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Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia

Instrumentao
Industrial

Carlos Rodrigues Martins

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sistemas de Aquisio de
Sinal
TRANSDUTORES ELECTRNICOS
Transdutores Convertem grandezas fsicas
em sinais elctricos

Transdutores
- Lineares
- No lineares linearizao atravs
de curva de calibrao


Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Circuito de Excitao e Acondicionamento
do Sinal

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Sistema de Medida Digital
S & H Circuito de Amostragem e Reteno
(Sample and Hold)
A/D Conversor Analgico-Digital
D/A Conversor Digital-Analgico

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SENSORES DE TEMPERATURA
Sensores de Contacto
Interruptores Trmicos
- Bimetlicos
- Mercrio

Termogeradores
- Passivos termopar
- Activos juno pn; fonte de
corrente


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Termoresistncias
- Metlicas Platina; Cobre ...
- Semicondutoras Silcio; Cermicas

Sensores de Radiao Trmica

Interruptores Trmicos
Interruptor Bimetlico Utiliza uma lmina
dupla (dois metais com diferentes
coeficientes de dilatao)


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Interruptor Bimetlico
- Simplicidade
- Gama de temperaturas at 300C
- Tc (temp. de comutao) pode ser
ajustada mecanicamente
- Corrente comutada at 15A
- Apresenta histerese
- Inrcia trmica elevada

Interruptor de Mercrio Utiliza a
expanso trmica de uma coluna de
mercrio

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Interruptor de Mercrio
- Preciso e estabilidade elevadas
(0,01C)
- Ausncia de histerese (muito baixa)
- Correntes comutadas da ordem de mA
- Constante de tempo de 1 a 5s


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Termitncias Metlicas (RTDs - Resistance
Temperature Detectors)
Constitudas por fio metlico ou filme
metlico (deposio sobre um substrato
isolante)

Coeficiente de temperatura
o
T
=
1
R

\

|
.
|
|
dR
dT

T
0



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o
T
<0 resistncias NTC (Negative Temp. Coef.)
o
T
>0 resistncias PTC (Positive Temp. Coef.)

Coeficientes de Temperatura
Metal

Gama de T
C

o
T
(T=25C)
% C
1

Platina

200 a 850

0,39 (1)

Nquel

80 a 320

0,67

Cobre

200 a 260

0,38 (2)

(1) Preciso: 0,001C
((2) Resistividade muito baixa (pouco usado)


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Padro de Medida de Temperatura
Resistncia de Platina de 100 O (T=25C)
Caractersticas da Platina
- Pode ser altamente refinada (99,999%)
- No contaminvel
- Mecanicamente e electricamente estvel
Baixa sensibilidade (o
T
)

A resistividade de condutores segue a lei
(T) = (T
0
) [ 1 + a (TT
0
)+ b (TT
0
)
2 + ...
]


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Termitncias de Silcio
- Resistncias de 10O a 10kO
- Tolerncias de 1% a 20%
- o
T
~0,7 % C
1

- Linearidade - 0,5% (65C a 200C)
Termistncias de Cermicas Semicondutoras
Cermicas NTC
- Obtidas a partir de xidos de Fe, Ni, Cr,
Mn ou Co (xidos de elevada resistividade)
- Tornam-se semicondutoras pela adio de
impurezas (ies) com valncia diferente


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Cermicas NTC
- Elevada sensibilidade e estabilidade
o
T
= 5 % C
1
contra o
T
= 0,39 % C
1

para a platina



Condutividade das cermicas semicondutoras
o = q q
q - concentrao de cargas
- mobilidade das cargas
q - carga do electro


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Resistncia das NTC

R = A e
B
T
; R = A (T=)
T em K
B>0 para T>Tc

R = R(T
0
) e
B
\

|
.
|
|

1
T


1
T
0

R (T
0
) medida com potncia dissipada nula
B depende da cermica (3000K a 5000K)
ou


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Termistncias NTC lineares, de preciso
R1=3200O 0,1% R2=6250 0,1%
V0=(0,0053483T+0,13493) VA
Linearidade = 0,22 C (0C a
100C)
V0=(0,0056846T+0,194142) VA
Linearidade = 0,22 C
(-2C a 45C)

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Termistncias NTC lineares, de preciso
Sensor diferencial de Temperatura (0 C a 100 C )
Sensibilidade: 10mV /C
V
0
= 0,0053483 V
A
(T1 T2)


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Aplicaes das NTCs
Oscilador de Wien
Limitao da amplitude
do sinal de sada
CAG
Circuito amplificador
com controlo
automtico de ganho

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Aplicaes das NTCs
Medidor de caudal de fluidos
AT proporcional velocidade do fluxo
R resistncia de aquecimento ou NTC1 e NTC2 em regime de
auto-aquecimento (dispensa-se R). As NTCs podem ser
Inseridas numa ponte de Wheatstone permitindo grande preciso

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Aplicaes das NTCs
Controlador de nvel
de lquidos
Compensao
de R
L
(T)

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Acima da temperatura de Curie as termistncias de
cermica podem comportar-se como PTCs
Caracterstica R(T)
de um interruptor
trmico ideal e de
uma PTC
Aplicaes
Proteco de circuitos electrnicos corrente,
sobre-tenso
Limitaes Caractersticas menos estveis que
as NTCs

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Termogeradores Activos
Para I = cte.
dVd/dT ~ const.
Vd varia
quase linearmente
com T
Circuito integrado
monoltico AD590
T de 55C a 150C
Vcc de 4V a 30V
Linearidade
erro < 0,3C

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Circuito para Medida de
Temperatura em C
O C.I. LM385 gera
uma tenso de
referncia ajustada
atravs de RV. Esta
tenso subtrada
tenso em R1
permitindo obter uma
escala de
temperaturas em C

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Termogeradores Passivos
Quantidade de fluxo de calor por unidade
de volume
Q = i
2
R i |(dT/dx)
| - coeficiente de Thomson; E = |dT/dx
Efeito de Thomson
(Lord Kelvin)
Absoro ou libertao
de calor por parte de
um condutor
Aplicaes: Termopares, bombas de calor

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Termogeradores Passivos
I no sentido contrrio do campo elctrico
interno E
Libertao interna de calor - Aquecimento

I no mesmo sentido do campo elctrico E
Arrefecimento do material
Aplicao Refrigerador termoelctrico
baseado em junes PN

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P
12
=

t
12
I

P
12
- potncia trmica na juno
t
12
- Coeficiente de Peltier
S recentemente apareceram aplicaes prticas
deste efeito (dispositivos baseados em junes
semicondutoras)
Termogeradores Passivos
Efeito de Peltier
Arrefecimento de uma juno
metlica ao ser atravessada por
corrente no sentido da f.e.m. de
Peltier, E
12P
. Aquecimento se se
inverter I

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Termogeradores Passivos
Efeito de Seebek
Num circuito fechado com
duas junes metlicas a
temperaturas diferentes
aparece uma corrente
devido ao efeito de Seebek.
E
AB2
;

E
AB1
foras electromotrizes de Peltier

E
TA
;

E
TB
foras electromotrizes de Thomson

E
AB
= E
AB2
E
AB1
= o
AB
(T2 T1)

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Clulas de Peltier
A corrente I arrefece as junes NP e transfere
calor para as junes PN. A corrente I d origem a perdas
por efeito de Joule nas resistncias das clulas N e P. As
quedas de tenso nas junes NP do origem ao seu
arrefecimento.
Usam-se materiais
semicondutores como o
Selenieto de Bismuto e o
Telurieto de Bismuto
Dopam-se com impurezas
aceitadoras (P) e
dadoras (N)

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Clulas de Peltier
Eficincias termoelctricas da ordem de 6%
Dimenses reduzidas
Ausncia de rudo acstico
Aplicaes
Refrigerao de lquidos
Mini-bares
Diminuio do rudo trmico em dispositivos
electrnicos Sensores de vdeo (CCDs),
detectores de radiao PIR


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Termopares
Aplicao: medio de temperaturas baseada no
efeito de Seebek (I=0).
F.E.M. de Seebek
E
AB
= a
AB
(TT
0
) + b (T
2
T
0
2
)
a
AB
o
AB
Lei dos Condutores Intermdios
A insero do condutor B entre A e C, desde que
mesma temperatura T2 (i.e. em B grad T=0),
no modifica a FEM de Seebek, E
AB
.



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Termopares
o
AC
= o
A
-o
C
=

o
A
- o
B
+ o
B
-o
C

= o
AB
- o
CB

Metal o (VC
-1
) b(V C
-2
)
Cobre
2,71 0,0079

Constantan
-38,1 -0,0888
Ferro
16,7 -0,0279
Nquel
-19,1 -3,02
o e b definidos
relativamente ao
elemento de referncia,
o chumbo
(o
Pb
muito pequeno)
Coeficientes o e b de
metais e ligas


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Termopares
Para aumentar a sensibilidade, em geral procura-se
que a
AB
seja elevado (a
A
>>a
B
). Para b
AB
muito
pequeno a resposta quase linear.
F.E.M. de Seebek
E
AB
= a
AB
(TT
0
)+ b
AB
(T
2
T
0
2
)
a
AB
o
AB
Ti
,
T
m
e T
j
determinam a
gama de utilizao do termopar


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Termopares
Compensao da juno
fria com gelo fundente
Medida da
temperatura T1 com
um voltmetro (I~0)

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Termopares
Erro em funo de T(C)
Tipos mais usuais
K Cromel-Alumel
J Ferro-Constantan
E Cromel-Constantan
T Cobre-Constantan

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Termopares
Compensao da juno
fria com tenso de erro
obtida a partir de um
sensor de temperatura
baseado no C.I. AD590


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Termopares
Compensao da
juno fria
obtida a partir de um
sensor de
temperatura
de preciso -LT1025
Este circuito dispe
sadas para a
compensao dos
termopares mais
usuais


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Amplificadores de Instrumentao
Circuito para calcular os
ganhos diferencial e
de modo comum
v1a

= (1+
R4
R3
) v1 -
R4
R3
v2 + vcm
v2a

= (1+
R5
R3
) v2 -
R5
R3
v1 + vcm


A tenso de entrada
(v1a-v2a), do
amplificador diferencial,
no depende de vcm

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Amplificadores de Instrumentao

V
0
= K
12
[A
vd
(v
1a
-v
2a
) + A
vc
(v
1a
+v
2a
)]
Avd =
R8
R7+R8

R6+R9
R6
+
R9
R6

Avc =
R8
R7+R8

R6+R9
R6
-
R9
R6

A
vd
ganho diferencial, A
vc
ganho de modo comum
K
12
-

ganho da montagem A1 /A2



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Amplificadores de Instrumentao
O desempenho optimizado para
R9 = R8
R7 = R6 Avc = 0
RMC (Rejeio de Modo Comum) Avd/Avc =
Desvios nestas resistncias provocam o aumento de
Avc, e a degradao de RMC. Para
R8=R9=100k1%, e R6=R7=1k 1%,
obtm-se RMC
dB
(mn)= 74 dB
O ajuste de R7 ou R8 permite anular Avc (nos
C.I.s especficos o ajuste feito por laser)


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Amplificadores de Instrumentao

e
n
tenso de rudo; i
n
corrente de rudo
et
n
tenso de rudo trmico, Rg
eq
resistncia
equivalente na entrada
k=1,38066 x 10
-23

J/K
Para T=298K (25C),

e e
n n
t to ot ta al l
= = [ [e e
n n
2 2
+ +( (R R
g ge eq q
i i
n n
) )
2 2
+ +e e
t tn n
2 2
] ]
1 1/ /2 2


Rudo total na entrada de um AMPOP
et
n
=0,13 x (Rg
eq
)
1/2
nV/ (Hz)
1/2

et
n
= (4 k T Rg
eq
Af)
1/2


Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Rudo na entrada de um AMPOP
(NE5534)

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Rudo na entrada de um AMPOP
LT1115
@ 1kHz, T=25C
e
n
= 0,85 nV/(Hz)
1/2
i
n
= 1 pA /(Hz)
1/2
LTC274
@ 1kHz, T=25C
e
n
= 9 nV/(Hz)
1/2
i
n
= 0,6 fA /(Hz)
1/2
LT1115: e
n total
= 6,13 nV/(Hz)
1/2
LTC274: e
n total
= 10,67 nV/(Hz)
1/2
Para R1= R3 = 10k, e
n total
aumenta cerca de 4,5
vezes (LT1115) e apenas 2 vezes no 2 caso

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Transdutores Opto-Electrnicos
Aplicaes
Sensores
Fotometria
Contagem de objectos
Medida de variaes de luz espacial (cmaras
de vdeo)
Transmisso em fibra ptica
Geradores
Geradores foto-voltaicos baseados em
junes PN de Si
Geradores de luz LED e LASER (Light
Amplification Stimulated Emitted Radiation)

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Transdutores Opto-Electrnicos
Efeito fotocondutor
A condutividade modificada pela
absoro de fotes incidentes

Dispositivos de tipo quntico
Energia de um foto
E
E
f f
=
=
h
h
v
v
=
= h
h

c
c



h const. de Planck
v - frequncia
- comprimento de
onda
c velocidade de
propag. da luz

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Transdutores Opto-Electrnicos
Efeito fotovoltaico
Fotes absorvidos na zona de carga espacial de
uma juno PN resultam numa tenso elctrica
Efeito fotoemissor
Nos materiais semicondutores com E
G
muito
baixa, os fotes arrancam electres do material
que podem ser captados por um elctrodo
positivo. A corrente elctrica proporcional
intensidade luminosa (fotomultiplicadores)

Material E
G
(eV) c
max
(m)
S Cd 2,40 0,52
Si 1,12 1,10
Ge 0,67 1,85
As In 0,35 3,54
Se Pb 0,27 4,58
c c s s h h
c c
E E
G G
= =
1 1, ,2 24 4
E E
G G
( ( m m) )

Acima de c
max
no h efeito
fotoelctrico
Largura das bandas proibidas e
comprimentos de onda de corte
Transdutores Opto-Electrnicos

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Transdutores Opto-Electrnicos
A banda de frequncias de funcionamento limitada
- Pela taxa de recombinao electro-lacuna
- Pela baixa energia dos fotes incidentes (<E
G
)
Comportamento tipo
passa-banda de um
sensor ptico
Faixa de frequncias de
poucas oitavas.
Comprimentos de onda de
0,39 m a 4 m

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Transdutores Opto-Electrnicos

Caractersticas de um fotodetector
Resposta espectral
I
P
()
P0

Eficincia quntica
R
S
= I
P
/P
A0
()
Sensibilidade fotoelctrica
Potncia equivalente ao rudo (NEP)
Tempos de resposta
t
R
e t
F
tempos de subida e de
descida da corrente
I
P



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Transdutores Opto-Electrnicos
PA0 potncia incidente
n nmero de fotes
incidentes
I I
P P
= =
q q
e e
h hv v
P P
A A0 0
( (1 1 e e
o o
w w
) ) ( (1 1
r r) )


L L = =
d dn n
d dt t
= =
P PA A0 0
h hv v


Eficincia quntica
A iluminao L expressa por

Para uma percentagem r de fotes reflectidos, a
corrente fotoelctrica profundidade w ,
o() - constante de
atenuao do material

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Transdutores Opto-Electrnicos
q varia entre 0,35 e 0,95
Depende de pois o funo
do comprimento de onda

q q
= =
I I
P P
/ /q q
e e
P P
A A0 0
/ /h hv v


R R
S S
= =
I I
P P
P P
A A0 0

=
q q
q q
e e
h hv v


Rendimento quntico
razo por unidade de tempo, entre o
n de pares electro-lacuna gerados
e o n de fotes incidentes


A sensibilidade (responsitivity)
de um fotodetector definida
pela razo entre a corrente e
a potncia incidente

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Transdutores Opto-Electrnicos
Fotododos
De juno PN
De juno PIN
Tipo Schottky (semicondutor/ metal,
p. ex.alumnio)
De avalanche
Nos fotododos a variao da corrente com a
potncia extremamente linear. Para uma rea
da ordem de alguns mm
2
, I
P
varia linearmente
com P
0
na gama de 10
12
W a 10
2
W.

P
0min
depende de NEP e P
0max
do limite em que I
P
(P
0
)
atinge a saturao.






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Transdutores Opto-Electrnicos
Modelo incremental do
fotododo
C
D
capacidade de difuso
C
J
capacidade de depleo

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Transdutores Opto-Electrnicos
Fotododos
Circuitos de
acondicionamento
tpicos
(a) (b)
I I = = I I
S S
( (e e
v v
V V
T T
1 1) )
I I
P P


Corrente no
fotododo
(a) Como v = 0, I= -I
P
(b) Para -V
R
<<V
T
, I ~ -I
S
-I
P

ou I ~ -I
P
Em ambos os casos v
0
= R I
P
Vantagem de (b) C
J
muito pequeno



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Transdutores Opto-Electrnicos
A potncia mxima que se pode extrair de uma
clula fotovoltaica

I
CC
corrente de curto-circuito
V
DV
tenso em vazio I
m
~ I
CC
V
T
/R
m
R
m
-

R
L
ptima


Clulas Foto-Voltaicas
Convertem a energia solar em
energia elctrica
A tenso obtida sob a aco da
luz ~ 0,6V a 1V

P
m
= I
m
V
m
~ 0,8 I
CC
V
D


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Transdutores Opto-Electrnicos

Tipo
Eficincia
tpica (%)
* Eficincia
mxima (%)
Silcio
Monocristal
12-15 24,7
Silcio
Policristalino
11-14 19,8
Silcio
amorfo
5-7 12,7
Eficincia tpica
de clulas
fotovoltaicas
* obtida em
laboratrio
Central solar baseada
em clula fotovoltaicas
(Singleton, Austrlia)
Clulas Foto-Voltaicas

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Transdutores Opto-Electrnicos
Vantagem sensibilidade elevada, em relao aos fotododos
Desvantagens tempo de resposta mais elevado devido a C (da
ordem de s enquanto que nos fotododos da ordem de ns),
resposta no linear
Fototransstores
A juno colectora submetida radiao da luz. A
corrente de base passa a ser I
B
= I
P
+

I
B
sendo
I
C
~ |
F
(I
B
+ I
P
) com I
P
= o L
Modelo
incremental do
fototransstor

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Transdutores Opto-Electrnicos
Para aumentar a sensibilidade interessa
obter d/l elevado. Utiliza-se sulfureto de
cdmio na construo das LDRs
Resistncias LDR Light Dependent Resistors
R R = = a a L L
o o

a a = =
d d
q q
h h q q
e e
t t
v v
l l



o depende do material
utilizado, varia entre 0,7 a 0,9
L a iluminao em lux
d e l so respectivamenmte a
largura e o comprimento do
condutor
Valores tpicos de R
No escuro 10MO
10 lux 9kO

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Transdutores Opto-Electrnicos
As LDRs so dispositivos opto-electrnicos
muito sensveis. O valor da resistncia diminui
muito mais rapidamente com o aumento da
iluminao do que o inverso (recombinao electro-
-lacuna muito lenta):
10MO/s quando a iluminao diminui
200kO/s quando a iluminao aumenta
Resistncias LDR Light Dependent Resistors

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Transdutores Opto-Electrnicos

Lasers
O laser ao oscilar gera uma onda
estacionria de radiao visvel (ou no
visvel) que consiste num modo
longitudinal e dois modos transversais
Hitachi srie HL
(at 50mW)

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Transdutores Opto-Electrnicos
Lasers
Exemplo de circuito para operao e controlo
de potncia de lasers de baixa potncia

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Transdutores Opto-Electrnicos
Lasers. Aplicaes

Leitura-gravao
Sistemas de
posicionamento

Leitor de
cdigos de
barras
Apontadores
Sistemas de medida de
distncia
Impressoras laser
Fotocopiadoras

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Transdutores de Fora
Aplicaes
Dinammetros
Extensmetros
RRR ===


lll
SSS



Variao da resistncia de um
condutor ou semicondutor, quando
estes so submetidos a um
esforo mecnico, devido
variao da concentrao de
cargas.
Efeito Piezoresistivo
dR =
cR
c

d
+
cR
cl

dl
+
cR
cS

dS

=
l
S

d

+

S

dl


1
S
2

l dS


Variao de R devido s
variaes de l, de S e de

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Transdutores de Fora
dddRRR
RRR
===
ddd


+++

ddd lll
lll


ddd SSS
SSS



o =
F
S
= c Y; c =
Al
l



Variao relativa de R
Lei de Hook Zona elstica
de deformao
o-tenso mecnica
c- deformao unitria
Y mdulo de Young

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Transdutores de Fora
-coeficiente de
Poisson
Varia entre 0 e 0,5
ddd SSS
SSS
=== 222
dddddd
ddd
=== 222
AAAlll
lll
;;;
AAAddd
ddd
===
AAAlll
lll


Lei de Poisson
Relaciona as variaes de l e de d
devido ao esforo mecnico
Nos metais a
variao relativa de
resistividade devido
ao esforo mecnico
proporcional
variao de volume
ccc

=== CCC
BBB

dddVVV
VVV


C
B
constante de Bridgman

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
A constante C
B
pode variar entre 1,13 e 1,15 para as
ligas mais comuns (constantan e nicrmio) e de 4,4 para
a platina
Variao da Resistividade
VVV ===
ttt lll ddd
222
444

dV
V
=
dl
l

+

2 dd
d
=
d l
l
(1 2 )
Transdutores de Fora


dddRRR
RRR
===
ddd


+++

ddd lll
lll


ddd SSS
SSS
===
ddd lll
lll
[[[111 +++ 222 +++ CCC
BBB
(((111 222 )))]]]
Metais

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia

Transdutores de Fora

K a sensibilidade do extensmetro
K~ 2 para as ligas mais comuns
K~ 6 para a platina
dddRRR
RRR
=== KKK
dddlll
lll
=== KKK ccc;;; KKK === [[[111 +++ 222 +++ CCC
BBB
(((111 222 )))]]]
Semicondutores
Predomina o efeito piezoresistivo
dR/R = 119,5 c + 4 c
2
(tipo P)
dR/R = -110,0 c + 10 c
2
(tipo N)
Resposta
no linear



Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Transdutores de Fora
Aplicaes
- Medida de fora, presso, vibrao
- Sensores tcteis (robots)
- udio profissional (teclados para
modular a amplitude do sinal)
- Electromedicina

Extensmetros
(Strain Gauge)
Servem para medir
esforos mecnicos
A sensibilidade
pode ser aumentada
utilizando um
nmero elevado de
espiras sobre
substrato flexvel

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Transdutores de Fora
Num extensmetro AR = K R
G
c em que R
G
o
valor nominal da sua resistncia.
Para R1 = R2= R; R
x
= R
G
+

AR e R3 = R
G
,
Condicionamento do Sinal
Usa-se uma configurao
em ponte de Wheatstone
V
0
=
V
I

\

|
.
|
|
R1
R1 + R2


R3
R3 + R
x

V V
0 0
= =
V V
I I

K K c c
4 4 ( (1 1 + + 1 1/ /2 2 K K c c) )
~ ~

V V
I I

K K c c
4 4






Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Transdutores de Fora
A utilizao de um sensor
passivo permite compensar o
erro devido variao da resistncia
dos condutores com a temperatura
A utilizao de dois
sensores activos permite
duplicar a sensibilidade
V
0
=
V
I
K c
2



Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Transdutores de Fora
Em relao ponte simples na ponte com
AMPOP a resposta linear e a sensibilidade
duplicada
Muito usado em
udio - pedais e
teclados para
modulao do sinal
FSR (Force Sensitive Resistor)
V
0
=
V
I
K c
2


Ponte com AMPOP

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Transdutores de Fora
Compensao do erro devido a variaes de V
I
A discretizao de
V
0
permite eliminar
o erro devido a
variaes de V
I

V
D
=
K
AD

V
0
V
ref


V
0
=
V
I

K c
4
=
V
ref

K c
4

V
D
=
K
AD

K c
4





Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Transdutores de Fora
Exemplo de utilizao de FSRs num
apontador XY

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores Piezoelctricos
Materiais Piezoelctricos
Naturais
Quartzo
Turmalina
Sintticos
Cermicas (monocristalinas)
Descoberto em 1880-81 pelos irmos Curie.
Aparecimento de uma polarizao elctrica num
material ao deformar-se por efeito mecnico.
O efeito reversvel
Ao aplicar uma
diferena de potencial
entre as faces do
material, aparece uma
deformao.
As cermicas so submetidas a campos elctricos da ordem de
10kV/cm, a temperaturas ligeiramente superiores temperatura
de Curie. Este processo serve para orientar os monoscristais.
Adquirem polarizao permanente e passam a ser anisotrpicas.




Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores Piezoelctricos
Aplicaes
- Sensores de fora, presso, vibrao e acelerao
- Geradores de ultrasons (sondas martimas, ecografia,...)
- Microfones
- Circuitos ressonantes com factor de qualidade (Q) muito
elevado
- Besouros e altifalantes cermicos (planos)



Materiais mais usuais
Cermicas
Titanato-zirconato de chumbo (PZT)
Titanato de brio
Polmeros
Fluoreto de polivinilo (PVDF ou Kynar)

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
As direces 4, 5 e 6 indicam esforos de
toro em torno dos eixos 1, 2 e 3
F F
S S
= =
Y Y

A A l l
l l


Y o mdulo
de Young
A dilatao das cermicas
piezoelctricas segue a lei
de Hook

Sensores Piezoelctricos
Conveno para os ndices indicativos
das direces num material
piezoelctrico

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores Piezoelctricos
S
c
i
=
o
j
Y
ij
+ d
ik
E
k

D
e
=
c
lm
E
m
+
d
ln
o
n
i, k, l, m = 1, 2, 3
j, n = 1, ..., 6

Equaes Piezoelctricas

S
ci
deformao
o
j
esforo; Y
ij
mdulo de Young
E
k
campo elctrico
d
ik
, d
ln
coeficientes piezoelctricos
D
e
deslocamento elctrico
c
lm
constante dielctrica
Relao entre a energia disponvel e
a armazenada
k k
2 2
i ij j
= =
d d
i ij j
c c S S
E E



k
ij
coef. de acoplamento electromecnico
S
E
complacncia (compliance)

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Sensores Piezoelctricos
dq = dS d
ij
F
i direco do campo elctrico
j - direco da fora
S rea
F fora aplicada
d
ij
coeficiente piezoelctrico
de carga
(a)
(b)
Fig. (a) - dq = dS d
33
F
Fig. (b) - dq = dS d
32
F
Relao entre campo
elctrico e fora aplicada
E
i
= F
j
g
ij
/S = o
j
g
ij

g
ij

coeficiente piezoelctrico
de tenso

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Sensores Piezoelctricos
Modos de Funcionamento
Funcionamento motor Ao aplicar uma tenso as
dimenses so alteradas
Funcionamento como gerador Uma deformao d
origem a uma tenso elctrica
Alongamento transversal
Aplicaes sonar, hidrofones,
microfones, pacemakers
Modo de corte (shear)
Aplicaes transdutores ultrasnicos
acelermetros, linhas de atraso

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores Piezoelctricos
Exemplo
Para o titanato de chumbo tem-se
d
33
=-44 pC/N, c=600c
0
(c
0
= 8,84910
-12
F/m)
Num paraleleppedo com l=w=5mm e t=2mm obtm-se,
para uma fora F=1000 Newton, aplicada segunda a
direco 3,
E = -d
33
F/(S c); E = 3,315 10
5
V/m
A tenso V, obtida entre as faces s quais se aplica a
fora

V = E t; V = 663 Volt




Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores Piezoelctricos
Rs resistncia de perdas
Rp resistncia de perdas do
dielctrico. Pode ser obtida
a partir de tg o (tangente
de perdas)
R
p
= (e C
p
tg o)
-1



Aplicaes
1. Osciladores e filtros com elevado
factor de qualidade

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores Piezoelctricos
Admitncia do sensor
para Rs =0 e Rp =

e
s
=
1
L Cs

e
p
=
1
L
\

|
.
|
|
Cs Cp
Cs + Cp

Frequncias de
Ressonncia
Y(s) = sCp
s
2
+
Cp + Cs
Cs Cp L
s
2
+
1
sLC


Como Cp>>Cs, e
p
~ e
s

Aplicaes
1. Osciladores e filtros com elevado
factor de qualidade
Em geral existem outros modos ressonantes
em frequncias superiores

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores Piezoelctricos
Exemplo: L=0,52 H; Cs = 0,012pF; Cp = 4 pF
Rs = 5 O; tg o = 0,05 (@10kHz)
f
s
= 2,0148 MHz; f
p
= 2,0178 MHz
K
2
ij
= 1- (f
s
/f
p
)
2
; K
ij
= 0,0545

Q = e
s
L / Rs; Q = 1,32 10
6
; Rp = 79,6 M O
Aplicaes
1. Osciladores e filtros com elevado
factor de qualidade
Oscilador controlado por cristal
C1 ajusta a frequncia de ressonncia
R2 C2 filtram os modos de ressonncia superiores

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores Piezoelctricos
O elevado factor de qualidade (Q>100 para as cermicas e
Q~10
6
para o quartzo) e grande estabilidade com a
temperatura das frequncias de ressonncia dos dispositivos
piezoelctricos permite realizar osciladores e filtros de
banda estreita de elevado desempenho

Aplicaes
2. Acelermetros
O sensor possui uma massa m que ao ser submetida
a uma acelerao j, fica sujeito fora F
1. Osciladores e filtros com elevado factor
de qualidade


Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores Piezoelctricos
Aplicaes
2. Acelermetros
vvv === EEE
iii
ttt eee
EEE
iii
ooo
jjj
=== ggg
iiijjj

vvv === ooo
jjj
ggg
iiijjj
ttt eee FFF === mmm jjj
vvv ===
mmm jjj
lll www
ttt ggg
iiijjj

Para um sensor de dimenses l t w, obtm-se
P elementos
piezoelctricos
M massa
B - base


Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Aplicaes
Sensores Piezoelctricos
2. Acelermetros
Estes transdutores apresentam uma impedncia
capacitiva. Nos circuitos de condicionamento usam-se
amplificadores de carga. A tenso de sada
proporcional carga e praticamente independente da
capacidade do cabo de ligao
Amplificador de Carga

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores Piezoelctricos
Aplicaes
3. Actuadores piezoelctricos (smart materials)

Resoluo extremamente elevada (nanometros)
Rapidez de resposta
Baixo custo

Aeroespacial vlvulas de propulso em pequenos satlites, flaps
activos aplicados em hlices de helicptros
Segmento
de um flap
de um
helicpetro

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores Piezoelctricos
Aplicaes

Actuadores piezoelctricos
permitem o controlo rpido de
ferramentas de preciso no
fabrico de lentes de contacto
3. Actuadores piezoelctricos (smart materials)
Injectores em motores
diesel com rampa comum
(patente FIAT)
Controlo mais preciso
Maior rapidez

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores Piezoelctricos
Aplicaes

Deslocamento at 200 m (L=15cm;V=1000V)
3. Actuadores piezoelctricos (smart materials)
Piezomotores (actuadores)

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores Piezoelctricos
Aplicaes

Vlvula com
controlo
proporcional
3. Actuadores piezoelctricos (smart materials)
Relao entre o fluxo e
a tenso de controlo do
actuador da vlvula

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores Piezoelctricos
f (T) = f
0
[1 + a (T-T
0
) + b (T-T
0
)
2
+ c (T-T
0
)
3
]
No sistema da HP, a funo f (T) determinada em 40
pontos da gama de medida. A partir destes define-se
uma curva de regresso linear. Estes valores so
armazenados na memria ROM.
Sensibilidade
1000 Hz/C
Preciso: 0,075C
Gama de
temperaturas
-80C a 250C
Resoluo: 0,00001C
Aplicaes
4. Sensor de temperatura com cristal de quartzo
Hewlett Packard HP2804A

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores de Efeito de Hall
Materiais usados
- Arsenieto de Glio - Ga As
- Antimonieto de Indio - In Sb

Tenso gerada transversalmente corrente num
condutor a que aplicado um campo magntico
perpendicular
Tenso de Hall
v
H
= K
H
I
H
B
B - fluxo magntico
K
H
- sensibilidade
O efeito de Hall pouco
significativo nos metais pois
nestes a mobilidade dos
electres baixa. O efeito
bastante pronunciado nos
semicondutores

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores de Efeito de Hall
Interruptores de Hall
So realizados em circuito
integrado. Dispem de um
comparador e um circuito lgico.
Respondem ao campo magntico
perpendicular ao dispositivo.
Para B> B
ON
o transstor de sada
satura
Para B< B
OFF
o transstor de sada
corta

B
HYS
- histeresis
magntica
Sensores de Hall Diferenciais
So usados dois sensores
colocados lado a lado
medida a diferena B = B
2
- B
1


Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores de Efeito de Hall
o
T
- coeficiente de temperatura
B = H fluxo magntico
K
H
- sensibilidade

I
H
corrente de excitao
v
H
= K
H
I
H
B
V
T
= o
T
AT
V
os
-tenso de desvio
Modelo de um sensor de Hall

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores de Efeito de Hall
B B = =

0 0
I I
2 2t t R R


v v
H H
= = K K
H H
I I
H H
B B = = K K
H H
I I
H H


0 0
I I
2 2t t R R


Aplicaes
Sensor de
proximidade
Sensor de corrente
Sinal de sada

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Sensores de Efeito de Hall

Aplicaes
Sensor de velocidade
Circuito integrado com sensor
de Hall para detectores
magnticos (Micronas HAL 50x)

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Magneto-Resistncias
Vantagens relativamente aos sensores de Hall
- Maior sensibilidade
- Maior gama de temperaturas de funcionamento
- Gama de frequncias desde DC at alguns MHz
(at 25 kHz nos sensores de Hall)
Num condutor atravessado por corrente elctrica,
submetido a um campo magntico, parte dos electres
so desviados por este Aumenta a resistncia
elctrica
O efeito mais pronunciado nos materiais
ferromagnticos

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Magneto-Resistncias
Materiais Usados
Permalloy (20% Fe + 80% Ni); NiFeCo; NiFeMo
Aplicaes
- Medida de campo magntico
- Leitores de cartes tipo multi-banco
- Medida de deslocamentos lineares e
angulares
- Controlo de trfego
- Compassos magnticos para sistemas de
navegao

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Magneto-Resistncias
Magneto-Resistncias da
Philips da srie KMZ
KMZ10
Estrutura interna
Configurao em ponte

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Magneto-Resistncias
Efeito magnetoresistivo no
permalloy. AR
0
= 3%
A relao entre R e H
quadrtica necessidade
de linearizao
R R = = R R
0 0
+ + A AR R
0 0

\

|
.
|
|
1 1

H H
H H
2 2
0 0
p pa ar ra a H H s s H H
0 0

Srie KMZ
Caracterstica
V
0
(H), da
magnetoresistncia


Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Magneto-Resistncias
Circuito de aplicao com compensao de
temperatura atravs de sensor PTC (KTY82-210)

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Magneto-Resistncias
Exemplo de Aplicao no Controlo de Trfego
Espectro dos sinais
durante a passagem de
um veculo


O mtodo eficaz mesmo
no caso de veculos com
motor e chassis de
alumnio

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Transdutores Indutivos de Posio
- Transformadores de Relutncia Varivel
- Transformador Linear Diferencial - LVDT (Linear
Variable Differential Transformer)

Transformadores de Relutncia Varivel
Nos transdutores indutivos faz-se variar a
relutncia magntica R
M
, atravs do deslocamento
do ncleo. A indutncia L
L L = = N N
d d u u
d d i i
u u = =
N N i i
R R
M M
L L = =
N N
2 2
R R
M M


N nmero
de espiras

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Transdutores Indutivos de Posio
R R
M M
~ ~
l l

r r

0 0
A A

Para um comprimento da
bobine, l >>d (dimetro)

Deslocando o ncleo faz-se variar R
M
por efeito da
variao de
r
(A a rea da seco transversal)

Limitaes
- Campos magnticos parasitas (necessidade de
blindagem magntica
- O campo no uniforme nos extremos da bobine
(comportamento no linear)
- Nos materiais ferromagnticos
r
varia com a frequncia
- Com alimentao com corrente alterna necessrio um
detector de fase
- Temperatura de funcionamento limitada temp. de Curie

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Transdutores Indutivos de Posio
Vantagens
- Elevada resistncia humidade
- Os transformadores diferenciais so insensveis a
campos magnticos externos, variaes de
temperatura e da tenso de alimentao
- Durao muito elevada (MTBF ~ 210
6
horas !!!)
- Resoluo muito elevada (0,1%), gama de medida
desde 100m at 25cm
Como as perdas aumentam com a frequncia, para frequncias
elevadas (acima das dezenas de kHz) utilizam-se ncleos de
ar menor variao de L


Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Transdutores Indutivos de Posio
Transformadores diferenciais LVDT
Aplicaes
- Detectores de zero em servo-sistemas de posio (avies
e submarinos)
- Medida da espessura de chapas metlicas
(0.025 mm a 2,5 mm)
- Medida de acelerao
- Detectores de proximidade e deslocamento
- Controlo de trfego - contagem e medida de
velocidade de veculos (bobines colocadas debaixo do
pavimento)


Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Transdutores Indutivos de Posio
Transformadores diferenciais LVDT
V V
1 1
= = I I
1 1
( (R R
g g
+ + s sL L
1 1
) ) + + I I
2 2
( (s sL L
M M2 2
s sL L
M M1 1
) )


0 0 = = I I
1 1
( (s sL L
M M2 2
s sL L
M M1 1
) ) + + I I
2 2
( (R R
C C
+ +2 2s sL L
2 2
s sL L
M M3 3
) )

Primrio:
Secundrio:
L
M1
, L
M2
e L
M3
representam
respectivamente as
indutncias mtuas entre o
primrio e o secundrio
(superior), entre primrio e
o secundrio (inferior) e
entre os dois secundrios,
obtm-se


Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Transdutores Indutivos de Posio
I I
2 2
= =
V V
1 1
s s ( (L L
M M 1 1
L L
M M 2 2
) )
s s
2 2
| |L L
1 1
( (2 2L L
2 2
2 2L L
M M 3 3
) ) ( (L L
M M 2 2
L L
M M 1 1
) )
2 2
| | + + s s | |R R
C C
L L
1 1
+ +R R
g g
( (2 2L L
2 2
2 2L L
M M3 3
) )| | + +

R R
g g
R R
C C


V V
2 2
= = I I
2 2
R R
C C
= =
V V
1 1
s s ( (L L
M M 1 1
L L
M M 2 2
) ) R R
C C

s s
2 2
2 2L L
1 1
L L
2 2
+ + s s ( (R R
C C
L L
1 1
+ + 2 2R R
g g
L L
2 2
) ) + +

R R
g g
R R
C C

Como em geral L
2
>>L
M3
e 2L
1
L
2
>>(L
M2
L
M1
)
2
,

donde resulta

A resposta do tipo passa-banda pelo que
a sensibilidade do dispositivo mxima na
frequncia central, e
0
e e
0 0
= =
R R
g g
R R
C C
2 2L L
1 1
L L
2 2



Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Transdutores Indutivos de Posio
Nos LVDT a tenso de sada, correspondente
posio central do ncleo, no nula, atingindo sim
um dado valor mnimo. Isso deve-se s capacidades
parasitas entre primrio e secundrio e simetria
imperfeita do dispositivo.
A tenso de sada apresenta distoro harmnica
devida saturao do ncleo, em especial a 3
harmnica. Este problema pode ser resolvido
utilizando um filtro passa-baixo.
Alguns modelos incorporam os circuitos electrnicos de
acondicionamento e tambm o oscilador que gera a
tenso primria. So, por isso, alimentados em DC.

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Transdutores Indutivos de Posio
v v
1 1
( (t t) ) = = A A
1 1
c co os s( (e e
1 1
t t + + u u
1 1
) )
v v
2 2
( (t t) ) = = A A
2 2
c co os s( (e e
2 2
t t + + u u
2 2
) )

v v
1 1
( (t t) ) v v
2 2
( (t t) )
= =
1 1
2 2
A A
1 1
A A
2 2
{ {c co os s[ [( (e e
1 1
+ + e e
2 2
) )t t + +u u
1 1
+ +u u
2 2
] ] + + c co os s[ [( (e e
2 2
e e
1 1
) )t t u u
1 1
u u
2 2
] ]} }



Detector de Fase
Considerem-se as tenses sinusoidais v
1
(t) e v
2
(t),
em que u
1
e u
2
, so as respectivas fases,
O produto de v
1
(t) por v
2
(t)


Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Transdutores Indutivos de Posio
vvv
ooouuuttt
(((ttt))) ===
111
222
AAA
111
AAA
222
cccooosss (((uuu
111
+++ uuu
222
)))
Utilizando um filtro passa-baixo para eliminar a
componente de frequncia e
1
+e
2
, obtm-se a
componente diferena. No caso de ser e

=

e
1
= e
2
, tal
como acontece em muitos transdutores,
A tenso de sada, funo da fase tal como se
pretendia. Os detectores de fase utilizam, em geral,
circuitos multiplicadores analgicos. Convertendo as
tenses a multiplicar, atravs de circuitos limitadores,
em tenses com forma de onda rectangular, podem
utilizar-se circuitos digitais para realizar a
multiplicao.


Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Multiplicador Analgico
III
ccc111
~~~ III
SSS
(((eee
VVV
bbbeee111
///VVV
TTT
111))) ~~~ III
SSS
eee
VVV
bbbeee111
///VVV
TTT

III
ccc222
~~~ III
SSS
(((eee
VVV
bbbeee222
///VVV
TTT
111))) ~~~ III
SSS
eee
VVV
bbbeee222
///VVV
TTT


Multiplicador
analgico baseado
num amplificador
diferencial
A corrente I
0

controlada por uma
das tenses de
entrada do
multiplicador (V
2
)
As correntes de
colector de T1/T2 so

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Multiplicador Analgico

III
ccc111
=== III
ccc222
eee
(((VVV
bbbeee111
VVV
bbbeee222
)))///VVV
TTT

Somando a ambos membros I
c2
, vem
III
ccc111
+++ III
ccc222
=== III
000
=== III
ccc222
[[[eee
(((VVV
bbbeee111
VVV
bbbeee222
)))///VVV
TTT
+++ 111]]]
III
ccc222
===

III
000
eee
(((VVV
bbbeee111
VVV
bbbeee222
)))///VVV
TTT
+++ 111

VVV
000ddd
VVV
bbbeee111
VVV
bbbeee222
===
VVV
000ddd
VVV
ddd
=== ggg
mmmddd
RRR
CCC


A razo entre as duas equaes
resultando

O ganho do amplificador
diferencial


Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Multiplicador Analgico

ggg
mmmddd
===
cccIII
ccc222
ccc (((VVV
bbbeee111
VVV
bbbeee222
)))
===
111
VVV
TTT

III
000
eee
(((VVV
bbbeee111
VVV
bbbeee222
)))///VVV
TTT
[[[111 +++ eee
(((VVV
bbbeee111
VVV
bbbeee222
)))///VVV
TTT
]]]
222

ggg
mmmddd
===

III
000
444 VVV
TTT

A transcondutncia do par diferencial definida, para V
be2
=V
be1
,
por
resultando

Como I
0
= K
i
V
2
, sendo K
i
a constante de ganho, vem
VVV
000ddd
===


KKK
iii
VVV
111
VVV
222
RRR
CCC
444 VVV
TTT


A tenso de sada uma
funo do produto
v
1
(t) v
2
(t)


Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Detectores Piroelctricos
Piroelectricidade - baseia-se, tal como a
piezoelectricidade, na anisotropia dos cristais. Boa
parte dos materiais piezoelctricos so tambm
piroelctricos.

H
2
O
A uma variao AT corresponde uma
variao de carga elctrica Aq
As molculas destes, assimtricas
como as da gua, quando sujeitas a
aquecimento
mantm a orientao dos dipolos. No
entanto, a gua no exibe estas
propriedades.

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Detectores Piroelctricos
Lineares no possvel
mudar a polarizao atravs da
inverso do campo elctrico
Ex.:turmalina, sulfato de ltio
Ferroelctricos Ex.:
tantalato de ltio, kynar(PVDF)
Materiais
piroelctricos
As propriedades piroelctricas desaparecem para
temperaturas superiores temperatura de Curie
Os sensores piroelctricos apresentam em geral, elevada
sensibilidade e baixo rudo

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Detectores Piroelctricos
R R
V V
= =
o o p p t t
A A C C
E E
c c ( (1 1 + + e e
2 2
t t
2 2
) )
1 1/ /2 2

Quando a radiao incidente pulsatria, com potncia P
i

a tenso gerada pelo sensor V
0
= R
V
P
i
, sendo R
V
a
sensibilidade
A rea do sensor
o - coeficiente de
absoro de energia
t - constante de tempo
trmica
e- frequncia angular
p coeficiente
piroelctrico
C
E
calor especfico

desejvel que p seja elevado e que C
E
e c sejam baixos

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Detectores Piroelctricos

Material
Coeficiente
piroelctrico
(p)
nC/cm
2
K
Constante
dielctrica
relativa
(c)
Calor
especfico
(C
E
)
J/cm
3
K
Sulfato de triglicerina

Tantalato de ltio

Niobato de estrncio e
brio

Kynar (PVDF)
40

19

60

3
35

46

400

11
2,50

3,19

2,34

2,40
Parmetros dos Materiais Piroelctricos mais Usuais

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Detectores Piroelctricos
Os circuitos de acondicionamento do sinal para sensores
piroelctricos utilizam amplificadores de tenso de
elevada impedncia de entrada. Utilizam-se transstores
JFET na configurao seguidor de fonte.
Pr-amplificador com dois canais utilizado
num detector de infra-vermelhos
O detector inclui transstores JFET de
baixo rudo
Resposta na frequncia

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Detectores Piroelctricos
Aplicaes
- Deteco de radiao trmica temperatura ambiente
- Medida de temperatura distncia, por ex., medida da
temperatura da superfcie terrestre feita a partir de
avies
- Analisadores de infra-vermelhos
- Deteco de intrusos
- Termmetros de alta resoluo (10
-6
C)
- Obteno de imagens atravs de varrimento da
superfcie a detectar

Modulando a radiao incidente possvel aumentar o
desempenho do detector anula-se o efeito das cargas
parasitas que podem neutralizar as cargas induzidas

Carlos Martins - ENIDH, Departamento de Radiotecnia
Bibliografia

S. M. Sze, Semiconductor Devices, Physics and Technology,
J. Wiley & Sons, New York, 1985.

Ramn Palls Areny, Transductores y Acondicionadores de
Seal, Marcombo Boixareu Editores, Barcelona, 1989.

Moiss Piedade, Aquisio e Processamento de Sinais, IST,
Lisboa, 1996.