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Elaborao e apresentao: Adriano Furquim

Os transistores so componentes eletrnicos construdos a partir de cristais semicondutores, principalmente o silcio e o germnio. O termo vem de transfer resistor, ou seja transferir resistncia. Isto porque a corrente eltrica que passa entre coletor e emissor do transistor varia conforme variamos a corrente que injetamos na base. A corrente coletor-emissor ser to maior quanto maior for a corrente de base, de acordo com o ganho.

Os semicondutores no so utilizados em sua forma pura (Si e Ge) e sim misturados a outros elementos qumicos. Esse processo chamado de dopagem do cristal semicondutor. A dopagem visa a criao de tipos de cristais com caractersticas positivas e negativas que juntos vo formar os diversos tipos de componentes semicondutores: Dopagem com elemento pentavalente obtemos um cristal tipo N. Dopagem com elemento trivalente obtemos um cristal tipo P.

1.
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O processo de dopagem consiste em introduzir quantidades rigorosamente controladas de materiais selecionados (conhecidos como impurezas) que transformam a estrutura eletrnica, introduzindo-se entre as ligaes dos tomos de silcio, roubando ou doando eltrons dos tomos, gerando o silcio P ou N.

Os elementos P possuem grande quantidade de portadores positivos e o elemento N grande quantidade de portadores negativos.
O P anodo (+) e N catodo (-). Polarizao Direta: o positivo da fonte de tenso ligado ao elemento P e o negativo ao elemento. Polarizao Reversa: o positivo da fonte de tenso no lado N e o negativo.

Um transistor se parece com dois diodos de costas um para o outro.

Teoricamente nenhuma corrente pode fluir por um transistor, j que os diodos bloqueariam a corrente dos dois lados.

Contudo, quando se aplica uma pequena corrente camada central da estrutura, uma corrente muito maior pode fluir como um todo. Isso d ao transistor seu comportamento de interruptor. Uma pequena corrente pode ligar e desligar uma grande corrente.

No smbolo do componente, o emissor indicado por uma seta: Para fora se for NPN Para dentro se for PNP A seta sempre aponta para o elemento negativo. Os transistores podem funcionar como chave, amplificador e regulador de tenso.

Com a formao das trs regies, aparecem automaticamente duas outras pequenas regies internas, j conhecidas como barreira de potencial (campos eletrostticos) ou regio de depleo. Os elementos P possuem grande quantidade de portadores positivos e o elemento N grande quantidade de portadores negativos. P anodo (+) e N catodo (-).

Ligando uma bateria na juno base-emissor, observamos que corresponde a uma Polarizao Direta. Dessa maneira fluir ento uma corrente atravs da baixa resistncia da juno emissor-base.

Se aplicarmos uma tenso atravs da segunda juno, fluir uma corrente muito pequena atravs da resistncia da juno base-coletor, pois a polarizao inversa. Esta pequena corrente, que causada pelos portadores minoritrios, chamada de corrente de fuga.

Os eltrons na regio do emissor so repelidos pelo potencial negativo da fonte em direo base, passando com facilidade pela juno base-emissor, pois a mesma est polarizada diretamente apresentando assim uma baixa resistncia. Alguns eltrons se recombinam com as lacunas existentes na base, formando a corrente de base. Como o nmero de lacunas na base inferior ao nmero de eltrons que nela penetram, e tambm devido ao fato da base ter dimenses muito reduzidas, a maioria dos eltrons atinge a juno base-coletor.

Esses eltrons que esto sendo atrados pelo potencial positivo do coletor ultrapassam a juno base-coletor, chegando ao terminal positivo da fonte. Este movimento de eltrons nos elementos do transistor constituem as correntes eltricas atravs do mesmo.

A figura abaixo mostra como a regio de emissor fortemente dopada, e a regio de base fracamente dopada. J a regio de coletor apresenta uma dopagem mediana. A regio de coletor muito maior que as outras regies devido ao fato de ser nesta regio que se dissipa todo calor gerado durante o funcionamento do transistor. A regio de base muito fina e durante o processo de formao de juno PN emissor / base a camada de depleo se aprofunda mais na regio de base principalmente devido ao fato desta regio ser fracamente dopada. O mesmo ocorre na formao da juno entre coletor / base, porm com menor intensidade

Cada uma das junes de um transistor apresenta uma queda de tenso, que denominada conforme a juno. Temos ento: 1. Vbe ou Veb = tenso entre base e emissor 2. Vbc ou Vcb = tenso entre base e coletor 3. Vce ou Vec = tenso entre coletor e emissor A maior deles Vce (NPN) ou Vec(PNP). Podemos dizer que Vce a soma das outras duas, ou seja: Vce = Vbe + Vbc.

Aplicando as leis de Kirchoff obtemos: IE = IC + IB NPN: VCE = VBE + VCB PNP: VEC = VEB + VBC

A Juno PN entre a Base e o Emissor tem uma Tenso de Barreira (V0) de 0,6 V, que um parmetro importante do TJB. No TJB a Corrente produzida por ambos os tipos de Portadores de Cargas (Eltrons e Lacunas), da a origem do nome Bipolar. A principal funo do transistor amplificar sinais, portanto o mesmo deve apresentar um ganho, na sada, de tenso ou de corrente.

Polarizando diretamente a juno base-emissor e inversamente a juno base-coletor, a corrente de coletor IC passa a ser controlada pela corrente de base IB. A corrente de base sendo bem menor que a corrente de coletor, uma pequena variao de IB provoca uma grande variao de IC, Isto significa que a variao de corrente de coletor um reflexo amplificado da variao da corrente na base. Este efeito amplificao, denominado ganho de corrente pode ser expresso matematicamente pela relao entre a variao de corrente do coletor e a variao da corrente de base , isto :

A relao entre Ic e Ie, com a Vcb constante, pode-se obter o (alfa) de um transistor atravs da frmula:

Como Ib muito menor do que Ie e Ic, podemos dizer ento que Ie um pouco maior do que Ic (aproximadamente iguais). Logo, dividindo Ic por Ie, resulta em um valor menor do que 1. (<1)

So as tenses contnuas aplicadas nos terminais do transistor para ele funcionar. A polarizao pode ser:

Polarizao NPN: tenso mais alta no coletor, mdia na base e baixa no emissor. A tenso da base s um pouco maior que a do emissor (no mximo 0,8V a mais).

Polarizao PNP: funcionam com tenso mais alta no emissor, mdia na base e tenso mais baixa no coletor.

Um transistor funcionando como um amplificador pode ser ligado no circuito de trs formas diferentes, o nome da configurao referenciado ao elemento do transistor que comum aos circuitos de entrada e de sada. :

O emissor esta cheio de eltrons livres (material tipo N). Quando VBE for maior do que 0,7 V, o emissor injeta eltrons na base. A base fina levemente dopada dando a quase todos os eltrons oriundos do emissor o poder de se difundir atravs da camada de depleo do coletor.

O sinal entra na base-emissor e sai amplificado no coletor-emissor. Mdia impedncia(Z) de entrada. Alta impedncia(Z) de sada. Defasagem entre o sinal de sada e o de entrada de 180. Pode amplificar tenso e corrente, at centenas de vezes. Geralmente, o ganho de potncia nos circuitos em configurao emissor comum muito alto. Gp = Gv . = Ic com Vce constante Ib a forma mais utilizada de se polarizar um transistor

IMPEDNCIA DE ENTRADA (Ze): igual ao quociente entre a tenso de entrada (Ee = tenso CA do sinal de entrada) e a corrente de entrada (Ie = corrente CA do sinal de entrada). A impedncia de entrada est compreendida entre 10K e 100K. Ze=Ee / Ie
IMPEDNCIA DE SADA (Zs): igual ao quociente entre a tenso CA do sinal de sada (Es), quando a sada esta em vazio (isto , Is = 0) e a corrente CA do sinal de sada (Is), quando a sada est em curto-circuito (Es =0).A impedncia de sada esta situada entre 10Ke 100K. Zs= Es (sada em vazio) / Is (sada em curto) AMPLIFICAO DE CORRENTE (Ai): o quociente entre a corrente CA do sinal de sada e a corrente CA do sinal de entrada. A amplificao de corrente est compreendida entre 10 e 100 vezes. Ai = Is / Ie AMPLIFICAO DE TENSO (Av): o quociente entre a tenso CA do sinal de sada e a tenso CA do sinal de entrada. A amplificao de tenso est situada entre 100 e 1000 vezes. Av = Es / Ee AMPLIFICAO DE POTNCIA (Ap): igual ao produto entre a amplificao de corrente e a amplificao de tenso. A amplificao de potncia est compreendida entre 1.000 e 100.000 vezes. Ap = Ai x Av

RELAO DE FASE: Ocorre uma defasamento de 18O entre a tenso do sinal de sada e a tenso do sinal de entrada (180 = 180 graus).

Para polariza-lo ligamos uma bateria de tenso maior ( B2) entre o coletor e o emissor e uma bateria de tenso menor( B1) atravs de um potencimetro na base do transistor.

Condio em que o cursor do potencimetro est todo para o lado negativo da bateria B1, ou seja, a tenso aplicada base do transistor Zero (0).Nestas condies, a juno que existe entre a base e o emissor, que seria o percurso para uma corrente da bateria B1, no tem polarizao alguma e nenhuma corrente pode fluir.A corrente de base ( Ib) do transistor zero(0). Da mesma forma , nestas condies a corrente entre o coletor e o emissor do transistor, percurso natural para a corrente da bateria B2 nula.

Movimentando gradualmente o cursor do potencimetro no sentido de aumentar a tenso aplicada base do transistor, vemos que nada ocorre de anormal at atingirmos o ponto em que a barreira de potencial da juno emissor-base do transistor vencida.(0,2 V para o germnio e aproximadamente 0,7V para o silcio).Com uma tenso desta ordem, comea a circular uma pequena corrente entre a base e o emissor. Esta corrente entretanto tem um efeito interessante sobre o transistor: uma corrente tambm comea a circular entre o coletor e o emissor e esta corrente varia proporcionalmente com a corrente de base.

medida que movimentamos mais o potencimetro no sentido de aumentar a corrente de base, observamos que a corrente do coletor do transistor aumenta na mesma proporo. Se uma corrente de base de 0,1mA provoca uma corrente no coletor de 10mA, dizemos que o ganho de corrente ou Fator de amplificao do transistor 100vezes, ou seja a corrente de coletor 100 vezes maior que a corrente de base A proporcionalidade entre a corrente de base e a corrente de coletor entretanto no se mantm em toda a faixa possvel de valores.

Existe um ponto em que um aumento de corrente de base no provoca mais um aumento na corrente de coletor que ento se estabiliza. Dizemos que chegamos ao ponto de saturao, ou seja, o transistor satura. Observe ento que existe um trecho linear deste grfico que denominado de Curva caracterstica do transistor.

O Ponto Q (Quiescente) ou Ponto de Operao consiste basicamente em escolher a corrente de coletor Ic e a tenso Vce, a partir das condies de trabalho do circuito e dos dados do fabricante do transistor. Quando se necessita de uma corrente constante independente de variaes de tenso da fonte ou do ganho de corrente do transistor (CC), a melhor regio de operao a linear devido a possibilidade de se estabelecer parmetros firmes de operao.

Considerando o circuito da figura em que o transstor bipolar NPN caracterizado por =100 (ganho) e o transstor est na zona ativa, consideramos o circuito seguinte, calcule as tenses e correntes no transistor: Circulando pela malha da base: -V1 + RB . IB + VBE = 0 ou IB = (V1 - VBE) / RB IB = (10-0,7)/220 IB = 42,27A IC=*IB ou IC=4,23mA para as tenses temos: VE=0 VB=0,7 VC=10-RC*IC ou VC=5,7 onde VBE=0,7 e VBC=-6,4 < 0,7 Podemos concluir que o transstor se encontra na zona ativa.

O sinal entra na base e sai no emissor, porm apenas com ganho de corrente. Alta impedncia(Z) de entrada. Baixa impedncia(Z) de sada. No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada. Amplificao de tenso igual a um.

a) Quando Ib = 0 Ic = 0 . O transistor no funciona, e neste caso se diz que ele funciona como uma chave aberta ou representa-se por: b) Ib =Cresce Ic= cresce na mesma proporo. d)Ib = atinge um determinado valor, (ponto de saturao) e a partir dai mesmo que aumentemos Ib Ic= se mantm constante

O sinal entra no emissor e sai amplificado no coletor. Baixa impedncia(Z) de entrada. Alta impedncia(Z) de sada. No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada. Amplificao de corrente igual a um.

Regies de operao de um transistor Os transistores operam em duas regies distintas, uma chamada de fonte de corrente (regio linear) e outra chamada de regio de corte/saturao. Regio de corte / saturao a regio de operao de transistor onde ele atua como uma chave eltrica, ligado e desligado, nesta regio a corrente de base bastante alta e a do coletor tambm, a regio onde o transistor sofre menos aquecimento e onde a tenso entre coletor e emissor menor. (aproximadamente 0 V) Na regio de ruptura a tenso entre coletor e emissor fica muito elevada causando a destruio do componente, devendo ser evitada; j na regio linear o transistor se comporta como uma fonte de corrente controlada, uma regio utilizada para amplificao e como a tenso VCE muito elevada h uma gerao de calor no transistor bastante elevada.

Os transistores NPN e PNP funcionam de maneira anloga, porm um com correntes ao contrrio do outro.

A corrente de emissor sempre ser a corrente de base mais a corrente de coletor. Ie= Ic+Ib A corrente de coletor aproximadamente igual a corrente de emissor. A corrente de base sempre muito menor que a corrente de coletor ou corrente de emissor.

Transistor de Baixa Potncia: so os transistores pequenos que no suportam muito calor. Transistor de Mdia Potncia: so maiores que os anteriores e muitos possuem um furo para serem parafusados em um dissipador de calor. Transistores de Alta Potncia: so aqueles que tem o corpo grande prprio para suportarem altas temperaturas. Estes trabalham com dissipadores de calor.

Transistores de uso geral.-so transistores destinados a gerar ou amplificar sinais de pequena intensidade e de freqncia relativamente baixa. Transistores de Potncia- so transistores destinados a operar com correntes intensas mais ainda com sinais de baixas freqncias. Transistores de RF (Radiofreqncia)-so transistores destinados a amplificar ou gerar sinais de freqncias elevadas, mais com pequenas intensidades de correntes.