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DISPOSITIVOS DE DISPARO PARA SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Willian Mauricio Coronel Coronel willian_coro@hotmail.com wcoronel@est.ups.edu.ec 1. INTRODUCCIN permite soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y mayor circulacin de corriente). El SCR est formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-N-P-N, teniendo 3 terminales: nodo (A) y ctodo (K), por los cuales circula la corriente principal, y la puerta (G) que, cuando se le inyecta una corriente, hace que se establezca una corriente en sentido nodo-ctodo.

Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrnica de Potencia se pueden clasificar en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad: 1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de conduccin o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningn terminal de control externo. 2. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los Tiristores, los SCR (Silicon Controlled Rectifier) y los TRIAC (Triode of Alternating Current). En ste caso su puesta en conduccin (paso de OFF a ON) se debe a una seal de control externa que se aplica en uno de los terminales del dispositivo, comnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. 3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores bipolares BJT (Bipolar Junction Transistor), los transistores de efecto de campo MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), los transistores bipolares de puerta aislada IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y los tiristores GTO (Gate Turn-Off Thyristor), entre otros. En los siguientes apartados se detallan las caractersticas ms importantes de cada uno de estos dispositivos. 2. TIRISTORES El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en conmutacin, teniendo en comn una estructura de cuatro capas semiconductoras en una secuencia P-N-P-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables). La conmutacin desde el estado de bloqueo (OFF) al estado de conduccin (ON) se realiza normalmente por una seal de control externa. La conmutacin desde el estado ON al estado OFF se produce cuando la corriente por el tiristor es ms pequea que un determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (holding current), especfica para cada tiristor. Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores unidireccionales) y TRIACs (tiristores bidireccionales). 2.1 SCR (Rectificador Controlado de Silicio) De las siglas en ingls Silicon Controlled Rectifier, es el miembro ms conocido de la familia de los tiristores. El SCR es uno de los dispositivos ms antiguos que se conocen dentro de la Electrnica de Potencia (data de finales de los aos 50). Adems, continua siendo el dispositivo que tiene mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo que

Figura 1. Estructura simplificada del dispositivo y smbolo del SCR Si entre nodo y ctodo tenemos una tensin positiva, las uniones J1 y J3 estarn directamente polarizadas, en cuanto que la unin J2 estar inversamente polarizada. No habr conduccin de corriente hasta que la tensin VAK aumente hasta un valor que provoque la ruptura de la barrera de potencial en J2. Si hay una tensin VGK positiva, circular una corriente a travs de J3, con portadores negativos yendo del ctodo hacia la puerta. Por la propia construccin, la capa P donde se conecta la puerta es suficientemente estrecha para que parte de los electrones que atraviesen J3 tengan energa cintica suficiente para vencer la barrera de potencial existente en J2, siendo entonces atrados por el nodo. De esta forma, en la unin inversamente polarizada, la diferencia de potencial disminuye y se establece una corriente entre nodo y ctodo, que podr persistir an sin la corriente de puerta. Cuando la tensin VAK es negativa, J1 y J3 quedarn inversamente polarizadas, en cuanto que J2 quedar directamente polarizada. Teniendo en cuenta que la unin J3 est entre dos regiones altamente dopadas, no es capaz de bloquear tensiones elevadas, de modo que cabe a la unin J1 mantener el estado de bloqueo del componente.

Figura 2. Estructura y esquema equivalente simplificado de un SCR

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Cuando se aplica una corriente de puerta IG positiva, Ic2 e IK aumentarn. Como Ic2 = Ib1, T1 conducir y tendremos Ib2 = Ic1 + IG, que aumentar Ic2 y as el dispositivo evolucionar hasta la saturacin, aunque se elimine la corriente de puerta IG. Tal efecto acumulativo ocurre si las ganancias de los transistores son mayores que 1. El componente se mantendr en conduccin desde que, despus del proceso dinmico de entrada en conduccin, la corriente del nodo haya alcanzado un valor superior al lmite IL, llamada corriente de enclavamiento latching current. Para que el SCR deje de conducir es necesario que su corriente caiga por debajo del valor mnimo de mantenimiento (IH), permitiendo que se restablezca la barrera de potencial en J2. Para la conmutacin del dispositivo no basta con aplicar una tensin negativa entre nodo y ctodo. Dicha tensin inversa acelera el proceso de desconexin por dislocar en los sentidos adecuados los portadores en la estructura cristalina, pero ella sola no garantiza la desconexin. Debido a las caractersticas constructivas del dispositivo, la aplicacin de una polarizacin inversa del terminal de puerta no permite la conmutacin del SCR. Este ser un comportamiento de los GTOs, como se ver ms adelante. 2.1.1 Caractersticas tensin-corriente En su estado de apagado o bloqueo (OFF), puede bloquear una tensin directa y no conducir corriente. As, si no hay seal aplicada a la puerta, permanecer en bloqueo independientemente del signo de la tensin VAK. El tiristor debe ser disparado o encendido al estado de conduccin (ON) aplicando un pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeo intervalo de tiempo, posibilitando que pase al estado de bloqueo directo. La cada de tensin directa en el estado de conduccin (ON) es de pocos voltios (13 V). Una vez que el SCR empieza a conducir, ste permanece en conduccin (estado ON), aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser bloqueado por pulso de puerta. nicamente cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral, por la influencia del circuito de potencia, el SCR pasar a estado de bloqueo.

3. Zona de conduccin (vAK > 0 con disparo): El SCR se comporta como un interruptor cerrado, si una vez ha ocurrido el disparo, por el dispositivo circula una corriente superior a la de enclavamiento. Una vez en conduccin, se mantendr en dicho estado si el valor de la corriente nodo ctodo es superior a la corriente de mantenimiento. Caractersticas corriente-tensin (I-V) del SCR y permite observar cmo, dependiendo de la corriente de puerta (IG), dichas caractersticas pueden variar.

Figura 4. Caracterstica I-V de un SCR en funcin de la corriente de puerta. 2.1.2 Activacin o disparo y bloqueo de los SCR Podemos considerar cinco maneras distintas de hacer que el SCR entre en conduccin: a) Disparo por tensin excesiva

Cuando est polarizado directamente, en el estado de bloqueo, la tensin de polarizacin se aplica sobre la unin J2 (ver figura 1). El aumento de la tensin VAK lleva a una expansin de la regin de transicin tanto para el interior de la capa de la puerta como para la capa N adyacente. An sin corriente de puerta, por efecto trmico, siempre existirn cargas libres que penetren en la regin de transicin (en este caso, electrones), las cuales son aceleradas por el campo elctrico presente en J2. Para valores elevados de tensin (y, por tanto, de campo elctrico), es posible iniciar un proceso de avalancha, en el cual las cargas aceleradas, al chocar con tomos vecinos, provoquen la expulsin de nuevos portadores que reproducen el proceso. Tal fenmeno, desde el punto de vista del comportamiento del flujo de cargas por la unin J2, tiene el efecto similar al de una inyeccin de corriente por la puerta, de modo que, si al iniciar la circulacin de corriente se alcanza el lmite IL, el dispositivo se mantendr en conduccin (ver figura 4). b) Disparo por impulso de puerta

Figura 3. Caracterstica principal de los SCRs En rgimen esttico, dependiendo de la tensin aplicada entre nodo y ctodo podemos distinguir tres regiones de funcionamiento: 1. Zona de bloqueo inverso (vAK < 0): sta condicin corresponde al estado de no conduccin en inversa, comportndose como un diodo. 2. Zona de bloqueo directo (vAK > 0 sin disparo): El SCR se comporta como un circuito abierto hasta alcanzar la tensin de ruptura directa.

Siendo el disparo a travs de la corriente de puerta la manera ms usual de disparar el SCR, es importante el conocimiento de los lmites mximos y mnimos para la tensin VGK y la corriente IG.

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aumento de 8 C. As, el aumento de temperatura puede llevar a una corriente a travs de J2 suficiente para llevar el SCR al estado de conduccin. e) Disparo por luz

La accin combinada de la tensin nodo-ctodo, temperatura y radiacin electromagntica de longitud de onda apropiada puede provocar tambin la elevacin de la corriente de fugas del dispositivo por encima del valor crtico y obligar al disparo. Los tiristores diseados para ser disparados por luz o tiristores fotosensibles LASCR (Light Activated SCR) suelen ser de pequea potencia y permiten un aislamiento ptico entre el circuito de control y el circuito de potencia. 2.2 TRIAC El TRIAC (Triode of Alternating Current) es un tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y viceversa, y puede ser disparado con tensiones de puerta de ambos signos. Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos de circulacin de la corriente. Evidentemente, con un SCR, slo podemos controlar el paso de corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de semiconductores han diseado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente. El primer TRIAC fue inventado a finales de los aos 60. Simplificando su funcionamiento, podemos decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De esta forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulacin de corriente.

Figura 5. Curvas con las condiciones para disparo de un SCR a travs de control de puerta y circuito de disparo reducido a su equivalente Thvenin. El valor VGmin indica la mnima tensin de puerta que asegura la conduccin de todos los componentes de un tipo determinado, para la mnima temperatura especificada. El valor VGmax es la mxima tensin de puerta que asegura que ningn componente de un tipo determinado entrar en conduccin, para la mxima temperatura de operacin. La corriente IGmin es la mnima corriente necesaria para asegurar la entrada en conduccin de cualquier dispositivo de un cierto tipo, a la mnima temperatura. El circuito de disparo puede reducirse a su equivalente Thevenin (ver figura 5) para determinar la recta de carga sobre las curvas caractersticas vGK-iG. Para asegurar la operacin correcta del componente, la recta de carga del circuito debe asegurar que superar los lmites VGmin y iGmin, sin exceder los dems lmites (tensin, corriente y potencia mxima). c) Disparo por derivada de tensin

Si a un SCR se le aplica un escaln de tensin positivo entre nodo y ctodo con tiempo de subida muy corto, del orden de microsegundos, los portadores sufren un desplazamiento infinitesimal para hacer frente a la tensin exterior aplicada. Como se coment para el caso de disparo por tensin excesiva, si la intensidad de fugas alcanza el valor suficiente como para mantener el proceso regenerativo, el tiristor entrar en conduccin estable y permanecer as una vez pasado el escaln de tensin que lo dispar. El valor de la derivada de tensin dv/dt depende de la tensin final y de la temperatura, tanto menor cuanto mayores son stas. d) Disparo por temperatura

Figura 6. Esquema equivalente de un TRIAC. La figura 7 muestra el smbolo utilizado para representar el TRIAC, as como su estructura interna en dos dimensiones. Como se ha mencionado, el TRIAC permite la conduccin de corriente de nodo a ctodo y viceversa, de ah que los terminales no se denominen nodo y ctodo, sino simplemente nodo 1 (A1) y nodo 2 (A2). En algunos textos dichos terminales se denominan MT1 y MT2. Como en el caso del SCR, tenemos un terminal de control denominado puerta que nos permite la puesta en conduccin del dispositivo en ambos sentidos de circulacin. Si bien el TRIAC tiene varios mecanismos de encendido (con corrientes positivas y negativas), lo ms usual es inyectar corriente por la puerta en un sentido para provocar la puesta en conduccin.

A altas temperaturas, la corriente de fuga en una unin P-N inversamente polarizada aproximadamente se duplica con el

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Figura 7. Smbolo y estructura interna de un TRIAC La caracterstica esttica I-V del TRIAC, se puede observar que presenta estado de conduccin tanto para iA positiva como negativa, y puede ser disparada desde el estado de corte al de conduccin tanto para vA1A2 positiva como negativa. Adems, la corriente de puerta que fuerza la transicin del estado de corte al de conduccin puede ser tanto positiva como negativa. En general, las tensiones y corrientes necesarias para producir la transicin del TRIAC son diferentes segn las polaridades de las tensiones aplicadas.

Como se ha visto en los apartados anteriores, uno de los inconvenientes de los tiristores tipo SCR o TRIAC es que no tenemos control externo por parte del usuario del paso de conduccin a bloqueo. Para aquellas aplicaciones en las que nos interese poder bloquear un interruptor de potencia en cualquier instante es necesario utilizar otro tipo de semiconductores diferentes a los SCRs o TRIACs. El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar las dos transiciones: paso de bloqueo a conduccin y viceversa. El smbolo utilizado para el GTO se muestra en la siguiente figura (Fig. 9), as como su estructura interna en dos dimensiones.

Figura 9. Smbolo y estructura interna de un GTO. 2.3.1 Principio de funcionamiento El GTO tiene una estructura de 4 capas, tpica de los componentes de la familia de los tiristores. Su caracterstica principal es su capacidad de entrar en conduccin y bloquearse a travs de seales adecuadas en el terminal de puerta G. El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que est directamente polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y ctodo. Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se mueven hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo atrados por el potencial del nodo, dando inicio a la corriente andica. Si sta corriente se mantiene por encima de la corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la seal de puerta para mantenerse en conduccin. La figura 10, muestra una representacin simplificada de los procesos de entrada y salida de conduccin del GTO. La aplicacin de una polarizacin inversa en la unin puertactodo puede llevar a la abertura o bloqueo del GTO. Portadores libres (agujeros) presentes en las capas centrales del dispositivo son atradas por la puerta, haciendo que sea posible el restablecimiento de la barrera de potencial en la unin J2. Aparentemente tal comportamiento tambin sera posible en el SCR. Pero, en realidad, las diferencias estn en el nivel de construccin del componente. El funcionamiento como GTO depende, por ejemplo, de factores como: Facilidad de extraccin de portadores por el terminal de puerta, esto es posible debido al uso de impurezas con alta movilidad. Rpida desaparicin de portadores en las capas centrales, uso de impurezas con bajo tiempo de recombinacin. Esto indica que un GTO tiene una mayor cada de tensin en conduccin, comparado a un SCR de dimensiones iguales. Soportar tensin inversa en la unin puerta-ctodo, sin entrar en avalancha, menor dopado en la regin del ctodo.

Figura 8. Caractersticas I-V del TRIAC Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto, requiriendo nicamente un nico circuito de control, dado que slo dispone de un terminal de puerta. Sin embargo, tal y como est fabricado, es un dispositivo con una capacidad de control de potencia muy reducida. En general est pensado para aplicaciones de pequea potencia, con tensiones que no superan los 1000V y corrientes mximas de 15A. Es usual el empleo de TRIACs en la fabricacin de electrodomsticos con control electrnico de velocidad de motores y aplicaciones de iluminacin, con potencias que no superan los 15kW. La frecuencia mxima a la que pueden trabajar es tambin reducida, normalmente los 50-60Hz de la red monofsica. 2.3 GTO (Gate Turn-Off Thyristor)

A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la dcada de los aos 60, ha sido poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la tecnologa en el desarrollo de dispositivos semiconductores, se han encontrado nuevas soluciones para mejorar tales componentes que hacen que hoy ocupen una franja significa dentro de la electrnica de potencia, especialmente en aquellas aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que alcanzan los 5000 V y los 4000 A.

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Absorcin de portadores de toda la superficie conductora, regin de puerta-ctodo con gran rea de contacto. Al contrario del SCR, un GTO puede no tener la capacidad de bloquear tensiones inversas.

de excitacin (disparo) de los transistores se disean para que stos trabajen en la zona de saturacin (conduccin) o en la zona de corte (bloqueo). Los transistores tienen la ventaja de que son totalmente controlados, mientras que, por ejemplo, el SCR o el TRIAC slo dispone de control de la puesta en conduccin. Los tipos de transistores utilizados en los circuitos electrnicos de potencia incluyen los transistores BJT, los MOSFET y dispositivos hbridos, como por ejemplo, los transistores de unin bipolar de puerta aislada (IGBT). 3.1. TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA (TBP) Ms conocidos como BJTs (Bipolar Junction Transistors), bsicamente se trata de interruptores de potencia controlados por corriente. Como el lector recordar existen dos tipos fundamentales, los npn y los pnp, si bien en Electrnica de Potencia los ms usuales y utilizados son los primeros. La figura muestra los smbolos empleados para representar los transistores bipolares.

Figura 10. Proceso de conmutacin (abertura y cierre) del GTO.

Figura 12. Smbolos de los transistores bipolares npn y pnp. 3.1.1 Principio de funcionamiento y estructura La estructura bsica de un transistor bipolar npn, se tiene la operacin normal de un transistor se hace con la unin J1 (B-E) directamente polarizada, y con J2 (B-C) inversamente polarizada. En el caso de un transistor npn, los electrones son atrados del emisor por el potencial positivo de la base. Esta capa central es suficientemente fina para que la mayor parte de los portadores tenga energa cintica suficiente para atravesarla, llegando a la regin de transicin de J2, siendo entonces atrados por el potencial positivo del colector. El control de Vbe determina la corriente de base, Ib, que, a su vez, se relaciona con Ic por la ganancia de corriente del dispositivo.

Figura 11. Caracterstica esttica (I V) de un GTO. Si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor pasar del estado OFF al estado ON. Por el contrario, si la corriente por la puerta es negativa, el semiconductor dejar de conducir, pasando del estado de ON a OFF. Con ello se tiene un control total del estado del semiconductor en cualquier momento. Ntese que al tratarse de un tiristor, la corriente slo puede circular de nodo a ctodo, pero no en sentido contrario. Evidentemente, este dispositivo es ms caro que un SCR y adems el rango de tensiones y corrientes es ms pequeo que en el caso de los SCRs. En general se suelen llegar a potencias entorno a los 500kW como mximo. La tensin nodo-ctodo en conduccin directa tambin es ms elevada que para los tiristores convencionales.

Figura 13. Estructura bsica del transistor bipolar En la realidad, la estructura interna de los transistores bipolares de potencia (TBP) es diferente. Para soportar tensiones elevadas, existe una capa intermediaria del colector, con baja concentracin de impurezas (bajo dopado), la cual define la tensin de bloqueo del componente.

3. TRANSISTORES En Electrnica de Potencia, los transistores generalmente son utilizados como interruptores. Los circuitos

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Estructura tpica de un transistor bipolar de potencia. Los bordes redondeados de la regin de emisor permiten una homogeneizacin del campo elctrico, necesaria para el mantenimiento de polarizaciones inversas dbiles entre base y emisor. El TBP no soporta tensiones en el sentido opuesto porque la elevada concentracin de impurezas (elevado dopado) del emisor provoca la ruptura de J1 en bajas tensiones (5 a 20 V).

suficientemente grande IB>IC/ (dependiendo de la I de colector) llevar al componente a la plena conduccin. En el estado de conduccin (saturacin) la tensin vCE(sat) est normalmente entre 1-2 V.

Figura 15. Caractersticas V-I de los transistores bipolares Figura 14. Estructura interna de un TBP tipo NPN La preferencia en utilizar TBP tipo NPN se debe a las menores prdidas con relacin a los PNP, lo cual es debido a la mayor movilidad de los electrones con relacin a los agujeros, reduciendo, principalmente, los tiempos de conmutacin del componente. 3.1.2 Caractersticas estticas Los transistores bipolares son fciles de controlar por el terminal de base, aunque el circuito de control consume ms energa que el de los SCR. Su principal ventaja es la baja cada de tensin en saturacin. Como inconvenientes destacaremos su poca ganancia con v/i grandes, el tiempo de almacenamiento y el fenmeno de avalancha secundaria. El transistor, fundamentalmente, puede trabajar en tres zonas de funcionamiento bien diferenciadas, en funcin de la tensin que soporta y la corriente de base inyectada: - Corte: no se inyecta corriente a la base del transistor. ste se comporta como un interruptor abierto, que no permite la circulacin de corriente entre colector y emisor. Por tanto, en sta zona de funcionamiento el transistor est desactivado o la corriente de base no es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones en polarizacin inversa. - Activa: se inyecta corriente a la base del transistor, y ste soporta una determinada tensin entre colector y emisor. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base, con una constante de proporcionalidad denominada ganancia del transistor, tpicamente representada por las siglas F o F h . Por tanto, en la regin activa, el transistor acta como un amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada mediante la ganancia y el voltaje vCE disminuye con la corriente de base: la unin CB tiene polarizacin inversa y la BE directa. - Saturacin: se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la vCE y conseguir que el transistor se comporte como un interruptor cuasi ideal. La tensin que soporta entre sus terminales es muy pequea y depende del transistor. En ste caso ambas uniones estn polarizadas directamente. Se suele hablar de la tensin colector-emisor en saturacin. Caracterstica esttica de un transistor bipolar npn, es tal como se muestra en su caracterstica V-I, una corriente de base Figura 16. Caractersticas de transferencia en un transistor bipolar En Electrnica de Potencia, obviamente, interesa trabajar en la zona de corte y en la zona de saturacin, dado que en la zona activa se disipa mucha potencia y en consecuencia el rendimiento del sistema puede llegar a ser muy pequeo. Adems tngase en cuenta que dado que en Electrnica de Potencia se trabaja con tensiones y corrientes elevadas, esa disipacin de potencia debe evacuarse de algn modo, o de lo contrario podemos llegar a destruir el semiconductor por una excesiva temperatura en su interior. Las diferencias bsicas entre los transistores bipolares de seal y los de potencia son bastante significativas. En primer lugar, la tensin colector-emisor en saturacin suele estar entre 1 y 2 Volts, a diferencia de los 0,2-0,3 Volts de cada en un transistor de seal. 3.1.3 Conexin Darlington Otra diferencia importante es que la ganancia de un transistor de potencia elevada suele ser bastante pequea. Ello conlleva que debido a las grandes corrientes de colector que se deben manejar, la corriente por la base debe ser tambin elevada, complicando el circuito de control de base del transistor. Para transistores de seal se suelen obtener valores de ganancia entorno a 200, mientras que para transistores de potencia es difcil llegar a obtener valores de ganancia de 50. Si por ejemplo un TBP con = 20 va a conducir una corriente de colector de 60 A, la corriente de base tendra que ser mayor que 3 A para saturar el transistor. El circuito de excitacin (driver) que proporciona esta alta corriente de base es un circuito de potencia importante por s mismo. Para evitar esta problemtica se suelen utilizar transistores de potencia en configuraciones tipo Darlington, donde se conectan

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varios transistores de una forma estratgica para aumentar la ganancia total del transistor.

componente prctico, puesto que entonces no haba tecnologa que permitiese la construccin de los dispositivos. Esto se modific en los aos 60, cuando surgieron los primeros FETs, pero an con limitaciones importantes con respecto a las caractersticas de conmutacin. En los aos 80, con la tecnologa MOS, fue posible construir dispositivos capaces de conmutar valores significativos de corriente y tensin, con velocidad superior al que se obtena con los bipolares. 3.2.1 Principio de funcionamiento y estructura

Figura 17. Conexin Darlington Las principales caractersticas de esta configuracin son: Ganancia de corriente = 1. (2+1) + 2 T2 no satura, pues su unin B-C est siempre inversamente polarizada Tanto el disparo como el bloqueo son secuenciales. En el disparo, T1 entra en conduccin primero, dndole a T2 una corriente de base. En el bloqueo (apagado), T1 debe conmutar antes, interrumpiendo la corriente de base de T2. Debido a que la ganancia de corriente efectiva de la combinacin o conexin es, aproximadamente, igual al producto de las ganancias individuales ( = 1 .(2+1) + 2), se puede, por tanto, reducir la corriente extrada del circuito de excitacin (driver). La configuracin Darlington puede construirse a partir de dos transistores discretos o puede obtenerse como un solo dispositivo integrado. En general los transistores bipolares se utilizan para potencias medias, y frecuencias de trabajo medias (hasta unos 40 kHz). La ventaja de este tipo de interruptores es que su cada de tensin en conduccin es bastante constante, si bien el precio que se paga es la complejidad del circuito de control, ya que es un semiconductor controlado por corriente. Este tipo de transistores, a diferencia de los que se vern en los siguientes apartados, suelen ser bastante econmicos. 3.2 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors) As como podemos decir que el transistor bipolar se controla por corriente, los MOSFET son transistores controlados por tensin. Ello se debe al aislamiento (xido de Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo. Existen dos tipos bsicos de MOSFET, los de canal n y los de canal p, si bien en Electrnica de Potencia los ms comunes son los primeros, por presentar menores prdidas y mayor velocidad de conmutacin, debido a la mayor movilidad de los electrones con relacin a los agujeros.

El terminal de puerta G (Gate) est aislado del semiconductor por xido de silicio (SiO2). La unin PN define un diodo entre la Fuente S (Source) y el Drenador D (Drain), el cual conduce cuando VDS < 0. El funcionamiento como transistor ocurre cuando VDS > 0. Cuando una tensin VGS > 0 es aplicada, el potencial positivo en la puerta repele los agujeros en la regin P, dejando una carga negativa, pero sin portadores libres. Cuando esta tensin alcanza un cierto valor umbral (VT), electrones libres (generados principalmente por efecto trmico) presentes en la regin P son atrados y forman un canal N dentro de la regin P, por el cual se hace posible la circulacin de corriente entre D y S. Aumentando VGS, ms portadores son atrados, ampliando el canal, reduciendo su resistencia (RDS), permitiendo el aumento de ID. Este comportamiento caracteriza la llamada regin hmica.

Figura 19. Estructura bsica del transistor MOSFET La circulacin de ID por el canal produce una cada de tensin que produce un efecto embudo, o sea, el canal es ms ancho en la frontera con la regin N+ que cuando se conecta a la regin N-. Un aumento de ID lleva a una mayor cada de tensin en el canal y a un mayor efecto embudo, lo que conducira a su colapso y a la extincin de la corriente. Obviamente el fenmeno tiende a un punto de equilibrio, en el cual la corriente ID se mantiene constante para cualquier VDS, caracterizando una regin activa o de saturacin del MOSFET. Una pequea corriente de puerta es necesaria apenas para cargar y descargar las capacidades de entrada del transistor. La resistencia de entrada es del orden de 1012 Ohms. De forma anloga a los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de trabajo bien diferenciadas: - Corte: La tensin entre la puerta y la fuente es ms pequea que una determinada tensin umbral (VT), con lo que el dispositivo se comporta como un interruptor abierto. - hmica: Si la tensin entre la puerta y la fuente (o surtidor) es suficientemente grande y la tensin entre el drenador y la fuente es pequea, el transistor se comporta como un interruptor cerrado, modelado por una resistencia, denominada RON. - Saturacin: Si el transistor est cerrado pero soporta una tensin drenador-surtidor elevada, ste se comporta como una fuente de corriente constante, controlada por la tensin entre la puerta y el

Figura 18. Smbolos de los transistor MOSFET de canal n y canal p. Si bien el TBP fue inventado a finales de los aos 40, ya en 1925 fue registrada una patente que se refera a un mtodo y un dispositivo para controlar el flujo de una corriente elctrica entre dos terminales de un slido conductor. As mismo, tal patente, que se puede considerar como la precursora de los Transistores de Efecto de Campo, no redund en un

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surtidor. La disipacin de potencia en este caso puede ser elevada dado que el producto tensin-corriente es alto.

diseo del circuito de disparo (driver) y control correspondiente. Para evitar los inconvenientes del MOSFET y del bipolar y aprovechar las ventajas de ambos, los fabricantes han introducido un dispositivo nuevo, denominado IGBT. 3.3. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) El transistor IGBT, de las siglas en ingls Isolated Gate Bipolar Transistor, es un dispositivo hbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los apartados anteriores, o sea, el IGBT rene la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeas prdidas en conduccin de los BJT de potencia. La puerta est aislada del dispositivo, con lo que se tiene un control por tensin relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal.

Figura 20. Caracterstica esttica del transistor MOSFET canal n Obviamente, en Electrnica de Potencia nos interesa que un MOSFET trabaje en corte o en hmica (interruptor abierto o cerrado). Atencin con los nombres de las zonas de trabajo, que pueda causar confusin al lector cuando se habla de un bipolar y de un MOSFET. Observar que la zona de saturacin de un BJT corresponde a la zona hmica del MOSFET y que la zona de saturacin de ste corresponde a la zona activa del BJT. En cuanto a las caractersticas dinmicas se tiene, la carga y descarga de las capacidades parasitas tiene un efecto muy importante en la conmutacin del dispositivo, limitando la frecuencia de conmutacin. Existe un diodo parasito entre drenador y fuente que puede conducir cuando el MOSFET est en estado de bloqueo.

Figura 22. Smbolos alternativos de los transistores IGBTs. Su velocidad de conmutacin, en principio, similar a la de los transistores bipolares, ha crecido en los ltimos aos, permitiendo que funcione a centenas de kHz, en componentes para corrientes del orden de algunas decenas de Amperios. 3.3.1 Principio de funcionamiento y estructura La estructura del IGBT es similar a la del MOSFET, pero con la inclusin de una capa P+ que forma el colector del IGBT. Gracias a la estructura interna puede soportar tensiones elevadas, tpicamente 1200V y hasta 2000V (algo impensable en los MOSFETs), con un control sencillo de tensin de puerta. La velocidad a la que pueden trabajar no es tan elevada como la de los MOSFETs, pero permite trabajar en rangos de frecuencias medias, controlando potencias bastante elevadas. En trminos simplificados se puede analizar el IGBT como un MOSFET en el cual la regin N- tiene su conductividad modulada por la inyeccin de portadores minoritarios (agujeros), a partir de la regin P+, una vez que J1 est directamente polarizada. Esta mayor conductividad produce una menor cada de tensin en comparacin a un MOSFET similar.

Figura 21. Caracterstica dinmica del transistor MOSFET Uno de los inconvenientes de los transistores MOSFET es que la potencia que pueden manejar es bastante reducida. Para grandes potencias es inviable el uso de estos dispositivos, en general, por la limitacin de tensin. Sin embargo, son los transistores ms rpidos que existen, con lo cual se utilizan en aplicaciones donde es necesario altas velocidades de conmutacin (se pueden llegar a tener aplicaciones que trabajan a 1MHz, algo impensable para los bipolares). Otro de los inconvenientes de este tipo de transistores es que la resistencia en conduccin RON vara mucho con la temperatura y con la corriente que circula, con lo que no se tiene un comportamiento de interruptor casi ideal como en el caso de los bipolares. Sin embargo, su ventaja ms relevante es la facilidad de control gracias al aislamiento de la puerta. El consumo de corriente de puerta es pequeo y se simplifica el

Figura 23. Estructura bsica del transistor IGBT El control del componente es anlogo al del MOSFET, o sea, por la aplicacin de una polarizacin entre puerta y emisor. Tambin para el IGBT el accionamiento o disparo se hace por tensin.

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La mxima tensin que puede soportar se determina por la unin J2 (polarizacin directa) y por J1 (polarizacin inversa). Como J1 divide 2 regiones muy dopadas, se puede concluir que un IGBT no soporta tensiones elevadas cuando es polarizado inversamente. Los IGBT presentan un tiristor parsito. La construccin del dispositivo debe ser tal que evite el disparo de este tiristor, especialmente debido a las capacidades asociadas a la regin P. Los componentes modernos no presentan problemas relativos a este elemento indeseado. El IGBT tiene una alta impedancia de entrada como el MOSFET, y bajas prdidas de conduccin en estado activo como el Bipolar, pero no presenta ningn problema de ruptura secundaria como los BJT.

Regiones de Utilizacin: en funcin de las caractersticas de cada dispositivo, se suele trabajar en distintas zonas, parametrizadas por la tensin, la corriente y la frecuencia de trabajo.

5. CONCLUSIONES Es muy importante conocer las caractersticas de conduccin, porque nos permite saber hasta que parmetros de voltaje o corriente se puedan trabajar evitando que sufran algn dao. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia, operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones. Los dispositivos semiconductores son elementos que permiten trabajar con circuitos de potencia, rectificacin y muchas otras aplicaciones. 6. BIBLIOGRAFA [1]. http://www.unicrom.com/Tut_triac.asp [2] http://www.freewebs.com/jacob604/unidades.htm [3] http://www.ate.uniovi.es/5809/Leccion02.pdf [4]http://tec.upc.es/el/TEMA2%20EP%20(v1).pdf [5] http://electronika2.tripod.com/info_files/tiristor.htm [6]http://ocw.uc3m.es/tecnologia-electronica/electronica-depotencia/material-de-clase-1/MC-F-002.pdf Figura 24. Smbolo y caracterstica esttica del transistor IGBT El IGBT es inherentemente ms rpido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de conmutacin del IGBT es inferior a la de los MOSFETs. 4. COMPARACIN ENTRE LOS DIFERENTES DISPOSITIVOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA A continuacin se presenta una tabla con las prestaciones de los dispositivos de potencia ms utilizados, haciendo especial hincapi en los lmites de tensin, corriente y frecuencia de trabajo.

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