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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TRANSISTORES (Panormica)

BIPOLARES

NPN PNP CANAL N (JFET-N) CANAL P (JFET-P)

TRANSISTORES

UNIN EFECTO DE CAMPO

METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N)

CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor


UNIVERSIDAD DE OVIEDO

Manuel Rico Secades

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor) Base (B) Colector (C)
En principio un transistor bipolar est formado por dos uniones PN.

N P N
C E

Emisor (E)

Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1.- La zona de Base debe ser muy estrecha (Fundamental para que sea transistor). 2.- El emisor debe de estar muy dopado.

SMBOLO

B
C NP B N+ E

Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.

IMPORTANTE !!! No es un dispositivo simtrico

ASPECTO MAS REAL DE UN TRANSISTOR BIPOLAR

Descubiertos por Shockley, Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell)

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN C B E ZONA DE SATURACIN: Comportamiento como interruptor cerrado. 3000 IC [mA] IB [mA] = 30 ZONA ACTIVA: Comportamiento como Fuente de Corriente.

= 100
2000 1000

20 10 0 VCE

ZONA DE TRANSISTOR INVERSO: Emisor y colector intercambias papeles. Podemos tener una INVERSA, que en el dispositivo ideal consideraremos cero

ZONA DE CORTE: Comportamiento como interruptor abierto.

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USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor

12 V

3A

12 V 36 W
12 V

3A = 100

12 V 36 W

I
40 mA

Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico. Electrnica de Potencia y Electrnica digital
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IC
4A PF (ON) 3 A ON

IB = 40 mA OFF
VCE 12 V PF (OFF)
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USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como interruptor

12 V

3A

12 V 36 W
12 V

40 mA I

= 100 3A 12 V 36 W

IC
Al igual que antes, sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base (ahora circula al reves) debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin.

4A PF (ON) 3 A ON

IB = 40 mA OFF
VEC 12 V PF (OFF)
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CARACTERSTICAS REALES DE LOS TRANSISTOR NPN y PNP

Activa

IB
VCE = 0 VCE1 VCE2

IC I
IB6 IB5
CMax

Avalancha Secundaria

Saturacin
IB3 IB2 IB1

IB4

PMax = VCEIC Avalancha Primaria

VBE

IB= 0

Caracterstica de Entrada

1V Corte

VCEMax

VCE

Caracterstica de Salida

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TRANSISTOR BIPOLAR: PARMETROS SUMINISTRADOS POR LOS FABRICANTES

IC
IC-MAX VCE-MAX PMAX VCE-SAT Corriente mxima de colector Tensin mxima CE Potencia mxima Tensin C.E. de saturacin ICMAX B

E
PMAX

SOAR

HFE

Ganancia

VCE-MAX
VCE

rea de operacin segura (Safety Operation Area)

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TRANSISTOR BIPOLARES

VCE = 1500 IC = 8 HFE = 20

TOSHIBA

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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET - Field Effect Transistor)

UNIN

CANAL N (JFET-N)

CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)

Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patent el concepto de "Field Effect Transistor". 20 aos antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.

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TRANSISTORES MOSFET (MOS - Metal Oxide Semiconductor + FET - Field Effect Transistor ) CANAL N (JFET-N) UNIN CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)

Dr Martn Atalla y Dr Dawon Kahng desarrollaron en primer MOSFET en los laboratorios Bell en 1960

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TRANSISTOR MOSFET - canal N Drenador (Drain) Puerta (Gate)

Aislante (Si O2)


Fuente (Source)

Substrato (Substrate)

N P Canal (Channel)

SECCIN

VISTA SUPERIOR

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TRANSISTOR MOSFET - canal N G S

Substrato

N P NOTAR:

NOTAR QUE EN PRINCIPIO ES UN DISPOSITIVO SIMTRICO

METAL OXIDO SEMICONDUCTOR


G SMBOLO
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De momento, vamos a olvidarnos del substrato.


Posteriormente veremos que hacer con este terminal "inevitable" para que no afecte a la operacin del dispositivo. Que no moleste!!

Substrato

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MOSFET DE CANAL N (Caracterstica real de salida)


D

ZONA COMPORTAMIENTO FUENTE DE CORRIENTE

Substrato G S

ID

UGS[V]
+15 +10 +5 0

VDS

ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO COMO ANTES, LA TENSIN DE PUERTA (UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.
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MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?) D G


canal

S N

Substrato

P D
Canal. Aparece entre D y S en paralelo a los diodos iniciales

Se observa que los diodos juegan un papel secundario en la operacin del dispositivo.

Substrato S

Debemos asegurar que nunca entren en operacin.

EL SUBSTRATO se conecta al punto mas negativo del circuito.


Para un solo transistor, se conecta a la FUENTE (S). En los circuitos integrados se conectar el SUBSTRATO a la alimentacin negativa

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MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?) D G


canal

Se une con S Substrato

P D D D

G S

AHORA YA NO ES UN DISPOSITIVO SIMTRICO !!!


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MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?) D D


COMENTARIO: Aunque a veces se dibuje el smbolo con un diodo, tener en cuenta que NO ES UN COMPONENTE APARTE.

G S

G S Diodo parsito (Substrato - Drenador)

ID

UGS[V]
=+15 V =+10 V =+5 V =0V

VDS

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MOSFET DE CANAL N (precauciones con la puerta)


La puerta (G) es muy sensible. Puede perforarse con tensiones bastante pequeas (valores tpicos de 30 V). No debe dejarse nunca al aire y debe protegerse adecuadamente.

D ID

- 30 V

+ 30 V

VGS

G S

CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!

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USOS DEL MOSFET - Canal N: Como interruptor

12 V

3A

12 V 36 W
12 V

3A

12 V 36 W

I
La puerta no puede quedar al aire (debe protegerse)

ID
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA (MUY PEQUEA) !!!

4A PF (ON) 3 A ON

UGS= 12 V OFF
VDS 12 V PF (OFF)
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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

C G
E
Combinacin de MOSFET y transistor Bipolar que ana las ventajas de los dos: La facilidad de gobierno del MOSFET El buen comportamiento como interruptor de BIPOLAR Dispositivo reciente muy importante en Electrnica de Potencia

Inventado por H.W. Becke y C.F. Wheatley en 1982


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COMENTARIO: Con los MOSFET e IGBT para manejar corrientes elevadas se produce un cambio de tendencia importante.
Un Transistor Bipolar de potencia es un solo dispositivo de dimensiones (Seccin) suficiente para manejar la corriente elevada.

Un Transistor MOSFET o un IGBT de potencia, pensado para manejar corrientes elevadas, est formado por muchos transistores integrados colocados en paralelo

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C NP N+
Cada punto representa un MOSFET

MOSFET DE POTENCIA
(Muchos pequeos MOSFET en paralelo, realmente es un "Circuito Integrado")

B E BIPOLAR DE POTENCIA
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