Imperfeies Cristalinas

Prof. C. Brunetti

E a???

Imperfeies Cristalinas
Por qu estudar?
Afetam o comportmento dos materiais: Condutividade eltrica Deformao plstica A Aumento d resistncia mecnica t da i t i i Difuso Defeitos pontuais Defeitos de linha (discordncias) Defeitos de interface (gro e maclas)
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Defeitos volumtricos (incluses, precipitados)

O que um defeito
uma imperfeio ou um "erro" no arranjo peridico regular dos tomos em um cristal cristal. Podem envolver uma irregularidade P d l i l id d na posio dos tomos no tipo de tomos O tipo e o nmero de defeitos dependem do material, do meio ambiente, e das , , circunstncias sob as quais o cristal processado.
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Imperfeies estruturais

Apenas uma pequena frao dos stios p atmicos so imperfeitos

Menos de 1 em 1 milho
M Menos sendo poucos eles influenciam muito d l i fl i it nas propriedades dos materiais e nem sempre de f d forma negativa ti

Imperfeies estruturais
Exemplos
o

O processo de dopagem em semicondutores visa criar imperfeies para mudar o tipo de condutividade em determinadas regies do material A deformao mecnica dos materiais promove a formao de imperfeies que geram um aumento na resistncia mecnica (processo conhecido como encruamento) apresentam resistncia maior que 70GPa, enquanto o ferro comum rompe-se a aproximadamente 270MP i d t 270MPa.

Wiskers de ferro (sem imperfeies do tipo discordncias)

Imperfeies estruturais
So classificados de acordo com sua geometria ou dimenses d menses Defeitos Pontuais associados c/ 1 ou 2 posies atmicas uma dimenso (fronteiras) duas dimenses trs dimenses

Defeitos lineares Defeitos planos ou interfaciais

Defeitos volumtricos

Defeitos Pontuais
Vacncias ou lacunas tomos Intersticiais Schottky
Ocorrem em slidos inicos

Frenkel

Vacncias ou lacunas
E Envolve a falta de um tomo l f l d So f formados d d durante a solidificao do cristal ou como resultado das vibraes atmicas (os tomos deslocam-se de suas p posies normais) )

Vacncias ou lacunas
O nmero de vacncias aumenta exponencialmente com a temperatura Nv= N exp (-Qv/KT)
Nv= nmero de vacncias N= nmero total de stios atmicos Qv= energia requerida para formao de vacncias K= constante de Boltzman = 1,38x1023J/at K ou 1 38x10 J/at.K 8,62x10-5 eV/ at.K

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Intersticiais
Envolve um tomo extra no interstcio (do prprio cristal) Produz uma distoro no reticulado, j que o tomo geralmente maior que o t l t i espao do interstcio A formao de um defeito (auto)intersticial implica grandes deformaes na rede, sendo menos provavel que uma lacuna

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Intersticiais

tomo intersticial grande Gera maior distoro na rede

tomo intersticial pequeno

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Defeito de Frenkel

Ocorre em slidos inicos Ocorre quando um on sai de sua si d s posio normal e l vai para um interstcio

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Defeito de Schottky

Ocorre em slidos inicos E Envolve a falta de um l f lt d nion e/ou um ction

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Impurezas nos slidos

Um metal considerado puro sempre tem impurezas (tomos estranhos) presentes 99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3

A presena de impurezas pr m ve a formao promove f rma de defeitos pontuais

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Impurezas nos slidos Ligas metlicas

As impurezas (chamadas elementos de liga) so p ( g ) adicionadas intencionalmente com a finalidade: aumentar a resistncia mecnica aumentar a resistncia corroso t i t i Aumentar a condutividade eltrica Etc.

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Impurezas nos slidos Ligas metlicas

Podemos controlar a quantidade de impurezas para formar: Solues slidas Segunda fase

< limite de > limite de

solubilidade l bld d solubilidade

A solubilidade depende : Temperatura Tipo de impureza Concentrao da impureza

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Impurezas nos slidos Ligas metlicas Elemento de liga ou Impureza soluto (< quantidade)

Matriz ou Hospedeiro Solvente (>quantidade) Ex: Prata Sterling (925)

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Solues slidas
Nas solues slidas as impurezas podem ser: - Intersticial - Substitucional

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Solues slidas intersticiais

Os

tomos de impurezas ou os elementos de liga ocupam os espaos dos interstcios d quando a impureza apresenta raio atmico bem menor que o hospedeiro

Ocorre

Como os materiais metlicos tem geralmente fator de empacotamento alto as posies intersticiais so relativamente pequenas Geralmente, no mximo 10% de impurezas so incorporadas nos i i d interstcios i
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Solues slidas intersticiais

Fe + C A solubilidade mxima do C no Fe 2,1% a 2 1% 910 C (Fe CFC)

O C tem raio atmico bastante pequeno p q se comparado com o Fe

raio atmico do C= 0,071 nm= 0,71 A raio atmico do Fe= 0,124 nm= 1,24 A

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Solues slidas Substitucionais

Fatores de influncia Raio atmico deve ter uma diferena de no mximo 15%, caso contrrio pode promover p p distores na rede e assim formao de nova fase Mesma estrutura cristalina Eletronegatividade prximas Eletronegat v dade prx mas Valncias qumicas similares no devem diferir mais que uma unidade

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Exemplos de soluo slida substitucional

Cu + Niso solveis em todas as propores
Cu Raio atmico Estrutura Eletronegatividade 0,128nm=1,28 A CFC Ni 0,125 nm=1,25A CFC 1,8

1,9

Valncia

+1 (as vezes +2)

+2

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Defeitos lineares - discordncias

As discordncias esto associadas com a cristalizao e a deformao (origem: trmica trmica,

mecnica e supersaturao de defeitos pontuais)

A presena deste defeito a responsvel pela deformao, f lh e ruptura dos materiais d f falha t d t i i Podem ser: - Aresta (cunha) - Hlice - Mi t Mista
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Defeitos lineares - discordncias

Vetor de Burgers (b) D a magnitude e a direo de di t it d di d distoro da rede Corresponde distncia de deslocamento p dos tomos ao redor da discordncia

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Discordncias em aresta
Envolve um SEMI-plano SEMI plano extra de tomos O vetor de Burger perpendicular direo da linha da discordncia Envolve zonas de trao e compresso

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Discordncias em aresta

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Discordncias em hlice
O vetor de Burger paralelo direo da linha da discordncia

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Discordncias mistas

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Discordncias em hlice

DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS SO DEGRAUS DE ESCORREGAMENT SUPERFICIAIS. (Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).

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Discordncias em hlice

Discordncia em hlice em liga Al 4%Cu Al-4%Cu.

ZLATEVA G.; MARINOVA Z. Microestructure of metals na alloys. An Atlas of Transmission Electron Microscopy Images. CRC. 2008. 169 p.

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Discordncias no TEM

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Discordncias no HRTEM

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Discordncias no HRTEM

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Consideraes gerais
A quantidade e o movimento das discordncias podem ser controlados tid d i t d di d i d t l d pelo grau de deformao (conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmicos Com o aumento da temperatura h um aumento na velocidade de deslocamento das discordncias favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e formao de discordncias nicas Impurezas tendem a difundir se e concentrar-se em torno das difundir-se concentrar se discordncias formando uma atmosfera de impurezas

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Consideraes gerais
O cisalhamento se d mais facilmente nos planos de maior densidade p atmica, por isso a densidade das mesmas depende da orientao cristalogrfica As discordncias geram vacncias As discordncias influem nos processos de difuso As discordncias contribuem para a deformao plstica

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3-Defeitos planos ou interfaciais

Envolvem fronteiras (defeitos em duas dimenses) e normalmente separam regies dos materiais de l diferentes estruturas cristalinas ou orientaes cristalogrficas l f Superfcie externa Contorno de gro Fronteiras entre fases M l ou Twins Maclas p Defeitos de empilhamento
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Superfcies externas
o mais bvio Na superfcie os tomos no esto completamente g ligados Ento o estado energia dos tomos na superfcie maior que no interior do cristal Os materiais tendem a minimizar esta energia A energia superficial expressa em erg/cm2 ou J/m2)

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Contorno de gro

Corresponde regio que separa dois ou mais cristais d orientao dif i t i de i t diferente t um cristal = um gro

N interior d cada gro todos os No i i de d d tomos esto arranjados segundo um nico modelo e nica orientao, orientao caracterizada pela clula unitria
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Formao dos Gros

A forma do gro f m d controlada: controlada pela presena dos gros circunvizinhos O tamanho de gro controlado Composio Taxa de cristalizao ou solidificao

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Consideraes gerais contorno gros

H um empacotamento ATMICO menos eficiente H uma energia mais elevada Favorece a nucleao de novas fases (segregao) favorece a difuso

O contorno d gro ancora o m im nt d s nt n de n movimento das discordncias

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Monocristal e policristal

Monocristal: Material com apenas uma

orientao cristalina, ou seja, que contm l apenas um gro

Policristal: M P l l Material com mais de uma l d

orientao cristalina, ou seja, que contm vrios gros

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Lingote de alumnio policristalino

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