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Transistores Bipolares

Prof. Gustavo Fernandes de Lima <gustavo.lima@ifrn.edu.br>

Programa da aula
Introduo/Evoluo Transistor Bipolar

Caractersticas construtivas Funcionamento como amplificador Configuraes bsicas Curva caracterstica Reta de carga Circuitos de polarizao Transistor como regulador

Bibliografia

Introduo
Com

o passar dos anos, a indstria dos dispositivos semicondutores foi crescendo e desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em 1948, na Bell Telephone, um grupo de pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um dispositivo formado por trs camadas de material semicondutor com tipos alternados, ou seja, um dispositivo com duas junes. O dispositivo recebeu o nome de TRANSISTOR.
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Introduo

Figura 1 - O primeiro transistor de juno de germnio da Bell Laboratories, 1950

Evoluo

Figura 2 Evoluo do Transistor


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Evoluo
Descrio
1941:

da imagem anterior:

Vlvula terminica usada em telecomunicaes; 1948: Point-contact transistor, seis meses aps sua inveno; 1955: Transistor que substituiu as vlvulas ou tubos a vcuo em equipamentos de comunicao em rede; 1957: Amplificador de faixa larga de alta frequncia; 1967: Microchip, usado para produzir os tones (sons) em aparelhos de telefone; 1997: Chip, que pode conter mais de 5 milhes de transistores, usados em modems e celulares. 6

Evoluo
O

impacto do transistor, na eletrnica, foi grande, j que a sua capacidade de amplificar sinais eltricos permitiu que em pouco tempo ele, muito menor e consumindo muito menos energia, substitusse as vlvulas na maioria das aplicaes eletrnicas. O transistor contribuiu para todas as invenes relacionadas, como os circuitos integrados, componentes opto-eletrnicos e microprocessadores.
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Evoluo
Praticamente

todos os equipamentos eletrnicos projetados hoje em dia usam componentes semicondutores. As vantagens sobre as difundidas vlvulas eram bastantes significativas, tais como:
Menor

tamanho, mais leve e mais resistente No precisava de filamento Mais eficiente, pois dissipa menos potncia No necessita de tempo de aquecimento Menores tenses de alimentao
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Transistor Bipolar
O

transistor pode controlar a corrente; Ele montado numa estrutura de cristais semicondutores, formando duas camadas de um tipo (N) e no meio delas o outro cristal (P); Cada uma dessas camadas recebe um nome em relao sua funo na operao do transistor;

Figura 3 - Transistor da esquerda chamado de NPN e o outro de PNP

Transistor Bipolar

Caractersticas construtivas
O

emissor tem a propriedade de emitir portadores de carga; A base muito fina, no consegue absorver todos os portadores emitidos pelo emissor; O coletor a maior das camadas, sendo o responsvel pela coleta dos portadores vindos do emissor.
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Transistor Bipolar

Caractersticas construtivas (cont.)


Da

mesma forma que nos diodos, so formadas barreiras de potencial nas junes das camadas P e N.

Figura 4 Barreiras de potencial nos transistores NPN e PNP

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Transistor Bipolar

Caractersticas construtivas (cont.)


O

comportamento bsico dos transistores em circuitos eletrnicos fazer o controle da passagem de corrente entre o emissor e o coletor atravs da base. Para isto necessrio polarizar corretamente as junes do transistor.

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Transistor Bipolar

Funcionamento como amplificador (NPN)


Polarizando

diretamente a juno emissor-base

Figura 5 Polarizao direta da juno emissor-base

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Transistor Bipolar

Funcionamento como amplificador (NPN)


Polarizando

inversamente a juno base-coletor

Figura 6 Polarizao reversa da juno base-coletor

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Transistor Bipolar

Funcionamento como amplificador (NPN)


Polarizao

completa, a corrente de coletor IC passa a ser controlada pela corrente de base IB.

Figura 7 Transistor controlando corrente

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Transistor Bipolar

Funcionamento como amplificador (cont.)


Um

aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de coletor IC. A corrente de base sendo bem menor que a corrente de coletor, uma pequena variao de IB provoca uma grande variao de IC. Isto significa que a variao de corrente de coletor um reflexo amplificado da variao da corrente na base.
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Transistor Bipolar

Funcionamento como amplificador (cont.)


O

fato do transistor possibilitar a amplificao de um sinal faz com que ele seja considerado um dispositivo ativo. Este efeito amplificao, denominado ganho de corrente, pode ser expresso matematicamente pela relao entre a variao de corrente do coletor e a variao da corrente de base , isto :
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Transistor Bipolar

Funcionamento como amplificador (cont.)

Figura 8 Efeito Amplificao no Transistor NPN


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Transistor Bipolar

Tenses e Correntes nos Transistores

IE = IC + IB VCE = VBE + VCB

IE = IC + IB VEC = VEB + VBC

Figura 9 - Tenses e Correntes


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Transistor Bipolar

Configuraes Bsicas
Os

transistores podem ser utilizados em trs configuraes bsicas: Base Comum (BC), Emissor comum (EC), e Coletor comum (CC). O termo comum significa que o terminal comum a entrada e a sada do circuito.

Figura 10 - Configuraes Bsicas

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Transistor Bipolar

Configuraes Bsicas (cont.)


Base Comum Ganho de tenso elevado Ganho de corrente menor que 1 Ganho de potncia intermedirio Impedncia de entrada baixa Impedncia de sada alta Ganho de tenso menor que 1 Ganho de corrente elevado Ganho de potncia intermedirio Impedncia de entrada alta Impedncia de sada baixa Ganho de tenso elevado Ganho de corrente elevado Ganho de potncia elevado Impedncia de entrada baixa Impedncia de sada alta

Coletor Comum

Emissor Comum

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Transistor Bipolar

Configuraes Bsicas (cont.)


A

configurao Emissor-Comum a mais utilizada em circuitos transistorizados. Por isso, os diversos parmetros dos transistores fornecidos pelos manuais tcnicos tm como referncia esta configurao.

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Transistor Bipolar

Curva Caracterstica - EC
Podemos

trabalhar com a chamada curva caracterstica de entrada. Para cada valor constante de VCE, varia-se a tenso de entrada VBE, obtendo-se uma corrente de entrada IB, resultando num grfico conforme figura abaixo. Observa-se que possvel controlar a corrente de base, variando-se a tenso entre a base e o emissor.
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Transistor Bipolar

Curva Caracterstica EC

Figura 11 - Curva Caracterstica de Entrada EC

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Transistor Bipolar

Curva Caracterstica EC
Para

cada constante de corrente de entrada IB, variando-se a tenso de sada VCE, obtm-se uma corrente de sada IC, cujo grfico tem o seguinte aspecto.

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Transistor Bipolar

Curva Caracterstica EC

Figura 12 -Curva Caracterstica de Sada EC

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Transistor Bipolar

Funcionamento como chave


A

utilizao do transistor nos seus estados de SATURAO e CORTE, isto , de modo que ele ligue conduzindo totalmente a corrente entre emissor e o coletor, ou desligue sem conduzir corrente alguma conhecido como operao como chave. No exemplo a seguir, ao se ligar a chave S1, fazendo circular uma corrente pela base do transistor, ele satura e acende a lmpada. 27

Transistor Bipolar

Funcionamento como chave


O

resistor ligado a base calculado, de forma que, a corrente multiplicada pelo ganho d um valor maior do que o necessrio o circuito do coletor, no caso, a lmpada.

Figura 13 Exemplo de utilizao como chave

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Transistor Bipolar

Funcionamento como chave

Figura 14 Analogia de um transistor com uma chave


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Transistor Bipolar

Ponto de Operao (Quiescente)


Os

transistores so utilizados como elementos de amplificao de corrente e tenso, ou como elementos de controle ON-OFF. Tanto para estas como para outras aplicaes, o transistor deve estar polarizado corretamente. Polarizar um transistor fix-lo num ponto de operao em corrente contnua, dentro de suas curvas caractersticas.
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Transistor Bipolar

Ponto de Operao (Quiescente)


Tambm

chamado de polarizao DC, este ponto de operao (ou quiescente) pode estar localizado nas regies de corte, saturao ou ativa da curva caracterstica de sada. Os pontos QA (regio ativa), QB (regio de saturao) e QC (regio de corte) da figura a seguir caracterizam as trs regies citadas.
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Transistor Bipolar

Ponto de Operao (Quiescente)

Figura 15 Pontos Quiescentes de um Transistor


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Transistor Bipolar

Reta de carga

o lugar geomtrico de todos os pontos de operao possveis para uma determinada polarizao.

Figura 16 Reta de Carga de um Transistor

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Transistor Bipolar

Circuito de Polarizao em Emissor Comum


Nesta

configurao, a juno BE polarizada diretamente e a juno BC reversamente. Para isso, utilizam-se duas baterias e dois resistores para limitar as correntes e fixar o ponto de operao.
RC RB B IB VBB E IE IC VCC C

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Transistor Bipolar

Circuito de Polarizao em Emissor Comum


RC RB B IB VBB E IE IC VCC C

Malha

de entrada: RB.IB + VBE = VBB ento,


VBB VBE RB IB VCC VCE IC

Malha

de sada: RC.IC+VCE=VCC ento,


RC
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Transistor Bipolar

Circuito de polarizao EC com corrente de base constante


Para

eliminar a fonte de alimentao da base VBB, pode-se utilizar somente a fonte VCC. Para garantir as tenses corretas para o funcionamento do transistor RB deve ser maior que RC.
RC IC RB B IB E IE VCC C

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Transistor Bipolar

Circuito de polarizao EC com corrente de base constante


RC RB B IB E IE IC VCC C

VCC VBE RB IB

VCC VCE RC IC
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Transistor Bipolar

Circuito de Polarizao EC com corrente de emissor constante.


Neste

circuito de polarizao inserido um resistor RE entre o emissor e a fonte de alimentao


RC IC RB B IB RE E IE VCC C

idia compensar possveis variaes de ganho devido a mudanas de temperatura. 38

Transistor Bipolar

Circuito de Polarizao EC com corrente de emissor constante


RC RB B IB RE E IE IC VCC C

RB

VCC VBE R E .I E IB

VCC VCE R E .I E RC IC

Adota-se

VRE = VCC / 10
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Bibliografia
MARQUES,

Angelo Eduardo B.; CHOUERI JNIOR, Salomo; CRUZ, Eduardo Cesar Alves. Dispositivos semicondutores: diodos e transistores. 11. ed. So Paulo: rica, 2007.

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Fim

OBRIGADO
<gustavo.lima@ifrn.edu.br>

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