Tema 2 Accionamientos CCOCW

1
1. Introduccin. Dispositivos electrnicos de potencia

2. Convertidores electrnicos de potencia ac/dc.

3.Convertidores electrnicos de potencia dc/dc.

Profesora: Mnica Chinchilla Snchez
Universidad Carlos III. Dpto. Ing. Elctrica. Ingeniera Industrial, 5 curso
INDICE DEL
TEMA
Tema 2. Accionamientos Elctricos

Convertidores electrnicos
para motores dc

2
1.Introduccin

Mquinas cc. Movimiento
Motor
(I)
Frenado
regenerativo
(II)
3
1.Introduccin

w
m
T
em
Mquinas cc: pueden operar en los 4 cuadrantes
4
1.Introduccin

CA/CC
CC/CC
CA/CA
CC/CA
CA
CC
5
1.Introduccin. Dispositivos electrnicos de potencia

Transistores bipolares (BJT)

Son muy fciles de controlar.

Las prdidas en conduccin son reducidas, ya que la cada de
tensin en conduccin se encuentra normalmente entre 1 y 2 V.

Las prdidas de conmutacin son moderadas, por lo que la
frecuencia mxima de conmutacin est alrededor de 3 kHz.

No soporta potencias muy elevadas: las mximas tensiones e
intensidades disponibles son 1.400 V y 300 A.
IGCT
6

IGCT
Transistores MOSFET

Son muy fciles de controlar.

Presenta unas prdidas de conmutacin reducidas, por lo que la
frecuencia de conmutacin puede ser superior a 100 kHz.
Por el contrario, sus prdidas en conduccin son elevadas.

Con los transistores MOSFET se pueden alcanzar tensiones de unos
cuantos centenares de voltios e intensidades de decenas de
amperios.
El transistor MOSFET es ms caro que el transistor bipolar, pero son
una alternativa en aplicaciones de baja tensin en caso de que se
desee una elevada frecuencia de conmutacin.
7

IGCT
8
IGCT
Transistores IGBT

El IGBT es la combinacin de un MOSFET y un bipolar.
Precisa slo dos pequeos impulsos de corriente para encenderlo o
apagarlo.
El IGBT tiene un tamao reducido y bajo coste de fabricacin.
La cada de tensin en conduccin es reducida e independiente de la
corriente, por lo que sus prdidas en conduccin son tambin bajas, aunque
casi de valor doble de las que se dan en un transistor bipolar.
Las prdidas de conmutacin de los IGBT son algo mayores que las de los
otros tipos de transistores mencionados debido a la corriente de cola en el
bloqueo.
9
IGCT
Transistores IGBT

La frecuencia mxima de conmutacin de los IGBT es de 20 kHz. Otro
inconveniente consiste en su reducida capacidad para soportar derivadas de
tensin elevadas.
Las tensiones e intensidades lmites de los IGBT son 3300 V y 1200 A.
Se utilizan donde sea necesario aumentar la frecuencia de conmutacin, por
ejemplo, en aquellos casos donde se requiera reducir la frecuencia por
debajo de la audible.

10
IGCT
Tiristores

El tiristor es el semiconductor de potencia ms robusto y fiable, ya que, a diferencia del
transistor, puede soportar elevadas sobreintensidades durante tiempos reducidos.
La principal ventaja del tiristor es que soporta grandes tensiones e intensidades (hasta
5.000 V y 5.000 A).
Tiene una cada de tensin directa baja (entre 1 y 3 V), por lo que las prdidas de
conduccin son reducidas. Su frecuencia de operacin est limitada a 1 kHz.

Inconveniente: no se puede apagar directamente mediante una seal de puerta, por lo
que precisa de una red de apagado que someta al tiristor a una tensin inversa (ctodo-
nodo), (inversor conmutado por red).

Su aplicacin ha quedado limitada al caso de convertidores de potencia elevada en los
que la conmutacin de los tiristores es auxiliada por la carga (inv.en fuente de corriente)
11

IGCT
Tiristores GTO

Presenta la ventaja de que se puede apagar mediante un impulso de corriente
negativo en su puerta.

Su principal inconveniente est en las elevadas prdidas de conmutacin, ya
que el impulso que se ha de proporcionar para su apagado tiene una amplitud
cinco veces menor, aproximadamente, que la corriente a bloquear.
Por el contrario sus prdidas en conduccin son reducidas.

Es capaz de manejar grandes tensiones y corrientes (hasta 4.500 V y 3.000 A).
Su aplicacin est limitada a convertidores de frecuencia de elevada potencia
con circuito intermedio de tensin.
12

IGCT
Tiristores IGCT

Los tiristores controlados de puerta aislada (IGCTs) combinan las cualidades
de los tiristores (como la baja resistencia en conduccin, o su robustez) con
las de los IGBTs (capacidad de apagado por puerta o los niveles de corriente
de saturacin).

Por ejemplo las prdidas de potencia por conmutacin de un IGCT son entre
tres y cuatro veces (depende de la tensin de trabajo) menores que las de un
IGBT, mientras que la cada de tensin en conduccin es la misma
13

MT
1

MT
2

G
Smbolo de un TRIAC
Equivalente de un TRIAC
T
2
T
1

MT
1

MT
2

G
SCR
2
SCR
1

MT
2

MT
2

NC
NC
Equivalente de un DIAC
MT
2

MT
1

Smbolo de un DIAC
TRIAC DIAC
14
2. Convertidores electrnicos ca/cc

Rectificador
15
Rectificador
16

eficaz
eficaz
eficaz
eficaz
Valor medio:
Valor eficaz:
Definiciones (repaso)
17
Terminales ca. Series de Fourier de la tensin vca y de la corriente ica
(en general los valores
medios Vo, Io suelen ser nulos):

Valores eficaces de la tensin y de la corriente superiores al primero:
siendo Vrms el valor eficaz de la tensin, V1 del primer armnico de la tensin, Irms
de la corriente e I1 del primer armnico de corriente .
,
Tasas de distorsin
armnica de tensin
y corriente:
18
1. Rectificador monofsico no controlado
19
1. Rectificador monofsico no controlado (caso R puro)
Valores medios Valores eficaces
20
1. Rectificador monofsico no controlado (caso R puro)

21
2. Rectificador trifsico no controlado
Tanto el factor de potencia como la relacin entre la tensin en la etapa de c.c. y la
tensin en la etapa de c.a estn dadas
955 , 0
P
cos
1
= = =
I
I
S
+
El valor eficaz de la onda de corriente es:
CC f
I 2 3 I U 3 S = =
f
U
CC
CC
2 2
I ,817 0
3
I 2
dt
2
1
dt
1
I
=

= = =
} }
i i
T
t
siendo VL el valor eficaz de la tensin de lnea.
L DC
dt wt cos V 2
6
2
1
U
=
}
L
L
V 1,35
V 2 3

=

=
t
t
22
3. Rectificador monofsico controlado de tiristores.

Caso resistivo puro
23

3. Rectificador monofsico controlado de tiristores. Caso resistivo puro
Valores medios de tensin y corriente:
Valores eficaces de tensin y corriente:
Siendo:
24
3. Rectificador monofsico controlado de tiristores. Caso resistivo puro
Rizado de tensin:
rv=Vr/Vo
Rizado de corriente:
ri=Ir/Io
FACTORES DE RIZADO
VALORES EFICACES
25

3. Rectificador monofsico controlado de tiristores. Caso general.
26

4. Rectificador trifsico controlado de tiristores
27
o=0

o>0
28

o cos V 1,35 U
L DC
=
Variando el valor del ngulo a
entre 0 y 90 es posible
conseguir diferentes valores
de tensin de salida
comprendidos entre
1,35 U*l V y 0 V
o cos
P
cos
1
I
I
S
= =
DC DC
I U = = ) cos( I U 3 P
1 L
o
Igualamos potencia a la entrada y a la salida bajo el supuesto de que el
rectificador no tiene prdidas en los tiristores:
29
5. Puente rectificador por IGBTs
Mediante un rectificador
controlado de IGBTs
es posible controlar dos
variables del sistema
Adems, con una adecuada modulacin de los pulsos de disparo de los
transistores del puente, es posible conseguir una corriente en la
mquina (a la que alimenta) con un contenido en armnicos muy
reducido.

El convertidor es reversible, es decir la transferencia de potencia puede
ser en ambos sentidos.
30
3. Convertidores electrnicos cc/cc
31
Caractersticas del troceador o chopper
Permite variar y controlar el valor medio de la tensin continua (Vo) con la
que alimentamos una carga, mediante una entrada de tensin continua
constante o variable (V
DC
)
Pueden trabajar en los 4 cuadrantes (Vo , Io); lo mas frecuente es que
trabajen en el cuadrante I, o bien en los cuadrantes I y II.
32
Ventajas y desventajas de los choppers
33
Tipos de choppers y cuadrantes de funcionamiento
34
Tipos de choppers
35
Chopper directo
(forward)
36
Chopper directo
(forward) R
L
= t
37
Chopper directo
(forward)
o o = = = = =
} }
T
t
V V
T
t
dt V
T
dt v
T
V
on F
DC
F
DC
on
T
t
F
DC o O
on
0 0
1 1
( ) ( )
F
DC
V V V V = s s =
max
0 0
min
0
0
: razn de conduccin
(01)

38
Chopper directo. Valor medio
de la corriente en la carga (Io)
} } }
+ = =
T
t
D
t
GTO
T
o
on
on
dt i
T
dt i
T
dt i
T
I
1 1 1
0 0
0
|
.
|
\
|
= + + =
dt
di
L E v
R
i E
dt
di
L Ri v
o
o o
o
o o
1
dt
dt
di
L E v
R T
I
T
o
o
}
|
.
|
\
|
=
0
0
1 1
R
E V
R
E V
I
F
DC

=
=
o
0
0
R
V
R
V
I
F
DC o
o
o = = Y si E=0
R
V
I
F
DC
E
o
=
|
|
.
|
\
|
=
=
0
1
max
o
R
E
I I
o
=
max
0
o
max
o o
I I = o
Si se cumplen las condiciones para que la corriente a la salida sea mxima, entonces:
Y si E=0
39
Chopper directo. Corriente instantnea
en rgimen permanente (io).
E v v v
L R o
+ + = E
dt
di
L Ri v
o
o o
+ + =
on
t t s s 0
F
DC o
V v =
min
) 0 (
o o
i i =
T t t
on
s s
0 =
o
v
max
) (
o on o
i t i =
Para
Para
max
o
t t
subida
o
GTO
o
i i i
on
= =
=
min
o
T t
bajada
o
D
o
i i i = =
=
,
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
= = s s
t t
on on
t t
o
t t
F
DC
GTO
o on
e i e
R
E V
i i t t
max
1 0
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
= = s s
t t
on on
t t
o
t t
D
o on
e i e
R
E
i i T t t
max
1
Para
Para
40
Chopper directo.
Valor eficaz de la corriente en la carga en el GTO y en el diodo (operacin
continua).
( )
( ) R
E
e R
e V
i
T
t F
DC
o
on
t
t
/
/
max
1
1
( )
( ) R
E
e R
e V
i
T
t F
DC
o
on
=
1
1
/
/
min
t
t
As:
41
Chopper directo. Valor medio de la tensin Vo (operacin discontinua).
t
x
Llamamos t
x
al instante en que la corriente en el diodo se anula

42
Chopper directo.
Valor medio de la corriente Io (operacin discontinua).
43
Chopper directo.
Valores mximos de las corrientes media y eficaz en el GTO
44
Chopper directo.
Valores mximos de las corrientes media y eficaz en el diodo
Por el diodo la corriente circula en toff=T-ton. Para el clculo de las
corrientes en el diodo se suele asumir io como constante (L muy grande)
y E=0:
45
Chopper directo. Calculo de la inductancia de alisado.
46
Determinar
L
alisado
=L
total
-L
para que:

47
Chopper directo. Clculo de la inductancia de alisado.
48

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