Curso de Tcnico de

Informtica Industrial
Campus VIII - Varginha

2 Srie Ano Letivo de 2009 Prof. Andr Barros de Mello Oliveira

3 Bimestre Aula de 02/setembro/2009

Circuitos Eltricos e Eletrnica
Unidade III Parte 2 Materiais Semicondutores

Unidade IV Parte 1

Diodos Semicondutores

Materiais Semicondutores
Unidade 3 - Final 3.5 - A juno PN como diodo: polarizao. Unidade 4 Diodos semicondutores 4.1 - Diodo ideal: conceito e simbologia. 4.2 - Curva caracterstica do diodo. 4.3 - Circuitos equivalentes do diodo.
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3.5 - A juno PN como diodo: polarizao.

Portadores majoritrios e portadores minoritrios e a juno PN

+ lacuna - eltron e : ons

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3.5 - A juno PN como diodo: polarizao

CASO 1: VD = 0 V
Fenmenos: DIFUSO (ou recombinao) e DEPLEO (diminuio ou ausncia de portadores majoritrios prximos regio de juno).

Com VD igual a zero, no h ID

3.5 - A juno PN como diodo: polarizao

O excesso de eltrons do material tipo n tende a migrar para o material tipo p, visando o equilbrio eletrnico (densidades de eltrons nos dois materiais) e a estabilidade qumica.

3.5 - A juno PN como diodo: polarizao

A ocupao de uma lacuna por um eltron chamada de RECOMBINAO. Prxima juno forma-se ento uma regio com ons positivos (falta de e-) e negativos (excesso de e-).

3.5 - A juno PN como diodo: polarizao

O fenmeno da recombinao cessa aps um certo tempo e a regio de depleo fica com ausncia de e- e lacunas, responsveis pela corrente eltrica. Ento, ID = 0 mA.

 CASO 2 - ( VD < 0 V ) - juno p-n polarizada reversamente.

Nesta configurao, os eltrons do lado n so atrados para o terminal (+) da fonte e as lacunas para o terminal (-).
Com isso, formam-se mais ons positivos no lado n e mais ons negativos no lado p (aumento da camada de depleo e da barreira de potencial). Este aumento ocorre at que a d.d.p. da barreira de potencial se iguale tenso reversa aplicada.
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 CASO 2 - ( VD < 0 V ) - juno p-n polarizada reversamente.

- No ocorre neste caso a circulao de portadores majoritrios (corrente direta ID). - Ocorre apenas uma corrente muito pequena, denominada de corrente de saturao reversa, IS (limitada aos portadores minoritrios).
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 CASO 3 - ( VD > 0 V ) - juno p-n polarizada diretamente

Com este tipo de polarizao os eltrons do lado n ganham energia suficiente, pois so repelidos pelo terminal (-) da fonte VD , rompendo a barreira de potencial, sendo atrados para o lado p, atravessando a juno pn.
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 CASO 3 - ( VD > 0 V ) - juno p-n polarizada diretamente

No lado p, os e- se recombinam com as lacunas, tornando-se eltrons de valncia, e continuam se deslocando de lacuna em lacuna, pois so atrados pelo terminal (+) da fonte, formando uma corrente eltrica de alta intensidade, identificada por ID ou IF (no segundo caso, o subscrito F vem do ingls forward (corrente direta). Equaes:

ID = I majoritrio - IS

(1)
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Unidade 4 Diodos semicondutores 4.1 - Diodo ideal: conceito e simbologia. 4.2 - Curva caracterstica do diodo. 4.3 - Circuitos equivalentes do diodo. O diodo ideal pode ser comparado a uma chave simples de dois terminais, denominados anodo (A) e catodo (K). Na figura ao lado, em (a), vse o smbolo do diodo e em (b), as situaes onde o diodo est diretamente reversamente polarizado.

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4.1 - Diodo Ideal: conceito e simbologia.

O diodo ento unidirecional em corrente e em tenso.

No 1. quadrante, o diodo conduz (a partir de VD 0 V).

No 2, 3 e 4 quadrantes, o diodo uma chave aberta (no h corrente).

4
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Em Resumo:
1. para a regio de conduo, o diodo um curto-circuito; 2. para a regio de no-conduo, o diodo uma chave aberta.

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Regies de Operao do diodo ideal e nveis de resistncia

onde RF a resistncia direta (forward).

onde RR a resistncia reversa.

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4.2 - Curva caracterstica do diodo

Equao da corrente do diodo (regies direta e reversa)

I D IS .(e

k .VD TK

1)

(2)
Curva I D x VD

Onde: Is = corrente de saturao reversa; k = 11.600/ com = 1 para o Ge e = 2 para o Si, para nveis baixos de corrente na curva ID x VD e = 1 para ambos os diodos, na regio da curva onde a corrente cresce de forma mais acentuada; TK = TC + 2730.

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4.2 - Curva caracterstica do diodo

Curva ID x VD do diodo (regies direta e reversa)

Na curva ao lado: VT a tenso de limiar ou de disparo do diodo (threshold); Vz o potencial zener, que constitui a regio de ruptura. Vz = VBR = tenso de ruptura.

Regio de ruptura

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Efeitos de temperatura
- A corrente de saturao reversa IS ter seu valor aproximadamente dobrado para cada aumento de 10 0 C na temperatura. - O diodo de Si apresenta menores nveis de IS, mesmo em altas temperaturas, em comparao com o diodo de Ge. Esta uma das caractersticas a favor da maior utilizao do Silcio no projeto e desenvolvimento de dispositivos eletrnicos. - Um aumento de temperatura implica na diminuio da tenso de disparo, VT, onde o subscrito T vem do ingls threshold (potencial de disparo, de limiar ou de offset).

Nveis de Resistncia no DIODO

a) Resistncia Esttica ou DC:
RD muda com o ponto de operao do diodo na curva ID x VD. EXERCCIO: calcule o valor de RD para os pontos 1, 2 e 3.
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b) Resistncia AC ou Dinmica:
Nvel de resistncia definido por uma reta tangente no ponto Q.

Vd 26 mV rd I d ID
Ponto Q = ponto quiescente ou de operao.

ID (mA)

c) rav, Resistncia CA Mdia,

parmetro definido por uma linha reta entre os limites de operao (para variaes grandes no sinal CA de entrada). Ponto Q

Id

VD (v)

Vd rav I d

pt . a pt .

Vd

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4.3 - Circuitos Equivalentes de Diodo (Modelos)

Tipo e condies 1a. Aproximao Sistema Ideal Rrede >> rav Vrede >> VT A
Diodo Ideal

Modelo K

Curva caracterstica
ID

VD
0

ID

2a. Aproximao
Modelo simplificado

K
0

VD VT

Rrede >> rav

VT

Diodo Ideal

ID

rav 3a. Aproximao Modelo Linear A + K

0

VD VT

VT

rav

Diodo Ideal 20

Aplicaes Tpicas do Diodo:

1) Retificador de Meia-Onda: quando empregado em processo de retificao, um diodo tipicamente denominado retificador.

O que ocorre se o diodo for invertido? Qual ser a tenso mxima no resistor?
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2) Retificador de Onda-Completa

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3) Circuitos CEIFADORES de tenso, que tiram uma poro do sinal de entrada, sem distorcer o mesmo.

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Referncias Bibliogrficas
[1] BOYLESTAD, R. L. Introduo Anlise de Circuitos. 10 ed. Pearson Prentice-Hall, 2004. [2] BOYLESTAD, R. L. e NASHELSKY L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 8 ed. Pearson Prentice-Hall, 2004.

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