L

4 πε

ln k

1

(07)

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Desenvolvendo a expressão (06) temos: k 1 ( 2 2 ) 2 x 2 −
Desenvolvendo a expressão (06)
temos:
k 1 (
2
2
)
2
x
2 − 2ax + a
+ y
= x
2 + 2ax + a
2
x
(k 1
1)
(a 2
2
)(k
2ax(k
+
1)
+
+ y
1
1 −
k
1 + 1
2
2
2
x
− 2ax
+ (a
+ y
)= 0
k
− 1
1
2
2
a
k 1 1
+
2
k
2
1
x
a
+
y
=
k 1 1
k
− 1
1

+ y

2

1)

=

0

(08)

A equação (08) representa uma c

ircunferência centrada em:

e raio:

k 1 + 1 x = h = a k − 1 1 2a k
k
1 + 1
x =
h
=
a
k
− 1
1
2a
k
1
r
=
b
=
k
− 1
1

e

y = 0
y = 0

De (09), pode-se isolar k 1 , do seg

uinte modo:

k h − h = ak + a 1 1 k 1 = (h −
k
h
h
=
ak
+
a
1
1
k 1 =
(h
a)
h
+
a
h
+ a
=
k 1
h
− a
Substituindo (11) em (10):
h
+
a
h
+ a
b
− 1
=
2a
h
a
h
− a
h
+ a
b
2a = 2a
h
− a
h
− a
2
b
h
+ a
=
(
h
− a
)
2 h
− a
b 2
=
h
+
a
h
− a
2
2
b 2
= h
− a
2
2
a =
h
− b

Substituindo agora (12) em (11)

e racionalizando o denominador:

ou

2 2 2 2 2 2 h h − b h + h − b
2
2
2
2
2
2
h
h
b
h
+
h
− b
h
+ h
b
k +
=
= ×
1 2
2
2
2
2
2
h
h
b
h
h
− b
h
+ h
b
2
2
2
h
+
h
b
k
=
1
b
2 2 2  + h − b     h  =
2
2
2
+
h
b
   h
=
=
2
(
2
2
)
h
h
b

(09)

(10)

(11)

(12) 2    h 2 2  + h − b  
(12)
2
  h
2
2
+
h
b
2
b

(13)

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CONCEITOS TEÓRICOS E EX ERCÍCIOS PROPOSTOS DE ELETROMAGNETISMO

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38

Substituindo (13) em (07):

V

1

=

ρ

L

ln

4 πε

 2 2  h + h − b     b 
2
2
h
+
h
b
b

2

=

2 2 ρ h + h − b L ln 2 πε b
2
2
ρ
h
+
h
b
L ln
2 πε
b

(14)

De (14) podemos obter a capac itância de um capacitor formado por um c ondutor cilíndrico no

uma distância h (ver

figura abaixo). Esta pode ser obti da pela definição de capacitância por:

potencial V = V 1 e um plano

condutor no potencial V = 0, separados por

C

=

Q

V

o

=

ρ

V

1

L

L

0

C =

2 πε L   2 2   ln  h + h −
2
πε
L
2
2
ln
h
+
h
b
b

(15)

Para b << h, obtém se a capacit ância de um capacitor formado por um fio c ondutor (de raio muito

pequeno e igual a b) e um plano

(16)

condutor, separados por uma distância h:

2πεL C = ln(2h b)
2πεL
C =
ln(2h b)

A expressão (15) também perm ite obter a capacitância do capacitor form ado por 2 condutores

cilíndricos nos potenciais V 1 e

2h (ver figura abaixo).

–V 1 (cargas simétricas), separados um do o utro por uma distância

Esta capacitância, obtida pela d efinição e da aplicação do método das im agens, corresponde a metade do valor encontrado em ( 15), isto é:

C'

=

Q

=

ρ

L

L

=

ρ

L

L

=

C

V

o

V

1

(

V )

1

2 V

1

2

C' =

πε L   2 2 ln  h + h − b  
πε L
2
2
ln
h
+
h
b
  
b
 

(17)

Para

muito pequenos e iguais a b), transmissão:

b << h, obtém se a capac itância de um capacitor formado por 2 fio s condutores (de raios

separados por uma distância 2h – configur ação de uma linha de

πε L C ' = ln(2h b)
πε L
C '
=
ln(2h b)

(18)

condutores (de raios separados por uma distância 2h – configur ação de uma linha de πε
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39

5.9 – EXERCÍCIOS PROPOS

TOS

5.1)

5.2)

5.3)

[ηC/m], ao longo do

segmento que se estende d o ponto (0,0,a) ao ponto (0,0,3a), sendo a > 0 . Sabendo que sobre o

Uma carga está distribuíd a. com densidade linear de carga ρ L = π/z

plano z = 0 existe um plano

a) Determinar a densidade superficial de carga na origem;

b) Se esta carga linearment e distribuída fosse concentrada em um ponto , determinar a posição

condutor bastante grande, pede-se:

no eixo z que ela deveri a ser colocada para obter a mesma solução de 2

ρ

S =

9 a

2

[ηC/m 2 ];

b)

z =

3 ln3 a 2
3
ln3 a
2

= 1,5722a [m].

Respostas: a)

(a).

= 1 m separa o espaço em duas regiõe s com dielétricos de

permeabilidades relativas ε R1 = 2 e ε R2 = 4. A região 1 contém uma ca rga pontual de 10

[ηC] situada na origem.

dielétricos perfeitos (D n1 = D n2 e E t1 = E t2 ), o seguinte:

a) O campo elétrico na reg ião 1, aplicado ao ponto (0, 2, 1);

b) O campo elétrico na reg ião 2, aplicado ao ponto (0, 2, 1);

c) O ângulos formados pel os dois campos com a direção normal ao plan o z = 1.

Determinar, a partir das condições de co ntorno para materiais

Suponha que o plano z

Respostas: a)

E 1

=

9 5
9
5

5

( 2a

y

+

a

z

)

[V/m]; b)

c) θ 1 = 63,44 o e θ 2 = 75,96 o .

E 2

=

9 5 ⋅
9
5

10

(4a

y

+

a

z

)

[V/m];

A região 1, definida por 0 relativa ε R1 = 2, enquanto

material dielétrico de perm issividade relativa ε R2 = 4. Sabendo-se que

elétrico na região 1 é dada por

< φ < π/4 rad, contém um material dielétr ico de permissividade

π/2 rad, contém outro a densidade de fluxo

que a região 2, definida por π/4 <

D

1

3a

= +

ρ

4a

φ

+

5a

z

φ

<

[ηC/m 2 ], determin ar, na região 2:

Respostas: a)

d)

a)

D

n2

;

D

n2

= 4a

φ

P

2

=

4,5a

ρ

;

b)

+ 3a

D

φ

b)

D

=

+ 7,5a

6a

t2

z

ρ

.

t2

+

;

10a

z

;

c)

c)

D

2

D

=

2

;

6a

ρ

+

4a

φ

+

d )

1 0a

P

2

z ;

;

5.4)

A superfície de separação entre dois dielétricos é expressa pela equaç ão do plano dada por:

O dielétric o 1 contém a origem e possui permissividad e relativa ε R1 = 2 e o

dielétrico 2 possui pemissi vidade relativa ε R2 = 4. Na região do dielétri co 2 existe um campo

elétrico uniforme expresso por

condições de contorno, qua ndo necessário):

a)

parâmetros (usando as

x +

y

+

z

3 4

=

1 .

E

2

= a

x

+ 3a . Determinar os seguintes

y

E

2n

; c)

E

2t

; d)

a

n2

E

1n

E

1t

.

(versor normal ao pl ano do lado da região 2); b)

; e)

Respostas: a)

c)

e)

a

n2

E

E

2t

1t

1

=

13

1

=

13

1

=

13

(4

a

x

+

( 9a

x

( 9a

x

3

a

y

+

12

+ 36a

y

+ 36a

y

a

z

) ;

b)

12a

z

12a

z

E

)

)

.

;

2n

=

d)

1

13

E

1n

(4

a

x

+

=

2

13

3

a

y

+

(

4

a

x

1 2

a

z

) ;

+ 3a

y

+ 12a

z

)

;

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