Direcciones

Procedimiento para determinar los ndices de Miller en direcciones atmicas

Determine las coordenadas de dos puntos que estn en esa direccin Reste las coordenadas del punto inicial a las del punto final Reduzca las fracciones (si los hubiera) y/o los resultados obtenidos de la resta a los mnimos enteros. Encierre los nmeros en corchetes [], si se obtiene un nmero negativo represntelo con una barra sobre el nmero.

Ejemplo 1.5 Determinacin los ndices de miller de las direcciones

Determinar los ndices de miller de las direcciones A, B, y C.
Direccin A 1. Two points are 1, 0, 0, and 0, 0, 0 2. 1, 0, 0, -0, 0, 0 = 1, 0, 0 3. No fractions to clear or integers to reduce 4. [100] Direccin B 1. Two points are 1, 1, 1 and 0, 0, 0 2. 1, 1, 1, -0, 0, 0 = 1, 1, 1 3. No fractions to clear or integers to reduce 4. [111] Direccin C 1. Two points are 0, 0, 1 and 1/2, 1, 0 2. 0, 0, 1 -1/2, 1, 0 = -1/2, -1, 1 3. 2(-1/2, -1, 1) = -1, -2, 2

Isotropa y Anisotrpica

Planos
Procedimiento para determinar los ndices de Miller en planos atmicos:
Identifique los puntos en los cuales el plano interseca los ejes de coordenadas (si el plano pasa a travs del origen, este deber moverse) Obtenga los recprocos de estas intersecciones Elimine fracciones pero no reduzca a los mnimos enteros. Encierre los nmeros entre parntesis, sin comas (h k l). Al igual que en las direcciones, los nmeros negativos se representan con una barra sobre estos.

Los metales se deforman en aquellas planos de tomos que estn empaquetados ms estrechamente

Por qu son importantes los planos?

Ejemplo 1.6 Determinando los ndices de Miller

Determine los ndices de Miller de los planos A, B y C
Plano A 1. x = 1, y = 1, z = 1 2.1/x = 1, 1/y = 1,1 /z = 1 3. No fraction 4. (111) Plano B 1. El plano no intercepta el eje z; en x = 1, y = 2, and z = infinito 2.1/x = 1, 1/y =1/2, 1/z = 0 3. Clear fractions: 1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0 4. (210) Plano C 1. Debemos mover el origen, dado que el plano 0, 0, 0. Lets move the origin one lattice parameter in the y-direction. Then, x = Inf , y = -1, and z = Inf 2.1/x = 0, 1/y = 1, 1/z = 0 3. No fractions to clear. 4. ( 0 1 0)

Seccin 1.5 Posiciones intersticiales

En las estructuras cristalinas existen espacios vacos (huecos o intersticios) donde pueden alojarse otros tomos

Ubicacin de los sitios intersticiales en las celdas unitarias cbicas. Solo se muestran sitios representativos

Numero de coordinacin y relacin de radios

Imperfecciones en los arreglos atmicos

Objetivos
Introducir los tres tipos bsicos de defectos: Defectos de punto, defectos de lnea o dislocaciones y defectos superficiales. Explorar la naturaleza y efectos de los tres tipos de defectos

Imperfecciones en los slidos

Que tipos de defectos hay en slidos?

Se podr variar el nmero de defectos y controlar

el tipo de defecto? Como estos defectos afectan las propiedades del material?
Plata sterling (7.5% cobre) es mas duro y fuerte que la plata Transistor de silicio se basa en un dopado controlado

Son los defectos no deseados?

Los Defectos tienen un Profundo Impacto en las propiedades macroscpicas de los materiales

Tipos de defectos de red

Defectos puntuales: Vacancia, intersticial, sustitucional, Frenkel y Schotky Defectos lineales: Dislocaciones helicoidales (tornillo), dislocaciones deborde y mixtas. Defectos de superficie: superficie del material y borde de grano

Defectos puntuales
Alteraciones o discontinuidades puntuales de la red cristalina provocadas por uno o varios tomos Origen: movimiento de tomos durante el calentamiento o el procesado del material, introduccin de impurezas o por aleacin.
Vacancias:
un tomo falta de su sitio normal en la red cristalina

Vacancy
distortion of planes

Defectos puntuales
Defectos intersticiales: un tomo adicional se inserta en una posicin habitualmente desocupada de la red cristalina

distortion of planes

selfinterstitial
Much lower concentration than vacancies.

Defecto substitucional: Substitucin de un tomo de la red cristalina por otro distinto.

Defectos puntuales: concentracin de vacancias en el equilibrio

La concentracin de vacancias equilibro vara con la temperatura

No. de defectos

Energa de Activacin (J/mol) ND = exp -Q D

No. de sitios atmicos

R T

Temperatura (K)

constante (8,31 J/mol K)

N =

Ejercicio
Encuentre el nmero de vacancias en 1cm3 de Cu a 1000 C.
Datos:

Respuesta:

Nv=2,2x1019 vacancias

Defectos en Cermicas
Vacancias Intersticios

Iones Sustitucionales

In an ionic material, an ion can be displaced from a normal site to an interstitial site, causing a Frenkel defect. A Schottky defect can also occur in an ionic material - both an anion and a cation are missing.

Defectos de lnea (dislocaciones):

Imperfecciones o irregularidades lineales en una red ideal o perfecta.
Schematic of a Zinc (HCP):
before deformation after tensile elongation

slip steps

Defecto en cua (borde o arista):

Edge dislocation extra plane of atoms

Burgers vector: magnitude and direction of lattice distortion. Dislocation line: for edge dislocation above, it is to the page.

Defecto Helicoidal (o de tornillo):

Bergers vector b Screw thought of as a result of applied shear shifted upper Region of crystal 1 atomic distance

Motion Screw Dislocation

Apply shear

Defectos Mixtos

Defectos de superficie
Fronteras superficiales, interfases o planos que separan un material en regiones de la misma estructura cristalina pero con distintas orientaciones cristalogrficas.

Bordes de grano de ngulo pequeo: distribucin de dislocaciones que producen pequeas desviaciones en la orientacin cristalogrficas de las redes adyacentes

Macla: pequea diferencia en la orientacin cristalogrfica de dos partes del interior de un grano