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comportarse como conductores o como aislantes. Resulta que se desean variaciones de la conductividad no con la temperatura sino controlables elctricamente por el hombre.
Son propiedades semiconductoras que se encuentra en estado puro, es decir que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura, sino en forma natural. Entre ellos tenemos:
Estructura cristalina de un semiconductor intrnseco, compuesta solamente por tomos de silicio (Si) que forman una celosa. Como se puede observar en la ilustracin, los tomos de silicio (que slo poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia), se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear as un cuerpo slido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se comportar igual que si fuera un cuerpo aislante.
Cuando los electrones libres llegan la extremo derecho del cristal, entran al conductor externo (normalmente un hilo de cobre) y circulan hacia el terminal positivo de la batera. Por otro lado, los electrones libres en el terminal negativo de la batera fluiran hacia el extremos izquierdo del cristal. As entran en el cristal y se recombinan con los huecos que llegan al extremo izquierdo del cristal. Se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del semiconductor.
Si un electrn de valencia se convierte en electrn de conduccin deja una posicin vacante, y si aplicamos un campo elctrico al semiconductor, este hueco puede ser ocupado por otro electrn de valencia, que deja a su vez otro hueco. Este efecto es el de una carga +e movindose en direccin del campo elctrico. A este proceso le llamamos generacin trmica de pares electrn-hueco
Anteriormente hemos visto que los semiconductores intrnsecos eran aquellos que no tenan impurezas, esto es, todos son tomos de Si
Y as sucesivamente con el resto de energas se van creando Bandas de Energa (grupos de niveles energticos). El resultado es el siguiente:
Como es difcil sacar un electrn de las bandas inferiores, no nos interesan las 2 bandas inferiores, no las tendremos en cuenta, as tendramos:
Estas 2 bandas son las creadas por los 4 electrones de la ltima rbita del tomo. A 0 K los 4 electrones de cada tomo estn en la Banda de Valencia (cada uno en un radio o energa permitido).
BC = Banda de Conduccin
BV = Banda de Valencia
A 300 K (27 C, temperatura ambiente) o a mayor temperatura, algn electrn puede conseguir suficiente energa como para pasar a la Banda de Conduccin, dejando as un hueco en la Banda de Valencia.
Recordar que a esto le llambamos Generacin Trmica de Pares electrn libre-hueco. Cuanto ms aumente la temperatura, ms electrones suben debido a la generacin trmica. Por eso un semiconductor a 0 K no conduce y si aumenta la temperatura conduce ms. Ahora veremos que es lo que ocurre con los semiconductores con impurezas.
En los semiconductores intrnsecos la energa de Fermi (EF) se ubica aproximadamente entre la energa del mayor nivel de la banda de valencia (EV) y la energa del menor nivel de la banda de conduccin (EC). Teniendo en cuenta la funcin de probabilidad de Fermi-Dirac, la probabilidad de encontrar niveles de energa, ocupados en la banda de conduccin, es muy pequea y la probabilidad de encontrar electrones en la banda de valencia es muy alta. Como el ancho de la banda de energa prohibida es muy pequeo, entonces muchos electrones se excitan trmicamente de la banda de valencia a la banda de conduccin, y la aplicacin de un pequeo voltaje puede aumentar con facilidad la temperatura de los electrones en la banda de conduccin, producindose una corriente moderada. La conductividad de los semiconductores depende mucho de la temperatura y se incrementa con sta. En contraste con la conductividad de los metales, que disminuye con la temperatura.
En un semiconductor intrnseco la energa de Fermi se ubica en la mitad de la banda prohibida, entre las energas EC y EV.
Impurezas de valencia 5 (Arsnico, Antimonio, Fsforo). tenemos un cristal de Silicio dopado con tomos de valencia 5 Los tomo de valencia 5 tienen un electrn de ms, as con una temperatura no muy elevada (a temperatura ambiente por ejemplo), el 5 electrn se hace electrn libre. Esto es, como solo se pueden tener 8 electrones en la rbita de valencia, el tomo pentavalente suelta un electrn que ser libre.
Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio). Tenemos un cristal de Silicio dopado con tomos de valencia 3. Los tomo de valencia 3 tienen un electrn de menos, entonces como nos falta un electrn tenemos un hueco. Esto es, ese tomo trivalente tiene 7 electrones en la orbita de valencia. Al tomo de valencia 3 se le llama "tomo trivalente" o "Aceptor".
A estas impurezas se les llama "Impurezas Aceptoras". Hay tantos huecos como impurezas de valencia 3 y sigue habiendo huecos de generacin trmica (muy pocos). El nmero de huecos se llama p (huecos/m3).
Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio, los dopantes ms comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V. Boro, Arsnico, Fsforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al Silicio.
Ejemplo de dopaje de Silicio por el Fsforo (dopaje Tipo N). En el caso del Fsforo, se dona un electrn
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para
Es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. Fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritariosy los huecos son los portadores minoritarios . A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.
Es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre. As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los arteriales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un electrn y, por tanto, es donado un hueco de electrn. La cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos.
En el doping tipo p, la creacin de agujeros, es alcanzada mediante la incorporacin en el silicio de tomos con 3 electrones de valencia, generalmente se utiliza boro.(9)
Un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin En la produccion de semiconductores , se denomina dopaje al
http://www.google.com.pe/imgres?q=SEMICONDUCTORES+S%C3%8DMBOLO+D EL+GERMANIO&um=1&hl=es419&tbo=d&biw=1360&bih=599&tbm=isch&tbnid=VTpqR0wZhP1hM:&imgrefurl=http://www.mcgrawhill.es/bcv/tabla_periodica/element/elemento32.html&docid=awDOhluxrwhQ PM&imgurl=http://www.mcgrawhill.es/bcv/tabla_periodica/imagenes/elemento32.gif&w=115&h=149&ei=0Gv MULnfEoGe8gTAsIC4Dw&zoom=1&iact=hc&vpx=2&vpy=161&dur=32&hovh=119& hovw=92&tx=59&ty=86&sig=101936622374441885448&page=1&tbnh=119&tbnw =92&start=0&ndsp=22&ved=1t:429,r:0,s:0,i:82 http://www.google.com.pe/imgres?q=ESTRUCTURA+CRISTALINA+DE+UN+SE MICONDUCTOR+INTR%C3%8DNSECO&um=1&hl=es419&tbo=d&biw=1360&bih=599&tbm=isch&tbnid=j5AbECK5CXKSM:&imgrefurl=http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_se miconductor_4.htm&docid=pUz7Oz4YUIYsM&imgurl=http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconduct or/img_semicond/12_sc_200px.jpg&w=200&h=203&ei=3WzMUJTdCJOy8ATTjI D4Dw&zoom=1&iact=hc&vpx=331&vpy=141&dur=984&hovh=162&hovw=160& tx=99&ty=89&sig=101936622374441885448&page=1&tbnh=139&tbnw=133&st art=0&ndsp=23&ved=1t:429,r:2,s:0,i:88
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http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)
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