Você está na página 1de 17

UNIVERSIDADE FEDERAL DE CAMPINA GRANDE CENTRO DE ENGENHARIA ELTRICA E INFORMTICA UNIDADE ACADMICA DE ENGENHARIA ELTRICA

______________________________________________________

II SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE


CAMPINA GRANDE, PARAIBA 1 A 16 DE JUNHO DE 2011 TRANSISTOR POR EFEITO DE CAMPO E FOTOCONDUTOR DE POLI (O- METOXIANILINA)

Emanuela Santos Silva Luis Reyes Rosales Montero2


1

Graduanda do curso de Engenharia de Materiais; emanuela.eng.ufcg@gmail.com


2

Professor da Unidade Acadmica de Engenharia Eltrica da UFCG; professorluisreyes@hotmail.com

Seminrio Organizado Pelo Dr. Luis Reyes Rosales Montero, Professor do Departamento de Engenharia Eltrica da UFCG no Auditrio do Reenge sala 11 nos dias 1 ao dia 16 Junho de 2011.

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

RESUMO: Esse artigo apresenta resultados sobre fabricao e caracterizao de um transistor por efeito de campo (FET) tendo a poli (o-metoxianilina) - POMA - como material ativo. Uma adaptao de processos de microeletrnica tradicional foi feita para a confeco desse dispositivo. O FET desenvolvido apresentou modulao por voltagem de porta Vg, mas operou mesmo em Vg=0. A corrente de dreno ID aumentou significativamente sob iluminao na regio da radiao visvel e infravermelho prximo, mostrando o carter fotocondutor da POMA dopada e, portanto, do dispositivo. Um modelo terico baseado nos mecanismos de conduo eletrnica da POMA, e de efeitos de interface metal-polmero foi elaborado, ajustando-se muito bem aos resultados experimentais. Palavras-chave: Dispositivos eletrnicos, transistor por efeito de campo, fotocondutividade, polmeros condutores, aplicaes. ABSTRACT: A field effect transistor - FET made from poly(o-methoxyaniline) (POMA), which is a conductive polymer, was developed. Several modifications were carried out to adapt the procedures generally used in traditional device developments. The characteristic of the FET produced was sensible to the gate modulation, but it operates even for VG = 0. The drain current ID enhanced under visible and near infrared radiation, showing the photoconductor character of POMA and, consequently, of the device. A theoretical model, based on the electronic properties of POMA and on the metal-polymer interface, was developed which is in good agreement with the experimental results. Keywords: Electronic devices, field effect transistors, photoconductivity, conducting polymers, applications.

Transistor - 2

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

1.INTRODUO Os materiais polimricos esto entre os que apresentam maiores resistividades eltricas, sendo os que apresentam propriedades trmicas e mecnicas mais versteis. H cerca de vinte anos, entretanto, o conceito de que esses materiais so exclusivamente isolantes eltricos foi mudado com a descoberta dos Polmeros Condutores1. Esses polmeros condutores so na verdade materiais isolantes, mas sob dopagem qumica atingem condutividades comparveis s dos metais podendo ter sua condutividade alterada em at 15 ordens de grandeza. Passam assim de excelentes isolantes a timos condutores eltricos, com propriedade adicional de reverter essa condutividade adquirida desde que o material seja desdopado. Portanto, em princpio, pode-se controlar o valor de sua condutividade dentro de uma faixa que cobre valores entre 10-11 S/cm a 105 S/cm2,3. Cada um dos polmeros condutores hoje conhecidos varre toda a faixa semicondutora, regio na qual se desenvolveu a tecnologia da moderna microeletrnica. Portanto, hoje se iniciam inmeros estudos de aplicaes desses materiais enquanto semicondutores ativos, procurando lev-los ao nvel de importncia ocupado pelos inorgnicos Silcio e Arseneto de Glio. O primeiro polmero condutor foi o poliacetileno. Este foi sintetizado pela primeira vez em 1955 tendo como produto um p escuro insolvel, porm ainda no condutor. Cerca de vinte anos mais tarde no Instituto de Tecnologia de Tkio ele foi obtido acidentelmente em forma de uma pelcula elstica brilhante2, 4. Em 19771,2, na Universidade da Pensilvnia, estudos sobre dopagem qumica e propriedades eltricas com essas pelculas resultaram por descobrir a propriedade da condutividade eltrica do poliacetileno. Outros polmeros2,4 apresentaram a mesma propriedade, tendo eles em comum a estrutura conjugada da cadeia molecular, isto , alternncia entre ligaes qumicas duplas e simples ao longo da cadeia. Entre eles se destacam: o polipirrol, o politiofeno, o poli (parafenilineo), etc. Logo aps a descoberta desses "plsticos eletrnicos" deu-se incio a busca de aplicaes na rea de microeletrnica procurando-se fabricar diodos, transistores e outros dispositivos optoeletrnicos e fotnicos. Entretanto essas aplicaes tm esbarrado na alta instabilidade que as propriedades eltricas desses plsticos apresentam, quando em contato com o ar, e na dificuldade de controlar adequadamente os valores requeridos de condutividade. Mesmo assim vrios prottipos de dispositivos eletrnicos foram feitos e publicados na literatura especializada, com curvas caractersticas de corrente eltrica ID em funo da tenso de dreno VD semelhantes s dos dispositivos inorgnicos comerciais. Outras aplicaes, tambm oriundas da variao reversvel da condutividade adquirida, j tm sido amplamente divulgadas, destacando-se as aplicaes em baterias2, em recobrimento antiesttico, em proteo contra corroso, em transdutores, em biosensores e em sensores de gases. Em meados da dcada de 80 um novo polmero condutor se destaca a polianilina. Sua estrutura, diferentemente dos demais, no era conjugada, e seu mecanismo de dopagem no se d pelo processo de oxi-reduo, mas por protonao da cadeia polimrica. Suas vantagens sobre os demais plsticos eletrnicos advm da facilidade de sntese e processamento de filmes e, principalmente, da sua melhor estabilidade quando em presena do ar, tanto no estado no-dopado quanto no dopado. Logo a polianilina (PANI) e seus derivados se candidatam como materiais potncias a inmeras aplicaes, dentre elas as na rea de dispositivos eletrnicos. O presente trabalho trata da aplicao de um dos derivados da PANI, a poli (o-metoxianilina) (POMA), na fabricao de um transistor por efeito de campo, semelhante a um tradicional. Nesse trabalho, apresentamos toda a adaptao da tecnologia usual de microeletrnica usada na fabricao de dispositivos base de silcio para o transistor polimrico, e os resultados da caracterizao do dispositivo e sua modelao terica. Alm disso, observou-se para este dispositivo a propriedade adicional de alterar sensivelmente o sinal caracterstico de corrente de dreno por iluminao, mostrando um forte carter fotocondutor. At o momento, a PANI tem sido pouco aplicada enquanto material ativo em microeletrnica. Recentemente foi feito um dispositivo retificador base de Transistor - 3

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

polianilina, numa estrutura Alumnio/PANI/ITO (vidro recoberto com xido de ndio e Estanho), sem qualquer estudo de modulao por campo, ou de fotoconduo. 2. MODELOS TERICOS O princpio de operao de dispositivos FET tradicionais (JFET e MESFET) se baseia na evoluo de uma camada de inverso - regio de depleo - formada na interface entre o eletrodo de porta e o semicondutor dopado que o material ativo do dispositivo. O mecanismo de conduo, traduzido pela curva caracterstica ID vs. VD, devido a portadores majoritrios e sua dinmica controlada pela espessura dessa camada de inverso, que tem a funo de estrangular o canal de conduo dos portadores majoritrios. Para um valor de voltagem de porta VG fixo, a corrente ID atinge a saturao IDs a partir de um valor VDs, que denominado voltagem de saturao. Para VG = 0, IDs tem seu valor mximo, Ip, e denominada de corrente de pinch off. Esse fenmeno acontece para um determinado valor de tenso junto interface semicondutor-eletrodo de dreno designado por Vp, e nessa voltagem o estrangulamento do canal junto ao eletrodo de dreno total. No dispositivo polimrico apresentado acima, os fenmenos fsicos responsveis pelas curvas caractersticas no so os mesmos do citado acima. No caso da poli(o-metoxianilina) dopada com HCl os portadores so os buracos, e a conduo se faz por todo o volume do material no sendo necessrios o conceito de canal de conduo e de camada de inverso. Nesse caso, supondo que os contatos sejam hmicos, ou pelo menos que no sejam bloqueantes, uma vez aplicada tenso VD no dispositivo, surgir como resposta corrente ID. Para explicar as curvas ilustradas na Figura 4, para diferentes tenses VG, apresentamos um modelo detalhado a seguir, fazendo de incio duas consideraes, uma sobre a mobilidade dos portadores e outra sobre sua velocidade de arraste: i) a mobilidade varia segundo o eixo y definido ao longo de uma perpendicular ao eletrodo de porta, sendo a mobilidade maior junto interface polmero-xido, e menor na superfcie que fica exposta ao ambiente; ii) a velocidade varia com o campo, seja pelo fato de que para baixos campos, sendo o material altamente desordenado, os portadores encontram muitos obstculos sua migrao devido sua baixa energia cintica, seja pelo efeito de retrodifuso trmica, que um efeito de corrente de difuso estimulada termicamente de sentido oposto corrente de arraste. Uma aproximao que faremos diz respeito uniformidade do campo eltrico ao longo do eixo x (direo definida pela linha que liga os eletrodos de fonte e de dreno). Isto significa que a concentrao de portadores no varia ao longo de x. A voltagem de porta quando negativa aumenta os valores de ID e quando positiva age no sentido inverso, como visto na figura 4. Dentro do modelo, VG < 0 atrairia os portadores para junto da interface polmero-xido, onde a mobilidade, segundo nossas consideraes maior; e para VG > 0, os portadores so ento arrastados em direo superfcie do filme polimrico onde a mobilidade menor. Em geral os filmes polimricos so mais desordenados em suas superfcies livres onde tambm adsorve impurezas com certa facilidade. J a superfcie que fica em contato com um substrato tende a ser mais ordenada e protegida de contaminaes. Portanto, razovel a suposio de um "gradiente" de mobilidade ao longo de y.

Transistor - 4

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

Fonte: Onmori,1998.

Fonte: Onmori,1998.

Clculo A figura 6 ilustra um esquema do dispositivo polimrico e os eixos x, y e z so definidos segundo as direes dadas pela distncia entre os eletrodos fonte e dreno, pela normal ao plano do dispositivo e pelo comprimento dos eletrodos. A corrente eltrica que atravessa o polmero ID - ao longo do eixo x - em resposta VD pode ser calculada a partir da equao diferencial:

Transistor - 5

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

Fonte: Onmori,1998.

onde J = v a densidade de corrente e dA = Zdy um diferencial de rea no interior do material polimrico no plano yz, sendo Z a espessura do dispositivo. a densidade de portadores do material e a velocidade de arraste desses portadores. A considerao ii) feita acima sobre a velocidade de arraste v pode ser expressa matematicamente por:

onde E= VD/L (L a distncia entre os eletrodos dreno e fonte), a mobilidade e vs a velocidade de saturao dos portadores. Para efeito de clculo podemos expressar a variao da mobilidade dos portadores ao longo do eixo y, conforme a considerao i, segundo a relao linear:

com 0 k 1 e

Sendo os buracos os portadores mveis, a tenso VG quando positiva os expulsa em direo superfcie da mostra, e quando negativa os atrai concentrando-os junto a interface polmero-xido. Tambm para simplificar os clculos, podemos expressar a densidade de portadores numa relao linear com y, como segue:

Ambos, 0 e 1so constantes e 0 depende de VG. Juntando-se as Eqs. 1 a 4, podemos escrever ento a seguinte equao de corrente para o dispositivo:

Transistor - 6

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

ou ainda,

As solues das integrais I1 e I2 levam aos respectivos resultados:

e a corrente do transistor ser, portanto, dada por:

A expresso acima no ajusta, entretanto, as curvas experimentais na regio de VD baixos. Isto se deve provavelmente ao fato de termos desprezado os efeitos de interface colocando o campo uniforme ao longo de x. Para corrigir, ao menos parcialmente essa falha, adicionamos ao modelo um diodo em srie com o transistor, e a tenso VD fica sendo a soma da tenso do transistor Vtr mais a do diodo Vd. A corrente a mesma pois a associao em srie. Como na interface metal-polmero ocorre o efeito de juno Schottky, a corrente do diodo pode ser descrita pela corrente Schottky:

A partir da considerao de que a corrente que flui pelo diodo dever ser a mesma daquela que flui pelo transistor temos:

Aplicando-se o logaritmo nas equaes, e isolando o termo Vd, tem-se:

Substituindo a equao (11) na equao (10), obtemos a equao geral da corrente I tr em funo de Vtr, que a caracterstica ID vs VD, lembrando-se que uma pequena parte da tenso VD fica aplicada nas interfaces: Transistor - 7

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

As figuras 4 e 5 tambm apresentam ajustes da expresso (12) sobre os resultados experimentais. Como pode-se observar, para baixas tenses aparece um efeito tipo retificador na curva IxV. Esse efeito tpico de queda de voltagem na juno, e para resolv-lo supusemos uma equao Schottky (Equao 9). Considerando-se a complexidade dos mecanismos de migrao de portadores no interior do polmero, essa equao uma boa aproximao, embora estudos ainda possam ser feitos para se aperfeioar este modelo terico. Os parmetros de ajuste so o, 1, o e s, tem seus valores mostrados na Tabela 1, para Io = 7,5 10-7 (A) e k = 0,1 para o transistor. No caso do transistor sob iluminao (Tabela 2, com Io = 2,1 10-10 (A) e k = 0,1) os valores de o = 9 10-5 cm2/V.s e de ns = 8 10-2 cm/s permanecem constantes. Na avaliao de dispositivos eletrnicos, esses valores so considerados bons e o valor da mobilidade dos portadores est em concordncia com os dados (0 10-4 cm2/v.s) obtidos na literatura.

Fonte: Onmori,1998.

Fonte: Onmori,1998.

3. METODOLOGIA Transistor - 8

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

O Processo de Fabricao do Transistor- Baseando-se em Pesquisas j desenvolvidas O transistor de POMA ser construdo sobre uma lmina de silcio monocristalino, orientao <100>, fortemente dopado (tipo p) com resistividade em torno de 1 .cm e com uma das faces polida. A lmina de silcio servir alm de suporte mecnico para o dispositivo, tambm como eletrodo por onde se aplica a tenso de porta VG. Ser feita uma adaptao de processos de microeletrnica tradicional para a confeco do dispositivo, uma vez que determinadas etapas de preparao de substratos e de fotogravao seriam agressivas ao material polimrico, e que o processo de dopagem qumica da POMA atacava a estrutura do fotoresiste. A fabricao do dispositivo pode ser dividida em diferentes etapas, descritas a seguir: Etapa 1: - Limpeza da lmina - Nessa etapa devero ser removidos os diversos tipos de impurezas e compostos orgnicos adsorvidos na superfcie, assim como eventuais xidos formados na lmina que surgem durante o tempo de armazenamento. A limpeza ser feita com H2SO4/H202 (3:1); H2Odeionizada/H2O2 /NH4OH (5:1:1) e finalmente com HF/H2O (1:50). Etapa 2: - Formao da camada de xido - A lmina dever ser colocada em forno de oxidao trmica, de modo que a superfcie do silcio fique em contato com um fluxo de oxignio temperatura de 1000C. O oxignio reage quimicamente com o silcio formando o xido de silcio SiO2. A espessura do xido tem aproximadamente 40 nm. O xido crescido serve como isolante eltrico entre o silcio e o polmero que ser posteriormente depositado sobre o xido, e deve ser de boa qualidade para suportar altos campos eltricos provenientes da tenso VG. Etapa 3: - Deposio dos eletrodos - Essa etapa consiste na fabricao dos eletrodos de dreno e fonte, onde aplicada a diferena de potencial VD e medida a corrente caracterstica ID, que atravessa o polmero que ser depositado. Para esse processo usaremos a tcnica de fotolitografia denominada Lift-off. Esse processo envolve o desenho dos contatos eltricos e a transferncia de sua imagem para a lmina de silcio. A geometria dos contatos eltricos (Figura 1) foi desenhada no programa denominado de AutoCad, verso 10, do equipamento Pattern Generator - IMAGE 100. A distncia entre os eletrodos varia de 10, 20 e 30 m e o comprimento do canal de 2 cm. Essa geometria ideal para as medidas eltricas, onde a pequena distncia entre eletrodos e o grande comprimento do canal favorecem o ganho da corrente eltrica. Para transferir a imagem no silcio, uma camada de material fotosensvel (fotoresiste AZ 1350 J Develop) foi depositado. O Pattern Generator, atravs de seu sistema ptico, dever transferir o desenho sensibilizando o fotoresiste. Aps a revelao, com o produto qumico AZ 350 da Develop, o fotoresiste sensibilizado ser removido, ficando essas regies expostas. Uma camada de ouro de espessura 20 nm dever evaporar sobre toda a superfcie da lmina de silcio oxidada. O fotoresiste ao ser removido carregar consigo todo ouro depositado sobre a sua superfcie deixando somente o ouro depositado diretamente no silcio oxidado.

Transistor - 9

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

Fonte: Onmori,1998.

Etapa 4: - Deposio do polmero - A POMA na forma de base de esmeraldina, sintetizada quimicamente conforme descrito na literatura, foi dissolvida em clorofrmio na proporo de 1 g para cada 100ml de solvente. A tcnica usada para a deposio e obteno de um filme fino de POMA dever ser o spin coating. Nesse processo a soluo de POMA em clorofrmio gotejada sobre a superfcie do substrato at que o lquido depositado molhe homogeneamente a superfcie de xido de silcio. Em seguida a lmina deve ser colocada em rotao a 1000 rpm por 30 segundos. O clorofrmio (solvente) evapora rapidamente assim obtm-se uma fina camada de POMA, em torno de 20 nm. A figura 2 mostra o esquema da montagem do transistor.

Fonte: Onmori,1998.

Etapa 5: - Dopagem da POMA - A POMA tal como depositada sobre a lmina do dispositivo um material isolante. Para dop-la, e assim obter uma condutividade tpica de um semicondutor, se imerge todo o dispositivo numa soluo de cido clordrico 1,0 molar por 10 segundos. Logo em seguida, com um jato de nitrognio, retira-se o excesso de cido ao mesmo tempo em que se seca o filme de POMA. Obtemos finalmente o transistor base de POMA cuja foto mostrada na figura 3.

Fonte: Onmori,1998.

Transistor - 10

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

4. CONCLUSO A contribuio mais importante desse trabalho foi mostrar que a poli(o-metoxianilina), adequadamente dopada, um material ativo para a fabricao de um transistor fotocondutor modulado por campo. Uma das etapas mais rduas, e que foi vencida, foi evitar as interferncias dos processamentos litogrficos e de dopagem do polmero, uma vez que o tratamento fsico-qumico de um era nocivo ao outro. No entanto, as etapas de fabricao do dispositivo ainda podem ser melhoradas, e sua proteo por encapsulamento dever aumentar seu tempo de vida til. Pelo valor relativamente baixo da mobilidade dos portadores nesse polmero, esse dispositivo no considerado rpido e, portanto, no poder vir a ser aplicado em dispositivos chaveadores, ou amplificadores, na rea de comunicaes ou em sistemas de microondas. Este, entretanto, pode compor aplicaes na rea de sensores, principalmente de gases, e de fotodispositivos. A busca de sensores de gases eficientes e de baixo custo relativamente recente e est ligada diretamente com pesquisas em Cincia Ambiental. Tambm na medicina dispositivos orgnicos podero desempenhar um papel Transistor - 11

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

importante, mas hoje esses polmeros encontram sucesso enquanto dispositivos tradicionais como diodos e dispositivos eletroluminescentes. 5. AGRADECIMENTOS Agradeo a Deus por todos os obstculos vencidos e ao professor Luis Reyes Rosales Montero pela oportunidade de desenvolvimento da pesquisa.

6. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS 1. Chiang, C.K.; Fincher, C.R.; Park, Y.W.; Heeger, A.J.; Shirakawa, H.; Louis, E.J.; Grau, S.C.; Macdiarmid, A.G.; Phys. Rev. Lett. 39,1098 (1977). 2. Kaner, R.B.; Macdiarmid, A.G.; Scient. Am. 60, Feb. (1988). 3 Adams, P.N.; Laughlin, P.J.; Monkman, A.P.; Solid State Comm. 91, 875 (1994) 4. Mattoso, L.H.C. "Plsticos que conduzem eletricidade: fico ou realidade?" matria publicada na revista Polmeros: Cincia e Tecnologia, n 3 ano VI, jul/set, p. 6 (1996 ). 5. Onmori, K. Roberto 1998. 6. http://www.scielo.br/

Transistor - 12

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

PROPOSTA DE INSTALAO DE UMA FBRICA DE CHIPS NA CIDADE DE CAMPINA GRANDE INOVACHIPS

Por dentro de uma fbrica de chips


Independente de ser utilizado como processador ou para armazenagem de dados, os chips de silcio so cada vez mais onipresentes no dia a dia das pessoas. Desde seu celular at seu computador passando por iPod, pendrive e cmera digital todos esses aparelhos utilizam pelo menos um chip de silcio. Transistor - 13

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

Apesar de diferenas estruturais significativas, a produo de chips para processamento de dados ou armazenagem de informao muito semelhante. Ambos os produtos surgem de wafers (bolachas, em traduo direta) de silcio tratadas com pigmentos, esculpidas quimicamente e recortadas ao final do processo. Tecnologia alm do chip A estrutura da fbrica de chips mantida nos pilares dos andares mais baixos, e nenhuma parede interna do andar ocupado Cleanroom Ballroom Fab na imagem abaixo - suporta carga, servindo apenas como divisrias de ambientes.

Fonte: http://www.tecmundo.com.br/3749-por-dentro-de-uma-fabrica-de-chips.htm#ixzz1Nb8ukja6

Com isso, o andar principal torna-se um enorme salo de vo livre. Nele os operrios transitam, operam equipamentos e carregam informao para o maquinrio espalhado nos andares inferiores Clean Subfab e Utility level. Um ponto importante e bastante interessante do processo de fabricao que, em nenhum momento, os operrios entram em contato direto com os wafers feitos com o polmero condutor. Mesmo assim as normas de operao exigem que os funcionrios utilizem mscaras completas deixando apenas os olhos descobertos e roupas especiais para evitar a contaminao por partculas na fbrica.

Transistor - 14

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

Fonte: http://www.tecmundo.com.br/3749-por-dentro-de-uma-fabrica-de-chips.htm#ixzz1Nb8ukja6

Na foto acima voc percebe que o assoalho do andar todo perfurado. Isso mais uma providncia tomada para impedir a contaminao por poeiras e outras partculas no ambiente da fbrica. Como a temperatura e a umidade do ar so controladas, a engenharia dos andares utiliza o prprio ar-condicionado para gerar um fluxo descendente, carregando p e qualquer outro elemento estranho para o andar mais baixo do prdio, onde apenas servios de manuteno so desempenhados. Todo o material produzido manuseado por mquinas. Robs programados carregam os FOUP (Front Opening Unified Pod cartucho unificado aberto pela frente) com as bolachas pelas diversas estaes de fabricao, fazendo com que o trabalho humano seja principalmente de manuteno, acompanhamento e resoluo de problemas. Ensopado e churrasco O processo de obteno dos wafers relativamente simples. Antes de tudo necessrio dosar o polmero para a obteno do material ativo. Com o polmero condutor, alm de alguns outros elementos necessrios para a obteno das propriedades eltricas necessrias a um chip de computador, cria-se um melt ao derreter a mistura com polmero e outras cargas.

Fonte: http://www.tecmundo.com.br/3749-por-dentro-de-uma-fabrica-de-chips.htm#ixzz1Nb8ukja6

Pronto o melt, aplica-se um cristal do material ativo extremamente puro e sem falhas estruturais. O polmero presente no melt se agrupa, formando uma barra. Quando a barra j tem tamanho suficiente, ela retirada e levada para o corte. Os wafers so fatias transversais da barra cristalina, mais ou menos como um churrasqueiro faz com uma lingia. Da bolacha lasca Com o wafer recortado, o disco de cristal do polmero passa por uma srie de ajustes visando remover imperfeies e preparar a superfcie para a impresso dos circuitos.

Transistor - 15

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

Fonte: http://www.tecmundo.com.br/3749-por-dentro-de-uma-fabrica-de-chips.htm#ixzz1Nb8ukja6

Depois de ter sua face polida, cada bolacha recebe vrias camadas de pigmentos e outras substncias qumicas. Essas camadas extras recebero a impresso do circuito responsvel pelo funcionamento do chip. Essa impresso feita de maneira semelhante a uma gravura, em um processo chamado fotolitografia. O desenho dos circuitos criado em uma mscara em um tamanho bem maior do que o do chip e projetado atravs de lentes sobre as camadas que foram adicionadas depois do polimento. Os locais onde a luz incide sobre o wafer so impressionados pela luz no muito diferente do que acontece em uma fotografia e tratados com agentes qumicos para remover as partes indesejadas no circuito. Essa a impresso dos caminhos dos eltrons. Perceba que um wafer hoje considerado como estado da arte tem 300 mm de dimetro o prximo passo aumentar essa medida para 450 mm e chips de computador so muito menores do que isso. Cada disco recebe a impresso de vrios chips, que sero posteriormente destacados e destinados s embalagens escuras que voc encontra dentro da sua mquina.

Fonte: http://www.tecmundo.com.br/3749-por-dentro-de-uma-fabrica-de-chips.htm#ixzz1Nb8ukja6

Cada wafer dividido, atravs da impresso dos circuitos, em dies a rea correspondente ao espao ocupado por um elemento do circuito. No caso das bolachas de 300 mm utilizadas hoje, um nico disco pode entregar at bilhes de dies. Nem todos os dies so funcionais, entretanto. Contando o espao de manipulao pelas mquinas, as reas com informao de produo e falhas de impresso ou deposio de camadas, uma parcela de cada wafer desperdiada. Como cada die no forma um circuito completo, esses bilhes de espaos tornam-se milhares e em alguns casos apenas centenas de chips. Depois de completado o processo de impresso, os chips so recortados do wafer e embalados em plstico para receber seu destino final. Os chips criados por esse processo como j foi dito antes so utilizados tanto em processadores como em memria flash. O que diferencia um do outro so o tamanho final chips de memria tm um formato padro, o que no acontece com processadores e o circuito impresso na etapa da fotolitografia. Transistor - 16

I SEMINARIO DE ELETROTCNICA APLICADA SUSTENTABILIDADE. U F C G / U A E E - J U N H O

2011

O pessoal do PC Perspective colocou uma comparao interessante entre os tamanhos dos dois tipos de chip, que voc confere nas fotos a seguir. Perceba que os chips de memria so bem menores que os de processadores (a moeda de quarter - esquerda - tem aproximadamente o tamanho da moeda de 50 centavos brasileira, enquanto a de cent - direita - tem o tamanho da nossa moeda de 1 centavo).

Fonte: http://www.tecmundo.com.br/3749-por-dentro-de-uma-fabrica-de-chips.htm#ixzz1Nb8ukja6

Saindo da fbrica

Fonte: http://www.tecmundo.com.br/3749-por-dentro-de-uma-fabrica-de-chips.htm#ixzz1Nb8ukja6

No total, o processo de fabricao de um chip dura duas semanas. A INOVACHIPS, ao atingir sua capacidade mxima de produo, fabricar dois mil chips por dia, prontos para a venda a empresas como a Intel e a Micron. Dentro de cada computador, celular, MP3 player ou praticamente qualquer equipamento que voc utiliza est pelo menos um desses componentes.

Transistor - 17