DIODOS SEMICONDUTORES

Alexandre S. Lujan

Semikron Semicondutores Ltda. Carapicuba - SP

 Sumrio: Semicondutores Juno P-N Tipos de diodos semicondutores Fabricao de diodos de potncia

Sumrio
2

 Materiais Semicondutores: Resistividade: 10 - 1000 xcm. Metais - 10-6 xcm; isolantes - >1010 xcm Dois tipos de portadores de corrente: eltrons (negativos) e buracos (positivos). Resistividade apresenta coeficiente de temperatura negativo.

Semicondutores
3

 Materiais semicondutores:
Coluna IV, III-V ou II-VI da Tabela Peridica. ltimas camadas eletrnicas esto completas. Exemplos: Silcio (Si), silciogermnio (SiGe), arseneto de glio (GaAs), sulfeto de cdmio (CdS). Podem ser formados at por ligas ternrias ou quaternrias: AlGaAs, InGaAsP.

Semicondutores
4

 Estrutura de um semicondutor: Estrutura cristalina. Maioria possui estrutura igual do diamante. Ligaes covalentes a inicas.

Semicondutores
5

 Estrutura bidimensional

Silcio

eltron

Semicondutores
6

 Concentrao de portadores:
Materiais puros possuem igual concentrao de eltrons, n, e buracos, p. O produto das concentraes funo da temperatura:

n p = ni2(T) ni a concentrao intrnseca

de portadores

Semicondutores
7

 Dopagem:
Altera a resistividade do material. Substituio de um tomo de Silcio por tomos de impurezas dopantes das colunas III ou V da Tabela Peridica. tomos da coluna III - so chamados trivalentes ou aceitadores e usados para criar camadas com predominncia de buracos, ou tipo P. tomos da coluna V - so chamados pentavalentes ou doadores e usados para criar camadas com predominncia de eltrons, ou tipo N. A concentrao de impurezas dopantes varia de 1x1013 a 1x1021 tomos/cm3. Semicondutores
8

 Exemplos de dopantes para o silcio: Tipo P: Boro (B), Alumnio (Al) e Glio (Ga). Tipo N: Fsforo (P), Arsnio (As) e Antimnio (Sb).

Semicondutores
9

 Silcio tipo N
Eltron livre Silcio

eltron on positivo Dopante pentavalente

Semicondutores
10

 Silcio tipo P

Buraco livre

Silcio

eltron on negativo Dopante trivalente

Semicondutores
11

 Portadores majoritrios e minoritrios:

A dopagem altera a concentrao de portadores. Concentrao de doadores, ND; aceitadores, NA. Tipo N: ND = 1x1018/cm3, n 1x1018/cm3, ni = 1x1010/cm3 p = ni2 / n = 1x1020 / 1x1018 = 1x102/cm3 Portadores majoritrios possuem maior concentrao, exemplo, tipo N - eltrons, tipo P - buracos. Portadores minoritrios possuem menor concentrao, exemplo, tipo N - buracos, tipo P - eltrons.

Semicondutores
12

 Uma juno P-N formada pela unio de dois semicondutores, um tipo P e outro N.

- on negativo - on positivo - Eltron livre - Buraco livre

Tipo N
Juno P-N

Tipo P

13

 As cargas livres movimentam-se prximo juno.

Tipo N
Juno P-N

Tipo P

14

 formado um campo eltrico que impede este movimento.

Tipo N
Juno P-N

Tipo P

15

 A regio onde o campo foi formado no possui cargas livres, e chamada de regio de depleo.

E
ND xn = NA xp W = x n + xp

Tipo N
Juno P-N

xn

xp

Tipo P

16

 O campo eltrico da regio de depleo cria uma diferena de potencial, Vbi, entre os dois lados da juno. Tipicamente Vbi possui valores entre 0,2V e 1,5V. Vbi diminui cerca de 2,5mV/K com o aumento da temperatura.

Emax.

V Vbi -xn
N

+xp
P

Juno P-N
17

 A regio de depleo possui uma capacitncia:

s = 1,05x10-10 F/m, para o silcio.

Juno P-N
18

 Um potencial externo aplicado ao diodo ir somar-se ou subtrair-se ao potencial intrnseco da juno.

N P N P

Polarizao reversa Vbi + V Juno P-N

Polarizao direta Vbi - V

19

 A largura da regio de depleo e a capacitncia da juno podem ser alteradas pelo potencial externo:

Juno P-N
20

 Largura da regio de depleo:

N P N P N P

Reversa W > W0

Sem polarizao W = W0

Direta W < W0

Juno P-N
21

 Retificao de corrente pela juno P-N:

Polarizao reversa largura da depleo aumenta. Fluxo de corrente zero. Polarizao direta para um potencial V suficientemente alto, a largura da depleo zero. Neste caso, eltrons no lado N so injetados no lado P, enquanto que buracos so injetados do lado P para o N Fluxo de corrente diferente de zero. Ocorre recombinao em ambos os lados da juno.

Juno P-N
22

 Retificao de corrente pela juno P-N (cont.):

In, Jn

Ip, Jp

V = Vbi

Juno P-N
23

 Retificao de corrente pela juno P-N (cont.): Curvas caractersticas:

I

Vbi

Juno P-N
24

 Modelo de Shockley:
A corrente em polarizao direta varia exponencialmente com a tenso aplicada.

No sentido reverso, uma pequena corrente constante circula pelo diodo corrente de saturao, IS.

para V < 0 (reverso), para V > 0 (direto),

Juno P-N
25

 Modelo de Shockley (cont.): Curvas caractersticas:

I/IS
6 4 2 -2

105 104 103 102

I/IS

V/(kT/q)
2

101
100
5 10

-2

V/(kT/q)

Juno P-N
26

 Efeito de alta injeo:

Para tenses de polarizao direta suficientemente altas, a concentrao de portadores em ambos os lados da juno fica maior que o valor de equilbrio, n p > ni2. A corrente direta passa a ter menor variao com a tenso direta.

A alta injeo ocorre para densidades de corrente maiores que 1000A/cm2. Juno P-N
27

 Efeito de alta injeo:

Curvas caractersticas:
107
106 105 104

I/IS

103
102 101 100
10 20

V/(kT/q)

Juno P-N
28

 Efeito da resistncia srie:

Correntes muito altas pelo diodo causam queda de potencial nas resistncias parasitas do diodo.
107 106 105 104 103 102 101 100

I/IS

10

V/(kT/q)

20

Juno P-N
29

 Corrente reversa:
Portadores de corrente so gerados termicamente no semicondutor. Defeitos so responsveis pela gerao de portadores. O campo eltrico da juno separa os portadores gerados na regio de depleo. Fora da regio ocorre recombinao.

Tipo N

Tipo P

Juno P-N
30

 Corrente reversa:
A corrente proporcional ao volume da regio de depleo:
107 106 105 104 103 102 101 100

I/IS

10

V/(kT/q)

20

Juno P-N
31

 Corrente reversa:
A corrente reversa dobra para cada aumento da temperatura de cerca de 12 a 14C.

10

Ir (mA)

0,1

0,01

0,001 0 50 100 T(C) 150 200

Juno P-N
32

 Ruptura da juno em polarizao reversa:

O aumento do potencial de polarizao reversa aumenta o campo eltrico na juno:

Juno P-N
33

 Ruptura da juno em polarizao reversa (cont.): O silcio suporta um mximo campo na faixa de 2x105 a 1x106 V/cm antes de entrar em ruptura dieltrica.

Juno P-N
34

 Ruptura da juno em polarizao reversa (cont.):

Na ruptura portadores livres so gerados por ionizao.

Estes portadores so acelerados pelo campo eltrico e sofrem choques com os tomos do cristal.
Nos choques novos portadores so gerados

efeito avalanche.

Juno P-N
35

 A corrente pelo diodo aumenta rapidamente na ruptura. Na ruptura a tenso sobre o diodo constante, VBR (tenso de breakdown). Tenses de ruptura variam de 3V a mais de 5000V. Ruptura tambm pode ocorrer atravs de tunelamento.

VBR V

Juno P-N
36

 Na ruptura a regio de depleo pode se estender ou no por todo o diodo.

N P N P

V = VBR

V = VBR

Avalanche
Juno P-N

Punch-through

37

5,0 4,0
Diodo A1 Diodo A2 Diodo A3 Diodo A5 Diodo NA

Ir (uA)

3,0 2,0 1,0 0,0 0,0

20,0

40,0 60,0 Raiz de Vr (V^0.5)

80,0

Juno P-N
38

 Existem vrios tipos de diodos, cada um construdo para um tipo especfico de aplicao:
Diodos retificadores Diodos retificadores de avalanche Diodos de referncia de tenso, ou tipo Zener Diodos de capacitncia varivel Diodos tipo Schottky

Tipos de Diodos Semicondutores

39

 Simbologia:

N K

P A K A

Catodo

Anodo

Catodo

Anodo

Tipos de Diodos Semicondutores

40

 Retificadores

Suportam altas correntes em polarizao direta, de 1A at cerca de 1000A. Tenso de ruptura de 50V a 5000V. No podem entrar em conduo reversa. Dissipam alta potncia. So fabricados com baixas concentraes de impurezas, n e p.
I

Tipos de Diodos Semicondutores

41

 Retificadores de avalanche

Suportam altas correntes em polarizao direta, de 1A at cerca de 1000A. Tenso de ruptura de 50V a 5000V. Podem entrar em conduo reversa por perodos curtos de tempo. So fabricados com baixas concentraes de impurezas, n e p, e com lminas espessas.
I

Tipos de Diodos Semicondutores

42

 Diodos de referncia de tenso ou Zener

Trabalham polarizados reversamente, em ruptura. Correntes mximas de 1A a 10A. Tenso de ruptura de entre 3V e 200V. So fabricados com camadas de mdia concentraes de impurezas.
I
K A

Tipos de Diodos Semicondutores

43

 Diodos de capacitncia varivel

So fabricados com altas concentraes de impurezas, n e p - maior capacitncia. Operam em polarizao reversa, antes da ruptura. Possuem baixa tenso de ruptura. Usados em circuitos ressonantes para sintonia.
I
K A

Tipos de Diodos Semicondutores

44

 Diodos Schottky
So diodos extremamente rpidos, usados em alta frequncia. Fabricados apenas com um tipo de semicondutor, p ou n. A juno formada por um contato metal-semicondutor. Possuem baixa tenso de ruptura.
N P

Metal

Tipos de Diodos Semicondutores

45

 As camadas N e P so obtidas por difuso, partindo-se geralmente de uma lmina tipo N. difundida uma camada N de alta dopagem para o contato de catodo.
K N+ N P A

Diodo

Fabricao de Diodos de Potncia

46

 Aps a difuso so feitos contatos metlicos para as camadas de catodo, anodo.

K N+ N P A

Diodo

Fabricao de Diodos de Potncia

47

 O prximo passo passivar as junes, evitando que circulem correntes de fuga pela superfcie do silcio. O material para passivao pode ser vidro ou um polmero do tipo silicone ou poliamida.
K N+ N P A

Diodo

Fabricao de Diodos de Potncia

48

 Por fim so soldados os terminais e o chip encapsulado.

K N+ N P A

Diodo

Fabricao de Diodos de Potncia

49

Fabricao de Diodos de Potncia

50

 Referncias:
Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze, 2a edio, Editora John Wiley & Sons, New York, 1981. Solid State Physics, N. W. Ashcroft e N. D. Mermin, Editora Holt, Rinehart and Winston, New York, 1976.

51

Obrigado!

52