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UJT

Transistor de unijuno
Origem: Wikipdia, a enciclopdia livre.

Transistor de unijuno (UJT) um transistor que pode ser utilizado em osciladores de baixa freqncia, disparadores, estabilizadores,geradores de sinais, dentes de serra e em sistemas temporizados.
ndice
[esconder]

1 Smbolos 2 Constituio interna 3 Principio de funcionamento 4 Caractersticas tcnicas 5 Como testar o UJT com o multmetro 6 Oscilador com um transistor de unijuno

[editar]Smbolos
E Emissor B1 Base 1 B2 Base 2

[editar]Constituio

interna

Basicamente o transistor de unijuno constitudo por uma barra de material semicondutor do tipo N (de alta resistividade) com terminais nos extremos. Tais contatos no constituem junes semicondutoras, e assim, entre B2 (base 2) e B1 (base 1) temos, na prtica uma resistncia, formada pelo material semicondutor N. O material do tipo P como material do tipo N formam a nica juno PN semicondutora interna. Tudo se passa como se o bloco do tipo N fosse formado por duas simples resistncias (Rb2 e Rb1), em srie, tendo ligado no seu ponto central um diodo (terminal E ou Emissor). O terminal do emissor (E) est mais prximo da base 2 (B2).

[editar]Principio

de funcionamento

O valor resistivo normal entre os terminais da base 2 e 1 relativamente alto (tipicamente entre 4 K e 12 K). Assim, se ligarmos o terminal B2 a um potencial positivo (tipicamente entre 6 e 30 Volt), e o terminal B1 ao negativo, uma corrente muito pequena circular por Rb2 e Rb1. Ao mesmo tempo, Rb2 e Rb1 formam um divisor de tenso, em cujo ponto intermdio surge uma tenso menor, porm proporcional quela que foi aplicada a B2. Suponhamos que Rb2 e Rb1 tm valores iguais,

de 5 K cada um. Assim, se aplicarmos (com a polaridade indicada) 10 Volt entre B2 e B1, o ctodo do diodo do emissor ter uma tenso de 5 Volts. Ao aplicarmos, ento, uma tenso de entrada no emissor (E) do UJT, esta ter que, inicialmente vencer a barreira de potencial intrnseca da juno PN ( 0,6V) e, em seguida, superar a prpria tenso que polariza o ctodo (5 Volts no exemplo). Nesse caso, enquanto a tenso aplicada ao terminal do emissor (E) no atingir 5,6 Volt (0,6V + 5V) no haver passagem de corrente pelo emissor atravs de Rb1 para a linha de negativo da alimentao. Mantendo-se no exemplo, uma tenso de emissor igual ou maior do que 5,6 Volts determinar a passagem de uma corrente; j qualquer tenso inferior (a 5,6V) ser incapaz de originar passagem da corrente eltrica pelo emissor (E) e por Rb1. Enquanto os 5,6V no forem atingidos, a corrente ser nula, como atravs de um interruptor aberto. Alcanando os 5,6V, tudo se passa como se o tal interruptor estivesse fechado. A corrente que circular estar limitada unicamente pelo valor resistivo intrnseco de Rb1. Como a transio de corrente nula, para corrente total, entre emissor (E) e base 1 (B1) se d sempre de forma abrupta (quando a tenso de emissor chega tenso/limite de disparo), podemos considerar o UJT como um simples interruptor acionado por tenso.

[editar]Caractersticas

tcnicas

Tenso entre bases (Vbb) a mxima tenso que pode ser aplicada entre as bases. Tenso entre emissor e base 1 (Vb1e) a mxima tenso que pode ser aplicada entre esses dois terminais.

Resistncia entre bases (Rbb) a resistncia existente entre os dois terminais de base. Corrente de pico de emissor (Ie) a corrente mxima que pode circular entre o emissor e a base 1 quando o transistor disparado.

Razo intrnseca de afastamento ()

Rbb = Rb1 + Rb2


a chamada razo intrnseca de afastamento, que nada mais do que o fator do divisor de tenso. A faixa tpica de variao de de 0,5 a 0,8. Por exemplo, o 2N2646 tem um de 0,65. Se este UJT for usado com uma tenso de alimentao de 10 Volt V1 = x V V1 = 0,65 x 10 V1 = 6,5V V1 a chamada tenso intrnseca de afastamento porque ela mantm o diodo emissor com polarizao inversa para todas as tenses aplicadas ao Emissor, inferiores a V1. Se V1 for igual a 6,5 Volt, ento temos de aplicar um pouco mais ( 0,6V) do que os 6,5V para polarizar diretamente a juno PN e haver conduo entre Emissor e a Base 1.

[editar]Como

testar o UJT com o multmetro

Medir a resistncia entre as duas bases (em qualquer sentido), o valor medido deve estar entre 4 e 12 K, tipicamente.

Colocar as pontas de prova entre o emissor e a base 1 devendo indicar o multmetro uma resistncia alta num sentido e uma resistncia baixa no sentido oposto (indicando o estado da juno PN).

[editar]Oscilador

com um transistor de unijuno

Ao aplicarmos inicialmente a alimentao ao circuito o capacitor comea a carregar, atravs da resistncia R ( = R x C). Assim que a tenso aos terminais do condensador atinge o ponto de disparo do UJT a corrente sai pela base 1 passando por R1. Desta forma o capacitor descarrega e a sua tenso passa a ser inferior tenso necessria para disparar o UJT ficando este novamente ao corte, reiniciando-se novamente todo o ciclo. de notar que devido s suas posies R2 e R1 influenciam a prpria relao intrnseca do divisor de tenso interno do UJT, uma vez que R2 mais RB2 encontram-se acima da juno de Emissor, enquanto que R1 e RB1 se encontram abaixo da mesma juno. Assim se R2 aumentar, a tenso necessria para disparar o UJT diminui (e vice-versa). Se R1 aumentar a tenso de disparo do UJT tambm ter que aumentar. Se desejarmos uma freqncia baixa de oscilao, podemos aumentar o valor da capacidade do capacitor.

http://pt.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_unijun%C3%A7%C3%A3o

http://en.wikipedia.org/wiki/Unijunction_transistor

Transistor Unijunction TRADUZIDO


Origem: Wikipdia, a enciclopdia livre

Transistores Unijunction

Circuito smbolo

Um transistor unijunction (UJT) uma electrnica de semicondutores dispositivo que tem apenas uma juno . O UJT tem trs terminais: um emissor (E) e duas bases (B1 e B2). A base formada por levemente dopado n-tipo barra de silcio. Dois contactos B1 e B2 hmica esto ligados nas suas extremidades. O emissor de tipo p- e fortemente dopado. A resistncia entre B1 e B2, quando o emissor circuito aberto chamado de resistncia IB. Existem trs tipos de transistores unijunction:

O transistor unijunction original, ou UJT, um dispositivo simples que essencialmente uma barra de N tipo de semicondutor material em que P material tipo tem sido difundido em algum

lugar ao longo do seu comprimento, definindo o parmetro dispositivo mais usada do UJT.

. O 2N2646 a verso

O transistor unijunction complementar, ou CUJT, que uma barra de tipo P semicondutormaterial em que N material tipo tem sido difundido em algum lugar ao longo do seu comprimento, definindo o parmetro dispositivo . O 2N6114 uma verso do CUJT.

O transistor unijunction programvel, ou PUT, um primo prximo do tiristor . Tal como o tiristor constitudo por quatro camadas PN e tem um nodo e um ctodo ligado ao primeiro e da ltima camada, e uma porta ligada a uma das camadas interiores. Eles no so diretamente intercambivel com UJTs convencionais, mas desempenham uma funo similar.Em uma configurao de circuito adequado com dois resistores de "programao" para definir o parmetro , Eles se comportam como um UJT convencional. O 2N6027 um exemplo de um

tal dispositivo. O UJT polarizado com uma tenso positiva entre as duas bases. Isto provoca uma queda de potencial ao longo do comprimento do dispositivo. Quando a tenso do emissor conduzido aproximadamente uma tenso do diodo acima da tenso no ponto em que a difuso P (emissor) , a corrente comear a fluir a partir do emissor para a regio da base. Como a regio de base muito levemente dopado, a corrente adicional (na verdade, cargas na regio da base) faz com que a modulao de condutividade que reduz a resistncia da poro da base entre a juno emissor eo terminal B2. Esta reduo na resistncia significa que a juno emissor mais polarizado, e de modo ainda mais corrente injectada. Em geral, o efeito uma resistncia negativa no terminal emissor. Isto o que faz com que o UJT til, especialmente em circuitos osciladores simples. Circuitos de transistores Unijunction eram populares em circuitos de componentes eletrnicos na dcada de 1960 e 1970 porque permitiram simples osciladores para ser construda utilizando apenas um dispositivo ativo. Por exemplo, eles foram usados para osciladores de relaxao de luzes estroboscpicas de taxa varivel. [1] Mais tarde, como circuitos integrados tornaram-se mais popular, osciladores como otemporizador 555 IC tornou-se mais comumente usados. Em adio sua utilizao como o dispositivo activo em osciladores de relaxamento , uma das aplicaes mais importantes da UJTs ou coloca provocar tiristores ( SCR , TRIAC , etc.) Na verdade, uma tenso de DC pode ser utilizado para controlar um UJT ou PUT circuito de tal modo que o "on perodo" aumenta com um aumento na tenso de controlo DC. Esta aplicao importante para o controle de CA grande corrente. UJTs tambm pode ser utilizado para medir o fluxo magntico. O efeito de Hall modula a tenso na juno PN. Isso afeta a freqncia de osciladores de relaxao UJT. [2] Isso s funciona com UJTs. Puts no apresentam esse fenmeno.

[ editar ]Ver

tambm

Mudana de fase do oscilador

[ editar ]Referncias

1.

^ . Ronald M. Benrey (Out. 1964) "Um flash de repetio Voc pode construir" . Popular Science 185 (4): .

2.

^ Agrawal, SL;. DP Saha, R. Swami, RP Singh (23 de Abril de 1987) "fluxmeter magntica digital utilizando unijunction sonda transistor" .International Journal of Retirado 24 de setembro de 2011.

[ editar ]Ligaes

externas

O Wikimedia Commons possui multimdia sobre: transistores Unijunction

Diagramas e descrio de transistores unijunction de Microsemiconductor americano

TUJ OU UJT

Funcionamento e polarizao Usos: Gerador de forma de onda e osciladores Constituio interna

O material N levemente dopado, o que implica numa elevada resistncia Simbologia

Circuito equivalente

Parmetros internos

Resistncia base base: Rbb = Rb1 + Rb2

Relao intrnseca de bloqueio: n = Rb1 = Vb1 Rbb Vcc

Obs.: Na prtica n varia entre 0,5 a 0,8. Funcionamento Para que o circuito seja polarizado diretamente necessrio que a tenso entre o emissor e a base1 (B1) seja no mnimo igual a : Veb1 (tenso entre emissor e base1) = Vd + Vb1 Para sabermos o valor de Vb1 basta voltarmos a expresso que define n: n = Rb1 = Vb1 n = Vb1 Rbb Vcc Vcc Vb1 = n . Vcc

Temos ento: Veb = Vd + n . Vcc p/ Vd = 0,5 a 0,7V

A este valor de Veb damos o nome de tenso de pico, que aonde acontece o disparo do TUJ. Chamamos a tenso neste ponto de Vp. Vp = Veb = Vd + n . Vcc Vp = Vd + n . Vcc A partir desta tenso o TUJ conduz com um aumento considervel da corrente. portanto:

Curva caracterstica

O disparo ocorre em Vp / Ip. O final do processo ocorre em Vv / Iv. Podemos perceber que durante este intervalo temos um aumento da corrente com uma diminuio da tenso, o que nos indica uma regio de resistncia negativa (condio indicada por V e P). Do ponto V ao X o TUJ se comporta como um resistor linear (TUJ saturado). Para utilizarmos o TUJ em circuitos osciladores devemos polariz-los na regio de resistncia negativa.

Caractersticas do 2N2646

Rbb = 4K7 a 9K1 n = 0,56 a 0,75 Ip = 5microA Iv = 4mA Vv = 2,2V Pinagem

Configurao bsica

Funcionamento

Ao ligarmos Vcc o capacitor C comear a se carregar at que a tenso sobre ele atinja Vd. Neste instante o TUJ conduz e aparece um pico de tenso sobre R1 (R1 deve sempre ter um valor baixo). Quando a corrente Ie atinge um valor no suficiente para manter o transistor disparado, o processo se inicia novamente. As formas de onda no circuito so as seguintes:

O tempo de carga pode ser calculado, aproximadamente, por: Tempo de carga = Ton = 0,7.R.C Como o perodo de descarga muito menor que o de carga, podemos dizer que T = Ton e a frequncia ser dada por: F=1= T 1 R.C

Dimensionamento do circuito

R2 = 0,015.Vcc.Rbb.n Rbb = 10(R1 + R2) R1 = Rbb - R2 10 O resistor de emissor (R ou Re) deve ser dimensionado para que o TUJ trabalhe na regio de resistncia negativa. * Re mx. = Vcc - Vp Ip Vp = tenso de disparo Ip = corrente de disparo * corresponde a tenso mnima sobre Re ** Re mn. = Vcc - Vv Iv onde: onde: ento:

Vv = tenso de fim de disparo Iv = corrente de fim de disparo ** corresponde a tenso mxima sobre Re Obs.: Caso Re seja maior que Re mx. no teremos corrente suficiente para o disparo. Caso Re seja menor que Re mn. sairemos da regio de resistncia negativa e o circuito no oscilar.

Projeto Dados: Rbb = 8K Ohms Ip = 5microA n = 0,6 Iv = 4mA Vd = 0,6V

Vcc = 9V Vv = 2,2V C = 100nF

Clculos

Re mn. = Vcc-Vv = 9 - 2,2 = 1700 Ohms Iv 4.10 = 600 Ohms

Re mx. = Vcc- Vp = 9 - 6 Ip onde: Vp = Vd + n.Vcc Vp = 0,6 + (0,6 . 9) Vp = 6V 5.10

R2 = 0,015 . Vcc . Rbb . n R2 = 0,015 . 9 . 8 . 10 . 0,6 R2 = 648 Ohms

R1 = Rbb - R2 10 R1 = 8000 - 648 10 R1 = 152 Ohms

F mn. =

1 Re mx. . C

F mn. =

1 600.10.100.10

F mn. = 17Hz

F mx. =

1 Re mn. . C

F mn. =

1 1700.100.10

F mn. = 5,88KHz

http://www.radiopoint.com.br/tuj.htm

OUTRAS FONTES http://www.eletronica24h.com.br/cursoEI/cursoEI2/aulas/Aula05.html

O Transistor Unijunction (UJT)


Transistor Unijunction: Embora um transistor unijunction no um tiristor, este dispositivo pode desencadear tiristores maiores com um pulso na B1 base. Um transistor unijunction composto de uma barra de tipo N-silcio tendo uma ligao do tipo P no meio. Ver Figura abaixo (a). As ligaes nas extremidades da barra so conhecidos como bases B1 e B2, o tipo-P ponto mdio o emissor. Com o emissor desligado, o total da resistncia R BBO, um item de folha de dados, a soma de R B1 e B2 R como mostrado na Figuraabaixo (b). R BBO varia de 4-12k para diferentes tipos de dispositivos. O suporte isolador intrnseca relao a relao de R a R B1 BBO. Ela varia de 0,4-0,8 para dispositivos diferentes. O smbolo esquemtico figura abaixo (c)

Transistor Unijunction: (a) Construo, (b) modelo, smbolo (c) O emissor Unijunction corrente vs curva de voltagem caracterstica (Figura abaixo (a)) mostra que medida que aumenta V E, a corrente I E aumenta acima P no ponto de pico. Para alm do ponto de pico, a corrente aumenta como tenso diminui na regio resistncia negativa. A tenso atinge um mnimo no ponto de vale. A resistncia de R B1, a resistncia de saturao mais baixa est no ponto de vale. I P e I V, so parmetros da folha de dados;. Para um 2n2647, eu P e I V so 2A e 4mA, respectivamente[AMS] V P a queda de tenso atravs de R B1 mais uma gota de diodo 0.7V; ver Figura abaixo (b ). V V estimado em cerca de 10% de V BB.

Transistor Unijunction: (a) da curva caracterstica emissor, (b) O modelo para V P. O oscilador de relaxao na figura abaixo uma aplicao do oscilador unijunction. R E C E encargos at o ponto de pico. O terminal emissor unijunction no tem efeito sobre o condensador at este ponto atingido.Uma vez que a tenso do capacitor, V E, atinge o pico de tenso no ponto de V P, a baixa resistncia emissor base1-E B1-rapidamente descarrega o capacitor. Uma vez que as descargas de capacitores abaixo do ponto de vale V V, o E-RB1 resistncia reverte para uma elevada resistncia, e do condensador livre para carregar de novo.

Unijunction oscilador de relaxao de transistor e formas de onda. Oscilador dirige SCR. Durante descarga do condensador atravs da resistncia de saturao E B1-, um pulso pode ser visto na B1 externo e resistncias de carga, B2 Figura acima . O resistor de carga em B1 deve ser baixa para no afectar o tempo de descarga. A resistncia externa no B2 opcional. Pode ser substitudo por um curto-circuito. A frequncia aproximada dada por 1 / f = T = RC. A expresso mais exata para a freqncia dada na figura acima . O carregamento resistor R E deve cair dentro de certos limites. Deve ser suficientemente pequena para permitir que I P a fluir com base no V BB fornecimento menos P V. Deve ser grande o suficiente para abastecer

Eu V baseada na V para um 2n2647:

BB

menor suprimento

V. [MHW] As equaes e um exemplo

Transistor Unijunction programvel (PUT): Embora o transistor unijunction est listado como obsoleto (leia-se caro, se obtida), o transistor programvel unijunction est vivo e bem. barato e em produo.Embora serve uma funo semelhante do transistor unijunction, o PUT um tiristor terminal de trs. As partes colocar a estrutura de quatro camadas tpico de tiristores mostrado na Figura abaixo . Note-se que a porta, uma camada tipo-N perto do nodo, conhecido como um "porto nodo". Alm disso, o chumbo porto sobre o smbolo esquemtico ligado extremidade do nodo do smbolo.

Transistor unijunction programvel: curva caracterstica, construo interna, smbolo esquemtico. A curva caracterstica para o transistor unijunction programvel na Figura acima similar do transistor unijunction. Este um grfico da corrente I nodo A versus nodo tenso V a. Os portes de chumbo conjuntos de tenso, programas, o pico de tenso nodo V P. Como nodo inceases corrente, tenso aumenta at o ponto de pico. Posteriormente, aumentando os resultados atuais na diminuio da tenso, at o ponto vale. O equivalente PUT do transistor unijunction mostrado na Figura abaixo . Externa PUT resistores R1 e R2 substituir resistncias internas do transistor unijunction R B1 e B2 R, respectivamente. Estas resistncias permitir o clculo da razo de intrnseca impasse .

PUT equivalente do transistor unijunction Figura abaixo mostra a verso PUT da Figura oscilador de relaxao unijunction anterior . Resistor R carrega o capacitor at o ponto culminante, a figura anterior , depois de conduo pesada move o ponto de operao para baixo da encosta resistncia negativa ao ponto vale. A corrente flui atravs do ctodo espiga durante descarga do condensador, o desenvolvimento de um pico de tenso atravs das resistncias de ctodo. Aps a alta capacitor, a ponto de funcionamento volta redefine a inclinao at o ponto de pico.

PUT oscilador de relaxao Problema: Qual a faixa de valores adequados para R na figura acima , um oscilador de relaxao? O resistor de carga deve ser suficientemente pequena para fornecer corrente suficiente para elevar o nodo para V P do ponto de pico (Figura anterior ) durante o carregamento do condensador. Uma vez que V P atingido, a tenso nodo diminui com o aumento da corrente (resistncia negativa), que move o ponto de operao para o vale. o trabalho do capacitor para fornecer o vale corrente I V. Uma vez que descarregada, a ponto de funcionamento volta redefine a inclinao para cima, para o ponto de pico. A resistncia deve ser grande o suficiente para que ele nunca ir abastecer o alto vale do corrente I P. Se a resistncia de carga j que poderia fornecer mais corrente, o resistor iria fornecer o vale corrente aps o condensador foi descarregado eo ponto de funcionamento

nunca repor de volta para a condio de alta resistncia esquerda do ponto de pico. Ns selecionamos o mesmo V BB = 10V usado para o exemplo transistor unijunction. Ns selecionamos os valores de R1 e R2 de modo que de cerca de 2/3. Calculamos e V S. O equivalente paralelo de R1, R2 R G, que s usado para fazer selees da Tabela abaixo . Juntamente com V = S 10, o valor mais prximo ao nosso 6,3, encontramos V T = 0,6 V, na Tabela abaixo e calcular V P.

Ns tambm encontrar I P e I V, o pico e as correntes do vale, respectivamente na Tabela abaixo . Ns ainda precisamos de V V, a tenso vale. Utilizou-se 10% de V1V = BB, no exemplo unijunction anterior.Consultar a folha de dados, encontramos a tenso direta V F = 0.8V menos eu F = 50mA. O vale corrente I V= 70A muito menos do que eu F = 50mA. Portanto, V V deve ser inferior a V F = 0.8V. Quanto menos?Para ser seguro montamos V V = 0V. Isto ir aumentar o limite inferior da gama resistor um pouco.

Escolhendo R> 143K garantias de que o ponto de operao pode redefinir a partir do ponto vale aps a alta capacitor. R <755k permite carregar at V P no ponto de pico. Selecionado 2N6027 parmetros VENDA, adaptado a partir 2N6027 datasheet. [ON1] Parmetro V
T

Condies V V = 10V, R = 10V, R

min tpico max unidades V 0,7 0,35 1,6 0,6

S S

G G

= 1Meg 0,2 = 10k 0,2

Eu

A V V
S S

= 10V, R = 10V, R = 10V, R = 10V, R = 10V, R = 50mA

G G

= 1Meg = 10k -

1,25 4,0 18 150 0,8

2,0 5,0 A 50 1,5 V

Eu

V V V V
F

S S S F

G G G

= 1Meg = 10k 70 -

= 200 1500 -

Figura abaixo mostram o oscilador de relaxao PUT com os valores de resistncia finais. Uma aplicao prtica de um PUT desencadeando uma SCR tambm mostrada. Este circuito necessita de uma fonte de VBB no filtrada (no mostrado) dividida para baixo a partir da ponte rectificadora para repor o oscilador de relaxao, aps cada cruzamento de zero de alimentao. A resistncia varivel dever ter uma resistncia mnima em srie com ele, para evitar uma configurao pote baixo a partir de pendurar no ponto de vale.

PUT oscilador de relaxao com os valores do componente. PUT unidades SCR lmpada dimmer. PUT circuitos de temporizao so ditas para ser utilizvel a 10kHz. Se uma rampa linear necessria em vez de uma rampa exponencial, substituir o resistor de carregamento com uma fonte de corrente constante, tais como um FET diodo constante baseado corrente. Um PUT substituto pode ser construdo a partir de um transistor NPN e PNP de silcio, como mostrado para o circuito de SCS equivalente na Figura abaixo omitindo o porto ctodo e usando a porta do nodo. REVIEW: Um transistor unijunction consiste de duas bases (B1, B2) ligados a uma barra de resistiva de silcio, e um emissor no centro. A juno E B1 tem propriedades de resistncia negativa, que pode alternar entre alta e baixa resistncia. A PUT (transistor unijunction programvel) um 3-terminal de tiristor de 4 camadas de agir como um transistor unijunction. Uma rede de resistores externos "programas" r |. A razo de impasse intrnseca = R1 / (R1 + R2) para um PUT, B1 e B2 R substituto R, respectivamente, para um transistor unijunction. A tenso de disparo determinada por .

Transistores e transistores Unijunction unijunction programveis so aplicadas para osciladores, circuitos de temporizao e tiristores desencadeante.

http://www.allaboutcircuits.com/vol_3/chpt_7/8.html

O transistor UJT
O transistor de juno Uni
Este transistor raramente usado em um hobby-circuito, porque h uma srie de formas alternativas para produzir o mesmo efeito, no entanto, interessante saber como otransistor de juno Uni funciona, para que voc possa ver porque ele perdeu o favor. O UJT especialmente projetado para se conectar ao SCR e a que reside sua principal aplicao. Ele s precisa de 3 ou 4 componentes externos e UJT ir produzir um oscilador. A sada do oscilador pode ser um dente de serra, se cuidadosamente apanhar a forma de onda atravs do condensador, mas mais frequentemente a sada obtida entre B1 e do carril negativo. Este o lugar onde a carga desenhado para ser colocado. A forma de onda aqui uma espiga, e tem uma amplitude de cerca de 2v para uma fonte de 6V (a partir de 0v a 2 v). O diagrama abaixo mostra o UJT em um arranjo tpico com um dispositivo de baixa impedncia, como um alto-falante, entre B1 e grade de 0V.

A forma como o circuito funciona esta: As cargas capacitivas, atravs do resistor de 10k Durante este tempo a resistncia entre B1 e B2 infinito. A cobrana uma forma de onda dente de serra, porque a cobrana um gradiente crescente ea descarga muito rpida - para o alto-falante. O emissor detecta quando a tenso aumenta para 4v (para um circuito de 6V) e, neste ponto do transistor "liga" e da resistncia entre o emissor e B1 torna-se muito baixa e efectivamente

equivalente a um diodo de polarizao para a frente. A tenso (a energia) no condensador ento passado para o altifalante e isto produz uma "clique". Esta a nica maneira que o orador obtm a sua energia. A tenso atravs do condensador cai muito rapidamente e quando ele atinge cerca de 1V (para um circuito de 6V), o transistor desliga-se e ciclo repete-se. importante notar que o falante no recebe qualquer corrente atravs da resistncia ligada a B2 e esta resistncia tem muito pouco efeito (quase nenhum efeito) no volume produzido pelo altifalante. A nica maneira para aumentar a intensidade do tom pela adio de um transistor de tampo. Dobrar a tenso de alimentao ir alterar a frequncia da sada muito ligeiramente ea tenso atravs do altifalante ir aumentar a 10V, mas a largura da espiga to estreita que muito pouca energia passado para ele. O circuito fivel em operao. Ele ir funcionar em quase baterias planas (uma fonte de alta impedncia), mas voc tem que ter cuidado com a escolha de resistores e capacitores.Por exemplo, se os 10k reduzido a 1k, o circuito simplesmente se recusam a trabalhar com o 2u2 eletroltico para o circuito abaixo pode "congelar-up", se a relao errada de R e C selecionado. O "congelamento-up" pode tambm depender de tenso de alimentao assim, apesar de tudo, o circuito tem algumas limitaes que devem ser superados atravs da construo de um prottipo antes de decidir o design final. O circuito abaixo mostra um uso comum para um UJT - para "disparar" um SCR, aps um perodo pr-determinado de tempo. A carga permanecer ativo (o SCR permanecer um "gatilho") ea tenso de alimentao deve ser removido para de-energizar a carga - um confuso bit - nos dias de designs de microcontroladores, isso pode ser feito muito mais conveniente com um chip.

Todos os projectos Electrnica Falando agora baseada em microcontrolador e apenas uma questo de adicionar algumas linhas extras de cdigo para produzir o som quase todo o que voc precisa. UJT transistores so caros e difceis de obter, no entanto, o circuito consome apenas cerca de 1 mA @ 6v ou 2mA a 12V e isso pode dar-lhe uma aplicao onde necessria muito pouca a ser consumido. Nota: Os circuitos do passatempo muitos mostram o UJT desenhados incorretamente. B1 deve ser ligado ao dispositivo seja activado como a energia a partir dos fluxos de

capacitores atravs do circuito de Emissor B1-para o dispositivo. O transistor no vai contornar o outro lado, no entanto, no ser danificado se momentaneamente conectado incorretamente.

O guia realmente entre B2 e E. O UJT pode ser fechado "e fora", controlando os 47k "carga resistor." O circuito abaixo mostra um "up-side-down" multivibrador ligar o circuito de tom (o circuito UJT):

O Curso Conversando Eletrnica Digital estuda a multivibrador "padro" como mostrado abaixo. Este circuito padro pode ser girado para cima para baixo lateral-se necessrio. A animao abaixo mostra como um dos lados do multivibrador liga ento o outro lado para activar cada LED. No circuito acima, o multivibrador leva os 47k ao carril positiva, para activar o circuito de tom.

No se esquea: UJT so difceis de obter e caro, quando comparado com transistores e outros semicondutores padro.

http://talkingelectronics.com/projects/UJT/UJT_Page.html