PUCP - INGENIERIA ELECTRONICA

CIRCUITOS ANALOGICOS 2011- 1

2.- Conductores, Semiconductores y Aisladores

Conductores
El termino conductor se aplica a cualquier material que permite un flujo considerable de carga cuando se aplica una fuente de voltaje a travs de sus terminales.

Aislante o Dielctrico
Es un material que presenta un nivel muy inferior de conductividad cuando se le aplica una fuente de tensin entre sus terminales.

Semiconductores
Es un material que posee un nivel de conductividad que se localiza entre los extremos de un conductor y de un aislante. La conductividad de un material esta en relacin inversa a la resistencia al flujo de carga o corriente. Mientras mayor es la conductividad menor es el nivel de resistencia. La resistividad r se utiliza para comparar el nivel de resistencia de los materiales.

La resistividad r, se mide en W-cm o W-m.

Valores representativos de resistividad.

Germanio y Silicio
Pueden ser fabricados hasta llegar a un grado de pureza muy alto. (1:10,000,000,000). Dopado: tcnica empleada para alterar las caractersticas elctricas de los semiconductores, mediante la incorporacin de un elemento adecuado en su estructura cristalina. Sus caractersticas elctricas pueden ser alteradas de forma importante mediante la aplicacin de la luz o el calor (celdas solares, foto transistores). Los tomos del Si y Ge se organizan en un patrn (cristal) bien definido que por naturaleza es peridico formando una red.

Estructura mono cristal del Si

Estructura tridimensional del diamante (a) y dentro de un cubo (b).

Cualquier material compuesto nicamente de estructuras cristalinas repetidas del mismo tipo se llama estructura de monocristal.

Estructura de un tomo

Modelo de Bohr para el Si y Ge

SILICIO

Si: 14 electrones en orbitas. Ge: 32 electrones en orbitas. Electrones de valencia: electrones de la capa externa. El Si y Ge son materiales tetravalentes (poseen 4 electrones de valencia). Potencial de Ionizacion: Potencial requerido para remover uno de los electrones de valencia.
GERMANIO

Enlace Covalente para el tomo de Si Intrnseco (puro)

Los 4 electrones de valencia se comparten con los tomos adyacentes formando enlaces covalentes. Es posible que los electrones de valencia absorban suficiente energa cintica de fuentes externas y que se rompan los enlaces covalentes, producindose electrones libres. Fuentes externas: energa luminosa (fotones), energa trmica (calor).

Electrn libre: un electrn que se separa de estructura atmica y que es muy sensible a algn campo elctrico creado por una fuente de voltaje o diferencia de potencial que se aplique al material. Intrnseco: Un material semiconductor que ha sido cuidadosamente refinado hasta reducir el numero de impurezas a un nivel muy bajo.

 Portadores intrnsecos: electrones libres en un material debido a causas externas. Movilidad relativa: habilidad de los electrones libres de moverse dentro del material. Conductor: coeficiente de temperatura positivo (la resistencia del material aumenta cuando aumenta el calor). Semiconductor: coeficiente de temperatura negativo.

Niveles de Energa
Para un tomo aislado se asocian niveles de energa discretos donde orbitan los electrones. El estado de energa del electrn aumenta conforme se aleja del ncleo del tomo.

Niveles discretos de energa de un tomo aislado.

Niveles de Energa de un Aislante, Semiconductor y Conductor

Debido a los diferentes niveles de energa Eg, la temperatura tiene un efecto diferente en cada material semiconductor. Aplicaciones del Si: nanoelectronica, IC de alta integracin, tecnologa CMOS Aplicaciones del Ge: sensores de luz y de calor. Aplicaciones del GaAs: dispositivos electrnicos de alta frecuencia (radares, telfonos celulares, comunicaciones satelitales, celdas solares, LASERs, LEDs).
El electrn-voltio (smbolo eV), es una unidad de energa que toma un electrn cuando es acelerado por una diferencia de potencial de 1 voltio. Dicho valor se obtiene experimentalmente y equivale aproximadamente a. 1,602176462 10-19 J.

Materiales Extrnsecos: Material Tipo N y Tipo P

MATERIAL TIPO N Material Extrnseco: Las caractersticas de un material semiconductor pueden ser alteradas significativamente aadiendo impurezas (tomos de un material especifico) a un material semiconductor puro (proceso de dopado). Material Tipo N: Se crea aadiendo elementos impuros con 5 electrones de valencia (Sb, As, P), conocidos como tomos donadores (donan electrones libres a la estructura)
Una pequea cantidad de tomos impuros (1 parte por 10 millones) puede alterar la estructura del semiconductor cambiando sus propiedades elctricas.

Efecto de la impureza donadora en la estructura de la banda de energa del Si

A temperatura ambiente hay una gran cantidad de portadores (electrones) en el nivel de conduccin y la conductividad del material aumenta significativamente (la concentracin de portadores aumenta en la relacin de 100,000:1)

 Material tipo P: Se forma dopando un cristal de Si o Ge introduciendo tomos (impurezas) con 3 electrones de valencia (B, Ga, In) conocidos como tomos aceptores. En la estructura se crea un espacio vaco hueco (falta de un electrn) El material resultante es elctricamente neutro.

MATERIAL TIPO P

Flujo de Electrones vs. Flujo de Huecos

La direccin de la corriente convencional es la direccin del flujo de los huecos.

Portadores Mayoritarios y Minoritarios

En un material intrnseco (puro) el numero de electrones libres son aquellos que absorbieron suficiente energa para romper el enlace covalente y pasar de la banda de valencia a la banda de conduccin. Los enlaces covalentes rotos (huecos) representan una pequea fuente de portadores. En un material tipo N, los electrones libres supera por mucho a los huecos (enlaces covalentes rotos). Por lo tanto, los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. En un material tipo P, los portadores mayoritarios son los huecos y los portadores minoritarios son los electrones. Las impurezas donadoras al perder un electrn, el tomo resultante adquiere una carga positiva (ion positivo). Las impurezas aceptoras al ganar un electrn, el tomo resultante adquiere una carga negativa.

Resumen
Videos:
Introduccin a los Semiconductores (aprox. 6)
http://www.youtube.com/watch?v=rm8V7aBWvXM

Semiconductors: 3D Animation (aprox. 2)

http://www.youtube.com/watch?v=MCe1JXaLEwQ&feature=fvwre l

Semiconductores (aprox. 2)
http://www.youtube.com/watch?v=IMiuD-PNIts

Semiconductors: Bandas de Energa (aprox. 8)

http://www.youtube.com/watch?v=0sGXz6dD7C4&feature=relate d