SEP

SNEST

DGEST

INSTITUTO TECNOLGICO DE TOLUCA MOSFET (TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL-OXDO-SEMICONDUCTOR)

ASIGNATURA: ELECTNICA I. EQUIPO 5. INTEGRANTES: -NICE ALEJANDRA SEGOVIANO GMEZ. -ROMMEL GALICIA MINA. -JONATN RANGEL CASTILLO. -NAHUM JONATAN MICHEL DOMNGUEZ.

Metepec, Estado de Mxico a 18 de Julio de 2012.

 Es

un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. El transistor MOSFET est basado en la estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales.

 Los

MOSFET, son muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos es que, en los MOS, la puerta est aislada del canal, consiguindose de esta forma que la corriente de dicho terminal sea muy pequea, prcticamente despreciable. Debido a este hecho, la resistencia de entrada de este tipo de transistores es muy elevada, lo que les convierte en componentes ideales para amplificar seales muy dbiles.

 En

circuitos de tipo CMOS, Como resistencia controlada por tensin. En circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta. En convertidores de alta frecuencias y baja potencia. Pueden configurarse como amplificadores inversores de tensin, seguidores de tensin, seguidores de corriente

~Consumo en modo esttico muy bajo. ~Tamao muy inferior al transistor bipolar (media micra aprx.). ~Son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la compuerta es del orden de los nanos amperios. ~La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. ~La curva caracterstica de salida no es plana en su Zona de Saturacin, tiene una ligera pendiente positiva, determinada por la longitud del canal. ~La mxima corriente viene limitada por la capacidad de disipacin de potencia del componente. ~Sensible a descargas electroestticas ~El incremento de temperatura produce una disminucin de la tensin umbral Compuerta-Fuente (GS).

 Corte:

De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin el dispositivo se encuentra apagado. No hay conduccin entre el surtidor y el drenador, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto.

 No

saturacin: Al polarizarse la puerta con una tensin mayor que la tensin de umbral, se crea una regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (huecos en pMOS, electrones en nMOS) en la regin de deplexin que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dar lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de puerta.

 Saturacin:

Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debido al campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales. Si estando en la zona de saturacin se aumenta mucho VDS se produce la ruptura del componente.

 Su

construccin bsica es la mostrada en la imagen. Canal n.

Canal p.
Su

construccin es opuesta a la del canal n, su sustrato es tipo n y su canal tipo p, las corrientes y las polaridades de los voltajes son inversas a los de canal n al igual que sus grficas, las cuales se presentarn como un espejo al analizarlas juntas.

 Su

construccin bsica es la mostrada en la imagen. Canal n

 Canal

Una de las desventajas del MOSFET tpico son los bajos niveles de manejo de potencia (por lo general, menos de 1W) en comparacin con los transistores BJT. Pero es posible superar esta insuficiencia con un cambio en su forma de construccin.