Semicondutores de Silcio

Equipe: Adriano Ruseler Diego Bolsan

Semicondutores
SEMICONDUTORES - Materiais que apresentam uma resistividade Intermediria, isto , uma resistividade maior que a dos condutores e menor que a dos isolantes. Como exemplo, podemos citar o Carbono, o Silcio, o Germnio, etc.

Silcio e germnio: monocristais estrutura diamante (ligaes covalentes)

Semicondutores
Em estado puro apresenta uma condutividade eltrica bastante limitada; Ao incorporar pequenas quantidades de impurezas, suas propriedades eltricas alteram-se significativamente; O material pode passar, por exemplo, a conduzir eletricidade em um nico sentido, de forma que age um diodo; A adio de uma outra impureza lhe confere a propriedade de conduzir eletricidade apenas no outro sentido.

http://www.geocities.com/HotSprings/Spa/5011/semi.htm

Estrutura cristalina do Silcio

O silcio comercial obtido a partir da slica de alta pureza em fornos de arco eltrico reduzindo o xido com eletrodos de carbono numa temperatura superior a 1900 C:
SiO2 + C Si + CO2

Obteno do Silcio
O silcio produzido por este processo denominado metalrgico apresentando um grau de pureza superior a 99%. Para a construo de dispositivos semicondutores necessrio um silcio de maior pureza, silcio ultrapuro, que pode ser obtido por mtodos fsicos e qumicos.

Silcio - Nveis ou bandas de energia

Silcio e germnio: 4 eltrons de valncia modelo atmico de Bohr:

Configurao eletrnica : 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

Semicondutores e Impurezas
Representao simplificada dos tomos de Germnio (Ge); Silcio (Si); ndio (In) e Arsnio (As)

Estrutura planar do Silcio -273 C

Nessa temperatura, todas as ligaes covalentes esto completas os tomos tm oito eletrons de valncia o que faz com que o tomo tenha estabilidade qumica e molecular, logo no h eletrons livres e, consequentemente o material comporta-se como um isolante.

Estrutura planar do Silcio 20o

temperatura ambiente (20C) j se torna um condutor porque o calor fornece a energia trmica necessria para que alguns dos eletrons de valncia deixem a ligao covalente (deixando no seu lugar uma lacuna) passando a existir alguns eletrons livres no semicondutor.

Movimento das Lacunas

No interior do cristal semicondutor, as lacunas movimentam-se em sentido contrrio ao dos eltrons.

SEMICONDUTORES
SEMICONDUTOR INTRNSECO

As caractersticas eltricas do cristal so devidas ao prprio material semicondutor, e no s suas impurezas.

SEMICONDUTOR EXTRNSECO As caractersticas eltricas do cristal se devem s impurezas a ele adicionadas, e no aos caractersticas do prprio material

DOPAGEM
IMPUREZAS DOADORAS IMPUREZAS RECEPTORAS

IMPUREZAS DOADORAS
Os elementos doadores que atravs do processo da dopagem fornecerem excedentes ao Silcio ou Germnio, sero denominados de Doadores. Ao material cujo processo de dopagem deu origem formao de eltrons excedentes, denomina-se material tipo N.

IMPUREZAS DOADORAS
Cristal semicondutor puro, onde tomo de Silcio foi substitudo por um tomo de Arsnio.

Formao dos elementos Tipo N

Si elemento tetravalente, se adicionarmos uma pequena quantidade de um elemento pentavalente;

IMPUREZAS RECEPTORAS
Os elementos que atravs do processo da dopagem derem origem formao de lacunas, sero denominados de Receptores. Ao material cujo processo de dopagem, deu origem formao de lacunas, denomina-se material tipo P.

IMPUREZAS RECEPTORAS
Vejamos agora o caso em que o tomo de Silcio substitudo por um tomo de ndio (In)

Formao dos Elementos Tipo P

Se ao Si que um material tetravalente introduzirmos uma pequena quantidade de material trivalente, teremos:

Em geral teremos:
Todo cristal de Germnio ou Silcio, dopado com impurezas doadoras, chamado de CRISTAL SEMICONDUTOR TIPO N (N de negativo, referindo-se carga do eltron). Todo cristal puro dopado com impurezas receptoras chamado de CRISTAL SEMICONDUTOR TIPO P (P de positivo, referindo-se a carga do prton). Tanto no cristal tipo N como no tipo P, em cada tomo o nmero de prtons igual ao nmero de eltrons. Sendo assim, o cristal impuro (tipo P ou N) eletricamente neutro

MOVIMENTO DOS ELTRONS E DAS LACUNAS NOS SEMICONDUTORES DOPADOS

Num cristal tipo N, o fluxo de eletrons ser muito mais intenso que o fluxo de lacunas , porque o nmero de eletrons livres (portadores majoritrios) muito maior que o nmero de lacunas livres (portadores minoritrios).

MOVIMENTO DOS ELTRONS E DAS LACUNAS NOS SEMICONDUTORES DOPADOS

Entretanto, num cristal tipo P, onde o nmero de lacunas (portadores majoritrios) maior que o nmero de electres livres (portadores minoritrios), o fluxo de lacunas ser muito mais intenso que o de electres livres .

Juno PN (diodo de juno)

Se um semicondutor tipo P colocado junto a um do tipo N, na regio de contato, chamada juno, haver a formao de uma barreira de potencial.

Na juno, os eltrons portadores da parte N tendem a ocupar lacunas na parte P, deixando esta com um potencial negativo e a parte N com um potencial positivo e, assim, formando uma barreira potencial Vo. Assim, a polaridade da barreira de potencial mantm os eltrons na parte N e os buracos na parte P .

Juno PN (diodo de juno)

Se um potencial externo V > Vo for aplicado conforme abaixo, o potencial de barreira ser quebrado e a corrente elevada pois existem muitos eltrons em N. Diz-se ento que a juno est diretamente polarizada.

Juno PN (diodo de juno)

No caso de inversamente polarizada, o potencial de barreira ser aumentado, impedindo ainda mais a passagem de eltrons e a corrente ser pequena.

Diodo de Juno
A polarizao inversa tem limite. Acima de um determinado valor ocorre um efeito de ruptura, quebrando a barreira de potencial e a corrente sobe quase na vertical. Isso usado em diodos reguladores de tenso (diodos zener) por exemplo.

Juno NPN e Juno PNP

Bipolar dois tipos de cargas, electres e buracos, envolvidos nos fluxos de corrente Juno duas junes pn. Juno base/emissor e juno base/colector Tipos tipos NPN e PNP. Terminais Base, Emissor e Colector

Chip de silcio-germnio opera a 500 GHz

A tecnologia SiGe consiste na adio de quantidades-trao do elemento germnio ao silcio, o material de que so feitos todos os chips. Esse acrscimo melhora consideravelmente o rendimento do silcio, fazendo os chips funcionarem mais rapidamente e consumirem menos energia.

http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=010110060621

SITES:
http://www.radioamadores.net/semicond.htm http://www.chmullerf.hpg.ig.com.br/estmat.htm http://www.tabelaperiodica.hpg.ig.com.br/si.htm http://pt.wikipedia.org/wiki/Sil%C3%ADcio http://ecewww.colorado.edu/~bart/book/book/chapter2/ch2_3.htm#fig2_ 3_3 http://www.mspc.eng.br/eletrn/semic1A.asp http://ltodi.est.ips.pt/lveriss/Elect_I/Acetatos/Acet_BJT.PDF