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Introduo aos dispositivos semicondutores de potncia

Eletrnica de Potncia

Objetivo: controlar o fluxo de potncia entre uma fonte e uma carga utilizando dispositivos semicondutores de potncia.
entrada ie ve(Ve,fe) CONVERSOR DE POTNCIA sada is vs(Vs, fs)

comando
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Eletrnica de Potncia

A eletrnica de potncia abrange diversas reas:


ELETRNICA ANAL. E DIG. PROJETO POR COMPUTADOR DISPOSITIVOS DE POTNCIA

MICROCOMPUTADORES

E.P.

CIRCUITOS CONVERSORES EQUIPAMENTOS ESTTICOS E GIRANTES


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TEORIA DE CONTROLE

CIRCUITOS VLSI

Eletrnica de Potncia

Na rea de potncia, trabalha com equipamentos estticos ou girantes para gerao, transmisso, distribuio ou utilizao de grandes quantidades de potncia eltrica.

Eletrnica de Potncia

Na rea de eletrnica, trabalha no desenvolvimento de dispositivos semicondutores de potncia, com circuitos conversores de potncia e com circuitos para o processamento da informao, utilizando circuitos analgicos, digitais ou a microprocessadores e a microcomputadores.
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Eletrnica de Potncia

Na rea de controle, trabalha com a estabilidade e as caractersticas de resposta de sistemas contendo realimentao, com base nas tcnicas do controle clssico ou, com o advento dos microcomputadores, do controle moderno.

Eletrnica de Potncia

Os maiores objetivos da eletrnica de potncia hoje em dia so:

reduzir o tamanho do sistema de converso; reduzir seu custo.

Eletrnica de Potncia

Trs direes principais esto sendo exploradas, atualmente:

freqncias de chaveamento mais elevadas; nveis mais elevados de integrao; melhoria de desempenho trmico.

Dispositivos semicondutores de potncia

Esses dispositivos operam como interruptores e podem se encontrar em estado de conduo (impedncia muito fraca) ou de bloqueio (impedncia elevada). A mudana de estado (comutao disparo ou bloqueio) pode ser controlada ou espontnea.
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Dispositivos semicondutores de potncia

Os pares de terminais de potncia recebem diferentes nomes: anodo/ catodo ou emissor/coletor ou dreno/ fonte, conforme o dispositivo.
ANODO ANODO BASE CATODO GATILHO CATODO EMISSOR COLETOR COLETOR DRENO GATILHO FONTE

GATILHO EMISSOR

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Dispositivos semicondutores de potncia

As principais caractersticas de operao desses dispositivos so:


Tenso de bloqueio direto; Tenso de bloqueio reverso; dv/dt; di/dt; Mxima freqncia de operao; Potncia dissipada - perdas.
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Dispositivos semicondutores de potncia


90%

10% tr tf

Vce x Ic

Vce x Ic

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Classificao

Quanto ao bloqueio de tenso ou conduo de corrente podem ser:

Unidirecionais

Tenso bloqueiam a tenso em um nico sentido Corrente permitem a conduo da corrente em um nico sentido

bidirecionais
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Quadrantes de Operao
Abscissa tenso quando bloqueado; Ordenada Corrente quando conduzindo.

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Principais dispositivos semicondutores de potncia

O desenvolvimento da eletrnica de potncia se iniciou com dispositivos de potncia bipolares, usando tecnologia de silcio:

Diodos Tiristores Transistores

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Diodo de potncia

formado por uma juno simples; unidirecional em corrente e em tenso reversa; Podem ocorrer sobretenses devido di/dt durante o disparo, e sobrecorrentes devido recombinao dos portadores de carga durante o bloqueio.
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Diodo de potncia

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Diodo de potncia

Seu disparo e bloqueio dependem das condies eltricas do circuito no qual colocado;

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Diodo de potncia

A taxa de diminuio da corrente reversa depende do tipo de diodo: diodos rpidos possuem tempo de recuperao da capacidade de bloqueio menores, e podem ser utilizados em conjunto com outros dispositivos de freqncia de chaveamento elevada.

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Diodo de potncia

Exemplo
E

S IL

L C
2E

vc

200

100

E/wL

pi*sqrt(LC)

-100 0s

V(C1:2)

I(L1)

10us

20us Time

30us

40us

50us

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Retificador controlado de silcio - SCR

Tambm chamado de tiristor convencional ou, simplesmente, tiristor; bidirecional em tenso e unidirecional em corrente; Possui disparo controlado, mas necessita de circuitos externos para ser bloqueado;
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Retificador controlado de silcio - SCR

formado por trs junes p-n; Quando o tiristor disparado, a corrente deve atingir um valor mnimo para que o dispositivo sustente a conduo (latching current); Quando o tiristor j est conduzindo existe um valor mnimo abaixo do qual o tiristor no mantm a conduo (holding current);
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Retificador controlado de silcio - SCR

Valores de dv/dt podem disparar o dispositivo, mesmo sem aplicao de tenso no gatilho, devido a capacitncias parasitas; Aps a recombinao dos portadores, durante o bloqueio, a tenso de anodo pode se tornar novamente positiva sem que haja conduo do SCR.
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Retificador controlado de silcio - SCR

Caracterstica esttica do tiristor

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Retificador controlado de silcio - SCR

Possui queda de tenso direta, quando em conduo, de 1 a 3V; Possui tenses tpicas de ruptura direta e reversa da ordem de 10kV. Ainda predomina em aplicaes de potncia elevada, transmisso de corrente contnua em alta tenso e em compensao esttica de kVAR.
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TRIAC triode ac semiconductor

Bloqueia tenso e controla o fluxo de corrente em ambos os sentidos entre seus terminais de potncia; um dispositivo simtrico, com caractersticas semelhantes ao SCR; Pode ser disparado no I e III quadrantes de sua curva caracterstica;
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GTO- gate turn off

um dispositivo tiristor de 4 camadas, disparado como o SCR, mas bloqueado pela injeo de um pulso negativo no gatilho, ou pelos circuitos de comutao externa exigidos pelo SCR; unidirecional em corrente, com caracterstica assimtrica de tenso;
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GTO- gate turn off

Possui maior velocidade de chaveamento; Possui capacidade de interromper a corrente sem reverso da tenso no dispositivo; Possui corrente de bloqueio elevada (at 25% da corrente nominal).
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Transistor bipolar de potncia - BJT

Possui capacidade de bloqueio controlado; Possui velocidade de chaveamento superior aos dispositivos anteriores; unidirecional em corrente e em tenso; utilizado em aplicaes de baixa e mdia potncia;
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Transistor bipolar de potncia - BJT

Requer uma moderada corrente contnua de base durante a conduo; Bloqueia com um pulso de corrente negativo na base; Sua comutao acarreta uma dissipao instantnea muito alta com elevao de temperatura, podendo levar o dispositivo destruio.
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MOSFET de potncia

O MOSFET (metal oxide semiconductor field-effect transistor) um dispositivo controlado por tenso com ganho de potncia elevado; Atinge freqncias elevadas (25MHz) em baixas potncias;

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MOSFET de potncia

Possui um diodo integrado reverso que permite a circulao de uma corrente reversa da mesma ordem da corrente direta; Possui o menor tempo de chaveamento dos dispositivos vistos at aqui; Pode ser comandado diretamente a partir de uma lgica CMOS ou TTL;
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IGBT insulated gate bipolar transistor

Utiliza tecnologia hbrida bipolarMOSFET; Possui disparo e bloqueio comandados; Possui elevada impedncia de gatilho; Possui pequena queda de tenso na conduo;

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Outros dispositivos semicondutores de potncia

RCT (tiristor-diodo reverso) SIThy (static induction thyristor) MCT (tiristor controlado MOS) SINFET (shotky injection field effect transistor) MGT (MOS-gated bipolar transistor)

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rea de Operao Segura AOS

A rea de operao segura (AOS) representa a regio do plano tenso x corrente dentro da qual o dispositivo pode operar sem se danificar. Para o BJT o plano da AOS formado por Vce x Ic; Para o MOSFET utiliza-se Vds x Id
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AOS para BJT


A: Mxima corrente contnua de coletor B: Mxima potncia dissipvel (relacionada temperatura na juno) C: Limite de segunda ruptura D: Mxima tenso Vce

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AOS para MOSFET


A: Mxima corrente de dreno contnua B: Limite da regio de resistncia constante C: Mxima potncia (relacionada mxima temperatura de juno) D: Mxima tenso Vds

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Comparao dos dispositivos

Os dispositivos mais representativos so: SCR, GTO, BJT, IGBT, SIT, MOSFET e MCT; Estes so comparados quanto tenso de bloqueio direto e corrente mxima, permitindo ao projetista uma seleo inicial;
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Comparao dos dispositivos

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Comparao dos dispositivos

Na escolha do dispositivo, as perdas totais tambm devem ser levadas em conta perdas de conduo e de chaveamento; Podem ser conectados em srie ou paralelo para aumentar a capacidade em tenso e em paralelo para aumentar o limite de corrente;
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Comparao dos dispositivos

De um modo geral, escolhe-se os dispositivos como:


SCR em aplicaes de potncia elevada; GTO em aplicaes de mdia e alta potncia e de baixa a mdia freqncia; BJT em aplicaes de baixa e mdia potncia e freqncia; MOSFET em aplicaes de baixa potncia e freqncia muito elevada; IGBT em aplicaes de mdia potncia e freqncia.
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Comparao dos dispositivos

Do ponto de vista da comutao temse:


Disparo Disparo Disparo Disparo

e bloqueio espontneos; controlado e bloqueio espontneo; espontneo e bloqueio controlado; e bloqueio controlados.

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Valores Nominais Mximos


A

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