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DIODOS
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Diodos
Diodo de juno PN
A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtmse uma juno pn, que um dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno.
Devido a repulso mtua os eltrons livres do lado n espalham-se em todas direes, alguns atravessam a juno e se combinam com as lacunas. Quando isto ocorre, a lacuna desaparece e o tomo associado torna-se carregado negativamente. (um on negativo)
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A juno P-N
Quando materiais do tipo-n e do tipo-p so colocados em contato, a juno entre eles comporta-se de modo muito distinto do que qualquer um dos materiais isoladamente. Especificamente, o fenmeno da juno p-n permitir que corrente eltrica flua em apenas um sentido, quando a juno estiver polarizada diretamente. -> Diodo de juno. Este comportamento uni-direcional surge da natureza do processo de transporte de cargas nos dois tipos de material. Prximo juno, os eltrons movem-se por difuso do lado n para o lado p, combinando-se com algumas lacunas e formando, conseqentemente, uma regio Diodos 3 de depleo.
Camada de Depleo
Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. medida que o nmero de ions aumenta, a regio prxima juno fica sem eltrons livres e lacunas.
A camada de depleo age como uma barreira impedindo a continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de depleo aumenta com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um equilbrio.
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A regio de depleo
Quando uma juno p-n formada, alguns eltrons livres da regio n movem-se por difuso atravs da juno e combinam-se com lacunas na regio-p, formando ons negativos. -> Estes eltrons deixam para trs ons positivos nas posies ocupadas pelas impurezas doadoras.
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A regio de depleo
Na formao da juno p-n alguns eltrons da regio-n que alcanaram a banda de conduo esto livres para se difundirem atravs da juno e combinam-se com as lacunas do lado-p. Combinao com lacunas -> Formao de um on negativo na posio do tomo aceitador -> No lado-n ficou para trs um on positivo na posio do tomo doador. A carga espacial na juno aumenta, criando uma regio de depleo que inibe transferncias subseqentes de eltrons -> Uma polarizao direta da juno favorece o movimento de eltrons do ladon para o lado-p, mas no mais por difuso (agora, por uma movimentao forada pelo campo eltrico aplicado).
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Diferena de Potencial
o A diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de barreira de potencial. o A 25, esta barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio.
o A medida que a corrente aumenta esta tenso tambm aumenta devido a resistncia dinmica do diodo rT.
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Smbolo
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POLARIZAO DO DIODO
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Polarizao Direta
o Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao direta se o plo positivo (+) da bateria for colocado em contato com o material tipo p (Anodo) e o plo negativo (-) em contato com o material tipo n
(Catodo).
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Polarizao inversa
o Invertendo-se as conexes
entre a bateria e a juno pn, isto , ligando o plo positivo (+) no material tipo n (catodo) e o plo negativo (-) no material tipo p (Anodo), a juno fica polarizada inversamente.
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CURVA CARACTERSTICA
o A curva caracterstica de um diodo
um grfico que relaciona cada valor da tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo.
I = I0. (e V/nVt 1), onde: Vt = (Tc+273) /11600 (a temperatura ambiente por convenincia) N varia de 1 a 2 para o silcio e vale a para o germnio.
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POTNCIA DE UM DIODO
Em qualquer componente, a potncia dissipada a tenso aplicada multiplicada pela corrente que o atravessa e isto vale para o diodo: P =U*I P V I r I2
D TO Dmed T DRMS
No se pode ultrapassar a potncia mxima, especificada pelo fabricante, pois haver um aquecimento excessivo. Os fabricantes em geral indicam a potncia mxima ou corrente mxima suportada por um diodo. Ex.: 1N914 PMAX = 250mW 1N4001 IMAX = 1A Usualmente os diodos so divididos em trs categorias, os diodos para pequenos sinais (potncia especificada abaixo de 0,5W), os retificadores ( PMAX > 0,5W) e os retificadores de potncia.
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RETA DE CARGA
o Sendo a curva caracterstica do diodo no linear, torna-se complexo determinar atravs de equaes o valor da corrente e tenso sobre o diodo e resistor. Um mtodo para determinar o valor aproximado da corrente e da tenso sobre o diodo, o uso da reta de carga.
Mtodo
o A corrente I atravs do circuito a seguinte:
o No circuito em srie a corrente a mesma no diodo e no resistor. Se forem dados a tenso da fonte e a resistncia RS, ento so desconhecidas a corrente e a tenso sob o diodo.
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Mtodo
o Se, por exemplo, no circuito ao lado o US =2V e RS = 100, ento:
Podemos perceber uma relao linear entre a corrente e a tenso ( y = ax + b).
o Devemos encontrar 2 pontos da reta de carga para podermos determin-la, utilizaremos : o Ponto de Saturao o Ponto de Corte
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Exemplo
Determinar a corrente do diodo no circuito da Figura:
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Tipos de diodos
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ZENER - um diodo construdo especialmente para trabalhar na tenso de ruptura. Seu comportamento o de um diodo comum quando polarizado diretamente. Quando polarizado inversamente ao contrrio de um diodo convencional, ele suporta tenses reversas prximas a tenso de ruptura.
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possvel obter a corrente eltrica sob o diodo zener com o uso de reta de carga.
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O zener ideal aquele que se comporta como uma chave fechada para tenses positivas ou tenses negativas menores que VZ . Ele se comportar como uma chave aberta para tenses negativas entre zero e VZ.
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Garante que sob o zener no circule uma corrente maior que IZMAX
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Exemplo
Um regulador zener tem uma tenso de entrada de 15V a 20V e a corrente de carga de 5 a 20mA. Se o zener tem VZ=6,8V e IZMAX=40mA, qual o valor de RS? Soluo: RS < (15-6,8)/(20m+4m)=342 e RS > (20-6,8)/(5m+40m)=293 Considerando que: IzMin = 0,1 x IzMax 293 < RS <342
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