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UNIVERSIDADE FEDERAL DO ESPRITO SANTO CENTRO TECNOLGICO DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA PROJETO DE GRADUAO

PROJETO DE UMA FONTE DE ALIMENTAO CHAVEADA UTILIZANDO CONTROLE POR DESLOCAMENTO DE FASE

JOHNNY MARCIO SPERANDIO

VITRIA ES Fevereiro/2006

PROJETO DE UMA FONTE DE ALIMENTAO CHAVEADA UTILIZANDO CONTROLE POR DESLOCAMENTO DE FASE

Parte escrita do Projeto de Graduao do aluno Johnny Marcio Sperandio, apresentado ao Departamento de Engenharia Eltrica do Centro Tecnolgico da Universidade Federal do Esprito Santo, para obteno do grau de Engenheiro Eletricista.

VITRIA ES Fevereiro/2006 JOHNNY MARCIO SPERANDIO

PROJETO DE UMA FONTE DE ALIMENTAO CHAVEADA UTILIZANDO CONTROLE POR DESLOCAMENTO DE FASE

COMISSO EXAMINADORA:

___________________________________ Prof. Dr. Jos Luiz de Freitas Vieira, UFES Orientador

___________________________________ Prof. Dr. Domingos Svio Lyrio Simonetti, UFES Co-orientador

___________________________________ Prof. Dr. Paulo Jos Mello Menegz, UFES Examinador

___________________________________ Eng. Afonso Ventorini Examinador

Vitria - ES, 24 de fevereiro de 2006

4 DEDICATRIA

minha famlia e aos colegas do curso de Engenharia Eltrica da UFES, em especial aos colegas Jelbener Azeredo, Renato Bertoldi, Thiago Negrelli e Thiago Zambom.

5 AGRADECIMENTOS

Agradeo a Deus, em primeiro lugar, por estar presente em todos os momentos da minha vida. Agradeo ao orientador e amigo Jos Luiz de Freitas Vieira por sua disponibilidade e dedicao. Aos professores do LEPAC Domingos Svio L. Simonetti e Wilson Arago. Aos alunos de iniciao cientfica, projeto de graduao e mestrado do LEPAC.

6 LISTA DE FIGURAS Figura 1 - Diagrama de blocos de uma fonte de alimentao chaveada com elevado fator de potncia...........................................................................................................14 Figura 2 - Diagrama simplificado do conversor em ponte completa com controle por deslocamento de fase. ..................................................................................................15 Figura 3 - Sinais de comando dos MOSFETs gerados pelo circuito integrado UCC3895. ....................................................................................................................17 Figura 4 - Diagrama da fonte de alimentao chaveada com o estgio de controle por deslocamento de fase. ..................................................................................................32 Figura 5 - Estgio de entrada da fonte de alimentao chaveada. ...............................32 Figura 6 - Prottipo implementado da fonte de alimentao chaveada.......................33 Figura 7 - Tenso de sada antes da etapa de filtragem. ..............................................34 Figura 8 - Sinais de comando gerados pelo CI UCC3895. ..........................................34 Figura 9 - Tenso no primrio do transformador e tenso de sada para uma razo cclica de 80%. .............................................................................................................35 Figura 10 - Tenso no primrio do transformador e tenso de sada para uma razo cclica de 30%. .............................................................................................................35 Figura 11 - Tenso e corrente no primrio do transformador......................................36 Figura 12 - Tenso de comando e corrente de dreno em um MOSFET. .....................36 Figura 13 - Detalhe mostrando o tempo morto gerado pelo CI UCC3895. ................37 Figura 14 - Comutao no MOSFET M1 para 10% de corrente de carga. .................38 Figura 15 - Comutao no MOSFET M1 para 80% de corrente de carga. .................38 Figura 16 - Comutao no MOSFET M3 para 10% de corrente de carga. .................39 Figura 17 - Comutao no MOSFET M3 para 80% de corrente de carga. .................39 Figura 18 - Rendimento da fonte com 50% da carga nominal. ...................................40 Figura 19 - Rendimento da fonte com carga nominal. ................................................40 Figura 20 - Curva de rendimento da fonte de alimentao chaveada em funo da carga. ............................................................................................................................41 Figura 21 - Fator de potncia. ......................................................................................41

7 SIMBOLOGIA Ae Aw B C rea efetiva da perna central do ncleo; rea da janela do ncleo; Densidade de fluxo magntico; Capacitor;

CD Capacitncia do diodo; CDS Capacitncia drain-source do MOSFET; CGS Capacitncia gate-source do MOSFET; CM Capacitncia do MOSFET; D Diodo;

DM Diodo intrnseco do MOSFET; fs I I0 ID IF IL ILo IM Ip Is J Freqncia de chaveamento; Corrente Corrente de sada; Corrente do diodo; Corrente de conduo direta; Corrente do indutor; Corrente do indutor do filtro de sada; Corrente do MOSFET; Corrente do primrio do transformador; Corrente do secundrio do transformador; Densidade de corrente;

IDM Corrente de dreno do MOSFET;

8 K KE KH Kp Kt Ku Kw L lg Llk lt M n N nf Np Ns P Pcu PD Constante; Coeficiente de perdas por correntes parasitas; Coeficiente de perdas por histerese; Fator de utilizao do primrio; Fator de topologia; Fator de utilizao da janela do ncleo; Fator de enrolamento; Indutor; Comprimento do entreferro; Indutncia de disperso do transformador; Comprimento mdio de uma espira; MOSFET; Relao de transformao (Nn/Np); Nmero de espiras; Nmero de fios em paralelo; Nmero de espiras do primrio; Nmero de espiras do secundrio; Potncia; Perda de potncia no cobre; Potncia dissipada;

PDD Potncia dissipada no diodo; PDM Potncia dissipada no MOSFET; Pin Pn R Potncia de entrada; Potncia dissipada no ncleo de ferrite; Resistor;

9 Rc Rse Resistncia por unidade de comprimento; Resistncia srie equivalente do capacitor de sada;

RDSon Resistncia drain-source do MOSFET; Rcs Resistncia trmica entre o encapsulamento e o dissipador; Rjc Resistncia trmica entre a juno e o encapsulamento do MOSFET; Rsa Resistncia trmica do dissipador; Sf t toff ton trr V VC VD VDS VF rea da seo transversal do fio; Tempo; Tempo de bloqueio; Tempo de entrada em conduo; Tempo de recuperao reversa; Tenso; Tenso no capacitor; Tenso no diodo; Tenso drain-source do MOSFET; Tenso de conduo do diodo;

VDSon Tenso de conduo do MOSFET; VGSM Tenso entre gate e source do MOSFET; VDSM Tenso enter drain e source do MOSFET; Vin Vn Vr B Tj Tenso de entrada do conversor; Volume do ncleo de ferrite; Tenso reversa; Profundidade de penetrao; Excurso da densidade de fluxo magntico; Variao da temperatura de juno;

ILo Amplitude da variao de corrente no indutor L0;

10 Tn Elevao de temperatura no ncleo de ferrite; 0 r Rendimento; Permeabilidade do ar; Permeabilidade relativa;

ndices: aux ef eff max med min pk prim sec tot Auxiliar; Eficaz; Efetivo; Mximo; Mdio; Mnimo; Pico; Primrio; Secundrio; Total.

11 SUMRIO DEDICATRIA...........................................................................................................4 AGRADECIMENTOS ................................................................................................5 LISTA DE FIGURAS ..................................................................................................6 SIMBOLOGIA .............................................................................................................7 RESUMO ....................................................................................................................12 1 INTRODUO ..............................................................................................13 1.1 Introduo .........................................................................................................13 2 FONTE DE ALIMENTAO BASEADA NO CONVERSOR CC-CC

EM PONTE COMPLETA COM CONTROLE POR DESLOCAMENTO DE FASE 15 2.1 Introduo .........................................................................................................15 2.2 Princpio de Funcionamento do Controle por Deslocamento de Fase do Conversor CC-CC ...................................................................................................15 3 PROCEDIMENTO E EXEMPLO DE PROJETO .....................................18 3.1 Projeto do Circuito de Potncia ........................................................................18 3.1.1 Transformador .........................................................................................18 3.1.2 Indutor do Filtro de Sada ........................................................................24 3.1.3 Capacitor do Filtro de Sada C0 ...............................................................27 3.1.4 MOSFETs ................................................................................................28 3.1.5 Diodos Retificadores de Sada ................................................................29 3.1.6 Dimensionamento dos Dissipadores .......................................................30 3.2 Projeto do Circuito de Controle ........................................................................31 4 RESULTADOS EXPERIMENTAIS ............................................................33 4.1 Apresentao do Prottipo Implementado ........................................................33 4.2 Apresentao dos Resultados Obtidos ..............................................................34 5 CONCLUSO ................................................................................................42

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS.....................................................................44

12 RESUMO Este trabalho descreve o projeto e o desenvolvimento de um prottipo de laboratrio de uma fonte de alimentao chaveada de alto desempenho baseada em um conversor CC-CC em ponte completa com controle por deslocamento de fase. A fonte de alimentao desenvolvida, opera em malha aberta, com 50kHz de freqncia de chaveamento, e utiliza o circuito integrado da Texas UCC 3895 para a gerao dos sinais de controle por deslocamento de fase para as chaves semicondutoras da ponte completa do conversor CC-CC. Esta tcnica de controle proporciona comutao no dissipativa do tipo tenso nula para as chaves semicondutoras do conversor CC-CC em uma ampla faixa de variao da corrente de carga. A partir da rede eltrica de 127V eficazes, pode-se obter os seguintes parmetros na sada da fonte de alimentao chaveada: potncia mxima de 150W, tenso de sada mxima de 30V e corrente de sada mxima de 5A. Os resultados experimentais obtidos comprovam o elevado rendimento dessa fonte de alimentao, bem como a obteno de comutao no dissipativa do tipo tenso nula para as chaves do conversor CC-CC.

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INTRODUO

1.1 Introduo As fontes de alimentao convencionais (isoladas por transformadores de baixa freqncia) utilizadas em equipamentos de uso geral e especfico, apresentam geralmente grande peso e volume, alm de apresentarem baixo rendimento. Uma tendncia atual a sua substituio por fontes chaveadas de alto desempenho, j que essas fontes podem proporcionar as seguintes caractersticas vantajosas: - reduo no peso e volume devido operao em altas freqncias; - rendimento elevado. Existem diversas fontes de alimentao chaveadas que atendem geralmente a uma aplicao especfica, como por exemplo: fontes de alimentao de microcomputadores e eletrodomsticos em geral. Tais fontes, so em geral, projetadas para atenderem a uma faixa de potncia na ordem de 300 W. Alm disso, essas fontes tm como principal caracterstica o baixo custo, j que so fabricadas em grande quantidade. Essas fontes apresentam rendimento que pode se situar na faixa entre 70% at 95%, o que bem superior aos das fontes convencionais, que pode situar na faixa entre 40% a 60%. As fontes chaveadas podem ser compostas por dois estgios de processamento de potncia, como mostra o diagrama de blocos da Figura 1. O estgio de entrada responsvel pela converso da tenso alternada da rede de alimentao em uma tenso de um barramento contnua com elevado fator de potncia (denominado de estgio de pr-regulador com alto fator de potncia). O estgio de sada converte a tenso do barramento contnuo em uma ou mais tenses de sada reguladas, ajustveis ou fixas.

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Figura 1 - Diagrama de blocos de uma fonte de alimentao chaveada com elevado fator de potncia.

Para baixos valores de potncia de sada, pode-se utilizar o estgio de entrada convencional, constitudo por uma ponte retificadora de diodos e por capacitores de filtragem. Nesse caso, a potncia somente solicitada da rede de alimentao durante um pequeno intervalo de conduo de corrente, resultando em um baixo fator de potncia (geralmente inferior a 0,65), com elevado contedo harmnico para a corrente da rede eltrica. Entretanto, esta configurao mais simples e apresenta baixo custo, por isso, foi a escolhida para ser implementada nesse trabalho. Para o estgio de sada, o conversor CC-CC em ponte completa com controle por deslocamento de fase tem se mostrado uma escolha mais atrativa, uma vez que ele pode proporcionar alto rendimento e baixos nveis de interferncia eletromagntica [2,3,4,5]. Alm da operao em alta freqncia, esse conversor incorpora vantagens da operao com comutao no dissipativa, do tipo tenso nula, e baixas perdas em conduo. Este trabalho visa projetar e implementar um prottipo de laboratrio de uma fonte de alimentao chaveada, com conversor CC-CC em ponte completa, com controle por deslocamento de fase baseado no circuito integrado da Texas UCC3895. A partir da rede eltrica de 127V eficazes, a fonte de alimentao operando em malha aberta, e com freqncia de chaveamento de 50kHz deve fornecer uma potncia de sada mxima de 150W, tenso de sada mxima de 30V, e corrente de sada mxima de 5A.

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2 FONTE DE ALIMENTAO BASEADA NO CONVERSOR CCCC EM PONTE COMPLETA COM CONTROLE POR DESLOCAMENTO DE FASE
2.1 Introduo A Figura 2 mostra o digrama simplificado do estgio de potncia da fonte de alimentao chaveada baseada no conversor CC-CC com controle por deslocamento de fase. O estgio de entrada convencional composto por um retificador nocontrolado e capacitores de filtragem. Assim, obtm-se uma tenso contnua de aproximadamente 180V. O estgio de sada baseado no conversor CC-CC com controle por deslocamento de fase deve reduzir a tenso do barramento contnuo de 180V para uma valor de no mximo 30V quando a razo cclica for de 100%. Pelo fato do conversor CC-CC operar em alta freqncia, os transformadores, indutores e capacitores tm seus pesos e volumes diminudos.

Figura 2 - Diagrama simplificado do conversor em ponte completa com controle por deslocamento de fase.

2.2 Princpio de Funcionamento do Controle por Deslocamento de Fase do Conversor CC-CC O conversor CC-CC utiliza a tcnica de deslocamento de fase, o que proporciona comutao no dissipativa do tipo tenso nula para os MOSFETs da ponte

16 completa em uma ampla faixa de variao da corrente de carga. Para a implementao dessa tcnica, foi empregado o circuito integrado da Texas UCC3895, o qual gera sinais de controle para os MOSFETS de um brao do conversor (M1, M2) defasados em relao aos sinais de controle do outro brao (M3, M4), como mostra a Figura 3. O valor da tenso VAB que aplicada no primrio do transformador (e que refletida para o secundrio do transformador) depender do intervalo de tempo t em que os MOSFETs M1 (sinal de comando output A) e M4 (output D) e tambm M2 (output B) e M3 (output C) estiverem conduzindo simultaneamente. Quando os sinais de comando dos MOSFETs M1 e M4 estiverem em fase (0o) o valor da tenso VAB ser mximo. Quando ocorrer um defasamento de 180 entre os sinais de comando de M1 e M4 o valor da tenso VAB no primrio do transformador ser zero. Ser assumido que o conversor opera no modo de conduo contnua de corrente, e o controle utilizado por deslocamento de fase (phase shift) das tenses nos pontos mdios dos braos do conversor. Do ponto de vista do transformador, esse tipo de controle funciona como se fosse de modulao por largura de pulso (PWM). A tenso entre os pontos A e B consiste numa forma de onda em trs nveis Vin, zero e Vin, sendo que a largura dos nveis positivos e negativos depende diretamente da razo cclica determinada pelo controle. Portanto, atravs da variao da razo cclica pode-se controlar o nvel de potncia transferido para a sada do conversor. Os braos do conversor realizam comutao na transio entre uma etapa de transferncia de energia para a carga (chamado de estado ativo) e uma etapa de rodalivre (chamada de estado passivo). A fonte de corrente de sada refletida ao primrio do transformador I0 assegura descarga linear das capacitncias intrnsecas das chaves. A anlise detalhada das comutaes pode ser encontrada em [1, 6].

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Figura 3 - Sinais de comando dos MOSFETs gerados pelo circuito integrado UCC3895.

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PROCEDIMENTO E EXEMPLO DE PROJETO

3.1 Projeto do Circuito de Potncia O procedimento de projeto, utilizado para o conversor CC-CC em ponte completa PWM com comutao dissipativa convencional, com limitao da densidade de fluxo, pode ser empregado para a determinao do transformador e do indutor do conversor CC-CC com controle por deslocamento de fase [6, 7, 8]. Um exemplo prtico de projeto apresentado tendo como objetivo atender as seguintes especificaes: Tenso de entrada : Vin = 180V 10% CC; Tenso de sada mxima: V0 = 30V CC; Corrente de sada mxima: I0 = 5A CC; Potncia de sada mxima: P0 = 150W; Freqncia de chaveamento: fs = 50kHz; Rendimento mnimo: = 0,9.

3.1.1 Transformador

A. Determinao do Ncleo O produto de reas do ncleo pode ser obtido pela seguinte equao:
Pin(max) . 10 4 K t .K u .K p .J max .B max .2.f s

A e .A w =

(cm4)

(3.1)

Onde:

19 Ae rea efetiva da perna central do ncleo; Aw rea da janela do ncleo com carretel; Pin(max) = P0(max)/ = 166,67W (potncia de entrada); Kt = Iin(cc)/Iprim(ef) (fator de topologia); Ku fator de utilizao da janela do ncleo; Kp fator de utilizao do primrio; Kt = 1; Ku = 0,4 e Kp = 0,41 para o conversor em ponte completa; Jmax = 400 A/cm2 (densidade de corrente mxima); Bmax = 0,2T (excurso da densidade de fluxo mxima). Substituindo esses valores na equao (3.1) encontra-se: Ae.Aw = 1,27 cm4. O ncleo de ferrite escolhido foi o EE42/15 com material IP-6 da Thornton, que apresenta as seguintes reas: Ae = 1,81 cm2 e Aw = 1,57 cm2. B. Determinao do Nmero de Espiras do Primrio: O nmero de espiras do primrio do transformador pode ser determinado por:
Np Vin(min) .10 4 2.A e .B max .f s

(3.2)

Para Vin(min) = 162V, chega-se a Np 44,76 espiras. C. Determinao da Relao de Transformao A relao de transformao n pode ser obtida pela equao:
Np Ns 0,9.(Vin(min) 2.VDSon ).D efv(max) V0(max) + VF

n=

(3.3)

Onde: VDSon(max) = 1,5V (tenso de conduo mxima de cada MOSFET);

20 VF = 1V (tenso de conduo do diodo retificador de sada); Def(max) = 0,875 (razo cclica efetiva mxima no secundrio, assumindo D = 0,125); A partir desses valores encontra-se n = 5.

D. Determinao do Nmero de Espiras de Cada Secundrio O nmero de espiras de cada secundrio obtido pela equao (3.4), para a qual deve ser assumido somente um nmero inteiro. Ns = Np/n Considerando Np = 45 e n = 5, chega-se a Ns = 9 espiras. E. Dimensionamento dos Condutores de Cada Secundrio A corrente eficaz em cada secundrio do transformador obtida pela equao (3.5).
I sec(ef) = I0 2

(3.4)

(3.5)

Para I0 = 5A , chega-se a Isec(ef) = 3,54 A. A rea total dos condutores de cada secundrio obtida pela equao (3.6).
S Ts = I sec(ef) J max

(3.6)

Para Isec(ef) = 3,54A e Jmax = 400/cm2, STs = 0,00885 cm2.

21 Deve-se utilizar condutores cujos raios no ultrapassem a profundidade de penetrao para eliminar o efeito pelicular, provocado pela circulao de corrente alternada de alta freqncia nos enrolamentos do transformador. A profundidade de penetrao pode ser obtida pela equao (3.7).
= 7,5 fs

(3.7)

Para fs = 50kHz, encontra-se = 0,033541 cm. Portanto, o fio 22 AWG foi escolhido, tendo como rea da seo transversal Sf = 0,003255 cm2. O nmero total de fios que devem ser associados em paralelo pode ser determinado por:
nf = S Ts Sf

(3.8)

Portanto, nf = 3 fios. F. Dimensionamento dos Condutores do Primrio A corrente eficaz do primrio do transformador dada por:
Ns Np

I prim(ef) = I 0 .

(3.9)

Para I0 = 5A, Ns = 9 e Np = 45, chega-se a Ipim(ef) = 1 A. Seguindo a mesma metodologia do item anterior, com Iprim(ef) = 1A e Jmax = 400 A/cm2, conclui-se que o primrio deve ser composto por 1 fio 22 AWG.

22 G. Clculo Trmico a) Perdas no Cobre A perda no cobre do transformador pode ser determinada por:
2 I ef Pcu = R c .N.l t . nf

(3.10)

Onde: Pcu perda no cobre (W); Rc resistncia por unidade de comprimento (/cm); N nmero de espiras; lt comprimento mdio de uma espira (cm); Ief corrente eficaz (A); Nf nmero total de fios. A partir da equao (3.10) com: Rc = 0,000708 /cm (para o fio 22 AWG 100C); Np = 45; lt = 8,7 cm (para o ncleo EE 42/15); Iprim(ef) = 1 A; nf = 1. determina-se a perda no cobre Pcu(prim) = 0,3 W. A perda no cobre para cada secundrio do transformador, para Ns = 9, Isec(ef) = 3,54 A e nf = 3, so iguais a: Pcu(sec) = 0,2 W.

23 A perda no cobre total do transformador dada por:


Pcu(tot) = Pcu(prim) + Pcu(sec)

(3.11)

Portanto, Pcu(tot) = 0,7 W. b) Perdas no ncleo Pode-se determinar a perda no ncleo do transformador utilizando a seguinte equao:
Pn = (B max ) 2, 4 .(K H .f s + K E .f s2 ).Vn

(3.12)

Onde: Pn perda no ncleo (W); KH coeficiente de perdas por histerese; KE coeficiente de perdas por correntes parasitas; Vn volume do ncleo (cm3). Para ferrite: KH = 4x10-5 e KE = 4x10-10. O ncleo EE 42/15 possui Vn = 17,10 cm3 e utilizando-se Bmax = 0,2 T e fs = 50 kHz, chega-se a Pn = 1,1 W. c) Elevao de Temperatura no Transformador A elevao de temperatura no transformador pode ser obtida atravs da equao (3.13):
Tn = Pt .R t

(3.13)

Onde:

24 Tn elevao de temperatura do ncleo do transformador (C); Pt = Pcu(tot) + Pn total de perdas no tranformador (W); Rt resistncia trmica do ncleo para conveco natural (C/W). A resistncia trmica determinada pela seguinte equao:
R t = 23.(A e .A w ) 0,37

(3.14)

Para Ae = 1,81 cm2 e Aw = 1,57 cm2, chega-se a Rt = 15C/W. Portanto, para um total de perdas no transformador Pt = 1,8 W, resulta em Tn = 27C.

3.1.2 Indutor do Filtro de Sada A determinao da indutncia L0 deve ser feita com o objetivo de manter a operao do conversor em conduo contnua de corrente em L0, em quase toda a faixa de carga. Para isso, deve-se considerar que quanto menor IL0, maior ser o valor da indutncia L0 e da faixa de carga com operao contnua de corrente em L0. Entretanto, um limite prtico deve ser imposto no valor da indutncia L0, tendo como parmetros o peso e o volume do indutor. Neste caso, esse limite definido pela equao (3.15):
I L0 = 0,07I 0

(3.15)

Com base nesta especificao, a indutncia L0 pode ser determinada pela seguinte equao:
(V0(max) + VF ).(1 D min ) 2.f s .I L0

L0 =

(3.16)

25 Utilizando V0(max) = 30V, VF = 1V, Dmin = 0, fs = 50kHz e ILo = 0,35A, resulta em L0 = 885H. Devido ao baixo nvel de ondulao da corrente de alta freqncia nesse indutor, o efeito pelicular pode ser desprezado. Portanto, pode-se usar Bmax = 0,3 e Jmax = 450 A/cm2. a) Determinao do Ncleo O produto de reas do ncleo pode ser obtido usando a equao (3.17).
L 0 .I pk .I ef .10 4 K w .B max .J max

A e .A w =

(3.17)

Onde: L0 indutncia do filtro de sada (H); Ipk corrente de pico no indutor L0 (A); Ief corrente eficaz no indutor L0 (A); Kw fator de enrolamento; Bmax densidade de fluxo mxima (T); Jmax densidade de corrente (A/cm2); A corrente de pico no indutor dada por:
I L0 2

I pk = I 0 +

(3.18)

Onde a variao da corrente no indutor do filtro de sada dada pela equao (3.15).

26 Substituindo os valores de: L0 = 885H, I0 = 5A, IL0= 0,35 A, Ipk = 5,175 A, Ief = 5 A, Bmax = 0,3T, Jmax = 450A/cm2 e Kw = 0,7, encontra-se Ae.Aw = 2,42 cm4. Foi escolhido o ncleo EE 42/15 IP-6 da Thornton, cujos parmetros so: Ae = 1,81 cm2 e Aw = 1,57 cm2. b) Determinao do Nmero de Espiras O nmero de espiras do indutor L0 pode ser determinado pela equao (3.19).
L 0 .I pk .10 4 B max .A e

N=

(3.19)

Para L0 = 885H, Ipk = 5,175, Bmax = 0,3T e Ae = 1,81 cm2, resulta em N = 85 espiras. O dimensionamento dos condutores para o indutor L0 realizado seguindo o mesmo mtodo de clculo utilizado para o transformador, com I0 = 5A e Jmax = 450A/cm2, chega-se a 3 fios 22 AWG. c) Determinao do Entreferro O entreferro necessrio para se obter a indutncia L0 dado pela equao:
0 . r .N 2 .A e .10 2
L0

lg =

(3.20)

Onde: lg entreferro do ncleo (cm); 0 = 4 x 10-7 permeabilidade do ar;

27 r = 1 permeabilidade relativa; N nmero de espiras; L0 indutncia do filtro de sada (H); Para N = 85, L0 = 885H e Ae = 1,81 cm2, chega-se a lg = 0,18 cm. Utilizando-se um ncleo do tipo EE, pode-se dividir o entreferro em duas partes. A metade do valor do entreferro fica nas pernas laterais e a outra metade fica na perna central (cuja rea o dobro da rea de cada uma das pernas laterais). Dessa forma, chega-se a lg/2 = 0,9 mm. d) Clculo Trmico O clculo das perdas no cobre e no ncleo e o da elevao de temperatura no indutor L0 foi feito seguindo a mesma metodologia usada para o transformador. Assim, encontrou-se: Pcu = 4.3 W; Pn = 1,2 W; Tn = 82,5 C. Verificou-se na prtica que o indutor L0 no teve uma elevao de temperatura to alta, mesmo com carga nominal.

3.1.3 Capacitor do Filtro de Sada C0 A capacitncia do filtro de sada pode ser determinada para atender especificao de variao da tenso de sada na freqncia de chaveamento. Dessa forma, a capacitncia C0 obtida pela equao:

28
C0 = I L0 8.f s .V0

(3.21)

Para IL0 = 0,35A, fs = 50kHz e V0 = 0,2V, obtm-se C0 = 4,4F. A mxima resistncia srie do capacitor de sada dada por:
V0 I L0

R se(max) =

(3.22)

Para V0 = 0,2V e IL0 = 0,35A, resulta em Rse(max) = 0,6. Para atender especificao de Rse(max), utilizou-se um capacitor eletroltico de 470F/200V com Rse = 0,02. 3.1.4 MOSFETs Os principais parmetros que devem ser levados em conta para a especificao dos MOSFETs so: mxima tenso drain-source VDS(max); corrente eficaz nominal na temperatura de trabalho IDM(ef); corrente de pico repetitiva IDM(pk); resistncia drain-source na temperatura de trabalho RDS(on); capacitncias de entrada e sada CGS e CDS; tempo de entrada em conduo (turn-on time) ton; tempo de bloqueio (turn-off time) toff. A corrente eficaz total nos MOSFETs pode ser determinada pela seguinte equao:

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I
2 DM(ef)

N = s .I 0 . D max / 2 N p

(3.23)

A corrente de pico nos MOSFETs pode ser obtida por:


Ns .(I 0 + I L0 ) Np

I DM(pk) =

(3.24)

Para Ns/Np = 9/45, I0 = 5A, Dmax = 1, IL0 = 0,35A, resulta em: IDM(ef) = 0,71A e IDM(pk) = 1,1 A. Considerando as seguintes especificaes: VDS = Vin(max) = 198V, IDM(ef) = 0,71 A, IDM(pk) = 1,1 A, e Tj = 100C, optou-se pelo MOSFET IRFP260, uma vez que alm de atender tais especificaes, apresenta baixa resistncia RDS(on). Esse MOSFET apresenta as seguintes caractersticas: VDS(max) = 200 V, IDM(100C) = 35 A, IDM(pk) = 200 A, RDSon(100C) = 0,55 , ton = 17 ns, toff = 55 ns, CGS = 1,4 nF e CDS = 0,6 nF. 3.1.5 Diodos Retificadores de Sada A tenso reversa sobre os diodos retificadores de sada pode ser obtida por:
Ns .Vin(max) Np

VD(max) = 2.

(3.25)

Como Ns/Np = 9/45, e Vin(max) = 198V, resulta em VD(max) = 79,2 V.

30 A partir das seguintes especificaes: VD(max) = 79,2 V, IF = I0/2 = 2,5A, optou-se pelo diodo ultra rpido MUR620, que apresenta as seguintes caractersticas: - corrente direta: IF = 6A; - corrente de pico repetitiva: IF(fw) = 75A; - tenso reversa: VR = 200V; - tempo de recuperao reversa: trr = 35ns. 3.1.6 Dimensionamento dos Dissipadores A resistncia trmica dos dissipadores obtida pela equao:
Tj PD

R sa =

R jc R cs

(3.26)

Onde: Rsa resistncia trmica do dissipador; Tj variao da temperatura da juno; PD potncia dissipada; Rjc resistncia trmica entre a juno e o encapsulamento; Rcs resistncia trmica entre o encapsulamento e o dissipador; A. MOSFETs Assumindo Rcs = 0,5C/W e Tj = 60C, e a partir dos valores de PDM = 2xRDS(on)xIDM(ef)2 = 4W (para dois MOSFETs montados no mesmo dissipador) e Rjc = 1C/W (MOSFET IRF740) resulta em Rsa = 15C/W. B. Diodos Retificadores de Sada

31 Considerando PDD = VF x IF = 10W (potncia total dissipada nos diodos) e Rjc = 1,5 C/W (diodo MUR620) resulta em Rsa = 4C/W. Verificou-se na prtica que a temperatura, para carga nominal e temperatura ambielte de 25C, estabilizou-se em torno de 55C.

3.2 Projeto do Circuito de Controle O projeto do circuito de controle foi feito seguindo-se a orientao do fabricante do CI UCC3895. Foram realizadas algumas modificaes com o objetivo de simplificar o circuito, minimizando os componentes necessrios, tais como retirada da realimentao de tenso (pois o circuito funcionar em malha aberta) e retirada do sensor de corrente. O CI UCC3895 exige o uso de dois circuitos auxiliares, o CI TPS2812, que um driver para os transformadores de pulso. Dessa forma, evitam-se interferncias nos sinais de acionamento dos MOSFETs pelas correntes drenadas por esses transformadores. Os transformadores de pulso foram implementados utilizando ncleos toroidais, os quais apresentaram menores nveis de disperso. A Figura 4 mostra o diagrama da fonte de alimentao chaveada incluindo o estgio de controle por deslocamento de fase baseado no CI UCC3895.

32

Figura 4 - Diagrama da fonte de alimentao chaveada com o estgio de controle por deslocamento de fase.

O diagrama do estgio de entrada da fonte mostrada pela Figura 5.

Figura 5 - Estgio de entrada da fonte de alimentao chaveada.

33

RESULTADOS EXPERIMENTAIS

4.1 Apresentao do Prottipo Implementado A Figura 6 mostra o prottipo implementado da fonte de alimentao chaveada, do qual foram obtidos os resultados experimentais.

Figura 6 - Prottipo implementado da fonte de alimentao chaveada.

34 4.2 Apresentao dos Resultados Obtidos As principais formas de onda do circuito so mostradas nas Figuras de 7 a 17 a seguir. Na Figura 7 pode-se observar a forma de onda da tenso de sada do conversor CC-CC no ponto de conexo dos diodos D1 e D2 da Figura 4 (antes da etapa do filtro LC de sada).

Figura 7 - Tenso de sada antes da etapa de filtragem. Escalas: tenso: 5V/div, tempo: 4s/div.

Na Figura 8 pode-se verificar os sinais de comando gerados nas sadas A e C do CI UCC3895.

Figura 8 - Sinais de comando gerados pelo CI UCC3895. Escalas: tenso: 5V/div, tempo: 4s/div.

35

As Figuras 9 e 10 mostram as tenses no enrolamento primrio do transformador juntamente com a tenso de sada da fonte de alimentao chaveada para razes cclicas de 80% e 30%, respectivamente.

Figura 9 - Tenso no primrio do transformador e tenso de sada para uma razo cclica de 80%. Escalas: tenso Vo: 10V/div; tenso VAB: 50 V/div, tempo: 10s/div.

Figura 10 - Tenso no primrio do transformador e tenso de sada para uma razo cclica de 30%. Escalas: tenso Vo: 10V/div; tenso VAB: 50 V/div, tempo: 10s/div.

36 A Figura 11 mostra a tenso e corrente no primrio do transformador, para a seguinte condio de carga (sada): tenso: 20V e corrente 3A.

Figura 11 - Tenso e corrente no primrio do transformador. Escalas: tenso VAB: 50 V/div, corrente IP: 500mA/div, tempo: 4s/div.

A Figura 12 mostra a tenso de comando de um MOSFET e sua corrente de dreno.

Figura 12 - Tenso de comando e corrente de dreno em um MOSFET. Escalas: tenso VGS: 5V/div, corrente ID: 100mA/div, tempo: 4s/div.

37 A Figura 13 mostra o detalhe do tempo morto, gerado pelo CI UCC3895, no primrio do transformador de pulso, para o comando dos MOSFETs de um dos braos do conversor CC-CC.

Figura 13 - Detalhe mostrando o tempo morto gerado pelo CI UCC3895. Escalas: tenso VGS1,2: 10V/div, tempo: 4s/div.

A comutao dos MOSFETs dos braos da ponte completa do conversor CCCC so mostrados nas Figuras de 14 a 17, das quais pode-se verificar que para uma ampla faixa de carga, os MOSFETs realizam comutao no dissipativa do tipo tenso nula. A Figura 14 mostra a corrente e a tenso do MOSFET M1 para 10% de corrente de carga.

38

Figura 14 - Comutao no MOSFET M1 para 10% de corrente de carga. Escalas: tenso VDS: 50V/div, corrente ID: 100mA/div, tempo: 4s/div.

Figura 15 - Comutao no MOSFET M1 para 80% de corrente de carga. Escalas: tenso VDS: 50V/div, corrente ID: 500mA/div, tempo: 4s/div.

39

Figura 16 - Comutao no MOSFET M3 para 10% de corrente de carga. Escalas: tenso VDS: 50V/div, corrente ID: 100mA/div, tempo: 4s/div.

Figura 17 - Comutao no MOSFET M3 para 80% de corrente de carga. Escalas: tenso VDS: 50V/div, corrente ID: 500mA/div, tempo: 4s/div.

40 As Figuras 18 e 19 mostram o rendimento da fonte de alimentao chaveada, obtido com o analisador de potncia Voltech modelo PM3000A, nas situaes de meia carga e carga nominal. Para meia carga, o rendimento medido foi de 90,41%, e para carga nominal de 92%.

Figura 18 - Rendimento da fonte com 50% da carga nominal.

Figura 19 - Rendimento da fonte com carga nominal.

41 A curva de rendimento de conversor em funo da carga mostrado na Figura 20.

Rendimento da Fonte de Alimentao


100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 Potncia de Sada (W)

Figura 20 - Curva de rendimento da fonte de alimentao chaveada em funo da carga.

O fator de potncia da fonte de alimentao chaveada obtido com a entrada convencional mostrado na Figura 21.

Rendimento (%)

Figura 21 - Fator de potncia.

42

CONCLUSO

Este trabalho apresentou uma fonte de alimentao chaveada com o conversor CC-CC com ponte completa com controle por deslocamento de fase. O prottipo foi implementado em malha aberta, para uma potncia de sada de 150W, operao com freqncia de chaveamento de 50 kHz, com tenso de sada mxima de 30V e corrente de sada mxima de 5A. Utilizando o conversor CC-CC em ponte completa com controle por deslocamento por fase, o qual proporciona comutao no dissipativa do tipo tenso nula, obteve-se um rendimento de 92% para carga nominal, bem superior ao apresentado pelas fontes de alimentao convencionais, que pode atingir a valores mximos na ordem de 60%. O projeto da fonte de alimentao chaveada foi realizado tendo como objetivo minimizar o nmero de componentes, para aumentar a confiabilidade e reduzir seu custo. O CI UCC3895 mostrou-se como uma soluo eficaz e de baixo custo na implementao do controle por deslocamento de fase. Inclusive ele permite um ajuste adequado do tempo morto que deve ser introduzido nos sinais de comando dos braos, para evitar o curto de brao pela conduo simultnea dos MOSFETs de um mesmo brao. Com base nos resultados obtidos, e devido s diversas vantagens apresentadas por essa fonte de alimentao chaveada, pode-se considerar essa direo interessante a ser seguida para a substituio das atuais fontes de alimentao convencionais (lineares).

43 Finalmente, como seqncia do projeto apresentado, merecem investigaes futuras os seguintes assuntos: - obteno de um pr-regulador de alto fator de potncia para ser utilizado como estgio de entrada dessa fonte de alimentao; - malhas de controle de tenso e corrente para serem usadas em conjunto com a estrutura de controle, com o objetivo de implementar funes que permitam o ajuste da tenso e da corrente de sada, bem como a de proteo.

44 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS [1] M. Brunoro, Fonte de Alimentao de Alto Desempenho com Controle por Deslocamento de Fase, Dissertao de Mestrado, Universidade Federal do Esprito Santo UFES, Vitria, 1997. [2] R. A. Fisher, K. D. T. Ngo and M. H. Kuo, A 500 kHz 250W DC-DC Converter With Multiples Outputs Controlled by Phase Shifted PWM and Magnetic Amplifier, HFPC88, pp. 100-110. [3] L. H. Mweene, C. A. Write and M. S. Schlecht, A 1kW, 500kHz Front-End Converter For Distributed Power Supply System, IEEE-APEC Conference Records, 1989, pp. 423-432. [4] J. A. Sabat, V. Vlatkovic, R. B. Ridley, F. C. Lee and B. H. Cho, Design Considerations for High-Voltage High-Power Full-Bridge Zero-Voltage-Switching PWM Converter, IEEE-APEC90, 1990, pp 275-284. [5] R. Redl, N. O. Sokal and L. Balogh, A Novel Soft Switching Full-Bridge DC/DC Converter: Design Considerations and Experimental Results at 1.5kW, 100kHz, IEEE-PESC Conference Records, 1990, pp. 162-172. [6] J. L. F. Vieira, Concepo, Anlise e Projeto de Sistemas de Alimentao em Corrente Contnua de Alto Desempenho com Altas Freqncias e Potncia, Tese de Doutorado, Universidade Federal de Santa Catarina UFSC, Florianpolis, 1993. [7] Unitrode, Switching Regulated Power Suply Design Seminar Manual, 1986. [8] Bill Anreycak, Designing a Phase Shifted Zero Voltage Transition (ZVT) Power Converter, in Unitrode Switching Regulated Power Supply Design Manual, 1993.