Escola Superior de Cincias Nuticas

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I - Introduo-----------------------------------------------------------------------------------------------------

II Definio de Transistor Bipolar-------------------------------------------------------------------------

III Tenso de Bloqueio direta-------------------------------------------------------------------------------

IV- Valores Nominais de BJT de corrente colector------------------------------------------------------

V- Concluso------------------------------------------------------------------------------------------------------

VI- Bibliografia----------------------------------------------------------------------------------------------------

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Turma 4RA, Discentes: Albasine Machel, Cremildo Mundlovo, Dlvio Sitoe,Geraldo Wamusse, Milagre Bahule

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I. Introduo
O presente trabalho trata de Transistor Bipolar(BJT) de Potncia, valores nominais, Tenso de bloqueio directa, valor nominais de corrente colector, dissipao de Potncia. O transistor um componente eletrnicos que comeou a popularizar-se na dcada de 1950, tendo sido o principal responsvel pela revoluo da eletrnica na dcada de 1960. Os transistores so utilizados principalmente como Amplificadores e Interruptores de Sinais Elctricos. O termo vem de transferresistor (resistor/resistncia de transferncia).

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II Definio de Transistor Bipolar O transistor bipolar um componente eletronico constituido por materiais semicondutores, capaz de actuar como controlador de corrente, o que possibilita o seu uso como amplificador de sinais ou como interruptor eletronico. O transistor se compe basicamente de duas pastilhas de material semicondutor, de mesmo tipo, entre as quais e colocada uma terceira pastilha, bem mais fina, de material semicondutor com tipo diferente de dopagem, formando uma configurao semelhante a um sanduiche. Seu simbolo Fig 1

III.Tenso de Bloqueio direta Um transistor pode suportar uma tenso de coletor-emissor mxima; acima dela ocorrer uma ruptura na juno do colector. Essa tenso especificada como Vce(su) ou Vceo, isto a tenso mxima Vce com a base aberta. Os transistor de Potncia de 1400V esto disponiveis no Mercado. III Valores Nominais de BJT de Potncia o valor mximo de Potncia especificado como PD(max) IV- Valores Nominais de BJT de corrente colector valor nominal da corrente de colector a corrente do colector continua mxima permissvel Ic(max), o valor mx de Temperatura de 125C.

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A rea de Operao segura(SOA) Para garantir uma operao segura do transistor, os fabricantes especificam limites na curva Vce e Ic para definir a area de operao(SOA). Um transistor pode suportar uma tenso mxima do colector para Emissor Fig.2

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VIII- Concluso Nesse trabalho foi apresentado o estudo dos valores nominais do Transistor BJT, tenso de bloqueio, valor nominal de corrente colector, bem como a dissipao de Potncia. O transistor considerado por muitos uma das maiores descobertas ou invenes da histria moderna, tendo tornado possvel a revoluo dos computadores e equipamentos eletrnicos. A chave da importncia do transistor na sociedade moderna sua possibilidade de ser produzido em enormes quantidades usando tcnicas simples, resultando preos irrisrios. conveniente salientar que praticamente impossvel serem encontrados circuitos integrados que no possuam, internamente, centenas, milhares ou mesmo milhes de transistores. Seu baixo custo permitiu que se transformasse num componente quase universal para tarefas no-mecnicas.

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VIII- Bibliografia

1-Site do prof. Javier Sebastin Ziga, Universidade de Oviedo, Curso de Sistemas de Alimentacin, http://www.uniovi.es/ate/sebas/. 2-Site da Semikron, http://www.semikron.com. 3-Eletrnica de Potencia, Ashfaq_Ahmed

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