Tema: transistor BJT Objetivos :

Comprender y explicar las caractersticas y funcionamiento de los transistores BJT

Dimensionar y disear un circuito utilizando el transistor como SWITCH. Medir y explicar parmetros de funcionamiento del transistor trabajando como switch. 1. Consultar una breve historia del transistor. Qu es el transistor?, y cules son sus aplicaciones principales.

Conteste las siguientes preguntas:

El transistor fue inventado por un equipo de 3 cientficos de los Laboratorios Telefnicos Bell en diciembre de 1947. Aunque el primer transistor no fue un dispositivo bipolar de juntura, fue el inicio de una revolucin tecnolgica que todava contina. Todos los dispositivos y sistemas electrnicos complejos actuales, son el resultado del desarrollo de los transistores de semiconductor. Hay 2 tipos de transistor: el transistor bipolar de juntura [BJT] y el transistor de efecto de campo [FET]. Construccin y principio de funcionamiento. La estructura de un transistor bipolar de juntura determina sus caractersticas de operacin. En esta seccin, se ver cmo se usan los materiales semiconductores para construir un transistor y se estudiarn los smbolos normalizados del transistor.

El BJT se construye con 3-regiones de semiconductor dopado, separadas por 2 junturas pn, como se muestra en la estructura coaxial de la fig. 3.1. Las 3-regiones se denominan Emisor, Base, y Colector. Las representaciones fsicas de los 2 tipos de transistor bipolar se muestran en las figs. 3.2 a) y b). Un tipo consiste de 2-regiones N separadas por una regin P [NPN], y el otro consiste de 2-regiones P, separadas por una regin N [PNP].

La juntura PN que une la regin de la Base con la de Emisor se denomina juntura BaseEmisor [B-E]. La juntura que une la regin de la Base con la de Colector, se denomina juntura Base-Colector [B-C], como se indica en la fig. 3.2 a). A cada una de estas 3-regiones se conecta un terminal de alambre. Los terminales se etiquetan como E, B y C por Emisor, Base y Colector, respectivamente. La regin de la Base est dopada ligeramente y es muy delgada en comparacin con el Emisor altamente dopado y el Colector dopado moderadamente. La relacin entre el ancho total y la capa central es de 0,381cm /0,00254cm [0,15/0,001] = 150:1. El dopaje de la capa central es considerablemente menor que el de las capas exteriores [por lo general de 10:1 o menos].

Este nivel de dopaje reduce la conductividad [incrementa la resistencia] de este material al limitar el nmero de portadores libres. En la fig. 3.3 se trata de mostrar esto, aunque no est dibujada a escala. En ella se muestra la polarizacin correcta para un transistor NPN. A menudo se utiliza la abreviatura BJT (bipolar junction transistor = transistor bipolar de juntura) para estos dispositivos de 3-terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que, en la estructura cristalina, existen dos tipos de portadores: electrones [negativos] y huecos [positivos].

Aplicaciones no lineles de los transistores.Hasta ahora las aplicaciones del transistor se han limitado a la regin activa normal (R. A. N.). Pero tambin se mencion que el transistor tiene aplicaciones especiales en las regiones de corte y saturacin. Estas son las aplicaciones no lineales del transistor, en las que el transistor o est en conduccin (ON) o est en corte (OFF). 2. Enumere al menos 3 ventajas y 3 desventajas del transitor frente a los tubos de vaco (vlvula termoinica).

3. Dibujar la simbologa de: transitor BJT (NPN y PNP), JFET, MOSFET, IGFET. BJT(NPN,PNP)

JFET(CANAL N, CANAL P)

MOSFET (CANAL N)

4. Indicar el significado de : BETA, Ic saturacin, regin de corte, regin de saturacin 177

2. Consultar acerca del funcionamiento de un rel. Ilustrar con una grfica sus componentes y funcionamiento. Indicar sus principales aplicaciones

RELE MECNICO El rel o relevador, es un dispositivo electromecnico, que funciona como un interruptor controlado por un circuito elctrico en el que, por medio de una bobina y un electroimn, se acciona un juego de uno o varios contactos que permiten abrir o cerrar otros circuitos elctricos independientes. Dado que el rel es capaz de controlar un circuito de salida de mayor potencia que el de entrada, puede considerarse, en un amplio sentido, como un amplificador elctrico. El rel est formado por una bobina que cuando recibe una corriente elctrica, se comporta como un imn atrayendo unos contactos (contacto mvil) que cierran un circuito elctrico. Cuando la bobina deja de recibir corriente elctrica ya no se comporta como un imn y los contactos abren el circuito elctrico.

3. Consultar acerca del funcionamiento del CI. LM555. Cules son sus aplicaciones? Ilustrar el funcionamiento como oscilador astable y

monoastable. Realizar el clculo de los componentes (resistencias y capacitores) si se desea:

Se alimenta de una fuente externa conectada entre sus terminales 8 (+Vcc) y 1(GND) tierra; el voltaje de la fuente va desde los 5 voltios hasta 15 voltios de corriente continua, la misma fuente se conecta a un circuito pasivo RC, que proporciona por medio de la descarga de su capacitor una seal de voltaje que esta en funcin del tiempo, esta seal de tensin es de 1/3 de Vcc y se compara contra el voltaje aplicado externamente sobre la terminal 2 (TRIGGER) que es la entrada de un comparador. La terminal 6 (THRESHOLD) se ofrece como la entrada de otro comparador, en la cual se compara a 2/3 de la Vcc contra la amplitud de seal externa que le sirve de disparo. La terminal 5(CONTROL VOLTAGE) se dispone para producir modulacin por anchura de pulsos, la descarga del condensador exterior se hace por medio de la terminal 7 (DISCHARGE), se descarga cuando el transistor (NPN) T1, se encuentra en saturacin, se puede descargar prematuramente el capacitor por medio de la polarizacin del transistor (PNP) T2. Se dispone de la base de T2 en la terminal 4 (RESET) del circuito integrado 555, si no se desea descargar antes de que se termine el periodo, esta terminal debe conectarse directamente a Vcc, con esto se logra mantener cortado al transistor T2 de otro modo se puede poner a cero la salida involuntariamente, aun cuando no se desee. La salida esta provista en la terminal (3) del microcircuito y es adems la salida de un amplificador de corriente (buffer), este hecho le da ms versatilidad al circuito de tiempo 555, ya que la corriente mxima que se puede obtener cuando la terminal (3) sea conecta directamente al nivel de tierra es de 200 mA. La salida del comparador "A" y la salida del comparador "B" estn conectadas al Reset y Set del FF tipo SR respectivamente, la salida del FF-SR acta como seal de entrada para el amplificador de corriente (Buffer), mientras que en la terminal 6 el nivel de tensin sea ms pequeo que el nivel de voltaje contra el que se compara la entrada Reset del FF-SR no se activar, por otra parte mientras que el nivel de tensin presente en la terminal 2 sea ms grande que el nivel de tensin contra el que se compara la entrada Set del FF-SR no se activar.

Oscilador astable con una frecuencia de 2ciclos/segundo

Si se usa en este modo el circuito su principal caracterstica es una forma de onda rectangular a la salida, en la cual el ancho de la onda puede ser manejado con los valores de ciertos elementos en el diseo. Para esto debemos aplicar las siguientes formulas: ( )

( ) Donde TA es el tiempo del nivel alto de la seal y TB es el tiempo del nivel bajo de la seal. Este tiempo dependen de los valores de R1 y R2. Recordemos que el periodo es = 1/f. La frecuencia con que la seal de salida oscila est dada por la frmula: ( Clculos De Tiempos ( ))

( (

) )

Oscilador monoastable con un ciclo de 2 segundos

En este caso el timmer 555 en su modo monoestable funcionar como un circuito de un tiro. Dentro del 555 hay un transistor que mantiene a C1 descargado inicialmente. Cuando un pulso negativo de disparo se aplica a terminal 2, el flip-flop interno se setea, lo que quita el corto de C1 y esto causa una salida alta (un high) en el terminal 3 (el terminal de salida). La salida a travs del capacitor aumenta exponencialmente con la constante de tiempo:

Cuando el voltaje a travs de C1 iguala dos tercios de Vcc el comparador interno del 555 se resetea el flip-flop, que entonces descarga el capacitor C1 rpidamente y lleva al terminal de salida a su estado bajo (low). El circuito e activado con un impulso de entrada que va en direccin negativa cuando el nivel llega a un tercio de Vcc. Una vez disparado, el circuito permanece en ese estado hasta que pasa el tiempo de seteo, aun si se vuelve a disparar el circuito. La duracin del estado alto (high) es dada por la ecuacin: T= 1.1 * (R1*C1) ( )

El intervalo es independiente del voltaje de Vcc. Cuando el terminal reset no se usa, debe atarse alto para evitar disparos espontneos o falsos.

4. Disear y simular un circuito que cumpla las siguientes condiciones: Foco1 (120v) que se encienda y apague a una frecuencia de 2ciclos/segundo Foco2(120v) que se apague y encienda a una frecuencia de 2ciclos/segundo Etapa de potencia con rels (Contacto N/A) Etapa acoplamiento con transistores BJT(NPN), trabajando como seguidor y compuerta NOT Etapa de control, a partir de un oscilador astable, construido con el integrado LM555