Apuntes: Energa Solar Fotovoltaica (ESF)

Mdulo 2: PRINCIPIO FSICO DE

LOS DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS

Prof. Rafael Martn Lamaison 5 de Marzo de 2004

CONTENIDO

Introduccin: conceptos bsicos

tomos Electrones Tipos de materiales

Semiconductores
Modelo de bandas de energa Tipos de semiconductores Semiconductor intrnseco

Aplicacin de una fuente de energa Recombinacin

Semiconductor Extrnseco

Tipo n Tipo p
Ley de accin de masas

Concentracin de portadores

La unin PN
Unin PN en circuito abierto

Principio de funcionamiento de la celda solar

Principio fsico de funcionamiento de la celda solar 1

Introduccin: Conceptos bsicos

La fsica clsica considera que la materia est constituida por tomos. Cada tomo consiste en un ncleo que contiene un determinado nmero de protones y neutrones. Adems, el tomo est compuesto por un determinado nmero de electrones que rodean el ncleo en rbitas especficas, tal como se muestra en la siguiente figura:

Electrones (presentan una carga negativa muy pequea)

Ncleo
protones y neutrones

Las rbitas de los electrones se encuentran agrupadas en lo que llamamos capas. Las capas se presentan en niveles de energa: K, L, M, N, O, P, Q, tal como se ilustra en la siguiente figura:

K LM NO P Q

La capa ms interior es la de menor energa y contiene dos orbitales. La siguiente capa, de mayor energa, contiene 8 orbitales. Cada orbital puede tener como mximo un solo electrn. El nmero mximo de electrones por capa es: K ------------ 2 L ------------ 8 M ----------- 18 N ----------- 32 O ----------- 32 P ------------ 18 Q ------------ 8

La ltima capa (tambin denominada capa de valencia), presenta cuando completa, un total de 8 electrones, que reciben la denominacin de electrones de valencia. Los electrones de valencia son los nicos en condiciones de participar en fenmenos qumicos o mismo elctricos. Segn la fuerza en que los electrones de valencia estn ligados al ncleo y, por tanto, segn la facilidad con que se pueden desplazar de un tomo al contiguo, los materiales se pueden clasificar en 3 clases: conductores, semiconductores y aislantes.

Conductores Los conductores como los metales (p.e. cobre y aluminio), estn formados por tomos en los que los electrones no estn muy ligados al ncleo y fcilmente se desplazan al otro con tal que exista una pequea diferencia de potencial, por tanto, apenas necesitan energa para conducir.

Semiconductores A muy bajas temperaturas, los semiconductores tienen la propiedad de un aislante; sin embargo, a temperaturas ms altas algunos electrones tienen libertad de movimiento y los materiales adoptan las propiedades de un conductor, si bien de un conductor pobre. No obstante, los semiconductores tienen algunas caractersticas tiles que lo hacen distintos tanto de los aislantes como de los conductores.

Aislantes En los materiales aislantes, como el polietileno y el vidrio, los electrones de valencia estn ligados con firmeza a los ncleos de los tomos y muy pocos pueden liberarse para conducir electricidad. La aplicacin de un campo elctrico no causa un flujo de corriente pues no hay portadores mviles de carga. Por tanto, la energa necesaria para conducir es muy elevada.

Semiconductores: Intrnsecos y Extrnsecos

Modelo de bandas de energa Se trata de un modelo para explicar como funcionan los materiales. Los electrones dentro de un material se pueden desplazar nicamente a niveles de energa permitidos. En la figura siguiente se muestra dicho modelo de bandas de energa.

Ec
Nivel prohibido

Banda de conduccin

Banda prohibida

Ev

Banda de Valencia

El ancho de la banda prohibida o gap de energa (Eg) es la diferencia entre la energa de conduccin (Ec) y la energa de valencia (Ev), como se indica en la siguiente ecuacin:

Eg = Ec Ev
La energa Eg se puede definir como la energa necesaria para que un electrn pase de una banda a otra. sta energa depende del material y se suele expresar en electrn voltios (1 ev = 1,602.1019 J). Por ejemplo, los semiconductores para conducir, necesitan una energa entre 0,8 ev y 3 ev, mientras que los aislantes para conducir necesitan una energa mayor que 5 ev. La siguiente figura muestra el modelo de bandas de energa para los 3 tipos de materiales mostrando la regin donde se aplica a cada uno de ellos

n ucci ond Ec de C nda Ba

Eg 1 ev
Ban da

Eg
de V a

lenc

ia Ev

Conductores

Semiconductores

Aislantes

Ec >> Ev

Como se puede observar en la figura, en los conductores (metales), las bandas de conduccin y de valencia estn solapadas, lo que demuestra que prcticamente no necesitan energa para conducir. Tipos de semiconductores Los semiconductores se pueden presentar de dos maneras: Elementos simples: Elementos de la columna 4 de la tabla peridica de los elementos, como pueden ser el Silicio (Si) y el Germanio (Ge). Compuestos qumicos complejos: Arseniuro de Galio (GaAs), Fsforo de Indio, Teluro de Cadmio, Sulfuro de Cadmio.

 Semiconductor Intrnseco Es un cristal puro que no est dopado (no contiene impurezas). En un cristal intrnseco (puro), cada tomo se posiciona formando una especie de retcula, con cuatro tomos cercanos. Cada par de tomos cercanos forma lo que se denomina enlaces covalente. stos enlaces estn formados por los 4 electrones de la capa de valencia. La figura que sigue muestra un cristal de silicio intrnseco.

Si Si Si

Si Si Si

Si Si Si

A la temperatura de 0 K, los electrones estn en los menores estados de energa disponibles, con lo cual los enlaces no se rompen. En estas condiciones el material se comporta como un aislante elctrico. Material semiconductor intrnseco sometido a una fuente de energa Si al semiconductor intrnseco se le aplica una fuente de energa como luz, calor, campo elctrico, campo magntico, etc., algunos enlaces covalentes se rompen por ionizacin trmica, con lo cual se generan electrones libres (generacin de electrones libres) y huecos en igual nmero. El hueco es la ausencia de electrn y puede entenderse como un portador de carga positiva que se mueve libremente por el cristal (el valor de la carga de un hueco es igual que la del electrn pero con signo positivo). Para la generacin de electrones libres, el silicio necesita una energa de 1,1 ev y el germanio 0,8 ev. Cuando el cristal puro se somete a una fuente de energa, se puede romper un enlace, creando un hueco y un electrn libre que pueden moverse con libertad por todo el cristal. Incluso a temperatura ambiente (aproximadamente 300 K), algunos electrones alcanzan la suficiente energa trmica como para liberarse de sus enlaces. La siguiente figura muestra un cristal de silicio donde se libera un electrn y se crea un hueco.

Si Si Si

Si Si Si

Si Si Si

Electrn libre

Hueco (agujero) 5

En los semiconductores la conduccin de electricidad es debida tanto los electrones como a los huecos que se mueven en sentido contrario. La figura siguiente muestra como cuando los electrones se desplazan a la derecha para llenar un hueco el hueco se desplaza en sentido contrario, es decir, a la izquierda. Sentido de movimiento de los electrones

- - - - - - - -

Sentido de movimiento de los huecos

En un semiconductor intrnseco, existe un nmero igual de huecos y electrones libres que pueden moverse con facilidad por el cristal. As, podemos decir que en un material puro:

n = p = ni
Donde n es la concentracin de electrones libre p se refiere a la concentracin de huecos (agujeros) y ni es la concentracin intrnseca de electrones o huecos que es constante para cada material a una determinada temperatura: Ej. ni = 1,45.1010 cm3 a 300 K para el Silicio. Semiconductor Extrnseco Semiconductor tipo n y semiconductor tipo p. Se trata de un semiconductor al cual se le aaden impurezas para aumentar el nmero de portadores libres. Tambin se suele hablar de semiconductores dopados. Los semiconductores con impurezas son materiales en los que predominan portadores de una clase (huecos electrones). Tipos de impurezas utilizadas: Semiconductor tipo n Para formar un semiconductor tipo n se aaden impurezas donadoras, ND, con lo cual, se aumenta el nmero de electrones: los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. Las impurezas donadoras son tomos pertenecientes a la columna 5 de la tabla peridica de los elementos (tomos pentavalentes), como pueden ser el arsenio, antimonio y fsforo. Semiconductor tipo p Para formar un semiconductor tipo p se aaden impurezas aceptadoras, NA, con lo cual, se aumenta el nmero de huecos: los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones son los portadores minoritarios. Las impurezas

aceptadoras son tomos pertenecientes a la columna 3 de la tabla peridica de los elementos (tomos trivalentes), como pueden ser el boro, indio o galio. Ley de accin de masas Al aadir impurezas donadoras a un semiconductor provoca una disminucin de agujeros. Por otro lado, al aadir impurezas aceptadoras a un semiconductor provoca una disminucin de electrones por debajo del nivel del intrnseco. Se puede demostrar que en un semiconductor extrnseco o dopado, el producto de la concentracin de agujeros y electrones es una constante independiente de la cantidad de impurezas aceptadoras o donadoras que se aaden:

n. p = ni
Concentracin de portadores Tipo n n ND

Como ya se ha mencionado, ni es la concentracin de electrones o huecos en el semiconductor intrnseco.

n. p = n

2 i

p=

ni ND ni NA
2

Tipo p p NA

n. p = n

2 i

p=

La unin PN: conceptos bsicos

La unin PN consta de un nico cristal de material semiconductor, que est dopado para producir material de tipo n en un lado y de tipo p en el otro. Se pueden aadir impurezas al cristal a medida que va creciendo, o aadirlas ms tarde, ya sea por difusin de tomos de impurezas en el cristal, ya sea por implantacin de iones. En la retcula cristalina, es importante que en la unin de la parte N con la parte P no haya ninguna interrupcin. Esto solo ser posible si la unin se constituye como un solo cristal. Sin embargo, resulta instructivo imaginar la formacin de una unin PN juntando un cristal de tipo p y un cristal de tipo n. Antes de unir las dos mitades de la unin, el lado N tiene una alta concentracin de electrones libres y una baja concentracin de huecos. En la mitad de tipo p tenemos la condicin inversa. Debido al alto gradiente de concentracin de portadores de un mismo tipo a cada lado de la unin (en un lado son mayoritarios y en el otro minoritarios), tienden a pasar por difusin desde el lado donde son mayora al lado donde son minora. Al ocurrir esto, dejan en las proximidades de la unin una zona de cargas fijas (negativas en la zona P y positivas en la N) producindose a ambos lados de la unin un dipolo elctrico que crea un campo elctrico dirigido de la zona N a la zonas P que 7

tiende a compensar esta difusin de portadores, llegndose as a una situacin de equilibrio. As cuando tenemos un semiconductor tipo p en contacto con un semiconductor tipo n, como se muestra en la siguiente figura:

podemos resumir lo que se ha expuesto anteriormente con los pasos que se describen a seguir: 1. Se produce una difusin de huecos de la regin P a la regin N y una difusin de electrones de la regin N a la regin P.
2.

Al haber difusin algunos huecos que pasan de la regin P a la regin N y algunos electrones que pasan de la zona N a la zona P, se recombinan hasta alcanzar el equilibrio.

3. Tal como se muestra en la siguiente figura, despus del proceso de difusin y recombinacin, se produce en la unin una zona de deplexin (tambin llamada zona de carga espacial zona de vaciamiento) formada por las cargas estticas (iones) de la estructura cristalina.
Zona de vaciamiento o zona de deplexin + + + + + + + + + + + +

Vaciada de portadores libres

-E -

+ + + +

+ + + +

-- - - -- -

Pierden huecos

Pierden electrones

Iones o cargas estticas No se pueden mover

4. En esa zona de deplexin que se ha formado se crea un campo elctrico E (de la regin N a la regin P o de los iones + a los iones -) con lo cual se produce una cada de potencial sobre dicha regin (de signo contrario) denominado potencial de contacto o potencial de unin (Vo). Su magnitud es del orden de 0,3 a 0,7 voltios, dependiendo del tipo de semiconductor, germanio o silicio, respectivamente. En la siguiente figura se puede ver la distribucin de potencial a lo largo del eje perpendicular de la unin.

Potencial

Vo

x 5. El campo elctrico impide que ms portadores atraviesen la unin. 6. Existen dos tipos de corriente: Corriente de difusin (ID) debida a los portadores mayoritarios. Electrones de la regin N a la regin P y huecos de la regin P a la regin N. Cuanto mayor es el potencial de unin, menor es la corriente de difusin ID.

Corriente de arrastre, deriva o saturacin inversa (IS) debida a los portadores minoritarios. Algunos huecos (generados trmicamente) en la regin N se mueven por difusin hacia la unin. All experimentan el campo elctrico que los arrastra hacia la regin P. Por otro lado, algunos electrones (generados trmicamente) en la regin P se mueven por difusin hacia la unin. All experimentan el campo elctrico ( E ) que los arrastra hacia la regin N. Ambos procesos (los huecos de la regin N a la regin P y los electrones de la regin P a la regin N) forman la corriente de saturacin inversa IS, la cual depende bsicamente de la temperatura y del potencial de la unin. En condiciones de circuito abierto, no existe corriente externa y por tanto ID = IS (equilibrio). En circuito abierto, la tensin es nula, con lo cual la tensin o potencial de unin se compensa con la tensin de las uniones METAL-SEMICONDUCTOR (ver figura siguiente). Por tanto, ocurre, como es de esperar, el principio de conservacin de energa. metal contactos ohmicos

Principio de funcionamiento de la celda solar

Las clulas solares estn constituidas por materiales semiconductores, principalmente silicio, y son elementos que transforman directamente parte de la energa solar que reciben en energa elctrica. Los electrones de valencia del material semiconductor de la clula, que estn ligados dbilmente al ncleo de sus tomos, son arrancados por la energa de los fotones de la radiacin solar que inciden sobre ella. Este fenmeno se denomina efecto fotovoltaico. Principio fsico de funcionamiento de la clula solar Como ya se ha comentado anteriormente. la rotura de enlaces y, por tanto, la aparicin de un par electrn-hueco puede producirse por la absorcin de un fotn de energa suficiente (efecto fotovoltaico) o por agitacin trmica. El proceso contrario, es decir, la recombinacin o desaparicin de un par electrnhueco puede producirse al encontrarse un electrn libre y un hueco (esto es difcil, ya que se necesita condiciones muy especficas) o por la existencia de un defecto de la estructura del material semiconductor. Tanto la energa necesaria para que ocurra el proceso de generacin como la cedida en el de recombinacin, tienen un valor determinado, Eg, denominado ancho de banda prohibida. As, estos dos fenmenos pueden escribirse con la ecuacin reversible siguiente:

e + h + Eg
Los electrones libres y los huecos creados por la ruptura del par electrn-hueco tienden a difundirse desde las zonas iluminadas, donde se crean, a las zonas oscuras. Para evitar la recombinacin es necesario crear en el interior del semiconductor un campo elctrico, mediante una unin P-N, que separe fsicamente stos dos tipos de portadores o cargas libres mviles, apareciendo as una intensidad de corriente neta que atraviesa la clula solar en sentido de ese campo. De los 2 posibles motivos de recombinacin (antes mencionados), el ms importante es la existencia de defectos en el cristal que se denominan trampas. Supngase un semiconductor tipo n, en el que los huecos son minoritarios, y supngase un defecto en el cristal en estado neutro: como los electrones son muy numerosos, la trampa rpidamente captura uno, quedando ionizada negativamente (que es, por ello, el estado de equilibrio de la trampa en un semiconductor de este tipo) a la espera de poder capturar un hueco, que es ms difcil por ser stos ltimos minoritarios. Cuando lo consigue, de nuevo su estado es neutro y se ha producido una recombinacin. Rpidamente captura un electrn y queda cargada negativamente otra vez, a la espera de otro hueco para completar otra recombinacin. Para garantizar que el nmero de recombinaciones sea el menor posible, es decir, para que se pueda aprovechar la mayora de las cargas libres producidas por la ruptura de los pares electrn-hueco gracias a los fotones de la radiacin solar incidente, el nmero de trampas o defectos del cristal ha de ser la menor posible. Esto se consigue utilizando cristales de silicio puro o silicio monocristalino.

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Con stos conceptos ya se puede comprender el principio fsico del funcionamiento de una clula solar. Cuando la radiacin solar incide sobre la clula, los fotones con energa suficiente rompen el par electrn-hueco dejando stos portadores libres (efecto fotovoltaico). El campo elctrico de la unin P-N separa stos portadores para evitar que se recombinen, llevando los electrones a la zona N y los huecos a la zona P, apareciendo de ese modo una intensidad de corriente neta que atraviesa la clula solar en el sentido de ese campo, de la zona N a la zona P. El proceso del principio fsico de la celda solar se puede resumir en los siguientes pasos: Los fotones incidentes son absorbidos y se generan pares electrn-hueco, tanto en la regin P de la unin como en la regin N. Supondremos que se genera una pareja por fotn. Los electrones y huecos generados a una distancia inferior a Lp o Ln (longitud de difusin del hueco y electrn) de la zona de vaciamiento, llegan a ella por difusin. En la zona de vaciamiento tambin se generan pares electrn-hueco debido a la radiacin que incide. En la zona de vaciamiento, cada miembro de la pareja es separado por el campo elctrico presente: los huecos se dirigen a la regin P y los electrones a la regin N. ste proceso se puede observar en la siguiente figura:
Zona de viciamiento Azul Rojo Infrarrojo

E
P

-+

Separacin de portadores por el campo de la unin P-N

Si la celda est en circuito abierto, la acumulacin de cargas de signos diferentes en los 2 costados de la unin genera una tensin de circuito abierto Voc, tal como se muestra en la figura siguiente:
V oc
N P

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Si la celda est cortocircuitada se genera una corriente de corto circuito Isc. Observar que el sentido de la corriente es el mismo que el de la corriente inversa de saturacin de la unin PN (diodo). La figura siguiente ilustra sta situacin:

N P

Isc

Por tanto, si mediante una carga exterior (R) se cierra el circuito, la corriente fotovoltaica generada (I) sale de la clula hacia el circuito exterior por la regin P, atraviesa la carga y entra de nuevo a la clula por la regin N. Esto que se acaba de mencionar se puede observar en la figura siguiente:

N P

R +
I
Intensidad de corriente exterior de la celda

Podemos concluir que la diferencia entre una celda solar y un diodo est en la circulacin de la corriente. En un diodo, debido a que funciona con una fuente de tensin que se le aplica en el circuito que est conectado, cuando est polarizado directamente (se le aplica un potencial ms positivo a la regin P y un potencial ms negativo a la zona N), entonces la corriente que participa en el proceso es la corriente de difusin, con lo cual internamente la corriente circula de la regin P a la regin N. Por otro lado, en la celda solar, debido a la radiacin trmica, acta como un generador, siendo la corriente de saturacin inversa (Is) la corriente que interviene en el proceso y, por tanto, circula de la regin N a la regin P.

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