TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

Los transistores de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) Son dispositivos semiconductores donde el control de la corriente se realiza mediante un campo elctrico. Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Los FET Son un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en forma de electrones como de huecos.

 En un FET de canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de FET se controlan por una tensin entre la compuerta y la fuente.

El TEC tiene tres elementos. El terminal nodo se conoce como el drenaje y el terminal ctodo se conoce como fuente. El drenaje equivale al colector. La fuente equivale al emisor de un transistor bipolar. La puerta equivale a la base.

 Existen otros TEC que utilizan metales y materiales xidos, dando como un resultado un TEC que se conocen como Transistor de Efecto de Campo de xido de metal y semiconductor, que se abrevia TELCOMS ( o MOSFET por sus iniciales en ingles ). Es un dispositivo con dos terminales, llamados puertas frontal y puerta trasera, este dispositivo es el TEC tetrodo. En la siguiente figura se muestran los smbolos de estas modificaciones del TEC de juntura. En los smbolos para estos dispositivos, la D significa drenaje, la P = puerta, la F = fuente.

TIPOS DE FETS
JFET En los transistores JFET ya no se trata de una combinacin tan sencilla entre los semiconductores como en el caso de los transistores N-P-N, P-N-P, ahora se los obtiene de una manera mas rebuscada . Son utilizados en gran medida por los fabricantes de circuitos electrnicos. Existen dos tipos de transistores JFET, FET de canal p al primero y FET de canal n al segundo.

 Para aplicar su funcionamiento hay que tener en cuenta que tenemos dos tipos distintos de voltajes. Esto es debido a que el FET consta de tres semiconductores unidos y por tanto existen dos zonas de unin entre ellos. Vamos a considerar la diferencia de potencial entre drenaje y fuente a la que llamaremos Vds, y la diferencia de potencial entre puerta y fuente la cual estar representada por Vgs. Se pueden distinguir tres zonas segn vamos aumentando el potencial Vds, estas son: zona hmica o lineal, zona de saturacin y zona de ruptura. Un JFET se encuentra en estado OFF (interruptor cerrado) cuando Vds es cero, ya que no pasa corriente alguna, y en estado ON (interruptor abierto) cuando Vds pasa de los 40 voltios.

 Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin VDS Zona de saturacin.- amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S), VGS Zona de Ruptura.- A partir de este punto la corriente i puede circular libremente, independientemente de que sigamos aumentando el valor de Vgs. Zona de corte.- La intensidad de Drenaje es nula.

HOJAS DE CARACTERSTICAS DE LOS FET

VGS y VGD.- son las tensiones inversas mximas soportables por la unin PN. IG.- corriente mxima que puede circular por la unin puerta - surtidor cuando se polariza directamente. PD.- potencia total disipable por el componente. IDSS.- Corriente de saturacin cuando VGS=0. IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unin puerta - surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso

DIFERENCIAS ENTRE BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR) Y FET

El BJT es un dispositivo no lineal controlado por corriente.
El BJT tiene tres modos de funcionamiento: corte, activa y saturacin. Los FET son la siguiente generacin de transistores despus de los BJT. El flujo de corriente del FET depende solo de los portadores mayoritarios (Unipolares). La corriente de salida es controlada por un campo elctrico (fuente de tensin). El apagado y encendido por tensin es ms fcil que por corriente.

VENTAJAS
Los FET son dispositivos sensibles al voltaje, con una gran impedancia de entrada. Al ser mucho ms alta que la correspondiente a los BJT, se prefieren como etapa de entrada en amplificadores multietapa.

Los JFET generan menos ruido que los BJT.

Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT; pudindose incluir un mayor nmero de FET en un solo chip (requieren menor rea), de aqu que memorias y microprocesadores se implementen nicamente con MOSFET. Los FET funcionan como resistencias variables controladas por voltaje para valores pequeos de voltaje de drenaje a fuente. La elevada impedancia de entrada de los FET permite que almacenen la carga durante tiempo suficientemente largo como para usarlos como elementos de almacenamiento.

 Los FET de potencia controlan potencias elevadas y conmutan grandes corrientes. Los FET no son tan sensibles a la radiacin como los BJT.

INCONVENIENTES
Los FET exhiben una pobre respuesta en frecuencia, debido a la alta capacidad de entrada.
Algunos FET tienen una pobre linealidad. Los FET se daan con el manejo debido a la electricidad esttica.

MOSFET
Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET. Existen dos tipos de MOSFET: cuando tengamos una zona tipo P y dos zonas N lo llamaremos MOSFET de canal n y, por el contrario, si hay una sola zona tipo N y otras dos tipo P se llamar MOSFET de canal P

 La estructura de un MOSFET consta de cuatro terminales: Drenaje (D), Fuente (S), Puerta (G) y Sustrato (B). En los NMOS (MOSFET de canal N), el sustrato es un semiconductor tipo p. Generalmente, el sustrato se conecta a la fuente. La puerta se halla aislada del sustrato por una fina capa de dixido de silicio y por el terminal de la puerta fluye una corriente despreciable.

MOSFET ENRIQUESIDO
Hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones

MOSFET EMPOBRECIDO
Tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad. Como ocurra con el JFET, la tensin negativa, aplicada a la puerta, produce un estrechamiento en el canal, debido al empobrecimiento de portadores, lo que hace que se reduzca la corriente de drenaje.

CURVA CARACTERISTICA DE LOS MOSFET

La curva caracterstica va a depender de la cantidad de tensin que se le aplique a la fuente del dispositivo

RUPTURA DE LA CAPA AISLANTE

Para reducir este problema, los terminales de puerta pueden protegerse con dos diodos zener. Si se expone el dispositivo a una carga electroesttica, se produce una avalancha del diodo zener, lo que proporciona una ruta de descarga no destructiva. Los diodos zener se fabrican en el mismo chip que el FET. Los diodos de proteccin no son necesarios para los dispositivos internos de los circuitos integrados que no tengan conexiones directas al exterior.

VENTAJAS
Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao. Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje , la intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios. Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

APLICACIONES DE LOS MOSFET

APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS Aislador o separadorImpedancia de entrada alta yUso general, equipo de medida, (buffer) de salida baja receptores Sintonizadores de FM, equipo para Amplificador de RF Bajo ruido comunicaciones Baja distorsin deReceptores de FM y TV,equipos para Mezclador intermodulacin comunicaciones Amplificador conFacilidad para controlar Receptores, generadores de seales CAG ganancia Instrumentos de medicin, equipos de Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada prueba Amplificadores de cc, sistemas de Troceador Ausencia de deriva control de direccin Resistor variable por Amplificadores operacionales, rganos Se controla por voltaje voltaje electrnicos, controlas de tono Amplificador de bajaCapacidad pequea deAudfonos para sordera, transductores frecuencia acoplamiento inductivos Mnima variacin deGeneradores de frecuencia patrn, Oscilador frecuencia receptores Integracin en gran escala, Circuito MOS digital Pequeo tamao computadores, memorias

CONCLUCIONES
Los transistores FET realizan la funcin de control de la corriente, comn a todos los transistores por ser caracterstica bsica, mediante una tensin aplicada en uno de sus terminales. Estn construidos con una zona semiconductora tipo P o N que une dos de sus tres terminales. El comportamiento de los transistores de efecto de campo se caracteriza por sus curvas caractersticas en las que se representa la corriente que entra o sale por el Drenaje en funcin de la tensin aplicada entre ste y la Fuente Estos transistores pueden ser empleados en los circuitos en una disposicin similar a la de los bipolares, es decir, en fuente comn, aunque la primera y la ltima son las ms utilizadas en la prctica. En poca reciente ha aparecido en el mercado una nueva tecnologa de fabricacin de transistores MOS que reciben el nombre de VMOS a causa de la estructura geomtrica de sus diferentes regiones semiconductoras. Se emplean en amplificadores de potencia as como en conmutacin, haciendo la funcin de interruptor, gracias a la baja resistencia interna que poseen.