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SISTEMAS ELECTRICOS E INVESTIGACION

Carlos Felipe Moncaleano Suarez
NDICE I I. Diodos de recuperaci n r pida y Diodos de o a carburo de silicio. I-A. Diodos de recuperaci n r pida: . . . . . o a I-B. Diodos de carburo de silicio o Diodos Schottky . . . . . . . . . . . . . . . . . II. Tiristores: SCR, TRIAC, SSR Intelligent Modules. II-A. Tristor SCR: . . . II-B. TRIAC. . . . . . . II-C. DIAC: . . . . . . II-D. GTO: . . . . . . . DIAC, GTO, MCT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 2 2 3 3 I. D IODOS DE RECUPERACI ON R APIDA Y D IODOS DE CARBURO DE SILICIO . Diodos de recuperaci n r pida: o a

1 1 1

I-A.

III. Drivers para disparo de tiristores: acople directo, transistor monojuntura UJT. III-A. Acople directo: . . . . . . . . . . . . . III-B. Transistor monojuntura UJT. . . . . . . IV. Drivers aislados para disparo de tiristores: trans formadores de pulso, opticos (opto-triacs). IV-A. Transformadores de pulso. . . . . . . . IV-B. TRIACS con acoplado optico (optoacoplador triacs) . . . . . . . . . . . . . . . V. Drivers Integrados para control de tiristores. BJT, MOSFET, . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4 4 4

4 4 4 4

Los diodos de recuperaci n r pida tienen tiempo de recupeo a raci n corto, en el caso normal menor que 5 s. Se usan en o circuitos convertidores de cd a cd y de cd a ca, donde con frecuencia la velocidad de conmutaci n tiene importancia crio tica. Esos diodos abarcan especicaciones actuales de voltaje desde 50 V hasta unos 3 KV, y de menos de 1 A hasta cientos de amperes. Para voltajes nominales mayores que 400 V, los diodos de recuperaci n r pida se suelen fabricar por difusi n, o a o y el tiempo de recuperaci n se controla por difusi n, y el o o tiempo de recuperaci n se controla por difusi n de platino o o o de oro. Para especicaciones de voltaje menores que 400 V, los diodos epitaxia les proporcionan velocidades mayores de conmutaci n que las de los diodos por difusi n. Los diodos o o epitaxia les son angostos de la base, lo que da como resultado un tiempo corto de recuperaci n tan corto como 50 ns. o Los Diodos R pidos est n optimizados para soportar solia a citaciones din micas elevadas (transici n r pida del estado a o a de conducci n al de bloqueo). Sin embargo, por lo general o presentan unas p rdidas en conducci n superiores a los Diodos e o Recticadores. Para cada familia de conmutadores (GTOs, IGCTs y IGBTs) disponemos de Diodos R pidos que han sido a optimizados para aplicaciones con conmutadores. I-B. Diodos de carburo de silicio o Diodos Schottky

VI. Transistores de conmutaci n: o IBGT, IGBT Intelligent Modules. VI-A. BJT. . . . . . . . . . . VI-B. MOSFET. . . . . . . . VI-C. IGBT. . . . . . . . . . VI-D. IBGT. . . . . . . . . .

4 4 5 5 5

VII. Drivers para disparo de transistores BJT, MOSFET, IGBT: acople directo. VIII. Drivers para disparo de transistores BJT, MOS FET, IGBT: transformadores de pulso, Opticos. VIII-A. Transformadores de pulso. . . . . . . . IX. Drivers para disparo de transistores BJT, MOSFET, IGBT: drivers integrados. X. Snubbers y Diseno de Snubbers.

6 6

6 7

Estudiante de la Escuela Colombiana de Ingenieria

El problema de almacenamiento de carga de una uni n pn se o puede eliminar o minimizar en un diodo de Schotttky. Esto se logra estableciendo un potencial de barrera con un contacto entre un metal un semiconductor. Se deposita una capa de metal sobre una capa delgada eptaxial de silicio tipo n, La barrera de potencial simula el comportamiento de una uni n o pn. La acci n recticadores solo depende de los portadores de o mayora, y en consecuencia no queda exceso de portadores de minora que se recombinen. El efecto de recuperaci n solo se debe a la capacitancia propia o de la uni n del semiconductor. La carga recuperada de un o diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo equivalente de uni n pn. Ya que eso solo se debe a ala capacitancia de la o uni n, es bastante independiente de la di/dt inversa. Un diodo o de Schottky tiene una cada de voltaje relativamente baja en sentido directo. La corriente de fuga de un diodo Schottky es mayor que la de un diodo de uni n pn. Un diodo Schottky con o voltaje de conducci n relativamente bajo tiene una corriente o algo alta, y viceversa. El resultado es que el voltaje m ximo a admisible para este diodo se limita en general a 100 V. las especicaciones de corriente de los diodos Schottky varan

de 1 a 400 A. Son ideales para fuentes de alimentaci n de o gran corriente y alto voltaje de cd. Sin embargo, esos diodos tambi n se usan en fuentes de poder de poca corriente, para e tener mayor eciencia. II. T IRISTORES : SCR, TRIAC, DIAC, GTO, MCT. SSR I NTELLIGENT M ODULES .

II-A.

Tristor SCR:

(en ingl s SCR: Silicon Controlled Rectier) es un tipo de e tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la uni n de Tiratr n (tyratron) y Transis, un tiristor SCR posee o o tres conexiones: anodo, c todo y gate (puerta). La puerta es la a encargada de controlar el paso de corriente entre el anodo y el c todo. Funciona b sicamente como un diodo recticador cona a trolado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensi n en la puerta del SCR o no se inicia la conducci n y en el instante en que se aplique o dicha tensi n, el tiristor comienza a conducir. Trabajando en o corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito. El pulso de disparo ha de ser de una duraci n considerable, o o bien, repetitivo si se est trabajando en corriente alterna. En a este ultimo caso, seg n se atrase o adelante el pulso de disparo, u se controla el punto (o la fase) en el que la corriente pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensi n de puerta o y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de a carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento (en la pr ctica, cuando la onda senoidal cruza por cero) a Cuando se produce una variaci n brusca de tensi n entre o o anodo y c todo de un tiristor, este puede dispararse y entrar en a conducci n a n sin corriente de puerta. Por ello se da como o u caracterstica la tasa m xima de subida de tensi n que permite a o mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador par sito existente entre la puerta y el anodo. Los a SCR se utilizan en aplicaciones de electr nica de potencia, en o el campo del control, especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como interruptor de tipo electr nico. o

II-B. TRIAC. Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que este es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposici n que formaran dos SCR en direcciones opuestas. o Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominaci n de anodo y c todo) y puerta. El disparo del o a TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta.

TRIODO CORRIENTE ALTERNA

DE

SIMBOLO DEL TRISTOR

Sus Aplicaciones m s comunes son: a 1. Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas. 2. Una de ellas es su utilizaci n como interruptor est tio a co ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mec nicos convencionales y los rel s. a e

3. Funciona como interruptor electr nico y tambi n a pila. o e 4. Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz, controles de velocidad para motores el ctricos, y en los sistemas de control e computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores el ctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para e asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al nal de cada semiciclo de la onda de Corriente alterna. 1. Debido a su poca estabilidad en la actualidad su uso es muy reducido. II-C. DIAC:

de anodo comienza a caer y el voltaje a trav s del dispositivo e (VAK), comienza a crecer. El tiempo de cada de la corriente de anodo (IA) es abrupta, tpicamente menor a 1 us. Despu s e de esto, la corriente de anodo vara lentamente y esta porci n o de la corriente de anodo es conocido como corriente de cola. La raz n (IA/IGR) de la corriente de anodo IA a la m xima o a corriente negativa en la puerta (IGR) requerida para el voltaje es baja, com nmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje u de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en la puerta de 250 A para el apagado.

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente s lo tras haberse superado o su tensi n de disparo, y mientras la corriente circulante no o sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensi n de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su o comportamiento es similar a una l mpara de ne n. Los DIAC a o son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase de tiristor. Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados anodo y c todo. Act a como un a u interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts seg n la referencia. u Existen dos tipos de DIAC: 1. DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexi n de base y con las regiones de colector y o emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensi n de avalancha o en la uni n del colector. Esto inyecta corriente en la o base que vuelve el transistor conductor, produci ndose e un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo sim trico, e funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones. 2. DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo, lo que le da la caracterstica bidireccional. II-D. GTO:

Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del ingl s Gate Turne Off Thyristor) es un dispositivo de electr nica de potencia que o puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G). El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a trav s de las terminales puerta (G) y c todo (C e a o K), la corriente en la puerta (ig), crece. Cuando la corriente en la puerta (G) alcanza su m ximo valor, IGR, la corriente a

1. El MCT es un GTO con mejor tolerancia m s un transistor a P-MOS entre la compuerta y la fuente y un N-MOS adicional para su encendido. Mientras un GTO se corta mediante un pulso negativo de compuerta, debido a sus estrechos m rgea nes de conducci n, el GTO interno de un MCT se corta o cortocircuitando sus terminales de compuerta y c todo. En a consecuencia, su excitaci n es similar a la de un MOS y su o comportamiento al de un GTO. CARACTERISTICAS: 1. Puesta en conducci n por tensi n negativa en puerta o o 2. Apagado por tensi n positiva en puerta o 3. Ganancia elevada de tensi n de control o 4. Disponibles hasta 1000V. Y 100A. 5. Potencias medias bajas. 6. Tiempo de activaci n bajo (cerca de 0.4 s) o 7. Tiempo de apagado del MCT es muy bajo (cerca de 1.25 s) 8. Es un dispositivo de conmutaci n ideal (elevado di/dt o (1000 A/s) y dv/dt ( 5000 V/s) 9. SSR: son dispositivos que usan transistores y tiristores o triacs en sustituci n de contactos met licos, para controlar elevadas o a cargas de potencia a partir de se ales de control de bajo n voltaje e intensidad. Los SSR nos dan muchas ventajas en comparaci n a los rel s de contactos electromec nicos: son o e a mas livianos, silenciosos, r pidos y conables, no se desgastan, a

son inmunes a los choques y vibraciones, generan muy pocas interferencias, conmutan altas corrientes y voltajes sin producir arcos, proporcionan varios kilovoltios de aislamiento entre la entrada y la salida. Como desventajas tienen: son muy costosos los modelos comerciales, son dispositivos de una sola posici n. o Esto signica que un solo SSR no puede conmutar al mismo tiempo varias cargas independientes como lo hacen los rel s. e Por todo lo anterior es conveniente que nos construyamos nuestro propio SSR y tendremos las siguientes ventajas: - No necesitaremos comprar los costosos e inexibles modelos comerciales. - Podemos construirlos por un precio mnimo con componen tes a nuestro alcance. - En caso de falla podremos repararlos, cosa que no ser as con los SSR comerciales. a III. D RIVERS PARA DISPARO DE TIRISTORES : ACOPLE DIRECTO , TRANSISTOR MONOJUNTURA UJT.

pulsos de frecuencias superiores a la decena de KHz y con D 0,5 pueden conectarse directamente, conect ndose bien a a la puerta de transistores de potencia, o en circuitos an logos a a los vistos sustituyendo a fotoacopladores. Se al de Control n de Baja Frecuencia Aislada con Transformador de Pulso La frecuencia del oscilador podra ser por ejemplo de 1 MHz, y los diodos recticadores ser n de alta frecuencia, pero de a se al. n IV-B. TRIACS con acoplado optico (optoacoplador triacs)

III-A. Acople directo: Util si el c todo del SCR va a masa (comparte referencia con a el control).

Los triacs acoplados opticamente combinan un diodo emisor de luz (LED) con un triac foto-detector (foto-triac) dentro de un mismo encapsulado con un esquema que es mostrado en la gura que se muestra a la izquierda. Al no existir conexi n o el ctrica entre la entrada y la salida, el acoplo es unidireccional e (LED al foto-TRIAC) y permite un aislamiento el ctrico e entre ambos dispositivos de hasta 7500 V (typ). Adem s, a algunos foto-TRIAC incluyen un circuito de detecci n de paso o por cero que permite sincronizar se ales de la red el ctrica n e con se ales de control del LED para ajustar el angulo de n conducci n. Como ejemplo de estos circuitos se encuentran o el MOC3009 (Motorola) que necesita una corriente en el LED de 30 mA para disparar el foto-TRIAC o el MOC3021 (Motorola) que unicamente requiere 10 mA. Cuando el LED esta apagado, el foto-TRIAC esta bloqueado conduciendo una peque a corriente de fuga denominada Idrm (peak-blocking n current). Cuando el diodo conduce, dispara el foto-TRIAC circulando de esta forma entre 100 mA y 1A. Al no ser un dispositivo que soporte grandes niveles de potencia, el propio foto-TRIAC en muchos casos act a sobre el control de un u TRIAC de mucho mayor potencia. V. D RIVERS I NTEGRADOS PARA CONTROL DE TIRISTORES .

III-B.

Transistor monojuntura UJT.

El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la f rmula: Voltaje de a o disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1 Donde: - n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante) - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases La f rmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 o puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura D RIVERS AISLADOS PARA DISPARO DE TIRISTORES : TRANSFORMADORES DE PULSO , OPTICOS ( OPTO - TRIACS ). IV-A. Transformadores de pulso. IV.

Se ha visto el tiristor como elemento de conmutaci n de o potencia y sus caractersticas de disparo, se vieron tambi n e elementos de disparo, tales como: El oscilados de relajaci n, UJT, PUT, SUS, DIAC, L mpara o a de Ne n. o Transformador de pulsos. Circuito desfasador. Circuito de encendido de cero voltaje. De todos los sistemas vistos, se deduce que el disparo de tiristores se hace en casi la totalidad de los casos mediante pulsos angostos, pulsos anchos o r fagas de pulsos angostos. a VI. T RANSISTORES DE CONMUTACI ON : BJT, MOSFET, IBGT, IGBT I NTELLIGENT M ODULES . BJT.

VI-A.

Se al de Control de Alta Frecuencia, Aislada con Transforman dor de Pulso El transformador de pulsos permite transportar una se al de cierta potencia, y a n veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentaci n o auxiliar. El problema es que no pueden usarse pulsos de baja frecuencia debido a la inductancia de magnetizaci n. Para o

Aplicar los transistores no se limita unicamente a la amplicaci n de se ales. A trav s de un dise o adecuado pueden o n e n utilizarse como un interruptor para computadora y para aplicaciones de control. Puede emplearse como un inversor en los circuitos l gicos de las computadoras. Observe la gura 4.24 o donde el voltaje de salida Vc es opuesto al que se aplic sobre o

la base o a la terminal de entrada. Tambi n obs rvese la e e ausencia de una fuente de dc conectada al circuito de la base. La unica fuente de dc est conectada al colector o lado de la a salida, y para las aplicaciones de computadoras normalmente es igual a la magnitud del nivel .altode la se al aplicada, en n este caso 5 V.

tienen un canal conductor que se debe hacer desaparecer mediante la aplicaci n de la tensi n el ctrica en la compuerta, o o e lo cual ocasiona una disminuci n de la cantidad de portadores o de carga y una disminuci n respectiva de la conductividad. o VI-C. IGBT.

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingl s Insulae ted Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electr nica de potencia. Este dispositivo posee o la caractersticas de las se ales de puerta de los transistores n de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturaci n del transistor bipolar, combinando una o puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitaci n del IGBT es como el del MOSFET, mientras o que las caractersticas de conducci n son como las del BJT. o Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas el ctricas e y convertidores de potencia que nos acompa an cada da y por n todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: autom vil, tren, metro, autob s, avi n, barco, ascensor, o u o electrodom stico, televisi n, dom tica, Sistemas de Alimentae o o ci n Ininterrumpida o SAI. o Figura 4.24. Transistor inversor. VI-D. VI-B. MOSFET. IBGT. El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET ESTRUCTURA

El transistor de efecto de campo metal- xido-semiconductor o o MOSFET (en ingl s Metal-oxide-semiconductor Field-effect e transistor) es un transistor utilizado para amplicar o conmutar se ales electr nicas. Aunque el MOSFET es un dispositivo n o de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente est coa nectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo. El transistor MOSFET est basado en la estructura MOS. Es el transistor a m s utilizado en la industria microelectr nica, ya sea en circuia o tos anal gicos o digitales, aunque el transistor de uni n bipolar o o fue mucho m s popular en otro tiempo. Pr cticamente la a a totalidad de los microprocesadores comerciales est n basados a en transistores MOSFET. En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensi n entre el electrodo de la compuerta o y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de drenador y surtidor, gracias al efecto de campo. El t rmino enriquecimiento hace Referencia al incremento de la e conductividad el ctrica debido a un aumento de la cantidad e de portadores de carga en la regi n correspondiente al canal, o que tambi n es conocida como la zona de inversi n. El canal e o puede formarse con un incremento en la concentraci n de o electrones (en un nMOSFET o nMOS), o huecos (en un pMOSFET o pMOS), en donde el sustrato tiene el tipo de dopado opuesto: un transistor nMOS se construye con un sustrato tipo p, mientras que un transistor pMOS se construye con un sustrato tipo n. Los MOSFET de empobrecimiento

La estructura del IGBT es similar al un MOSFET de canal n, una porci n de la estructura es la combinaci n de regiones n+ o o , p y n- que forman el MOSFET entre el source S y el gate G con la regi n de ujo n- que es el drain D del MOSFET. o Otra parte es la combinaci n de 3 capas p+ n- p, que crea o un transistor de uni n bipolar entre el drain D y el source. La o regi n p act a como colector C, la regi n n- act a como la base o u o u B y la regi n p+ act a como el emisor E de un transistor pnp. o u Entre el drain y el source existen 4 capas p+n-pn+ que forman un tiristor. Este tiristor es par sito y su efecto es minimizado a por el fabricante del IGBT. FUNCIONAMIENTO Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto signica que no existe ning n voltaje aplicado al u gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS

se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON en el que la se al en el gate es n aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA se al de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al n gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despu s de lo cual la corriente de drain iD es e igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una se al de n voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipaci n de potencia en el gate es muy baja. EL IGBT se o apaga simplemente removiendo la se al de voltaje VG de la n terminal gate. La transici n del estado de conducci n al estado o o de bloqueo puede tomar apenas 2 s, por lo que la frecuencia de conmutaci n puede estar en el rango de los 50 kHz. EL IGBT o requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se autolimita. VII. D RIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES BJT, MOSFET, IGBT: ACOPLE DIRECTO .

control la compuerta del mosfet, uye una corriente en el primario del transformador, limitada inicialmente por R1//R2 y posteriormente por R2 (al cargarse el capacitor).El secundario del transformador aplica el voltaje y corriente ,requeridos en la compuerta del SCR para activarlo. Al desactivarse el mosfet, el transformador se desmagnetiza a trav s de D1 y Dz ; D2 e impide el paso del pulso negativo. La utilizaci n del dodo o zener, permite incrementar la frecuencia de conmutaci n del o transformador. El resistor R3 provee cierto nivel de inmunidad contra el ruido (voltaje inducido), para impedir un disparo indeseado del SCR Desventajas: 1. Requerimiento de fuente externa 2. Limitaci n en la frecuencia de conmutaci n o o 3. Gran n mero de componentes u Ventajas: 1. buen nivel de aislamiento

El circuito de potencia donde se aplican los tiristores, funcionan generalmente con voltajes iguales o superiores a 120V. El circuito de control, conformado por microcontroladores, o elementos de electr nica discreta, genera pulsos de control a o bajo voltaje,generalmente 5V, con baja capacidad de corriente, en el orden de miliamperios. Los requerimientos mnimos de corriente y voltaje de los tiristores, para su activaci n o (VGT,IGT), generalmente son superiores a la salida del circuito de control. Por lo anterior, se requiere de una interfaz entre el circuito de control y el circuito de potencia, que realice las siguientes funciones: 1. Aislar los voltajes altos del circuito de potencia ,del bajo voltaje del circuito de control. 2. Adecuar los niveles de voltaje y corriente del circuito de control, a los requeridos para el disparo del tiristor 3. La interfase puede ser de naturaleza magn tica (Transe formador de pulsos ), u optica (Optoacopladores) 4. En algunos circuitos, por ejemplo el regulador de luz incandescente (dimmer) ,que utiliza un elemento de control(dac),que opera a voltaje comparable al del circuito de potencia(120 V),no utiliza la interfase VIII. D RIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES BJT, MOSFET, IGBT: TRANSFORMADORES DE PULSO , O PTICOS . VIII-A. Transformadores de pulso.

CIRCUITO DE DISPARO 1. Opticos. El optoacoplador es un circuito integrado conformado por un dispositivo fotoemisor(ILED),que genera una radiaci n infrao rroja,la cual se canaliza por una gua de onda, a un dispositivo fotoreceptor (fototransistor; fotoSCR; fototrac), el cual se activa, y cierra el circuito de disparo(compuerta), que enciende un tiristor.El aislamiento entre el dodo fotoemisor y los terminales del fotoreceptor ,es hasta de 7.5Kv pico. Algunos optoacopladores (ECG3049)incorporan un circuito detector del cruce del voltaje de alimentaci n por el punto cero, para o reducir el EMI (interferencia electromagn tica),minimizan do e las corrientes impulsivas del circuito.Estos optoacopladores se utilizan en el contactor de estado s lido. Los optoacopladores o se utilizan en E.P. para aislar el circuito de control del circuito de potencia. La conexi n se muestra en la La corriente que o activa el fotododo es If, y circula entre los terminales 1 y 2.La funci n de R(g 2.16b) es limitar la corriente del fotoreceptor. o Si el trac de potencia abre, y el voltaje de la fuente es m ximo(Vp) y se descarga Cs. R=Vp/Ip. Ip es la m xima a a corriente pico repetitiva del driver(fotoreceptor).S R es muy grande, puede introducir un retardo de fase no deseado. D RIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES BJT, MOSFET, IGBT: DRIVERS INTEGRADOS . Los pulsos cclicos requeridos para el disparo, se generan con un oscilador de relajaci n. Se requiere de un elemento con o IX.

El transformador de pulsos(a=1) se utiliza para aislar el circuito de control del circuito de potencia, y adecuar los niveles de voltaje y corriente del circuito de control a los requeridos por el tiristor (VGT,IGT). al activar el circuito de

resistencia negativa(g. 2.20b), entre la regi n de corte(v < o Vs ;i < Is) y la de conducci n(I > IH; v>VH). Al cargarse el o capacitor a Vs, el punto de operaci n de la rama ,R2-elemento o de resistencia negativa, pasa de 1 a 2(g.2.20b),la corriente alcanza el valor pico( Ip),y se origina un pico de voltaje(IpR2) ,que sirve para disparar al tiristor. Este punto operativo(??) no puede mantenerse, debido a la disminuci n del voltaje en el o capacitor, y se desplaza al punto 4, cuando vuelve a cargarse y el ciclo se repite.El valor m ximo de R1 debe permitir, el a paso de la corriente lmite superior de circuito abierto(Is), y el valor mnimo debe permitir el paso de la corriente lmite inferior de circuito cerrado( IH) .

Circuito Snubber de voltaje

X.

S NUBBERS Y D ISE NO DE S NUBBERS .

1. Circuito snubbers de voltaje. El circuito snubber de voltaje ,conformado por un circuito serie Rs-Cs, protege contra una conducci n indeseada del o SCR,por la presencia de un alto dv/dt, en la red. Se ignora la capacitancia de la uni n J2 del SCR. Si la carga es resistiva o (Lc peque a) n R = Rc + Rs R = Rc + Circuito equivalente para S cerrdo con ig=0 y SCR ideal

Rs

is =

V R

e R Cs is =

V R

e R Cs

1. Circuito snubbers de corriente. El circuito snubber de corriente protege al SCR contra un alto di/dt ,que puede originar puntos calientes en el SCR y destruirlo. El comportamiento del circuito sin snubber de voltaje es: is dt = V(1

Vc = e
t R Cs

)Vc =

1 Cs

is dt = V(1 e

t R Cs

1 Cs

dVc dt

V R R Cs e

t Cs

dVc dt

V R R Cs e

t Cs

El capacitor de la red snubber(Cs) ser : a

Cs >

V R ( dVc )mx a dt

Cs >

V R ( dVc )mx a dt

c V Ls ) Rc (1 e Rc t Rc t V di Ls = Im Rc e Ls dt = Ls e Ls V Ls (di/dt)max

i=

R t

i=

V Rc V di dt = L

Ls

Utilizando Laplace se puede demostrar que para Lc muy grande:

El comportamiento del circuito con snubber de voltaje es:

Rs limita la corriente descarga de Cs, a trav s del SCR. Valores e tpicos: 0.1uF<Cs<1uF 10?<Rs<100?

Im = Ls

V V Rc + Rs Rc +Rs V Rs (di/dt)max

+R = V Rcc Rs s R

Im = Ls

V Rc + + V RcR

(di/dt

Generalmente la inductancia propia del circuito (conductores, dispersi n de los transformadores) es mayor a Ls. o