El diodo de unin

La unin PN en equilibrio.
Polarizacin del diodo. Polarizacin
directa e inversa.
Curva caracterstica. Influencia de la
temperatura.
El diodo como rectificador.
El diodo Zener.
Diodos LED
El diodo Schottky
La unin PN en equilibrio
N P
I
ndif

I
pdes
I
pdif

I
ndes

300 K 0 K
V
0

r
E
A temperatura ambiente, los
huecos de la zona p pasan por
difusin hacia la zona n y los e
-

de la zona n pasan a la zona p.
En la zona de la unin, huecos y
e
-
se recombinan, quedando una
estrecha zona de transicin
con una distribucin de carga
debida a la presencia de los
iones de las impurezas y a la
ausencia de huecos y e
-
.
Se crea, entonces un campo
elctrico que produce
corrientes de desplazamiento,
que equilibran a las de
difusin.
X
p
X
n

La unin PN en equilibrio

qN
D
-qN
A
-
0
+
p
p0 ~
N
A n
n0 ~
N
D
n
p0
p
n0
Distribucin de las concentraciones
de portadores de carga
Distribucin de carga
X
p
X
n

Campo elctrico en el diodo
E
X
p

X
n

Diferencia de potencial
V
0

V
X
p

X
n

La unin PN en equilibrio
0 p
0 n
T
0 n
0 p
T xp xn 0
n
n
ln V
p
p
ln V V V V = = =
2
i
D A
T xp xn 0
n
N N
ln V V V V = =
Sustituyendo los valores de las concentraciones de impurezas:
V
0
se llama Potencial de contacto y representa la diferencia de
potencial entre los extremos de la zona de transicin con la unin en
circuito abierto y en equilibrio.
V
0
= 0.7 V para diodos de Si y V
0
= 0.3 V para diodos de Ge, a 20 C
V
T
= 0.026 V a 300 K
Polarizacin del diodo
Polarizacin directa
V
D

I
r
E
V
D
crea un campo elctrico opuesto al de la unin, disminuye el E
total
en la unin
y la barrera de potencial: V=V
0
-V
D
, y aumenta la corriente de mayoritarios por
difusin.
V
0

V
0
- V
D

Polarizacin inversa
V
I

I
0
<<<<
r
E
V
I
crea un campo elctrico en el mismo sentido que el de la unin, aumenta el E
total
,
aumenta la diferencia de potencial: V=V
0
+V
I
, y disminuye la corriente de mayoritarios.
Favorece el desplazamiento de huecos hacia la zona p y de e
-
hacia la zona n,
ensanchndose la zona de transicin. Pero estos h
+
y e
-
provienen de zonas donde
son minoritarios. El resultado es que fluye una pequea corriente I
0
, debida nicamente
a los pares e
-
h
+
que se generan por agitacin trmica llamada CORRIENTE INVERSA
DE SATURACIN.
V
0
+ V
I

V
0

mV mA
R
El diodo: dipolo no lineal
0
I
V
0 0.0000
Polarizacin directa
Curva caracterstica
e
T
q
kT
V =
V
T
(300 K) = 25.85 mV
k (Constante de Boltzmann) = 1.3810
-23
JK
-1
|
.
|

\
|
= 1 e I I
T
V
V
0
-0,05
0,05
0,15
V (V)
I

(
m
A
)
I
o
I
0
: Corriente inversa de saturacin
0,4 0,6 0,8 0,2
I
0
< A
Aproximaciones o modelos del diodo
En el modelo del diodo ideal se
equipara ste a un cortocircuito o a
un circuito abierto, segn cmo
est conectado.
R
I I
I
1 aproximacin: diodo ideal
R
V
I
Aproximacin lineal (2)
Se considera que el diodo conduce sin
resistencia por encima de la tensin umbral, y
no conduce por debajo de la misma. Esto
equivale a considerar un diodo como un
interruptor o un diodo ideal en serie con un
receptor.
V
U
= 0.3 V para el diodo de Ge
V
U
= 0.7 V para el de Si.
mA 3 . 5
1
7 . 0 6
0
=

=
k R
V V
I
U
V
U V
I
R=1kO
V
0
= 6V
I
V
U
=0.7 V
R=1kO
I
V
0
= 6V
Aproximacin lineal (3)
La 3 aproximacin es
un diodo ideal con una
resistencia en serie y
una fuente de tensin.
R=1kO
V
0
= 6V
I
R
d
= 500 O
V
U
=0.7 V
mA 5 . 3
500 1000
7 . 0 6
0
=
+

=
R
V V
I
U
R=1kO
V
0
= 6V
I
-0,05
0,05
0,15
V (V)
I

(
m
A
)
I
o
0,4 0,6 0,8 0,2
V
u

V = V
u
+ IR
d

AV
AI
R
d
= AV/AI
I
D

V
D

Diodo ideal
(1 aproximacin)
Tres modelos de diodo
I
D

V
D

R
D

R
D
V
U

V
U

Modelo lineal
(3 aproximacin)
V
U

I
D

V
D

V
U

Modelo simplificado
(2 aproximacin)
Influencia de la temperatura
-0.1
0
0.1
0.2
-70 -20 30 80 V (mV)
I

(
m
A
)
300 K
310 K
320 K
e
T
q
kT
V =
kT
E
3
0
g
e CT I

=
E
g
: Anchura de la banda prohibida en J y 300 K.
k: Constante de Boltzmann.
C: Coeficiente caracterstico de cada semiconductor.
Capacidad de la unin p-n
V
0

r
E
x
p
x
n

p n
-qN
A
+qN
D

x
p
x
n

-qN
A

+qN
D

Varactores
El diodo como rectificador
t
V
~
salida
t
V
t
V
~
~
Salida
De media onda:
De onda completa:
Diodo Zener
El diodo Zener funciona en
polarizacin inversa utilizando
el fenmeno de conduccin por
ruptura o avalancha.
Para una tensin inversa dada,
llamada tensin Zener, sta se
mantiene constante aunque la
corriente vare.
En polarizacin directa
funciona como un diodo
normal.
Tensin Zener
V
z

V
I
Se debe a una fuerte generacin de portadores en la
zona de transicin debido a estas dos causas:

Multiplicacin por avalancha

Ruptura Zener
Regin Zener
En la prctica, ambos fenmenos se confunden. Se habla
de zona zener y de tensin zener y de zona de
avalancha y de tensin de avalancha.
zona de transicin
P ligeramente dopado N altamente dopado
Se produce con tensiones inversas mayores de 5 V. El campo elctrico acelera
los portadores minoritarios que atraviesan la zona de transicin con la energa
cintica suficiente para romper enlaces covalentes generando ms portadores. Si
el campo es suficientemente intenso, los nuevos portadores vuelven a chocar y
generar ms portadores. Se produce una reaccin en cadena que genera
muchsimos portadores. El dopado controla el fenmeno de avalancha: cuanto
ms dbil es, a mayor tensin se produce.
avalancha de electrones
Portador
minoritario
Multiplicacin por avalancha
Para tensiones por debajo de 5 V. El campo elctrico es suficientemente
intenso como para romper directamente enlaces. Ambos dopados deben ser
muy intensos (~10
24
tomos/m
3
).
Ruptura Zener
zona de transicin
P altamente dopado N altamente dopado
V
z

R
V
0

V
s

V
z



Modelizacin del diodo Zener
V
I
R
V
0

V
s
< V
z

No conduce
V
s
< V
z
V
z

R
V
0

V
s
= V
z

V
s
= V
z
Conduce
Diodo Zener: aplicaciones
V
z
=5V
R=1kO
V
0
= 6V
I
Las tensiones V
z
~ [3 - 20V]
mA 1
k 1
5 6
R
V V
I
z 0
=

=
P = V
z
I = 5V1mA = 5 mW
V
s

V
s
= V
Z
=
5V
t
V
t
V
V
s
= V
z
Regulador de
tensin
Atenuador de
rizado
V
z

V
0

V
s

V
rizada

Diodo Schottky
Basado en una unin metalsemiconductor.
No existen portadores minoritarios en la parte
metlica, por lo que el tiempo de recuperacin
inverso es mucho menor.
Se polariza de modo directo conectando el
semiconductor tipo n al ctodo, y el metal al
nodo
Existe zona de carga espacial slo en el lado
semiconductor.
El flujo de corriente no se debe a la difusin
de portadores como en la unin p-n.
En ambos lados el portador mayoritario es el
electrn.
Rectifica corrientes alternas del orden de los
GHz.
-
metal (W,
Mo,...)
n
+
+ -
+ -
+ -
+ -
+ -
+ -
+ -
+ -
+ -
+ -
En cualquier unin p-n polarizada de
modo directo existe en la zona de
unin una recombinacin de huecos y
electrones.
En los diodos de silicio y germanio la
energa emitida en la recombinacin
es mayoritariamente en forma de
calor.
En los de GaAsP y GaP es, de modo
significativo, en forma de luz visible:
electroluminiscencia.
Diodos emisores de luz (LED)
P N
BANDA DE CONDUCCIN
FOTN
BANDA DE VALENCIA
Color de la luz emitida por LED
GaAs dopado con Zn
GaP dopado con N
GaP dopado con Zn
SiC, ZnSe
GaAs
0.6
P
0.4
GaAs
0.35
P
0.65
GaAs
0.15
P
0.85
IR
V (V)
I
1 2 3
35 kO
0.7 V
10 V
i
2 kO
7 V
i
Intensidad a travs del diodo
30 kO
10 kO
5 kO
0.3 V
12 V
i
2
i
1

i
12 = 30i + 5i
1
+ 0.3
12 = 30i + 10(i - i
1
)
i
1
= 0.216 mA
Intensidad a travs del diodo
70 kO
10 kO
30 kO
0.7 V
0.25 O
20 V
J
2

A 6 . 43
40 10
10 80
7 . 0 10
20 80
J
2
=

=
Tema siguiente
Intensidad a travs del diodo
El diodo como rectificador
t
5 V
0,7 V
V
4,3 V
~
salida
Si V
u
= 0,7 V