Materiais

Vincius Salem

Materiais Metlicos
apresentam um grande nmero de eltrons livres;

so excelentes condutores de eletricidade e calor;

no so transparentes luz;

http://www.leometais.com.br/

A Inveno do Milnio
Johannes Gutenberg (c.1397-1468) iniciou experincias com a fundio de tipos ou caracteres metlicos (chumbo) durante a dcada de 1440.

http://www.google.com.br/imgres?imgurl=http://jornalonline.net/site/prensa-de-gutemberg.gif&imgrefurl=http://jornalonline.net/historia-jornal-nomundo&h=380&w=387&sz=66&tbnid=Uo-uG9x94HCCM:&tbnh=90&tbnw=92&prev=/search%3Fq%3Dprensa%2Bde%2Bgutenberg%26tbm%3Disch%26tbo%3Du&zoom=1&q=prensa+de+gutenberg&d ocid=WRKjCiaDeZSkDM&hl=pt-BR&sa=X&ei=YWswT4_OFKTl0QH8v6m1DA&ved=0CEgQ9QEwAw&dur=1635

Materiais cermicos
So normalmente combinaes de metais com elementos no metlicos; Eles so tipicamente isolantes trmicos e eltricos; Apresentam grau de dureza muito elevada.

http://www.google.com.br/imgres?q=argila&um=1&hl=ptBR&biw=1366&bih=673&tbm=isch&tbnid=sUe121WYZQY1AM:&imgrefurl=http://br.freepik.com/foto s-gratis/argila-amarelaidade_168418.htm&docid=IewS8ve4oTxkmM&imgurl=http://static.freepik.com/fotos-gratis/argilaamarelaidade_14424027.jpg&w=558&h=626&ei=04wwT779CMLX0QGI4InsBw&zoom=1&iact=hc&vpx=918&v py=320&dur=3017&hovh=238&hovw=212&tx=82&ty=120&sig=100823446059918415687&page=2&tb nh=158&tbnw=141&start=19&ndsp=24&ved=1t:429,r:22,s:19

 Os vidros tradicionais so misturas de xidos e devem ser classificados como materiais cermicos; A grande maioria (99%) da produo atual, em peso, de vidros pertence aos trs tipos: SiO2(slica) - Na2O(soda) CaO(cal);

Fibra ptica

Materiais polimricos
Os polmeros so constitudos de macromolculas orgnicas, sintticas ou naturais. so baseados nos tomos de carbono, hidrognio, nitrognio, oxignio, flor e em outros elementos no metlicos.

http://qsustentavel.blogspot.com/2012/01/tecnico-em-polimeros-ou-tecnico-em.html

Macromolculas Orgnicas
macromolculas sintticas orgnicas: plsticos, em geral macromolculas naturais orgnicas. Exemplos: algodo, madeira, l, borracha natural;

http://campinews.blogspot.com/2011/06/clima -seco-prejudica-plantio-de-algodao.html

http://campinews.blogspot.com/2011/06/climaseco-prejudica-plantio-de-algodao.html

Macromolculas Inorgnicas
- macromolculas naturais inorgnicas. Exemplos: diamante, grafite, slica;
- macromolculas sintticas inorgnicas. Exemplos: cido polifosfrico;

Diamante: Macromolculas naturais inorgnicas

http://www.google.com.br/imgres?q=diamante&um=1&hl=ptBR&biw=1366&bih=673&tbm=isch&tbnid=5nCoNVI4XbhAxM:&imgrefurl=http://www.adorojoias.com .br/category/diamantes/&docid=6-vRFtKQxJIt_M&imgurl=http://www.adorojoias.com.br/wpcontent/uploads/Diamante.jpg&w=368&h=368&ei=H5IwTeBDITi0QGAwPjKBw&zoom=1&iact=hc&vpx=346&vpy=169&dur=710&hovh=225&hovw=225&tx=128 &ty=107&sig=100823446059918415687&page=1&tbnh=137&tbnw=132&start=0&ndsp=21&ved=1t:4 29,r:1,s:0

Classificao Geral dos Polmeros

Termoplsticos: podem ser repetidamente conformados mecanicamente desde que reaquecidos;

Termorgidos: So conformveis plasticamente apenas em um estgio intermedirio de sua fabricao, como a baquelite;

 elastmeros (borrachas): so estruturalmente similares aos termo-plsticos, isto , eles so parcialmente cristalinos;

Borracha natural
http://www.google.com.br/imgres?q=borracha+natural&um=1&hl=ptBR&biw=1366&bih=673&tbm=isch&tbnid=DqyekS12UjLueM:&imgrefurl=http://www.deltamt.com.b r/prod_luvas.php&docid=Cnxw1eGSlBgOIM&imgurl=http://www.deltamt.com.br/images/52_grande. jpg&w=329&h=296&ei=NxcxT7LXLYmJtweZ_KCgBw&zoom=1&iact=hc&vpx=542&vpy=4&dur=322&h ovh=213&hovw=237&tx=160&ty=139&sig=100823446059918415687&page=2&tbnh=152&tbnw=179 &start=19&ndsp=24&ved=1t:429,r:2,s:19

Borracha sinttica
http://www.google.com.br/imgres?q=borracha+natural&um=1&hl=ptBR&biw=1366&bih=673&tbm=isch&tbnid=DqyekS12UjLueM:&imgrefurl=http:// www.deltamt.com.br/prod_luvas.php&docid=Cnxw1eGSlBgOIM&imgurl=http:// www.deltamt.com.br/images/52_grande.jpg&w=329&h=296&ei=NxcxT7LXLYmJ tweZ_KCgBw&zoom=1&iact=hc&vpx=542&vpy=4&dur=322&hovh=213&hovw=2 37&tx=160&ty=139&sig=100823446059918415687&page=2&tbnh=152&tbnw=1 79&start=19&ndsp=24&ved=1t:429,r:2,s:19

Materiais compsitos
Buscam unir caractersticas desejveis de dois ou mais materiais;

A fibra de vidro confere resistncia mecnica, enquanto a matriz polimrica, responsvel pela flexibilidade do compsito;

O tomo
O primeiro defensor da teoria atmica foi o filsofo grego Demcrito (520-440 a.C.)

http://www.google.com.br/imgres?imgurl=http://www.grupoescolar.com/a/b/0BEB0.jpg&imgrefurl=http://www.grupoescolar.com/pesqu isa/o-que-e-umatomo.html&h=375&w=500&sz=40&tbnid=TyHzjfW2Euda_M:&tbnh=90&tbnw=120&prev=/search%3Fq%3Do%2Batomo%26tbm%3Disch% 26tbo%3Du&zoom=1&q=o+atomo&docid=5vU7NMCps3SvHM&hl=pt-BR&sa=X&ei=fyUxT4H4MMf4ggfkj8WwBQ&ved=0CFgQ9QEwCA

 Por volta de 1805, o cientista ingls John Dalton (17661844) formulou as leis das propores definidas e das propores mltiplas:

i) a matria constituda de pequenas partculas chamadas tomos;

ii) o tomo indivisvel e sua massa e seu tamanho so caractersticos para cada elemento qumico; iii) os compostos so formados de tomos de diferentes elementos qumicos.

O modelo de tomo de J.J. Thomson

Segundo Thomson, o tomo era uma esfera de eletricidade positiva e no seu interior estavam distribudos os eltrons de carga negativa;

O tomo segundo Thomsom:

http://grupoquimicaatomos.blogspot.com/2011/04/evolucao-dos-modelos-atomicos.html

O modelo de tomo de Rutherford

Rutherford chegou a concluso de que a massa e a carga eltrica positiva do tomo estava concentrada em uma regio central muito pequena (ncleo), e os eltrons girariam em torno do ncleo;

PADILHA, Materiais de Engenharia; 2000

Mas o modelo de Rutherford apresentava uma sria contradio; o tomo entraria em colapso e a matria estaria se contraindo
PADILHA, Materiais de Engenharia; 2000

O modelo de tomo de Bohr

O primeiro postulado de Bohr afirmava que os eltrons de um tomo somente podem mover-se em determinadas rbitas circulares ao redor do ncleo sem absorverem nem emitirem energia;

Representao do tomo de alumnio segundo o modelo de Bohr.

PADILHA, Materiais de Engenharia; 2000

 O segundo postulado de Bohr afirma que, em circunstncias apropriadas, o eltron pode passar de um nvel para outro.

http://www.google.com.br/imgres?q=el%C3%A9tron+excitado&um=1&hl=ptBR&sa=N&biw=1366&bih=673&tbm=isch&tbnid=jKrnMRyComnUcM:&imgrefurl=http://www.profpc.com.br/evolu%2 5C3%25A7%25C3%25A3o_at%25C3%25B4mica.htm&docid=MWbp1_45bgZJjM&imgurl=http://www.profpc.com.br/FI G7.JPG&w=393&h=344&ei=iV8xT7O7GY630AH5opTYBw&zoom=1&iact=hc&vpx=539&vpy=144&dur=3052&hovh=210 &hovw=240&tx=81&ty=150&sig=103697225715518195344&page=1&tbnh=144&tbnw=165&start=0&ndsp=18&ved=1 t:429,r:2,s:0

O modelo de tomo de Sommerfeld

O fsico Arnold Sommerfeld (1868-1953) props que os eltrons de um mesmo nvel no esto igualmente distanciados do ncleo porque as trajetrias, alm de circulares, como propunha Bohr, tambm podem ser elpticas.

Esses subgrupos de eltrons receberam o nome de subnveis e podem ser de at 4 tipos: s, p, d e f.

http://pt.wikipedia.org/wiki/Ficheiro:Sommerfeld1897.gif

A distribuio eletrnica em nveis e subnveis facilitada pelo uso do diagrama de Linus Carl Pauling (1901-1992)

PADILHA, Materiais de Engenharia; 2000

O diagrama de Linus C. Pauling

Exemplo: 11Na: 1s2 2s2 2p6 3s1

 Com o auxlio da tabela peridica, o estudo da qumica torna-se muito mais sistemtico. A organizao da tabela peridica est relacionada com a configurao eletrnica dos tomos; Abaixo, temos uma das verses da tabela peridica de Mendeleyev, comparada com outra verso muito mais recente:

http://www.google.com.br/imgres?imgurl=http://www.conteudoglobal.com/Image/cultura/tabelamendeleev.GIF&imgrefurl=http://www.conteudoglobal.com/cultura/tabela_periodica/index. asp%3Faction%3Dclassificacoes_periodicas_elementos_antigas%26nome%3DClassifica%25E7%25F5es%2BPeri%25F3dicas%2Bdos%2BElementos%2BAntigas&h=367&w=528&sz=11&tbnid=uga yro5TrR4q5M:&tbnh=90&tbnw=129&prev=/search%3Fq%3Dtabela%2Bde%2Bmendeleev%26tbm%3Disch%26tbo%3Du&zoom=1&q=tabela+de+mendeleev&docid=gbhnMo0AuqjQIM&hl=ptBR&sa=X&ei=lnIxT-fYPMX40gHTu62BCA&sqi=2&ved=0CDMQ9QEwAg&dur=738

PADILHA, Materiais de Engenharia; 2000

As Ligaes Atmicas
As ligaes qumicas unem os tomos, porm nem todos os tomos conseguem formar ligaes;

O descobrimento do eltron em 1897, possibilitou o desenvolvimento das teorias de valncia e das ligaes qumicas;

Em 1901-1902, o qumico Gilbert N. Lewis tentou explicar a tabela peridica em termos de distribuio eletrnica.
http://www.google.com.br/imgres?imgurl=http://www.nilsonantoniobrena.xpg.c om.br/lewis.jpg&imgrefurl=http://www.nilsonantoniobrena.xpg.com.br/leia_ago ra_chuva_acida.html&h=640&w=483&sz=62&tbnid=iMmmkroDyGBdOM:&tbnh= 90&tbnw=68&prev=/search%3Fq%3Dgilbert%2Blewis%26tbm%3Disch%26tbo%3 Du&zoom=1&q=gilbert+lewis&docid=F_0geNSgeluYfM&hl=ptBR&sa=X&ei=S7UxT933GIOQ0QHRzcT2Bw&ved=0CDAQ9QEwAQ&dur=2602

Os tipos de ligaes
As ligaes interatmicas podem ser classificadas quanto suas intensidades em ligaes primrias ou fortes e ligaes secundrias ou fracas. As ligaes primrias so cerca de dez vezes mais fortes que as ligaes secundrias.

Ligaes Primrias
Ligao inica; Ligao Covalente; Ligao Metlica;

Ligao Inica
A ligao pode ser entendida como resultado da atrao entre os ons negativo (nion) e positivo (ction);

encontrada na maioria dos sais e nos xidos e sulfetos metlicos.

PADILHA, Materiais de Engenharia; 2000

Ligao covalente
Este compartilhamento muito comum na maioria das molculas orgnicas;

Ao lado, a formao da molcula de gua por meio de ligao covalente.

PADILHA, Materiais de Engenharia; 2000

Outro material que tem ligao covalente predominante o diamante (carbono).

Ligao metlica
Os tomos metlicos tornam-se ctions com facilidade, pois seus eltrons de valncia no esto to presos ao ncleo;

Ao lado, a ligao metlica entre dois tomos de sdio:

PADILHA, Materiais de Engenharia; 2000

Ligao do tipo van der Waals

Atrao entre dipolos permanentes (H-Cl); Atrao entre dipolos permanentes e dipolos induzidos; Ligao ou ponte de hidrognio.

Ao lado, representao esquemtica da fora de atrao fraca:

Os materiais e os tipos de ligao

Geralmente, mais de um tipo de ligao atua em um material.

Os materiais polimricos apresentam ligao covalente (forte) entre os tomos na cadeia da macromolcula e ligao secundria (fraca) intercadeia.

Estrutura Cristalina
A suspeita de que as formas externas de um cristal poderiam estar relacionadas com sua ordem interna relativamente antiga.

Nem todos os slidos so cristalinos. Alguns, como os vidros e as resinas termorgidas so totalmente amorfos.
http://samuelrobaert.blogspot.com/2010/08/o-estadocristalino.html

Os reticulados de Bravais
As substncias amorfas so habitualmente isotrpicas. Arranjo infinito e tridimensional;

A cada ponto do reticulado pode estar associado mais de um tomo.

Segundo Bravais, os pontos do reticulado podem estar arranjados de 14 maneiras diferentes:

Reticulados Primitivos
Os reticulados primitivos apresentam pontos reticulares apenas nos vrtices da clula.

a=b=c === 90

a=bc === 90

abc === 90

abc == 90; > 90

Retculos de Corpo Centrado (I)

Os reticulados de corpo centrado apresentam pontos reticulares no interior da clula.

Retculos Cbicos de Faces Centradas (F)

Os reticulados do tipo F apresentam pontos reticulares no centro das suas faces.

Reticulados de Base Centrada (C)

A designao C para os reticulados de base centrada se deve ao fato de que eles apresentam pontos reticulares nas faces perpendiculares ao eixo c.

Outros Reticulados de Bravais

a=bc == 90; = 120

a=b=c 90 abc 90

Os cristais metlicos
Os tomos metlicos podem ser considerados esferas rgidas e disto decorre a grande propenso que eles tm cristalizao;
Abaixo, a estrutura cristalina dos principais metais puros.

Materiais que apresentam diferentes estruturas cristalinas podem sofrer em consequncia disto deformaes plsticas com a variao de presso e temperatura;

- Clulas unitrias

Estrutura CFC

Estrutura CCC

Considerando-se a diagonal da face na estrutura CFC obtmse a relao:

E para a estrutura CCC obtemos:

Lembrando que o raio atmico no depende apenas do elemento ou substncia mas tambm da sua estrutura cristalina

Nmero de Coordenao
O nmero de vizinhos mais prximos de um tomo em uma determinada estrutura denominado nmero de coordenao.
Podemos inferir com base nas figuras abaixo que o nmero de coordenao das estruturas CFC e CCC so 12 e 8, respectivamente:

O grau de ocupao e quantidade de vazios (interstcios) tambm diferente para as duas estruturas da figura; Este grau de ocupao denominado fator de empacotamento atmico (FEA)

RETICULADOS CRISTALINOS MAIS IMPORTANTES:

CCC CBICO DE CORPO CENTRADO
- Exemplos de metais CCC: (Fe), (Cr), (Mo), (Ta), (W); -N de coordenao: 8 -Parmetro do reticulado:

CFC - CBICO DE FACES CENTRADAS

Exemplos de metais CFC: (Al), (Cu), (Au), (Pb), (Ni), (Pt), (Ag); Parmetro do reticulado:

ALOTROPIA
A estrutura cristalina de equilbrio dependente da temperatura e da presso; o exemplo clssico o carbono que pode ser amorfo, grafita ou diamante.
Alotropia do Fe puro:

 Em um plano compacto como o das redes HC e CFC, cada tomo circundado por seis tomos. Sobre e sob este plano, so colocados planos iguais. No plano de cima existem trs tomos em contato com cada tomo do plano do meio.

Uma maneira conveniente de se visualizar os cristais por meio do empilhamento dos seus planos mais compactos.

Nos planos cristalinos compactos, como aquele marcado com o tringulo, cada tomo possui seis vizinhos mais prximos.

No h plano mais denso que este. Este plano perpendicular diagonal da clula unitria da rede, (111).

Os cristais inicos
A ligao predominante na maioria dos materiais cermicos a inica. Os ctions, geralmente metais que cedem eltrons, so habitualmente menores que os nions. O nmero de coordenao, que neste caso o nmero de nions envolvendo um ction, depende da relao entre o raio inico do ction (Rc) e o raio inico do nion (Ra); Rc/Ra.

 Estruturas cermicas estveis so formadas quando os nions que envolvem os ctions esto em contato entre si, como observamos na formao do CsCl :

Tomando-se os valores dos raios inicos do Cs+ (0,170 nm) e do Cl-(0,181 nm), podemos concluir de acordo com a tabela abaixo, que o nmero de coordenao esperado 8

Dependncia do nmero de coordenao com a relao rc/ra.

A figura abaixo mostra a clula unitria do NaCl; O nmero de coordenao esperado 6, onde pode-se notar que realmente 6 nions rodeiam ou envolvem cada ction.

Clula unitria cbica de faces centradas do cloreto de sdio.

Os cristais covalentes
Numerosos materiais cermicos tm um determinado carter covalente nas suas ligaes qumicas;

O exemplo mais familiar de cristal covalente o diamante, em que cada tomo de carbono est ligado (por ligaes covalentes) a quatro outros tomos de carbono:

 O carboneto de silcio ( - SiC ) outro exemplo tpico de cristal cermico predominantemente covalente.

Clula unitria cbica de faces centradas do - SiC.

Os quase-cristais
Estudos na dcada de 80 revelaram simetrias que no se adequavam com nenhum dos 14 reticulados de Bravais; Os chamados quase-cristais intermediavam entre um cristal e um slido amorfo.

Arranjo dos tomos em um quasecristal (liga alumnio-mangans).

Direes e Planos Cristalogrficos

Para estudarmos os materiais, frequentemente necessrio especificar determinadas direes e determinados planos cristalinos. Para esta finalidade utilizado um sistema proposto por William Hallowes Miller (1801-1880).

Ao lado, o mineralogista britnico William Hallowes Miller (1801-1880).

http://www.google.com.br/imgres?q=William+Hallowes+Miller&um=1&hl=ptBR&sa=N&biw=1366&bih=673&tbm=isch&tbnid=uOo60K8tvvmS7M:&imgrefurl=http://beling. net/articles/about/Henri_Hureau_de_S%25C3%25A9narmont&docid=uoKyEFuaD0ZdTM&img url=http://www.ulbra.br/mineralogia/imagens/william_hallowes_miller.gif&w=146&h=203&ei =ZB8zT5mrJMLa0QG1pLznBw&zoom=1&iact=hc&vpx=343&vpy=81&dur=575&hovh=162&hov w=116&tx=84&ty=113&sig=103697225715518195344&page=1&tbnh=144&tbnw=110&start= 0&ndsp=25&ved=1t:429,r:1,s:0

ndices de Miller: direes cristalogrficas

Uma direo cristalogrfica definida como sendo uma linha entre dois pontos, ou um vetor. Coordenadas so expressas em termos dos parmetros de rede da clula cristalina; Quaisquer direes paralelas so equivalentes;

ndices de Miller: planos cristalogrficos

Determina-se os interceptos dos planos com os eixos em termos dos parmetros a, b e c da clula unitria;

Exemplo de indexao de um plano cristalogrfico no sistema proposto por Miller.

Os ndices negativos so representados por uma barra superior; A troca de sinal de todos os ndices inverte o sentido do vetor. Para algumas estruturas, vrias direes no paralelas e com ndices diferentes apresentam arranjos atmicos idnticos.

ndices de Miller Intersees do plano (hkl) com os eixos da base direta e direo (hkl) :

http://pt.wikipedia.org/wiki/Ficheiro:%C3%8Dndices_de_Miller_Interse%C3%A7%C3%B5es_do_plano_( hkl)_com_os_eixos_da_base_direta_e_dire%C3%A7%C3%A3o_hkl.png

 Se as intersees x, y e z forem 1, 3, 5, os ndices de Miller so calculados da seguinte forma: Tomar os valores recprocos: 1/1, 1/3, e 1/5

Reduzir aos menores termos inteiros: (15 5 3)

Por conveno, os ndices de Miller de um plano so representados entre parnteses;

 Estes nmeros so multiplicados por fatores comuns obtendo-se nmeros inteiros e no necessariamente mnimos.

Para determinarmos o ndice de Miller referentes uma direo cristalogrfica, necessrio:

O vetor deve passar pela origem do sistema; Determinar a projeo do vetor em cada um dos trs eixos. Elas so medidas em termos dos parmetros a, b e c da clula unitria; Estes nmeros so multiplicados e divididos por fatores comuns e reduzidos a mnimos inteiros;

Exemplo de indexao de uma direo cristalogrfica no sistema proposto por Miller.

Planos paralelos so equivalentes e tm ndices idnticos ou mltiplos;

Distncias e ngulos entre planos - Relaes entre o espaamento interplanar (d ), os parmetros de reticulado (a, b,c), os ngulos entre planos (, , ) e os planos (h k l ):

Cbico:

a=b=c === 90

Tetragonal:

a=bc === 90

 Hexagonal:

Diagrama axial do sistema hexagonal

Rombodrico

a=b=c 90

Ortorrmbico:

abc
=== 90

Monoclnico:

abc == 90; > 90

ngulo entre planos cristalinos nos diversos sistemas:

Cbico:

 Tetragonal:

a=bc === 90

Hexagonal

a=bc == 90; = 120

Ortorrmbico:

abc

=== 90

ndices de Miller-Bravais: direes cristalogrficas

No sistema de Miller-Bravais, utilizamos um sistema de quatro eixos, pois no sistema hexagonal, por exemplo, algumas direes cristalogrficas equivalentes no tm os mesmos ndices de Miller;

Neste sistema, trs eixos (a1, a2 e a3) esto contidos no plano basal e fazem ngulos de 120 entre si. O quarto eixo (z ou c) perpendicular ao plano basal:

 Uma determinada direo cristalogrfica representada pelos ndices de Miller *u v w+ pode ser convertida para o sistema de Miller-Bravais com ndices [uvtw] com auxlio das seguintes equaes:

Onde n nmero inteiro.

 No exemplo abaixo, os ndices de Miller [010] convertido em ndices de Miller-Bravais [1210].

ndices de Miller-Bravais: planos cristalogrficos

Os ndices de Miller-Bravais de um plano so representados por (hkil);
Converso dos ndices de Miller (hkl ) em ndices de MillerBravais (hkil):

Exemplos de planos no sistema de MillerBravais:

 Mudanas geradas nas direes cristalogrficas de um cristal influenciam nas propriedades do material;

Propriedades pticas: Espalhamento da radiao depende do fator de forma de um material. Assim sendo, tomos mais prximos apresentam um efeito diferente do de tomos mais afastados.

Propriedades mecnicas: O mdulo de Young, razo de Poisson;

Propriedades Eltricas: A conduo em um determinado material influenciada pela direo do cristal na qual analisada.

O grafite, que conduz eletricidade na direo dos planos atmicos, porm perpendicularmente a eles apresenta comportamento isolante.
http://pt.wikipedia.org/wiki/Ficheiro:Cristal_de_carbono_h exagonal.png

Determinao da Estrutura Cristalina

A estrutura cristalina dos materiais pode ser determinada por mtodos de difrao; Os principais mtodos so: difrao de raios x, difrao de eltrons e difrao de nutrons;

O descobrimento dos raios x

Os raios x foram descobertos pelo fsico Wilhelm Conrad Rntgen (1845-1923), por volta de 1895; Os raios recm descobertos tinham propriedades muito parecidas com as da luz, propagavam-se em linhas retas; No eram afetados por campos eltricos e magnticos; Produziam fluorescncia e fosforescncia em certas substncias; Tinham ao sobre as emulses fotogrficas;

Gerao de raios x
Os raios x utilizados para analisar materiais policristalinos devem ser monocromticos, ou seja, o feixe deve apresentar um nico comprimento de onda;
Quando um alvo metlico, encerrado em uma cpsula, bombardeado por eltrons acelerados, h emisso de raios x.

Espectros de raios x do Mo (alvo) para vrias diferenas de potencial aplicadas

Os comprimentos de onda mais utilizados esto na faixa de 0,5 a 3,0 , ou seja, da mesma ordem de grandeza dos espaamentos interplanares dos cristais, para que possa ocorrer interferncia.

 A radiao emitida representa a superposio de dois espectros:

Espectro contnuo, contendo uma ampla gama de comprimentos de onda, gerados pela desacelerao dos eltrons; Espectro caracterstico, contendo comprimento de onda caracterstico do metal do alvo, gerados pelo processo mostrado abaixo:

Interao de eltrons com um tomo, ilustrando o aparecimento de raios x caractersticos deste tomo.

 A figura abaixo mostra um feixe monocromtico de raios x, com comprimento de onda , incidindo com um ngulo em um conjunto de planos cristalinos com espaamento d.

 S ocorrer reflexo, isto , interferncia construtiva, se a distncia extra percorrida por cada feixe for um mltiplo inteiro de .
Por exemplo, o feixe difratado pelo segundo plano de tomos percorre uma distncia PO +OQ a mais do que o feixe difratado pelo primeiro plano de tomos. A condio para que ocorra interferncia construtiva :
PO + OQ = n= 2d sen

onde n = 1, 2, 3, 4...

Mtodos de difrao mais utilizados

Os mtodos de difrao de raios x utilizados para estudos de monocristais e os utilizados para estudos de policristais diferem basicamente quanto fixao do ngulo de incidncia e quanto radiao incidente;

Difratmetro esquemtico de raios x:

 A intensidade do feixe difratado medida pelo detector;

Difratogramas tpicos e esquemtico de alguns materiais.

 H ainda a cmara de Debye-Scherrer, uma das tcnicas de difrao de raios x mais empregada na anlise de policristais.

Esquema de uma cmara de Debye-Scherrer

Defeitos Puntiformes e Solues Slidas

Mesmo os cristais crescidos cuidadosamente em laboratrio apresentam defeitos cristalinos;

Algumas vezes a microestrutura do material se modifica durante sua utilizao;

Principais tipos de defeitos cristalinos

Os defeitos existentes em um material real apresentam tamanhos em uma ampla faixa, alm de caractersticas diferenciadas; Para seu estudo necessrio um conjunto de tcnicas complementares.
microscpio ptico microscpio eletrnico de varredura microscpio eletrnico de transmisso microscpio de campo inico microscpio de tunelamento eletrnico 50 a 3000 vezes 5 a 50000 vezes 5000 a 300000 vezes 1000000 vezes 300000000 vezes

Principais tipos de defeitos puntiformes em Metais

Uma posio desocupada do reticulado denominada lacuna; Quando um tomo ocupa uma posio que no uma posio da rede ele denominado intersticial;

Defeitos puntiformes em um plano (001) da estrutura cbica simples: (a) lacuna; (b) intersticial.

 tomos estranhos provenientes de impurezas tambm so considerados defeitos puntiformes;

Defeitos puntiformes causados por impurezas: (a) tomos de impureza substitucional; (b) tomos de impureza intersticial.

Lacunas
A grande maioria dos defeitos cristalinos encontra-se fora de equilbrio termodinmico dentro do material. Eles aumentam muito a energia interna e tendem a desaparecer quando o material recozido. Nos casos das lacunas e dos intersticiais, o aumento da energia interna compensado pelo aumento da entropia.

 Energia livre de Gibbs a energia da qual o processo dispe para realizar trabalho til temperatura e presso constantes.

G = H T. S

- Os valores de G para cada processo podem indicar a maior ou menor espontaneidade de uma reao. - Se o valor de G der negativo, significa que a energia livre do sistema reduziu, ou seja, realizou-se trabalho, sendo, portanto, um processo espontneo.

 Suponha um cristal contendo N posies atmicas e n lacunas:

O aumento de energia interna do cristal pode ser considerado uma funo linear do nmero de lacunas, isto , H = n Hf, onde Hf a energia de formao de uma lacuna.

A entropia configuracional dada pela termodinmica estatstica como sendo S = k ln w, onde k a constante de Boltzmann e w o nmero de arranjos possveis de n lacunas em N posies atmicas.

 possvel calcular a contribuio entrpica das lacunas atravs da seguinte equao:

Sendo n o nmero de arranjos possveis de n lacunas em N posies atmicas, onde Hf a energia de formao de uma lacuna.

Intersticiais
A energia de formao de intersticiais de um material muito maior que a energia de formao de lacunas para o mesmo material.
A recombinao de lacunas com intersticiais, eliminando os dois defeitos, tambm possvel.

A experincia de Simmons e Balluffi

A presena de defeitos puntiformes causa variao de volume nos slidos. A presena de lacunas causa aumento de volume, enquanto os intersticiais causam diminuio.

 Para altas temperaturas, a variao de comprimento maior que a variao de parmetro de rede; A expanso devida ao afastamento dos planos atmicos do cristal e tambm criao de lacunas.

Solues slidas
Existem basicamente trs tipos de solues slidas: substitucionais, intersticiais e ordenadas. Em uma liga, o elemento presente em menor concentrao denomina-se soluto e aquele em maior quantidade, solvente.

Soluo slida: ocorre quando a adio de tomos do soluto no modifica a estrutura cristalina nem provoca a formao de novas estruturas.

 Soluo slida substitucional: os tomos de soluto substituem uma parte dos tomos de solvente no reticulado.

Quando os tomos de soluto tm tamanho aproximadamente igual ao tamanho do solvente e no tm preferncia acentuada por determinadas posies da rede, eles formam solues slidas substitucionais (Si, Mn, Mo, Cr, e Ni no Fe).

Soluo slida substitucional aleatria de Zn e Cu:

Regras de Hume-Rothery
Prevem a propenso deles formarem solues slidas substitucionais:

Os raios atmicos dos dois elementos no devem diferir entre si de mais de 15%. O tipo de estrutura cristalina deve ser o mesmo; As valncias dos dois elementos no devem diferir de mais de uma unidade; e as eletronegatividades dos elementos devem ser quase iguais.

 Soluo slida intersticial: os tomos de soluto ocupam os interstcios existentes no reticulado.

Interstcios na estrutura CFC: (a) interstcio octadrico e (b) interstcio tetradrico

 Na estrutura CFC, a razo entre o raio do interstcio octadrico (r) e o raio do tomo da rede (R):

Para o ferro, cujo raio atmico 1,26 , a maior esfera que cabe no interstcio octadrico tem raio 0,52 .

A estrutura CCC tambm apresenta dois tipos de interstcios; Neste caso, os tetradricos so maiores que os octadricos.

 Na estrutura CCC, a razo entre o raio do interstcio tetradrico (r)e o raio do tomo da rede (R) rR = 0,286. No caso do ferro, a maior esfera que cabe neste tipo de interstcio tem raio 0,36 .

Para os interstcios octadricos da rede CCC vale a relao rR = 0,15.

No caso do ferro, a maior esfera que cabe neste tipo de interstcio tem raio 0,19 .

Principais elementos de liga do ao (ferro); As concentraes so dadas em % em peso.

Compostos Ordenados
So relativamente frequentes nas ligas metlicas. Neste caso, os tomos ocupam posies preferenciais no reticulado cristalino. Liga 50% Cu-50% Zn: forma uma fase com estrutura CCC, denominada , em que os tomos de cobre ocupam a posio central da clula, e os tomos de zinco ocupam as posies dos vrtices da clula.
Acima da temperatura crtica elas se tornam desordenadas, mantendo a cristalinidade.

As fases ordenadas so estveis abaixo de uma determinada temperatura, denominada temperatura crtica;

Soluo slida substitucional ordenada.

Defeitos Puntiformes em Slidos Inicos

Nas fases inicas podem ocorrer solues slidas substitucionais como nos metais.

No exemplo abaixo, a estrutura do MgO, na qual os ons Mg2+ so substitudos por ons Fe2+. Nesse caso de compostos cermicos, as cargas de valncia do on substituto e do substitudo devem ser idnticas.

Soluo slida substitucional num composto cermico, com Fe 2+ substituindo Mg 2+ no MgO.

Os principais tipos de defeitos puntiformes nos compostos estequiomtricos so: lacuna catinica, lacuna aninica e ction em posio intersticial.

Representao esquemtica de lacuna catinica, lacuna aninica e ction em posio intersticial;

 Defeito de Schottky : lacuna aninica + lacuna catinica Defeito de Frenkel : ction intersticial + lacuna catinica

 Os compostos no estequiomtricos ocorrem em certos materiais cermicos que apresentam dois estados de valncia.

 As impurezas nos slidos cristalinos inicos podem formar tanto solues slidas intersticiais como solues slidas substitucionais; O tomo estranho deve ser similar em tamanho e em valncia ao tomo que est sendo substitudo.

Representao esquemtica de impurezas intersticiais e substitucional em slido inico

Difuso no Estado Slido

Processos termicamente ativados

Numerosos fenmenos em cincia dos materiais ocorrem mais rapidamente quando a temperatura aumentada.
V :velocidade da reao ou transformao; C : constante; Q :energia de ativao; R : constante dos gases; T : temperatura absoluta.

Mecanismos de difuso em metais puros e solues slidas

Acima de 0 K, os tomos vibram em torno das sua posies de equilbrio no reticulado e, alm disto, frequentemente de posio entre si (autodifuso);

Nos metais, mesmo prximo do ponto de fuso, os tomos passam a maior parte do tempo oscilando ao redor de suas posies de equilbrio no cristal;

Mecanismos de difuso em um metal

Um primeiro mecanismos seria a troca de lugar com o tomo vizinho.

O mecanismo mais provvel de autodifuso a troca de lugar com lacunas.

Embora improvvel, o tomo da rede pode passar entre os tomos da rede, numa espcie de difuso intersticial.

Mecanismo de difuso em uma soluo slida por troca de lugar com lacunas.

Mecanismo de difuso intersticial.

 Alm dos mecanismos descritos, existe a possibilidade de difuso ao longo dos defeitos cristalinos tais como: superfcie externa do cristal, contornos de gros e defeitos lineares;

Difuso na superfcie externa, ao longo dos contornos de gros e no volume (no interior dos gros).

 Em 1855, o austraco Adolf Fick tratou matematicamente a difuso de maneira praticamente definitiva. Este tratamento pode ser resumido na forma de duas leis de Fick.

O fluxo (J, em kg/ms) de matria (M, em kg) que se difunde atravs de uma unidade de rea (A,em m) na unidade de tempo (t, em s) definido como:

Ou

De acordo com a primeira lei de Flick, o fluxo difusivo por unidade de rea diretamente proporcional ao gradiente de concentrao. De acordo com a segunda lei de Flick, a taxa de variao da concentrao de um soluto diretamente proporcional divergncia do fluxo difusivo.

A purificao do hidrognio feita por meio da difuso do mesmo atravs de uma lmina de paldio.

(a) Difuso em estado estacionrio atravs de uma placa. (b) Perfil linear de concentrao na placa.

O coeficiente de difuso
O coeficiente de difuso ou difusividade D da maioria dos materiais obedece a equao de Arrhenius:

Onde :
D0 o fator pr-exponencial independente da temperatura (m2/s); Q a energia de ativao para difuso (J/mol); R a constante dos gases; T a temperatura absoluta (K).

 Prximo do ponto de fuso, a maioria dos metais com estrutura CFC ou HC apresenta coeficiente de autodifuso por volta de cm/s;

De uma maneira geral, a difuso nas estruturas mais compactas como a CFC e a HC mais lenta que a difuso nas estruturas menos compactas como a CCC.

Anisotropia da difusividade em metais no cbicos (em metais no cbicos a difusividade no isotrpica).

Difuso em no metais
A difuso nos compostos estequiomtricos, como o NaCl, apresenta algumas complicaes adicionais, em comparao com os metais e ligas; Se a difuso ocorre pela troca de posio entre um ction de sdio e um nion de cloro, os dois ons ficaro circundados por ons de mesmo sinal, aumentando a energia eletrosttica e impedindo a difuso;

Se uma lacuna aninica e uma lacuna catinica so criadas simultaneamente, a neutralidade eltrica preservada e a difuso facilitada.

A difuso em polmeros pode ser dividida em duas grandes classes. A primeira envolve somente macromolculas e responsvel pelas transformaes estruturais que ocorrem durante a cristalizao do material; A segunda classe de difuso a difuso de uma pequena molcula em um polmero (difuso penetrante), o caso da permeao de um polmero por um penetrante gasoso.

Defeitos Lineares
So imperfeies da rede que ocorrem ao longo de uma linha. As discordncias so defeitos lineares. Existem trs tipos de discordncias: em cunha, em hlice e mista (mistura de discordncia em hlice e em cunha).
As discordncias deformam localmente a rede, criando tenses locais compressivas e atrativas.

Defeitos de Linha (Discordncias)

A deformao plstica ou permanente de um cristal perfeito pode ocorrer pelo deslocamento de planos de tomos em relao aos planos paralelos adjacentes.

- O deslocamento do plano deve ocorrer por meio do movimento simultneo e cooperativo de todos os tomos (do plano que est deslizando) de uma posio atmica de equilbrio para a posio vizinha.

Em 1934 foi proposta a existncia de um defeito cristalino linear denominado discordncia ou deslocao. As discordncias esto envolvidas na deformao plstica dos cristais. Tenses cisalhantes causam seu movimento. A discordncia se move at a superfcie do material dando origem a um degrau. O material sofre uma deformao no recupervel.

Deformao plstica de um cristal perfeito

A discordncia se move at a superfcie do material dando origem a um degrau. O material sofre uma deformao no recupervel.

Tenses cisalhantes causam seu movimento.

Uma discordncia um defeito cristalino linear no qual diversos tomos esto desalinhados e consequentemente provocam uma distoro na estrutura cristalina:

Distoro em cunha ou aresta

Toda a teoria de deformao e endurecimento de metais fundamentada na movimentao de discordncias.

 A tenso de cisalhamento ou cisalhante necessria para que este processo ocorra pode ser calculada da seguinte forma:

Onde
G o mdulo de cisalhamento, e a e b esto definidos na figura.

O modelo terico de deformao plstica no reflete o comportamento dos cristais reais, pois estes contm defeitos que reduzem a sua resistncia mecnica.

 Supondo-se b = a e assumindo-se o valor de 80650 N/mm2 para o mdulo de cisalhamento do ferro puro, obtm-se um valor de t = 12836 N/mm2 para o referido metal. Embora o valor medido experimentalmente para a tenso necessria para iniciar a deformao plstica do ferro seja vrias ordens de grandeza menor.
De um modo geral, os cristais reais comeam a deformar-se plasticamente em tenses entre 1/1000 e 1/10000 da tenso terica.

Discordncia em Cunha
Pode ser entendida como um plano extra de tomos no reticulado que provoca uma imperfeio linear.

O conceito de discordncia, mais precisamente de discordncia em cunha, pode justificar a discrepncia entre as tenses calculada e medida nos slidos cristalinos.

 A discordncia a fronteira entre a parte do cristal que deslizou ou escorregou e a parte que ainda no deslizou, ela no pode terminar no interior do cristal.

Portanto, a deformao plstica ocorre pelo movimento de discordncias varrendo os planos de escorregamento.

Vista tridimensional de um cristal contendo uma discordncia em cunha.

Posies dos tomos ao redor de uma discordncia em cunha:

O Vetor de Burgers (b) representa a magnitude e a direo da distoro do reticulado ; A magnitude desta distoro normalmente tem a ordem de uma distncia interatmica. Na discordncia em cunha o vetor de Burgers perpendicular a linha de discordncia (plano extra)

 Notou-se que o movimento das discordncias envolve o rearranjo de apenas alguns tomos ao seu redor e no mais o movimento simultneo e cooperativo de todos os tomos de um plano cristalino

(a) Movimentos atmicos perto da discordncia em cunha,durante a deformao. (b) Movimentao da discordncia.

 Obviamente, a deformao plstica causada pela movimentao de uma discordncia exige uma tenso muito menor que a necessria para movimentar um plano de tomos como um todo.

Analogia do movimento de discordncias com o movimento de uma lagarta

Tenso necessria para movimentar uma discordncia

O clculo da tenso necessria para movimentar uma discordncia dada pela frmula:

Onde:
uma constante elstica do material, denominada mdulo ou razo de Poisson, que mede a deformao transversal (em relao direo longitudinal de aplicao da carga) de um material homogneo e isotrpico.

 Tomando-se o valor de = 0,291 e supondo-se a = b, obtm-se para o ferro puro, com auxlio da expresso acima, PN = 32,2 N/mm2.

Nas dcadas de 1950 e 1960, as principais previses da teoria de discordncias foram confirmadas com auxlio de microscopia eletrnica de transmisso.

Concluso
Se a deformao plstica enormemente facilitada por meio da movimentao de discordncias, duas possibilidades decorrem imediatamente para aumentar a resistncia mecnica de um material:

Reduzir drasticamente a densidade de discordncias do material, se possvel eliminando-as;

Dificultar o movimento das discordncias.

 Para dificultar o movimento das discordncias, vrios tipos de obstculos podem ser utilizados (muitas vezes simultaneamente), denominados mecanismos de endurecimento.

Os seguintes obstculos ou mecanismos de endurecimento so

mais utilizados:
Outras discordncias (endurecimento por deformao ou encruamento);

tomos de soluto (endurecimento por soluo slida);

A segunda alternativa de se obter materiais de altssima resistncia o projeto de ligas (alloy design) e de tratamentos termomecnicos.

Descrio de discordncias
As discordncias dentro de um cristal raramente so ou esto retas, embora esta seja a configurao de menor energia.

Discordncia em Hlice:
A discordncia em hlice pode ser imaginada como sendo o resultado da aplicao de uma tenso de cisalhamento. O vetor de Burgers paralelo a linha de discordncia A:

Discordncia em Hlice:

A discordncia em hlice pode ser imaginada como sendo o resultado da aplicao de uma tenso de cisalhamento. O vetor de Burgers paralelo a linha de discordncia A:

Obteno de uma discordncia em cunha (lado esquerdo) e de uma discordncia em hlice (lado direito) a partir de um cristal perfeito.

 Se o vetor de Burgers for perpendicular linha de discordncia, diz-se que a discordncia do tipo cunha (); se ele for paralelo, diz-se que a discordncia do tipo hlice ().

Arranjo dos tomos ao redor de uma discordncia em cunha.

Arranjo dos tomos ao redor de uma discordncia em hlice.

Movimento de discordncias
O movimento das discordncias pode ser conservativo ou no conservativo. Se a discordncia se movimenta no plano de deslizamento, em geral planos de maior densidade atmica, diz-se que o movimento conservativo. Se o movimento da discordncia se der fora do plano de deslizamento, perpendicularmente ao vetor de Burgers, diz-se que ele no conservativo ou de escalada.

 Ao movimentar-se em um plano de escorregamento ou de deslizamento, a discordncia passa sucessivamente por posies de mximo (equilbrio instvel) e de mnimo (equilbrio estvel).

Este tipo de movimento conservativo tambm ativado termicamente, isto , a movimentao de discordncias tanto mais fcil quanto maior for a temperatura.

 O plano de deslizamento determinado pelo vetor de Burgers e pela linha de discordncia. No caso de uma discordncia em cunha, este plano nico. No caso de uma discordncia em hlice, inmeros planos atmicos podem conter a linha de discordncia e o vetor de Burgers.

Escorregamento com Desvio

Se uma discordncia em hlice estiver se movimentando no plano (111) de um cristal CFC, por exemplo, e seu vetor de Burgers tiver a direo do vetor [101]. Se esta discordncia se deparar com um obstculo intransponvel, uma das maneiras para ela continuar seu movimento (conservativo) seria ela mudar de plano de deslizamento.

 Uma possibilidade seria o plano (111), tambm de mxima densidade atmica e que contm o vetor de Burgers. Esta maneira que a discordncia em hlice tem de evitar ou de desviar dos obstculos realmente ocorre e denominada escorregamento com desvio. Esta maneira que a discordncia em hlice tem de evitar ou de desviar dos obstculos realmente ocorre e denominada escorregamento com desvio.

Movimento No conservativo

Escalada, positiva (lado esquerdo) e negativa (lado direito) de uma discordncia em cunha.

Regra da mo direita
Dada uma discordncia, existem quatro direes importantes associadas ela:

Direo e sentido da linha de discordncia;

Vetor de Burgers, que d o mdulo e a direo do escorregamento; Direo do movimento da linha e direo do fluxo ou movimento do material. Esta direo sempre paralela direo do vetor de Burgers, mas no tem necessariamente o mesmo sentido dele.

Segundo a regra da mo (aberta) direita:

O dedo indicador deve apontar na direo da linha de discordncia; O polegar deve estar voltado para o lado em que o fluxo ou movimento do material ocorre no mesmo sentido do vetor de Burgers;

O dedo mdio, o qual deve fazer um ngulo reto com o indicador, indica ento a direo do movimento da linha de discordncia.

Discordncia em hlice em movimento da posio AA para BB.

 Se assumirmos que a linha da discordncia da figura 9.10 est orientada de A para A, o dedo indicador ter esta direo e sentido. O polegar dever estar voltado para cima, pois a parte de cima ou superior do cristal est deslocando da esquerda para a direita, isto , no mesmo sentido do vetor de Burgers. Consequentemente, o dedo mdio indica a direo e o sentido da linha de discordncia, isto , perpendicular AA e no sentido de AA para BB.

DISCORDNCIAS MISTAS
Na realidade, os materiais metlicos apresentam apenas discordncias mistas, entretanto como estas discordncias so complexas, mais fcil estuda-las como misturas de discordncias de discordncias em cunha e hlice.

Ilustrao de uma discordncia mista

Representao esquemtica de uma discordncia mista: no ponto A, a discordncia 100% hlice, e no ponto B, 100% cunha.

OBSERVAO DE DISCORDNCIAS

Micrografia eletrnica de transmisso em liga de Ti; as linhas escuras so discordncias mistas.

Concentrao de discordncias (floresta) em regio adjacente um contorno de gro. MET 60.000x

ATAQUE QUMICO ("ETCH PITS")

Cristal de LiF (Fluoreto de Ltio). Os pequenos pites piramidais marcam as regies nas quais as discordncias afloram na superfcie. A superfcie do cristal sofreu um processamento qumico, de maneira que as discordncias sejam atacadas preferencialmente. (750x)

Campo de tenses em torno de discordncias

Analisando as figuras, pode-se constatar que os tomos ao redor da discordncia esto fora das suas posies de equilbrio, ou seja, o reticulado cristalino est distorcido.

Pode-se notar tambm que as distores so diferentes e dependem do tipo de discordncia. estas distores (deformaes) pode-se associar campos elsticos de tenso.

Note que os tomos foram submetidos tenses as quais provocam o rompimento das ligaes entre os mesmos, afetando toda a vizinhana atmica.

Cubo unitrio submetido ao estado de tenses normais e cisalhantes.

Distores do cristal ao redor de uma discordncia em hlice

Distores do cristal ao redor de uma discordncia em cunha.

Energia da discordncia
Para que uma discordncia se movimente, deve haver certa quantidade mnima de energia; Se a estrutura estiver saturada, a discordncia ter maior dificuldade para movimentar-se, conferindo mudanas nas propriedades mecnicas do material, entre elas a dureza, que, neste caso, ir aumentar.

Reaes entre discordncias

- Existem vrios tipos de interaes entre discordncias; um tipo muito frequente a reao entre discordncias.

- Por exemplo, duas discordncias podem reagir entre si e formar uma nica discordncia ou uma nica discordncia pode se decompor em duas outras.

Entretanto, para que uma reao ocorra, esta deve ser energeticamente favorvel.

Foras entre discordncias

De uma maneira, geral pode-se afirmar que discordncias de sinais opostos se atraem e discordncias de mesmo sinal se repelem. Quando as duas discordncias esto muito prximas, pode-se, de maneira simplificada, consider-las como sendo uma nica discordncia.

 Quando as discordncias se aproximam a energia aumenta e por isso elas se repelem; As duas discordncias da figura abaixo se atraem para minimizar seus campos elsticos de tenso:

Arranjos de discordncias em cunha com vetor de Burgers paralelos: de sinais opostos e contidas no mesmo plano.

 O mesmo ocorre para as duas discordncias da figura abaixo:

Arranjos de discordncias em cunha com vetor de Burgers paralelos: de sinais opostos e contidas em planos paralelos

O que ir resultar na combinao das duas discordncias da figura anterior, deixando uma fileira de lacunas:

Combinao das duas discordncias anteriores

Tenso de linha
Toda discordncia possui uma tenso de linha, que existe porque a energia de uma discordncia proporcional ao seu comprimento, ou seja, qualquer aumento de comprimento de uma discordncia causa aumento de sua energia.

A tenso de linha definida como a energia da linha por unidade de comprimento aumentado.

 Suponha que a discordncia uma mola helicoidal. Para que a discordncia (ou a mola) seja mantida encurvada necessrio aplicar uma fora sobre ela. Retirando-se esta fora, a tendncia que ela minimize seu comprimento e energia tornando-se reta.

Influncia de foras externas

A deformao plstica dos cristais ocorre quando o material submetido foras externas e as discordncias se movimentam. Portanto, pode-se supor que ao submeter o cristal a um estado de tenses externas, estas tenses ocasionam o aparecimento de foras nas discordncias fazendo-as se movimentarem.

Interseco de discordncias
A interseco de discordncias ocorre quando um plano de deslizamento (contendo uma discordncia) movimentando-se em de um cristal interceptado por discordncias perpendiculares a este plano.

Estas discordncias so denominadas discordncias floresta (forest dislocations).

 Interseco de duas discordncias em cunha movimentando-se em planos ortogonais:

O vetor de Burgers (b2) da discordncia AB paralelo discordncia XY, enquanto o vetor de Burgers (b1)da discordncia XY perpendicular discordncia AB.

Como resultado da interseco, a discordncia AB adquiri um degrau PP paralelo ao vetor de Burgers b1.

O plano de deslizamento do degrau PP diferente do plano de deslizamento da discordncia AB, mas no impede o movimento da mesma.

 A presena de degraus em discordncias em cunha puras no afeta o posterior movimento deste tipo de discordncia. O mesmo no ocorre com as discordncias em hlice.

Discordncia em hlice contendo um degrau com carter de cunha

O plano de deslizamento do degrau PRRP. Se a discordncia em hlice se deslocar no plano PQBR, o movimento do degrau no plano PQQP no ser conservativo e requer a ocorrncia de escalada.

Multiplicao de discordncias
Durante uma deformao plstica, pode ocorrer o caso de discordncias abandonarem o cristal, e outras se multiplicarem.

Isto pode ser confirmado medindo-se a densidade de discordncias aps a deformao.

Discordncias na estrutura CFC

Um cristal CFC pode ser obtido por meio do empilhamento de planos de mxima densidade atmica do tipo {111}, sendo que a sequncia de empilhamento do tipo ABCABCABC... A passagem de uma discordncia por um plano deste tipo causa deformao plstica e no deve causar alterao da estrutura original do cristal.

 Este tipo de discordncia denominada discordncia unitria ou perfeita. Quando a estrutura original no mantida, a discordncia denominada discordncia parcial ou imperfeita.

Discordncias no sistema CCC

Os metais CCC, tais como Fe, Mo, W, Cr, Va, Ni,Ta, Na e K, no dispe de planos de mxima densidade atmica como os planos {111} dos metais CFC. O escorregamento nos metais CCC ocorre nas direes de mxima densidade atmica do tipo <111>. O vetor de Burgers do tipo a2 <111>.

Discordncias em materiais no metlicos

Os materiais cristalinos no metlicos, tenham eles carter inico ou covalente predominante, apresentam em geral plasticidade muito baixa. Em geral, eles rompem de maneira frgil em temperatura ambiente.

 Nestas condies, a densidade de discordncias nestes materiais muito baixa. Em temperaturas altas e principalmente se a velocidade de deformao for baixa, vrios materiais cermicos apresentam considervel plasticidade.
Os cristais orgnicos polimricos tambm apresentam baixa plasticidade, embora discordncias possam ser encontradas no seu interior.

Tcnicas experimentais utilizadas para observar discordncias

As discordncias, alm de serem as principais responsveis pela deformao plstica dos cristais, tm efeito marcante nas suas propriedades.

Defeitos Bidimensionais ou Planares

A superfcie externa dos cristais e dos policristais o defeito cristalino que causa maior distrbio na estrutura e portanto apresenta maior energia por unidade de rea;
Esta energia est associada com as ligaes rompidas ou insatisfeitas na superfcie;

Energia de superfcie de alguns materiais.

Contornos de gros
O agregado policristalino consiste de pequenos cristais, denominados gros, com dimenses de poucas dezenas de micrmetros, arranjados de maneira a preencher todo o espao.

Superfcies que separam dois gros ou cristais com diferentes orientaes.

 As diferenas de orientao entre gros vizinhos so de dezenas de graus. Por esta razo, este tipo de defeito denominado contorno de alto ngulo.

Simulao de contornos de gro em um modelo de bolhas;

 A energia dos contornos de gro est relacionada com a energia da superfcie externa; A energia mdia de contorno de gro cerca de 0,45 a 0,75 da energia de superfcie de um material.

Forma provvel dos gros de um material policristalino: (a) ortotetracaidecaedro (24 vrtices, 36 arestas e 14 faces); (b) arranjo tridimensional destes poliedros.

Defeitos de empilhamento
As falhas de empilhamento ocorrem como resultado da deformao plstica ou de tratamento trmico. Na estrutura CFC, a sequncia de empilhamento do tipo ABCABCABC. Quando uma falha de empilhamento ocorre, tal sequncia pode ser alterada.

 Este erro pode ser formado durante o crescimento do cristal ou mesmo durante o processamento posterior do mesmo, onde um excesso de auto-intersticiais pode agrupar-se de forma gradual e ordenada, para crescer um plano extra.

A falha de empilhamento pode ser do tipo extrnseco, quando temos um plano extra, ou do tipo intrnseco, quando falta um pedao de plano.

Clulas de discordncias
A distribuio das discordncias em um metal ou liga deformado plasticamente depende de vrios fatores: estrutura cristalina; energia de defeito de empilhamento; temperatura; velocidade de deformao;

Contornos de subgros ou subcontornos

A fronteira que separa os dois subgros denominada contorno de pequeno ngulo ou subcontorno;

Arranjo de discordncias homogeneamente distribudas em gro (distribuio homognea).

Arranjo celular de discordncias em gro (distribuio heterognea).

Contornos de macla
Imperfeies bidimensionais que separam duas regies do cristal ou do gro que so imagens especulares uma da outra;

Ou seja, os tomos de um lado do contorno esto localizados em uma posio que a posio refletida do outro lado.

Arranjo dos tomos em torno de uma macla no reticulado cbico simples.

Interfaces
A maioria dos materiais apresenta na sua microestrutura mais de uma fase (polifsicos); As fases presentes na microestrutura de um material polifsico apresentam diferentes composies e estruturas; A fronteira que separa as duas fases denominada interface.

Microestrutura policristalina e bifsica vista em trs dimenses.

As interfaces podem ser classificadas como coerentes, semicoerentes ou incoerentes;

Interfaces Coerentes: Duas fases apresentam mesma estrutura cristalina e parmetros de rede quase idnticos.

Interfaces semicoerentes: podem ocorrer mesmo quando as duas fases tem diferentes estruturas cristalinas.
As interfaces incoerentes so muito mais frequentes e representam o caso geral.

Quanto mais diferentes forem as duas fases entre si e principalmente quanto maior for o grau de desajuste entre as suas estruturas tanto maior ser a energia da interface.

Arranjo dos tomos ao redor das interfaces: (a) coerente; (b) semicoerente e (c ) incoerente

Slidos Amorfos
Podem ser encontrados exemplos de slidos amorfos nos trs grupos de materiais (metlicos, cermicos e polimricos), embora os trs grupos apresentem diferentes propenses ao estado cristalino.

Vidro sendo moldado: material amorfo

 Em princpio, existem duas possibilidades para se obter um slido no estado amorfo:

Evitar a sua cristalizao durante a solidificao;

Destruir, geralmente por meios mecnicos, a cristalinidade do material tornando-o amorfo.

 Em muitas substncias possvel evitar a cristalizao: Por meio de resfriamento rpido a partir do lquido. Um exemplo tpico de substncia que pode ser obtida tanto no estado cristalino como no estado amorfo a glicose.

Variao do volume especfico da glicose com a temperatura tanto no caso de ocorrncia de cristalizao como no caso de formao de fase amorfa

Materiais metlicos amorfos

Os metais puros tm grande propenso cristalizao e cristalizam-se com estruturas relativamente simples;
A solidificao ultrarrpida de numerosos sistemas metlicos produz slidos amorfos (vidros metlicos);

Amostras dos novos vidros metlicos base de titnio

 A maioria dos vidros metlicos contm tomos no metlicos como silcio, boro ou carbono. Estes tomos, menores que os metlicos, estabilizam os buracos atmicos da estrutura amorfa ou vtrea. A densidade de um vidro metlico cerca de 2% menor que a da liga correspondente no estado cristalino.

Possuem tima resistncia mecnica;

Sua homogeneidade qumica confere a eles melhor resistncia corroso que as ligas cristalinas tradicionais.

 A principal limitao a forma em que eles so obtidos: ps, filmes finos e fitas finas. Apresentam uma enorme tendncia cristalizao, o que pode ocorrer durante o aquecimento;

Materiais cermicos amorfos

Os materiais cermicos inicos do tipo composto estequiomtrico, como o NaCl, exemplo dos metais puros, tm uma enorme propenso cristalizao.

 Os materiais cermicos com forte carter covalente tm maior propenso formao de fase amorfa do que os inicos.
A slica fundida obtida aquecendo-se o quartzo acima de 1700C

O coeficiente de viscosidade da slica cerca de 108 vezes maior que o da gua lquida, devido s fortes ligaes covalentes.

Estrutura tetradrica do quartzo.

Representao bidimensional da slica: a) cristalina e b) amorfa.

Composio, propriedades e usos de alguns vidros:

Materiais orgnicos amorfos

Os materiais orgnicos tem enorme dificuldade de cristalizao. Em alguns casos, as macromolculas tm um arranjo tridimensional e totalmente amorfo, como os polmeros termorrgidos. Os polmeros termoplsticos tambm podem ser obtidos completamente amorfos, mas apresentam maior propenso cristalizao.

Arranjo tridimensional da baquelite. Os crculos escuros representam o C6H4OH e os crculos claros representam o CH2 .

Ensaios Mecnicos
Ensaio de trao O corpo de prova submetido a um esforo que tende a along-lo ou estic-lo at ruptura; Os esforos ou cargas so mensurados na prpria mquina, e, normalmente, o ensaio ocorre at a ruptura do material.

 A cabea do corpo de prova fixada nas garras de uma mquina de ensaio que aplica esforos crescentes na sua direo axial:

Durante o ensaio, so medidas a fora e a deformao correspondente.

Tenso de engenharia: Carga aplicada a um corpo de prova em um teste de tenso ou compresso dividida pela rea da seo transversal do corpo de prova.

A tenso de engenharia, , definida como:

F : fora em cada ponto A0: rea inicial da seco transversal do corpo de prova.

Tenso Real
A tenso de engenharia, ao contrrio da tenso real, no leva em conta a reduo da seco reta do corpo de prova durante o ensaio.

Ento, a tenso real, r , definida como:

A representa a rea da seco reta do corpo de prova em cada instante.

Portanto, para o regime elstico, a coincidncia das duas curvas quase completa, pois as deformaes so pequenas (menores que 0,5%).

 O alongamento de engenharia, , definido como:

L0: Comprimento inicial do corpo de prova; L: Comprimento do corpo de prova durante o ensaio.

Grfico Fora versus Alongamento

O ponto de mximo (M) est associado com o incio da deformao localizada (no uniforme), denominada estrico.

Curva fora versus alongamento (l) esquemtica.

Mquina de ensaio de trao esquemtica

Parmetros Importantes
Limite de escoamento: Tenso que separa o comportamento elstico do plstico. Limite de resistncia. Tenso mxima que o corpo de prova resiste.

Tenso de ruptura. Tenso na qual ocorre ruptura.

 Estrico: Diminuio porcentual da rea da seco transversal do corpo de prova aps a ruptura; Alongamento total: Ocorre at a ruptura do corpo de prova;

Alongamento uniforme: Ocorre at o incio da estrico.

Parmetros definidos com auxlio da curva tenso versus deformao

Ensaio de flexo
No caso de materiais frgeis (cermicos), o ensaio mais utilizado o ensaio de flexo; A resistncia flexo definida como a tenso mxima de trao (mdulo de ruptura);

Configurao do teste de flexo para materiais frgeis

Comparao entre os ensaios:

a) flexo em trs pontos; b) flexo em quatro pontos; c) ensaio de trao; A rea hachurada representa a distribuio de tenses de trao ao longo do comprimento do corpo de prova.

Ensaio de flexo de trs pontas em granito.

Ensaio de flexo de trs pontas em uma viga.

Ensaios de dureza
Tcnica de Resistncia ao risco Escala de Mohs; Tcnicas de penetrao dureza Brinell, dureza Vickers e dureza Rockwell;

Escala de Mohs

A escala Mohs foi criada em 1812 pelo mineralogista alemo Friedrich Mohs com 10 minerais de diferentes durezas existentes na crosta terrestre.

Escala Brinell
Comprime-se lentamente uma esfera de ao, de dimetro D, sobre uma superfcie plana por meio da aplicao de uma carga P; Impresso possui geometria esfrica de dimetro d.

A dureza Brinell tem unidade de tenso (presso) e normalmente dada em kg/mm

Escala Vickers
Geometria piramidal de diamante de base quadrada e com ngulo de 136 entre as faces opostas; A impresso tem a geometria de um losango retangular de diagonal;

A dureza Vickers tambm tem unidade de tenso e normalmente dada em kg/mm2

Escala Rockwell
A dureza obtida atravs da diferena entre a profundidade de penetrao resultante da aplicao de uma pequena carga, seguida por outra de maior intensidade.

Aparelho para medida Rockwell; Os penetradores so do tipo esfrico (esfera de ao temperado) ou cnico (diamante com 120 de conicidade);

Ensaio de impacto
Ensaio Charpy: o corpo de prova biapoiado horizontalmente e recebe o impacto de um pndulo de peso especificado.

O corpo de prova sofre uma flexo sob impacto e fratura com uma alta taxa de deformao.

 Os resultados do ensaio de impacto so geralmente apresentados como a energia absorvida no processo de fratura do corpo de prova. A energia absorvida no processo de fratura varia muito com a temperatura de ensaio.

Ensaio Izod: O corpo de prova, nesse caso, fixado por um par de garras na posio vertical.

Ensaio de fluncia
Deformao plstica que ocorre em um material que recebe uma tenso constante durante certo tempo;
Mede-se o alongamento do corpo de prova em funo do tempo;

O ensaio de fluncia leva em considerao o tempo e a temperatura; A temperatura crtica para que a fluncia comece a ser significativa varia de material para material.

Ensaio de fadiga
Ocorre quando um material submetido a carregamento cclico. Em geral, o limite de resistncia do material proporcional sua resistncia fadiga. As trincas de fadiga iniciam-se em defeitos superficiais ou prximos da superfcie (arranhes), ou durante a deformao;

 Os resultados do ensaio de fadiga so em geral representados na forma de curvas de tenso aplicada versus nmero de ciclos at a ruptura (curvas de Whler).
Alguns materiais no se rompem por fadiga se a tenso aplicada for menor que um determinado valor, denominado limite de fadiga, outros materiais no apresentam limite;

Curvas de Whler para: a) material que apresenta limite de fadiga; b) material que no apresenta limite de fadiga.

Propriedades Mecnicas
materiais metlicos; materiais cermicos;

materiais polimricos ;

Propriedades mecnicas: materiais metlicos

Deformao plstica:
Deslizamento de planos cristalinos causado pela movimentao de discordncias; Difuso; Transformaes de fase.

A a rea da seco reta do cristal, F a fora de trao aplicada e que causa uma tenso T , Ox a direo de deslizamento, o ngulo entre o eixo do cristal e a direo de deslizamento, o ngulo entre o eixo do cristal e o plano de deslizamento o ngulo entre o eixo do cristal e a normal ON ao plano de deslizamento.

Variao do limite de escoamento com a orientao para um monocristal de magnsio

Lei de Schmid
Um cristal comea a deformar-se plasticamente quando a tenso no plano e na direo de deslizamento atinge um valor crtico ce:

ce a tenso crtica de cisalhamento atuante no plano e na direo de deslizamento;

e a tenso necessria para ocorrncia de deformao plstica (limite de escoamento).

Curva Tenso x Deformao para cristais CFC:

Estgio I (easy glide): As discordncias movem-se por longas distncias em um sistema de escorregamento, praticamente sem encontrar obstculos;
Estgio II (linear hardening): Outros sistemas de deslizamento so ativados e ocorre acentuada interao entre discordncias, as quais formam emaranhados. Estgio III (parabolic hardening): Tem-se a ocorrncia frequente de escorregamento com desvio e as discordncias formam uma subestrutura celular.

Equaes fundamentais da deformao plstica dos cristais:

1: Velocidade mdia das discordncias durante a deformao plstica em funo da tenso cisalhante e da temperatura:

Onde - K1 e n so constantes que dependem do material; - R a constante dos gases e E a energia de ativao ou barreira de ativao do processo.

Equao de Orowan

A equao relaciona a deformao () com a densidade de discordncias mveis (), e com o deslocamento mdio (Xm) e o vetor de Burgers (b)das mesmas:

Equao de Taylor
A equao relaciona a tenso necessria para deformar o cristal () com a densidade de discordncias (p):

Onde 0 a tenso de cisalhamento para mover uma discordncia na ausncia de outras; G o mdulo de cisalhamento; uma constante.

Mecanismos de Endurecimento
Aumenta a resistncia mecnica: Evitar a ocorrncia de deformao plstica; Dificultar a movimentao de discordncia;

Endurecimento por Deformao ou Encruamento

Mecanismo mais antigo e utilizado;

A interao entre discordncias formam emaranhados, exigindo tenses crescentes. Os obstculos ao movimento das discordncias so outras discordncias;

Endurecimento causado por refino de gro

Os contornos de gro so barreiras que dificultam a movimentao das discordncias, pois uma discordncia no consegue atravess-los.

K2 uma constante do material; d o dimetro mdio dos gros do agregado policristalino.

Endurecimento por Soluo Slida

tomos de impureza ou elementos de liga:

Distorcem a rede cristalina e os campos de tenso ao seu redor, dificultando a movimentao das discordncias;

Diminuem a energia de defeito de empilhamento; Torna o material mais susceptvel ao endurecimento por deformao.

 n uma constante maior que 1/3 e menor que 1, sendo 0,5 o valor mais frequente.

Os precipitados tambm so obstculos ao movimento das discordncias:

Mecanismo de Orowan
Endurecimento por disperso de partculas incoerentes;
Se precipitado for incoerente, no existe continuidade entre os planos cristalinos da matriz e os planos cristalinos do precipitado;

Ocorre com maior frequncia;

 As discordncias em movimento tero que curvarem-se entre os precipitados.

Mecanismo de Orowan para a interao de discordncia com partculas incoerentes.

A formao dos anis responsvel pela alta taxa de encruamento das ligas com disperso de precipitados.

 A equao que descreve o endurecimento pelo mecanismo de Orowan a seguinte:

Onde

K4 uma constante;
o espaamento mdio entre as partculas.

Endurecimento por Precipitao Coerente

Se o precipitado for coerente, as discordncias em movimento podero cort-lo ou cisalh-lo. As relaes de coerncia entre o precipitado e a matriz so cristalograficamente possveis. Ocorre com menor frequncia;

O endurecimento por disperso proveniente do aumento de tenso necessria para encurvar a discordncia entre os precipitados

Cisalhamento de uma partcula causado pela passagem de uma discordncia

Possveis causas do endurecimento por precipitao coerente:

Aumento da rea de interface causado pelo

cisalhamento da partcula; Diferena do mdulo de elasticidade entre a matriz e o precipitado; Diferena de fora de Peierls-Nabarro entre a matriz e o precipitado.

A seguinte equao geral aproximada engloba alguns efeitos mencionados:

Onde K5, m e n so constantes positivas; r o raio mdio dos precipitados e Vv a frao volumtrica dos mesmos.

Propriedades Mecnicas dos Materiais Cermicos

Apresentam alto mdulo de elasticidade; Apresentam maior grau de fragilidade;

Menor resistncia trao;

Apresentam elevado grau de dureza;

O alongamento plstico na temperatura ambiente praticamente desprezvel.

 O alongamento plstico dos materiais cermicos cresce com o aumento da temperatura de ensaio;

A presena de fase vtrea e porosidade nas cermicas tradicionais reduz consideravelmente a resistncia mecnica;

A resistncia mecnica da alumina contendo 25% em volume de poros cerca de um tero da resistncia mecnica da mesma alumina contendo 5% de porosidade.

Efeito da temperatura na curva tenso versus deformao do cloreto de sdio policristalino com tamanho de gro constante (d = 200 m).

 A resistncia mecnica das fibras de vidro aumenta acentuadamente com a diminuio do dimetro das mesmas;

A diminuio da seco da fibra faz com que as dimenses e o nmero dos defeitos superficiais diminuam.

Propriedades Mecnicas dos Materiais Polimricos

Em geral, apresentam comportamento mecnico pouco uniforme: Termorrgidos: apresentam um comportamento to frgil que lembra o comportamento mecnico de um material cermico.
Termoplsticos: apresentam curvas de tenso versus deformao no ensaio de trao que lembram os metais dcteis.

Elastmeros: apresentam um comportamento atpico, apresentando uma regio elstica muito extensa.

Curvas tenso versus deformao obtidas no ensaio de trao de diferentes tipos de polmeros: Comportamento frgil (A), Comportamento dctil (B) e Comportamento elstico (C) A curva A tpica de uma resina termorrgida, a curva B tpica de um termoplstico parcialmente cristalino e a curva C tpica de um elastmero.

 O comportamento mecnico dos polmeros termoplsticos parcialmente cristalinos apresenta aspectos e particularidades:

Curva tenso versus deformao para um polmero termoplstico parcialmente cristalino (esquemtica).

O ponto de mximo est associado com o incio da estrico, a qual propaga-se ao longo do corpo de prova medida que o ensaio prossegue.

 O incio da estrico na curva est associado com a distribuio de tenses e com as condies de instabilidade ao longo do corpo de prova.
Na regio da estrico, as cadeias ficam orientadas e o material torna-se mais resistente deformao.

 Efeito da temperatura no comportamento mecnico de um polmero termorrgido. A regio sombreada representa a faixa de uso.

O aumento da temperatura tem efeito desprezvel no comportamento mecnico de um termorrgido:

A temperatura mxima de uso limitada pela temperatura de decomposio (Td).

Efeito da Temperatura no Comportamento Mecnico de um Elastmero

A temperatura de transio vtrea (Tg) define a faixa de uso deste tipo de material, pois abaixo de Tg o elastmero duro e frgil.

Efeito da temperatura no comportamento mecnico de um elastmero.

As temperaturas Tg dos elastmeros esto bem abaixo da temperatura ambiente.

Efeito da Temperatura no Comportamento Mecnico de um Polmero Termoplstico Totalmente Amorfo

A temperatura mxima de uso definida pela temperatura de transio vtrea.

Efeito da temperatura no comportamento mecnico de um termoplstico amorfo

Os valores de Tg para esta classe de polmeros situam-se na faixa de 70 a 150C.

Efeito da Temperatura no Comportamento Mecnico de um Polmero Parcialmente Cristalino.

A temperatura mnima de uso definida pelo valor de Tg e a temperatura mxima de uso definida pela temperatura em que as regies cristalinas tornam-se amorfas, tambm conhecida como temperatura de fuso cristalina (TFc).

Efeito da temperatura no comportamento mecnico de um termoplstico parcialmente cristalino

As temperaturas Tg dos polmeros parcialmente cristalinos situam-se muito abaixo da temperatura ambiente e suas temperaturas de fuso (TF) esto situadas na faixa de 100 a 200C.

Tenacidade
Impacto necessrio para levar um material ruptura; Medida de quantidade de energia que um material pode absorver antes de fraturar.

Os materiais cermicos, por exemplo, tm uma baixa tenacidade.

Um parmetro muito utilizado para quantificar a tenacidade fratura o fator intensificador de tenso crtico (KIC).

 Tal energia pode ser calculada atravs da rea num grfico Tenso x Deformao do material, portando basta integrar a curva que define o material, da origem at a ruptura:

A tenacidade pode determinar se um mineral :

Frivel (frgil, quebradio): Que pode ser quebrado ou reduzido a p com facilidade. Ex: calcita, fluorita. Malevel: Pode ser transformado facilmente em lminas, Ex: ouro, prata, cobre. Sctil: Pode ser facilmente cortado com um canivete. Ex: ouro, prata, cobre.

 Dctil: Pode ser transformado facilmente em fios. Ex: ouro, prata, cobre. Flexvel: Pode ser dobrado, mas no recupera a forma anterior. Ex: talco, gipsita. Elstico: Pode ser dobrado mas recupera a forma anterior.
Uma confuso comum ao termo achar que um material duro tambm tenaz, como exemplo temos o diamante, que s pode ser riscado por outro diamante (logo, extremamente rgido), mas pode ser quebrado se sofrer uma requisio muito alta como uma martelada.

 Entretanto, aumentos de dureza, limite de escoamento e limite de resistncia, por meio, de modificaes microestruturais, por exemplo, esto frequentemente associados com perdas de tenacidade.

Valores de limite de escoamento (0,2) e de tenacidade (KIC) para alguns materiais de engenharia.

Tcnicas de Medida de Propriedades Mecnicas de Superfcies

Filmes finos: Camada de material na faixa de fraes de nanmetro at vrios micrmetros de espessura. Filmes finos atribuem novas propriedades aos materiais, mas em alguns casos apenas se a espessura do material for de algumas camadas atmicas;

 Revestimentos duros como xidos, nitretos e carbetos so usados a alta temperatura e cargas elevadas sem deteriorao, influenciando as propriedades tribolgicas de vrios materiais;
Revestimentos moles como MoS2 e teflon so utilizadas com sucesso na minimizao do atrito e desgaste;

Utenslios revestidos com teflon

 Certos materiais apresentam novas propriedades, quando se encontram sob a forma de filme fino. Novas aplicaes industriais e ensaios experimentais de avaliao.

A adeso de um filme de material dieltrico sobre um elemento tico pode diminuir a reflexo; O desgaste de um filme duro deve ser analisado utilizando ensaios mecnicos.

Propriedades Mecnicas de Superfcies

Dureza e desgaste: propriedades mais estudadas; Escala de Mohs: primeira definio de dureza;

Dureza: fornece uma medida da resistncia deformao plstica de um material.

Medida atravs de penetrao de uma ponta rgida. dada pela razo entre a carga aplicada e a rea de deformao plstica produzida;

 Para materiais submetidos tratamentos superficiais, devem usar-se os testes de penetrao com sensor de profundidade (maior preciso);
Indentao Instrumentada: Teste de penetrao com sensor de profundidade;

Permite medir propriedades mecnicas localizadas e dependentes da penetrao a partir da superfcie; Maior grau de informao;
Pode-se obter o mdulo elstico, fluncia, tenacidade fratura (cermicas) e viscoelasticidade (polmeros).

 Microscopia de fora atmica: Permite o estudo das propriedades das superfcies pelas foras coesivas entre dois materiais;

Possui alta resoluo;

Pode-se analisar materiais condutores e isolantes; Sensvel vibraes mecnicas e oscilaes trmicas;

Comportamento dos Materiais sob Contato

Quando se pressiona uma ponta contra uma superfcie podemos dividir o tipo de contato em trs grupos de comportamento: Contatos totalmente elsticos;
Contatos totalmente plsticos; Contatos elasto-plsticos;

 Deformaes elsticas: Ocorrem a partir da superfcie

O material livre para fluir para os lados em contato com a ponta.

A medida que a severidade do contato aumentada: contato totalmente elstico para totalmente plstico. A severidade aumentada pelo aumento da carga com uma ponta axialmente simtrica ou pelo aumento do ngulo de penetrao da ponta.

 Propriedades elsticas: deve-se usar pontas com menores angulaes;

Tenso se escoamento: Deve-se considerar as pontas com maiores angulaes; Na maioria dos casos, o que se tem o meio termo entre essas duas situaes.

Determinao das propriedades mecnicas de superfcies, filmes finos e revestimentos Tcnicas que permitem medir continuamente a carga aplicada com o transcorrer do tempo e a profundidade de penetrao; Teste de nanodureza (nanoindentation); Teste de nanorisco (nanoscratch test);

 As propriedades mecnicas podem ser medidas nas amostras tal como so produzidas; As amostras podem seu testadas na mesma configurao em que as usadas em condies reais de trabalho; O teste de resistncia ao risco: Utilizado para analisar a adeso dos filmes e revestimentos; Determinar a frico e o desgaste sob a ao de uma ponta penetradora.

 Outras propriedades importantes podem ser estudadas pela tcnica de indentao; Tenacidade fratura: O padro de trincas geradas depende da geometria da ponta utilizada; Ponta Vickers: Ocorrem trincas radiais nos quatro cantos da impresso, alm de outros tipos de trincas;

De acordo com a OIPN, os ensaios de penetrao instrumentada so definidos como:

Macro: compreende o intervalo fechado para a carga aplicada 2 N < P < 30 kN; Micro: compreende os limites inferior para a fora 2 N > P e superior para a profundidade de penetrao h > 200 nm; Nano: compreende o limite inferior para a profundidade de penetrao h < 200 nm.

Foto de microscopia tica da ponta Berkovich.

O Microdurmetro Instrumentado Programao dos testes de indentao

O cabeote do penetrador e a mesa devem estar livres de instabilidade de origem trmica e mecnica.

 Capacidade do equipamento: Aplicao de cargas de 10 N at 400 mN, com resoluo da ordem de 50 nN; Taxa de carregamento: entre 1N/s e 7x10^10 N/s; Fora de contato: 1 N;

Resoluo do deslocamento: 0.04 nm

Profundidade mxima: maior que 40 m

Determinao das propriedades mecnicas

A nano/microendentao fornece as propriedades mecnicas mediante medidas de fora, deslocamento e de tempo. A rea de contato varia continuamente quando o penetrador introduzido ou retirado da amostra;

Os dados obtidos so semelhantes aos dos ensaios de compresso, exceto:

 Ensaio de compresso: A rea de contato considerada constante durante todo o teste; Durante o descarregamento as deformaes elsticas so recuperadas; Indentao Instrumentada: A rea de contato difere continuamente conforme a aplicao da carga; Dificulta a anlise dos resultados, mas obtm-se mais informaes.

 Um penetrador com geometria de ponta plana no utilizado, pois:

Aumentam consideravelmente a rea de contato;

Diminuem a resoluo de contato; Dificilmente o contato uniforme, devido ao desalinhamento do indentador e a rugosidade da amostra.

 Penetrador mais utilizado: Ponta Berkovich (safira), Possui geometria piramidal de base triangular, onde cada lado faz um ngulo de 65,3 com a normal base. O penetrador Berkovich preferido em relao ao Vickers:

Dificuldade de se conseguir com que os quatro lados da ponta Vickers terminarem num nico ponto;

Desenho esquemtico de um perfil de uma indentao

No carregamento em carga mxima a profundidade de penetrao h. No descarregamento, aps a retirada da carga, uma deformao plstica residual hf deixada no material pelo indentador.

 As duas propriedades mecnicas mais frequentemente medidas so Mdulo de Elasticidade (E) e Dureza (H); Em qualquer instante durante a carga, o deslocamento total do penetrador (h) dado por: h = hc + hs

Onde hc a profundidade de contato e hs o deslocamento da superfcie no permetro de contato;

 Carga (P) e profundidade de penetrao (h) so registradas em funo do tempo t, fornecendo a relao carga/ profundidade:

Ciclo de carregamento-descarregamento

 Carregamento: O material carregado a uma carga mxima Pmax, a profundidade de penetrao aumenta at um mximo hmax (curva de carregamento). Descarregamento: A carga aplicada retirada, e o material apresenta certa recuperao elstica he(curva de descarregamento). Quando a carga aplicada nula, a profundidade final no ser zero, e sim algum valor hf, devido deformao plstica deixada pelo indentador no material.

 Em carga mxima max P , a profundidade de penetrao mxima max h alcanada pelo indentador ser:
hmax = hc + hs = hf + he Sendo he as alturas para deformaes elsticas; As relaes entre carga e deslocamento, durante uma fase de descarregamento podem ser dadas por:

Onde B e m so constantes que dependem do material;

A rigidez S calculada pela derivada da curva de descarregamento em relao profundidade no ponto de carga mxima, isto , onde h = hmax .
Matematicamente, a rigidez dada por:

 Sob contato mecnico, tanto indentador quanto superfcie sofrem deformao elstica; O contato elstico resultante do indentador e da superfcie dado pelo mdulo elstico reduzido Er:

 possvel demonstrar que:

Onde A a rea de contato projetada para carga mxima; A rea de contato projetada para a carga mxima, admitindo-se que o penetrador no se deforme significativamente, descrita atravs da seguinte relao: A = F(hc)
Onde F(hc) uma funo matemtica obtida durante a calibragem da ponta.

 Para um penetrador Berkovich ideal, A = 24,5 (hc) Como a profundidade de contato hc dada por:

Conclui-se que o deslocamento do permetro de contato :

Onde assume valores variados conforme a geometria da ponta do penetrador.

 Portanto, determina-se o mdulo de elasticidade do material a partir da medida da sua rigidez, S.

A determinao da dureza faz uso dos mesmos dados.

Neste tipo de ensaio define-se dureza (H) como a presso mdia que o material suporta sob a carga mxima e dada por:

Onde A corresponde a rea de contato projetada para carga mxima e obtida a partir da determinao da profundidade de contato hc.

A tcnica de resistncia ao risco

O desenvolvimento de novas tcnicas para produo de filmes finos resultou na realizao de teste com o prprio indentador; O teste consiste na combinao dos movimentos da prpria indentao e o outro realizado horizontalmente pela mesa mvel;

Penetrador: colocado em contato com a superfcie da amostra;

O ensaio se inicia com a aplicao de uma carga muito pequena, com a velocidade de movimento e comprimento do risco j ajustados.

Operaes realizadas durante o teste de resistncia ao risco

 O teste de resistncia ao risco tambm realizado com a ponta tipo Berkovich, a qual pode ser usada:

O coeficiente de atrito dever ser maior para o risco realizado com a face na frente do penetrador do que com a ponta;

 Fluncia e Relaxao de tenso

O nanoindentador capaz de monitorar o movimento do penetrador sob uma dada carga;

Fluncia: Deformao plstica que ocorre no material sob carga e temperatura constantes, em funo do tempo. Classicamente, a fluncia dividida em trs estgios:

 Fluncia primria ou transitria: a velocidade da fluncia diminui com o tempo;

Fluncia secundria ou estacionria: a velocidade de fluncia praticamente no se altera com o tempo;

Fluncia terciria: A velocidade de fluncia aumenta rapidamente com o tempo, chegando ruptura;

Com o nanoendentador, pode-se aplicar uma carga constante na amostra e medir a variao da profundidade com o tempo, e obter curvas semelhantes s obtidas com tcnicas tradicionais.

Nesta anlise necessrio definir os parmetros equivalentes tenso,(), velocidade de fluncia (d/dt) do mtodo convencional;

A velocidade de fluncia proporcional (dh/dt)/ h , onde dh/dt a taxa de deslocamento do penetrador, e tenso de endentao proporcional dureza, H = P / A.

 Dessa forma possvel obter durante a fluncia secundria, o expoente n da clssica relao de dependncia da velocidade de fluncia com a tenso:

Onde a velocidade de deformao, a tenso de compresso.

 Relaxao de Tenso Mantm-se a temperatura e certa deformao constantes e mede-se a queda da tenso com o variar do tempo. No indentador, pressionado contra a amostra a uma taxa constante para certa profundidade, enquanto as mudanas nas cargas so monitoradas;

Aps o deslocamento ser detido, registram-se os efeitos de relaxao da amostra, e das reaes elsticas do equipamento de ensaio.

Filmes Finos
A utilizao de filmes finos na indstria estimulou um interesse considervel nas suas propriedades mecnicas.

As propriedades frequentemente medidas: mdulo de elasticidade e dureza; Nos testes convencionais de microdureza dificlimo medir a dureza de filmes finos, e no possvel medir o mdulo de elasticidade.

 difcil assegurar que o substrato no exera influncia sobre as medidas; O tamanho da impresso de contato deve ser menor que a espessura do filme. Uma regra simples e prtica utilizada que a profundidade de impresso deve menor do que 10% da espessura; H trs mtodos de anlise utilizados no caso de filmes finos: indentao padro; deflexo de uma microviga e deflexo de uma membrana circular com tenso residual.

a) endentao padro do filme; b) deflexo de uma microviga; c) deflexo de uma membrana circular com tenso residual.

Grandezas fsicas envolvidas na indentao de um filme fino sobre um substrato.

 Uma equao que pode ser til na descrio dos efeitos do substrato sobre o mdulo de elasticidade dada por:

Onde S a medida da rigidez do contato, A a rea de contato projetada, t a espessura do filme, Ef e f , constantes elsticas do filme, Es e s , constantes elsticas do substrato, e Ei e i, constantes elsticas do penetrador. As constantes e dependem da geometria do penetrador.

 Duas equaes distintas so necessrias para descrever a variao da dureza aparente, H, com a profundidade de penetrao, h. As equaes dependem das durezas relativas do filme, Hf em relao dureza do substrato Hs .
Para filmes moles em substratos duros a relao dada por:

onde f e s so as tenses de escoamento do filme e do substrato.

Enquanto que para filmes duros sobre substratos moles a relao dada por:

Medidas do mdulo de elasticidade utilizando microvigas

Alternativa mais elaborada para medir o mdulo de elasticidade; Utiliza o mtodo de produzir uma deflexo em uma microviga em balano sobre componentes fabricados para a microeletrnica. Quando a micro-viga defletida em um sistema de nanoendentao, o comportamento carga-deslocamento pode ser usado para determinar tanto o mdulo elstico do material do filme.

O mdulo determinado pela inclinao da poro elstica inicial atravs da relao:

Onde P a carga, w a deflexo da viga, b a largura, t a espessura, c seu comprimento efetivo, E e , as constantes elsticas do filme. A tenso de escoamento, y, determinada pela carga, Py, para a qual ocorre o escoamento de acordo com a seguinte relao:

 Vantagens: Avalia o mdulo de elasticidade plano que, para materiais como camadas compostas, podem ser diferentes das medidas por endentao atravs do filme. Pode medir a tenso de escoamento. Desvantagens: apresenta a dificuldade no preparo das amostras, Sensibilidade das quantidades medidas em funo de um nmero de parmetros geomtricos que podem ser difceis de serem medidos com certa preciso.

Medidas da tenso residual

Envolve a utilizao de uma amostra especial na qual foi removida uma seo circular do substrato debaixo do filme para produzir uma membrana (tambor). Basea-se no fato de que quando defletida por uma carga pontual no seu centro, a rigidez da membrana uma funo da tenso bi-axial que atua nela.

 A equao bsica que descreve a deflexo :

Onde w a deflexo do ponto central, P a carga, a o raio da membrana, g(k) uma funo que depende da tenso na membrana e da sua geometria e D a rigidez da membrana, dada por:

Onde E e so as constantes elsticas da membrana e t a sua espessura.

Curva de Carregamento

Curva tpica de carregamento versus profundidade de penetrao do penetrador, em amostra de vidro alcalino.

Curva tpica de um ensaio de resistncia ao risco mostrando a profundidade de penetrao do penetrador com o comprimento do risco, em filme de Fe depositado em silcio e em silcio puro.

Micrografia de um risco em filme de 70 nm de fulereno C60 implantado com on N+ depositado sobre Silcio. Pode-se observar o descolamento do filme e a regio deformada.