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UNIVERSIDAD TCNICA DE COTOPAXI

ELECTRNICA DE POTENCIA

IGBT - MOSFET
CRISTIAN FLORES 6TO ING. ELCTRICA

LOGO

IGBT

DEFINICIN

La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida

Configuracin interna de capas

Circuito equivalente

Smbolo
Gate o puerta (G) Colector (C) Emisor (E).

Curvas caractersticas

Protecciones
Deteccin de sobrecorriente Las condiciones de sobrecorriente en un IGBT pueden darse debido a un cortocircuito entre fases, un cortocircuito de lnea a tierra o a corriente de cortocircuito. Los dispositivos de deteccin de corriente de derivacin del amplificador de aislamiento en las fases de salida y el bus de CC proporcionan la deteccin de fallas, adems de la medicin de corriente

Circuito con proteccin contra sobre corriente

Aplicaciones
Control de motores, sistemas de alimentacin ininterrumpida, sistemas de soldadura, iluminacin baja frecuencia y alta potencia. Estn presentes en la circuitera de los automviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero tambin de los electrodomsticos del hogar mediante la interconexin de diversos IGBT que controlan los motores elctricos. Generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de electrnica realmente potentes y con velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz.

Ventajas
Entrada como MOS, Salida como BJT. Velocidad intermedia (MOS-BJT). Tensiones y corrientes mucho mayores que MOS (1700V-400A1TIP). Geometra y dopados anlogos a MOS (con una capa n- mas ancha y menos dopada). Soporta tensiones inversas (no diodo en antiparalelo). No el PT Tiristor parsito no deseado Existen versiones canal n y canal p

DESVENTAJAS
Presenta el efecto denominado LATCH-UP Latchup es un trmino usado en el mundo de los circuitos integrados (microchips)para describir un tipo particular de cortocircuito que puede ocurrir en un circuito elctrico mal diseado. Ms especficamente es la creacin inadvertida de una resistencia elctrica entre el suministro de energa de un circuito MOSFET, creando as una estructura parsita la cual inhabilita su correcto funcionamiento, y da lugar a un posible dao debido a una sobrecarga.

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MOSFET

DEFINICIN

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada, es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio.

Configuracin interna de capas

Circuito equivalente

Smbolos

Curvas caractersticas

Protecciones
Tanto los MOSFET de empobrecimiento como los de enriquecimiento, poseen una capa extremadamente delgada de aislante que separa la puerta del canal. Esta capa se destruye con suma facilidad si se aplica una tensin VGS por encima de la mxima soportable. Por esta razn, nunca debe operarse con una tensin superior a la VGS(max)prescrita en las caractersticas del MOSFET.

Mtodos de activacin
Es un dispositivo controlado por tensin. Estado de conduccin se consigue cuando la tensin puerta-fuente sobrepasa la tensin umbral de forma suficiente. Corrientes de carga son esencialmente 0. Es necesario cargar las capacidades de entrada parsitas. Velocidad de conmutacin viene determinada por la rapidez con que la carga de esos condensadores pueda transferirse. Circuito de excitacin debe ser capaz de absorber y generar corrientes rpidamente para conseguir una conmutacin de alta velocidad.

PRPTECCIONES

Aplicaciones
Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes corrientes y soportar elevadas tensiones en estado de corte. Resistencias variables de valor gobernable por tensin (variando la anchura del canal). Amplificadores de tensin, especialmente en la amplificacin inicial de seales de muy baja potencia. Control de potencia elctrica entregada a una carga. La mayora de componentes electrnicos estn basados en la aplicacin de MOSFET Es ideal para controla motores de mediana potencia en proyectos de robtica. El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia

Ventajas
La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares: Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media miera). Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao. Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

Desventajas
Potencia que se puede manejar es bastante reducida Resistencia en conduccin varia mucho con la temperatura

Bibliografa
Electrnica Teora de circuitos y Dispositivos electrnicos - Boylestad, Nashelsky - Sexta Edicin-Pearson Education. Patrick Sullivan, Denis Kobasevic, Smart Current Sensor For Motor Drive Control. PCIM Europe, 1998, Vol.10 no.4, pp. 182186.

J. Li, R. Herzer, R. Annacker, B. Koenig, Modern IGBT/FWD Chip Sets For 1200V Applications, Semikron Elektronik GmbH, 2007.