Caractersticas constructivas Y Aplicaciones

Caractersticas constructivas

FET (Field Efect Transistor): transistor de efecto del campo. Esta formado por una barra de semiconductor N o P que se llama el canal, tiene un cinturn o estrechamiento del otro tipo de semiconductor, los extremos del canal se unen a terminales D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o fuente), el cinturn se une al terminal G (Gate, compuerta). Al aplicar voltaje entre D y S (VDS) se forma una corriente ID que depende de la resistencia del canal, si se aplica un voltaje VGS negativo (G = -, S = +) el diodo formado por el cinturn y el canal queda en inverso y no hay corriente de compuerta (IG = 0) pero el voltaje negativo es G repele las cargas negativas que pasan por el canal que aparece como un aumento de resistencia y la corriente ID disminuye, haciendo mayor o menor la magnitud de VGS haremos que IDdisminuya o aumente, as se obtiene un control de ID, siendo la variable de control del voltaje VGS.

D=drenaje S=fuente G=compuerta ID que depende de la resistencia del canal

FET

En el FET la relacin entre ID y VGS est dada por la ecuacin de Schotkley: ID = IDSS (1 - (VGS/VP)) IDSS y VP son constantes caractersticas de cada tipo o referencia de transistor, se obtienen en las hojas de especificaciones del fabricante.

 Graficamente

ID = IDSS (1 (VGS/VP))

Clasificacin de los FET

FET Y MOSFET

Generales

En lo general las principales caractersticas de los FETs son: 1.- Alta impedancia de entrada 2.- Se logran altas escalas de integracin en circuitos integrados 3.- Se pueden utilizar como memorias digitales al almacenar en su capacitancia informacin en forma de voltaje 4.- Se pueden utilizar como resistores controlados por voltaje en la regin ohmica de trabajo 5.- Su condicin de trabajo depende menos de la temperatura que la del BJT 6.- Presentan la capacidad de manejar grandes corrientes 7.- Pueden conmutar a altas velocidades 8.- Son sensibles a la esttica 9.- No se pueden implementar amplificadores de voltaje con una ganancia significativa

FET Configuraciones polarizacin de FET

FET Configuraciones polarizacin de FET

MOSFET

FET

La principal aplicacin de los JFET se encuentra en amplificadores de pequea seal discretos, en la etapa de entrada de amplificadores operacionales para aprovechar su alta impedancia de entrada y en interruptores analgicos conocidas como compuertas de transmisin. Los JFET son dispositivos de baja disipacin de potencia que trabajan con

fija

Para esta polarizacin fijamos la tensin VGS en el JFET y recordemos que debe ser a un valor negativo. Necesitaremos por tanto una fuente de alimentacin de tensin negativa.

Polarizacin estabilizada en surtidor

Esta polarizacin tambin se llama autopolarizacin ya que para el JFET la puerta est conectada a tierra y es la tensin del surtidor la que vara debido a la resistencia conectada entre surtidor y tierra.

Polarizacin estabilizada en surtidor

Polarizacin realimentando tensin de drenador

Este tipo de polarizacin no la podemos aplicar a los JFETs ni de canal n ni de canal p pues estos nicamente pueden trabajar en modo de enriquecimiento en valores limitados a pocas dcimas de voltio. As en un JFET de canal n la tensin positiva aplicable a puerta est limitada a un valor mximo del orden de 0,5 V. Sin embargo, la tcnica es aplicable a los DEMOSFET trabajando en modo de enriquecimiento y a los E-MOSFET.

Polarizacin realimentando tensin de drenador

 Este tipo de polarizacin s que se puede aplicar a un JFET y se utilizar para mayor comodidad el teorema de Thevenin.
Polarizacin por divisor de tensin

Guillen Duran Edith Marcela 4to A Electrica

SE RECOMIENTA CONSULTAR

http://www.virtual.unal.edu. co/cursos/ingenieria/20017 71/html/cap04/04_06_01.ht ml http://www.uv.es/=esanchis/ cef/pdf/Temas/A_T3.pdf http://proton.ucting.udg.mx/ materias/vega/Informacion/ Jfet.htm