Transistores Bipolares

Electrnica I
Contenido
Principios fsicos
Modelos de Ebers-Moll
Estado activo directo
Estados de corte y saturacin
La recta de carga
Transistor pnp
Anlisis del punto Q
Contenido (continuacin)
Modelo esttico SPICE del transistor
bipolar
Efectos de segundo orden
Modelo dinmico del transistor
La conmutacin del transistor
Modelo dinmico SPICE del transistor
bipolar
Fabricacin de CI
Introduccin
Los transistores de unin bipolares o bipolares tienen
aplicaciones en electrnica analgica y digital.
En electrnica analgica sus funciones son: amplificar
seales, generar tensiones de referencia, proporcionar energa,
proteger de sobrecalentamiento, etc.
En electrnica digital sus funciones son: interruptores
controlados por corriente, memorias digitales, etc.
Construccin
El transistor bipolar se construye como un emparedado de tres
regiones, tipo n, p, y n (o p, n, p). La base tipo p(n) se
empareda por el emisor y el colector tipo n(p).
n n p
Emisor Colector Base
E
B
C
E C
B
p p n
Emisor Colector Base
E
B
C
E C
B
Transistor npn Transistor pnp
Polarizacin en zona activa
La unin de emisor y base se polariza directamente y la
unin base colector se polariza inversamente.
n n p
Emisor Colector Base
E
B
C
E C
B
Potencial de los electrones
Corrientes en el transistor
continuacin
i
E
corriente total de emisor
i
B
corriente total de base
i
C
corriente total de colector
i
E
corriente de electrones inyectados a la base
o
t
( i
E
) = o
F
i
E
fraccn de corriente de electrones
inyectados que llegan al colector.
o
t
factor de transporte

Modelo de Ebers-Moll
DC DE F C
i i i =o
La corriente en el
colector es:
( ) ( ) 1 1 =
T BC T BE
V v
CS
V v
ES F C
e I e I i o
Sustituyendo
( ) ( ) 1 1 =
T BC T BE
V v
CS R
V v
ES E
e I e I i o
Similarmente para el emisor
o
R
i
DC
o
F
i
DE
i
DE
i
DC
i
E
i
B
i
C
Continuacin
La ley de reciprocidad establece que:
Donde o
F
es la alfa directa y o
R
es la
alfa inversa.
Sustituyendo en las ecs. anteriores
S CS R ES F
I I I = =o o
( ) ( ) 1 1 =
T BC T BE
V v
R
S
V v
S C
e
I
e I i
o
( ) ( ) 1 1 =
T BC T BE
V v
S
V v
F
S
E
e I e
I
i
o
Estados del transistor
Polarizacin de las uniones
Estado Base emisor Base colector
Activo directo Directa (v
BE
> V

) Inversa (v
BC
< V

)
Transistor inversoInversa (v
BE
< V

) Directa (v
BC
> V

)
Cortado Inversa (v
BE
< V

) Inversa (v
BC
< V

)
Saturado Directa (v
BE
> V

) Directa (v
BC
> V

)
Los estados del transistor se pueden resumir en la
siguiente tabla:
continuacin
Saturacin
Activo inverso
Corte
Activo directo
0.5
0.5
0
0
v
BE
v
BC
Estado activo directo
En el amplificador de emisor comn la fuente en el circuito de base
polariza directamente a la unin base-emisor y una fuente de mayor
tensin polariza inversamente la unin base-colector. El voltaje v
BE

deber ser mayor que la tensin de codo y los trminos que llevan v
BE

son mucho mayores que 1. La tensin v
BC
es mucho menor que la
tensin de codo, las exponenciales que incluyen v
BC
son mucho menores
que 1. Las ecuaciones de Ebers-Moll quedan como:
R
S
V v
S C
I
e I i
T BE
o
+ = S
V v
F
S
E
I e
I
i
T BE
+ =
o
El segundo trmino es mucho ms pequeo que el primero, simplificando
llegamos a:
E F C
i i o =
Caractersticas de transferencia
De la ley de Kirchhoff de corrientes se llega a:
B
F
F
C
i i
o
o

=
1
Definimos la beta directa del transistor como:
F
F
F
o
o
|

=
1
Entonces:
B F C
i i =
y
( )
B F E
i i 1 + =
Es fcil mostrar que la ecuacin de entrada en emisor comn
es:
( )
T BE
V v
F F
S
B
e
I
i
1 +
=
| o
Configuracin de base comn
n p n
I
C
I
E
I
B
E

B

C

V
EE
V
CC
+
+


En la configuracin de base comn la terminal de la base del transistor es
comn al circuito de entrada (izquierda) y al de salida (derecha).
Las fuentes se etiquetan repitiendo el nombre de la terminal a la cual estn
conectadas.
Caractersticas de entrada en Base
comn
Las caractersticas de entrada en
base comn relacionan la corriente
de emisor I
E
, con el voltaje en la
unin de emisor-base V
BE
para
diferentes valores del voltaje de
salida V
CB
.
Para considerar que un transistor
est encendido supondremos V
BE
=
0.7V
Caractersticas de salida
Las caractersticas de salida en base comn relacionan la corriente de colector
I
C
, con el voltaje en la unin de colector-base V
CB
para diferentes valores de la
corriente de entrada I
E
.
Aqu se distinguen las diferentes regiones de operacin.
Corriente de saturacin inversa I
CBO
Esta es la corriente que circula en la unin base-colector cuando la
corriente de emisor es igual a cero.
o del transistor
La alfa en corriente directa se define como
E
C
dc
I
I
= o
Los valores tpicos son de 0.9 a 0.998.
Si el punto de operacin se desplaza sobre la curva
caracterstica, se define la alfa de corriente alterna
constante =
A
A
=
CB
V
E
C
ac
I
I
o
Los valores tpicos de o
ac
son prcticamente iguales o
dc
.
El transistor como amplificador
Considere la siguiente red donde se ha omitido la polarizacin.
p n p
I
L
I
i
E

B

C

V
i
= 200 mV
R
i

20 Ohm
R

5k Ohm

V
L
+

I
i
= 200mV/20 = 10 mA
I
L
= I
i
= 10 mA
V
L
= I
L
R
L
= (10mA)(5k Ohm) = 50 V
Ganancia de voltaje = V
L
/V
i
= 50V/200mV = 250
Configuracin de emisor comn
Configuracin de emisor comn para transistores npn y pnp.
Caractersticas de entrada en Emisor
comn
Las caractersticas de entrada en
emisor comn relacionan la corriente
de emisor I
E
, con el voltaje en la
unin de emisor-base V
BE
para
diferentes valores del voltaje de
salida V
CE
.
Caractersticas de salida
Las caractersticas de salida en emisor comn relacionan la corriente de colector
I
C
, con el voltaje en la unin de colector-base V
CB
para diferentes valores de la
corriente de entrada I
b
.
Aqu se distinguen las diferentes regiones de operacin.
Corrientes en emisor comn
o o
o

=
1 1
CBO B
C
I I
I
De las corrientes del transistor tenemos:
I
C
= oI
E
+ I
CBO
Pero I
E
= I
C
+ I
B
, sustituyendo
,

I
C
= oI
C
+ oI
B
+ I
CBO
Reordenando
Definimos I
CEO
= I
CBO
/(1 o)
con I
B
= 0
Ejemplo
| del transistor
B
C
dc
I
I
= |
Definimos la b de corriente continua como
Suele tener un valor de entre 50 a 400. En las hojas de datos
se especifica como h
FE
.
La | de ac se define como
constante =
A
A
=
CE
V
B
C
ac
I
I
|
En las hojas de datos se especifica como h
fe
.
Ejemplo
108
25
7 . 2
100
10
1
20 30
2 . 2 2 . 3
1 2
1 2
constante
= = =
= =

=
A
A
=
=
A
mA
I
I
A
mA
A A
mA mA
I I
I I
I
I
B
C
dc
B B
C C
V
B
C
ac
CE

|

|
Relacin entre o y |
Dado que o = I
C
/I
E
y |= I
C
/I
B
y adems I
E
= I
C
+ I
B
, es fcil
mostrar que
o
o
|

=
1 |
|
o
+
=
1
I
E
= (| + 1)I
C

Adems se puede mostrar que
I
CEO
= |I
CBO

I
C
= |I
B

Configuracin de colector comn
p
n
p
I
C
I
E
I
B
E

B

C

V
EE
V
BB
n
p
n
I
C
I
E
I
B
E

B

C

V
BB
V
EE
La impedancia de entrada de esta configuracin es alta y la de
salida es baja.
Las caractersticas de salida son las mismas que las de emisor
comn reemplazando I
C
por I
E
. Las caractersticas de entrada son
las mismas que para emisor comn.
Lmites de operacin
En las hojas de datos de los
transistores se especifica la
corriente mxima del
colector y el voltaje mximo
entre emisor y colector V
CEO

o V
(CEO)
.
La potencia de disipacin
mxima se defino por:
P
Cmax
= V
CE
I
C
Se debe cumplir:
I
CEO
< I
C
< I
Cmax
V
CEsat
< V
CE
< V
CEmax
I
CE
I
O
< P
Cmax

Hojas de datos
2N4123
Encapsulados
TO-92 TO-18 TO-39 TO-126 TO-220 TO-3
Construccin
Modelo de emisor comn
i
B
v
BE
|
F
i
B
E
B C
Modelo de gran seal para el transistor en emisor comn
Almacenamiento de cargas
minoritarias
La concentracin de electrones
en la unin base-emisor es:
( )
T BE
V v
a
i
e
N
n
n
2
0 =
La pendiente de esta curva es
proporcional a la corriente de
colector
( )
T BE
V v
a
i
e
WN
n
W
n
pendiente
2
0
= =
Sustituyendo el factor exponencial
( )
C
s a
i
i
I WN
n
W
n
pendiente
2
0
= =
Emisor Base Colector
n(0)
n(x)
x
Estados de corte, saturacin y
activo inverso
Zonas de funcionamiento para los cuatro estados del transistor sobre las
curvas caractersticas de salida.
V
CE,sat
= 0.2
i
C

v
CE
I
B1

I
B3

I
B2

I
B4

I
B
=0
I
B1

I
B3

I
B2

I
B4

Corte
Corte
Activo
directo
Activo
inverso
Saturacin
Saturacin
Corte y saturacin
En la regin de corte las corrientes del
transistor son cero. Si se considera los
efectos de la temperatura, habr que
incluir la corriente inversa de saturacin
entre colector y base.
B
C
E
B
C
E
I
CB0
En saturacin el transistor no funciona como
fuente de corriente controlada por corriente.
Cuando est saturado |i
B
> i
C
.
C
E
B
0.7 V
0.2 V
i
B i
C
Funcionamiento activo inverso
En este caso la corriente de emisor es -|
R
i
B
, donde
R
R
R
o
o
|

=
1
Por la ley de Kirchhoff
( )
B R B E C
i i i i 1 + = = |
Dado que |
R
+ 1 << |
F
, las curvas en el tercer cuadrante estn menos
separadas que en las del primer cuadrante.
C
E B
V
BC
=
0.7 V
i
B
i
C
|
R
i
B
La recta de carga
La recta de carga es una ayuda para obtener las corrientes y tensiones de un
dispositivo cuando est descrito pos sus curvas caractersticas. Las variables de
entrada deben cumplir dos restricciones simultneamente.
La caracterstica de entrada i
B
y v
BE
debe estar en algn punto de la curva no
lineal. La otra condicin es la impuesta por el circuito externo.
La recta de carga pasa por los puntos (v
BE
, i
B
)=(V
BB
, 0) y (v
BE
, i
B
)=(0, V
BB
/R
B
).
V
BB
v
BE
i
B
v
CE
i
C
V
CC
R
C
R
B
+
+
+
+




0
10
20
30
40
0.7
v
BE
( ) A
B
i
50
R
B
V
BB
Punto Q
Recta de carga
de entrada
-1
Recta de carga (continuacin)
0
10
20
30
40
0.5 0.7
( ) A
B
i
50
V
BB
v
BE
V
CC
/R
C
0
1
2
3
4
i
C
(mA)
i
B
=10A
V
CE
(voltios)
5
6
i
B
=20A
i
B
=30A
i
B
=40A
i
B
=50A
i
B
=60A
1 2 3 4 5 6 7 8
Q
V
CC
Caida de
tensin en el
transistor
Caida de
tensin en la
resistencia
Recta de carga de saturacin
V
BB
8V

v
BE
i
B
v
CE
i
C
120kO
+
+
+
+




+

v
BC
2kO
Para el circuito de la figura:
k
V
i
BB
B
120
7 . 0
=
V

0.7
v
BE
i
B
V
BB
1
2 3
Cuando la base alcanza 39A, el
transistor alcanza la saturacin.
k
V
A i
EOS BB
EOS B
120
7 . 0
39
,
,

= =
0
1
2
3
4
i
C
(mA)
i
B
=10A
v
CE

5
6
i
B
=20A
i
B
=30A
i
B
=40A
i
B
=50A
i
B
=60A
1 2 3 4 5 6 7 8
Incremento
de V
BB
V
CE,sat
= 0.2
i
C

i
B
=I
B
v
CE

I
C

|I
B

Una medida cuantitativa de saturacin es la beta forzada, definida para el
transistor saturado por
saturado transistor
B
C
forzada
i
i
= |
Almacenamiento de cargas en un
transistor saturado
Emisor Base Colector
n
n
Emisor Base Colector
n
Emisor Base Colector
Q
FA
Q
S
Q
T
= Q
FA
+ Q
S
La concentracin de carga de minoritarios es
la superposicin de concentraciones
individuales creadas por los incrementos
idnticos de v
BE
y v
BC
.
Inyeccin del colector
Inyeccin
del emisor
Lmite del
valor de
saturacin
Transistor pnp
B

C

p p
n
i
E
i
B
i
C
E

i
C
C

B

i
B
i
E
E

o
R
i
DC
o
F
i
DE
i
DE
i
DC
i
E
i
B
i
C
Configuracin de emisor comn
i
B
v
BE
i
E
i
C
v
CE
+
-
+
-
Entrada
Salida
Caractersticas de entrada y salida:
-0.7
v
BE
B
i
-0.2
i
C
(mA)
i
B
v
CE
Anlisis del punto Q
|
F
i
B
B
C
E
i
B
v
BE
E
B C
Zona activa
Zona de corte
C
E
B
0.7 V
0.2 V
i
B i
C
Zona de saturacin
Anlisis del estado activo
Si el transistor trabaja en el modo activo directo, se puede sustituir
el transistor por su modelo activo de gran seal.

El anlisis de beta infinita hace las siguientes suposiciones:
1. V
BE
= 0.7 para npn y 0.7 para pnp.
2. I
B
= 0
3. I
C
= I
E

Para niveles de corriente bajos es conveniente utilizar el SPICE.
Anlisis cuando el estado es
desconocido
Anlisis de circuitos con transistores de tres estados:
1. Hacer una suposicin razonada acerca del estado del transistor
2. Hacer un diagrama del circuito, sustituir cada transistor por el modelo para
su supuesto estado.
3. Analizar el circuito resultante para obtener valores de prueba asociadas con
cada modelo.
4. Examinar las variables de prueba, buscando contradicciones al estado
supuesto.
5. Si hay una contradiccin, hacer una nueva suposicin basada en la
informacin calculada y volver al paso 2.
6. Cuando no haya contradicciones, las tensiones y corrientes calculadas a
partir del circuito equivalente se aproximan a las del circuito real.
Prueba de validez para los estados del transistor supuestos. Como el estado
activo inverso ocurre raramente, las pautas suponen primero funcionamiento en
el primer cuadrante donde el funcionamiento activo inverso no puede ocurrir.
Suponiendo funcionamiento activo directo:
1. Sustituir por el modelo activo directo
2. Si i
B
s 0, suponemos corte.
3. Si V
CE
s 0.2, suponemos saturacin.
Suponiendo corte
1. Sustituir el modelo de corte
2. Si V
BE
> 0.5, suponer transistor activo
Suponiendo saturacin
1. Sustituimos por el modelo de saturacin
2. Si i
B
< 0, suponemos corte
3. Si i
C
> |
F
i
B
, suponemos funcionamiento activo directo
Modelo esttico SPICE del
transistor bipolar
7
17
14
9
4
5
3
2
12
Q1 3 2 5 SAM
Q2 9 4 7 SAM
QOUT 12 17 14 JANE
.MODEL SAM NPN
.MODEL JANE PNP
Notacin
Texto SPICE valores por defecto
|
F
BF 100
|
R
BR 1
I
S
IS 1.0E-16
Ejemplo 4.9
Q1 4 2 3 SUE
Q0 5 4 0 SUE
VCC 1 0 DC 5
RC 1 5 2K
RB 4 0 5K
RS 1 2 2K
.MODEL SUE NPN BF=20
+ BR=5 IS=2.0E-14
VS 3 0 DC 0
*.DC VS 0.2 3.6 0.17
.DC VS 0.5 0.7 0.01
*.OP
.PLOT DC V(5)
.END
2 kO
5V
2 kO
5 kO
Q
1
Q
0
5
3
2
1
4
V
S
Efectos de segundo orden
0.7
v
BE
i
B
T
1
T
2
> T
1
v
CE
T=T
1
i
C

i
B1
i
B2
i
B3
I
CE0
T= T
2
> T
1
i
C

i
B1
v
CE
i
B2
i
B3
I
CE0
La vida de los portadores minoritarios aumenta con la temperatura, por lo
tanto el valor de | aumenta alrededor de 7,000 ppm. La siguiente expresin
cuantifica esta variacin
( ) ( )
XTB
R
R
T
T
T T
|
|
.
|

\
|
= | |
XTB es el exponente de temperatura.
Tensiones de ruptura
i
C

i
E
BV
CB0
v
CB
i
C

i
B
BV
CE0
v
CE
Modulacin del ancho de base
w
1
V
CE1
C
B
E
w
2
V
CE2
>

V
CE1
C
B
E
Efecto Early
i
C
v
CE
i
B
-V
A
r
0
1

Una consecuencia de la variacin en el ancho de la base es el cambio en
las caractersticas de salida de emisor comn. V
A
es llamada tensin Early.
La corriente de colector pasa a ser
( )
B
A
CE
B CE C
i
V
v
i v f i
(

|
|
.
|

\
|
+ = = | 1 ,
El efecto Early aumenta la resistencia de salida del transistor r
0
definida por:
Q punto
0
1
CE
C
v
i
r c
c
=
Evaluando:
B
A
I
V r

1 1
0
=
Cuando V
CE
<< V
A
: B B
I I 1 ~
|
|
.
|

\
|
+ =
A
CE
C
V
V
I
De aqu:
C
A
I
V
r =
Realimentacin interna
Una consecuencia de la modulacin del ancho de base es la realimentacin interna. Parte de
la tensin de salida se realimenta a travs del transistor al circuito de entrada. Si
mantenemos la polarizacin base-emisor mientras aumentamos v
CE
de V
CE1
a V
CE2
. La
corriente de base se hace ms pequea porque la recombinacin en la base se reduce y es
necesario sustituir menos huecos en la base, como se muestra en la figura.
Incremento de
v
CE
v
BE
i
B
0.7
v
CE
v
BE
i
B
0.7
Circuito equivalente,
F
es el parmetro de
ganancia de tensin inversa. El efecto de
realimentacin inversa de minimiza al dopar la
regin de colector ms pobremente que la de base.
B

F
v
CE
0.7
i
B
v
CE
|
F
i
B
C
E
Resistencia de base y colector
Existen tres resistencias parsitas en el transistor:
r
b
resistencia de difusin de base. De unos 100 Ohms.
r
c
resistencia hmica del colector. De 10 a 100 Ohms.
r
e
- resistencia hmica del emisor. De 1 Ohms.
n p n p
r
e
r
b
r
c
Sustrato
C B E
S
Modelo esttico SPICE con efectos
secundarios
i
DE
i
DC
i
B
i
C
i
E
r
b
r
e
r
c
o
F
i
DC
o
R
i
DC
r
oe
r
oc
Notacin Valores
Texto SPICE por defecto
I
S
IS 1E-16 A
|
F
BF 100
|
R
BR 1
r
c
RC 0
r
b
RB 0
r
e
RE 0
V
A
VAF
- VAR
XTB XTB 0
Ejemplo de SPICE con efectos
secundarios
EJEMPLO 4.11
VCC 2 0 DC 3
RB 2 3 690K
RC 2 1 1.5K
Q1 1 3 0 NTRAN
.MODEL NTRAN NPN BF=300 VA=90 XTB=1.7
.TEMP -40 -20 0 27 50 70 100 125
.OP
.END
690kO
1.5kO
3V
1
2
3
VALORES OBTENIDOS CON SPICE

TEMPERATURA IC VBE VCE BETADC
-40.000 6.15E-04 8.54E-01 2.08E+00 1.98E+02
-20.000 7.15E-04 8.30E-01 1.93E+00 2.27E+02
0.000 8.21E-04 8.06E-01 1.77E+00 2.58E+02
27.000 9.76E-04 7.73E-01 1.54E+00 3.03E+02
50.000 1.12E-03 7.45E-01 1.32E+00 3.42E+02
70.000 1.25E-03 7.21E-01 1.13E+00 3.78E+02
100.000 1.46E-03 6.84E-01 8.10E-01 4.35E+02
125.000 1.65E-03 6.53E-01 5.29E-01 4.84E+02
Capacitancias parsitas
Las capacidades de deplexin y difusin estn asociadas a la unin y limitan el funcionamiento a
alta frecuencia. En transistores en estado activo directo, la capacidad de deplexin es dominante
en la unin colector-base inversamente polarizada. En la unin base-emisor directamente
polarizada, son importantes tanto la capacidad de difusin como la de deplexin.
La capacidad de difusucin de un transistor difiere de la de un diodo aislado debido a la estrecha
base. La distribucin de minoritarios en la base es triangular. La carga almacenada es
( )
T BE
V v
a
i
FA
e
N
n nAW
W n qA Q
2
2
0
2
1
= =
Los electrones tardan un tiempo tT en atravezar la base (tiempo de trnsito ~ 1ns para npn y
~ 30ns para pnp). Como este flujo constituye la corriente de colector
s culombios
Q
I
T
FA
C
/

=
Modelo dinmico del transistor
i
DE
i
DC
i
B
i
C
i
E
r
b
r
e
r
c
o
F
i
DC
o
R
i
DC
C
dif,C
C
dep,C
C
dif,E
C
dep,E
C
dif,S
S
Interruptor esttico
R
L
R
B
v
CE
V
CC
i
B
i
C
v
C
+

R
L
i
sw
V
CC
v
sw
+

V
CC
v
sw
i
sw
L
CC
R
V
Interruptor cerrado =
cortocircuito
Interruptor abierto =
circuito abierto
V
CC
v
CE
i
C
V
CE,sat
L
CC
R
V
Cerrado
Abierto
i
B
=0
i
B
= I
B
Simulacin del interruptor con
SPICE
EJEMPLO 4.12
VCC 4 0 DC 9
RL 4 1 800
RB 2 3 1K
QSW 1 3 0 SWITCH
.MODEL SWITCH NPN
+ BF=25
VC 2 0 PULSE(0 5 0.5E-6
+0 0 0.5E-6 2E-6)
.TRAN 0.02E-6 2E-6
.PLOT TRAN V(1)
.PROBE
.END
Conmutacin dinmica
8.3 kO

V
CC
=9 V
i
B
i
C
v
C
2 kO

v
o
v
C
(t)
t
v
o
(t)
t
i
B
(t)
t
t
f
t
r
+9
+0.2
t
D
t
S
1mA
-i
R

T
+9
-5
8.3 kO

V
CC
=9 V
5V

2 kO

v
o
14V

+

5V

8.3 kO

V
CC
=9 V
2 kO

v
o
+

9V

i
B
V
CC
=9 V
2 kO

v
o
+

9V

+

8.3 kO

0.7

|i
B
1mA

Estado inicial
Estado de corte
transitorio
Estado transitorio
activo
V
CC
=9 V
v
o
+

9V

+

0.7

0.2

0.5 V

V
CC
=9 V
v
o
+

5V

+

0.7

0.2

V
CC
=9 V
0.5V

v
o
+

5V

Estado de saturacin en
equilibrio
Estado de saturacin
antes de que el
transistorse corte
Transistor cortado con
condensadores
preparados para
alcanzar el equilibrio
de corte.
Parmetros SPICE para el
modelo dinmico del transistor
Parmetros SPICE
Estticos Dinmicos
Valor Valor
por defecto por defecto
IS 1E-16 A CJE 0
BF 100 VJE 0.785 V
BR 1 MJE 0.33
RC 0 CJC 0
RB 0 VJC 0.75 V
RE 0 MJC 0.33
VAF CJS 0
VAR VJS 0.75
XTB 0 MJS 0
TF 0
TR 0
Valores tpicos en integrados

IS 1E-16 A CJE 1.0 pF
BF 200 VJE 0.7 V
BR 2 MJE 0.33
RC 200 O CJC 0.3 pF
RB 200 O VJC 0.55 V
RE 2 O MJC 0.5
VAF 130 V CJS 3 pF
VAR 50 V VJS 0.52
XTB 1.7 MJS 0.5 V
TF 0.35 ns
TR 10 ns
Ejemplo de compuerta lgica
1
2
3
4
5 6
7
8
v
I
2 kO
4 kO
4 kO
V
CC
=+4V
V
BB

V
M
=
0V
v
o