TRANSISTOR BJT

Un transistor de unin es un componente semiconductor que puede estar constituido por cristales de Germanio o de Silicio. Tiene 3 capaz de dopados, 2 uniones y 3 terminales cuya agrupacin da lugar a 2 tipos de transistores segn la disposicin de las capaz. En funcin de la situacin de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP.

Transistor NPN

Transistor PNP

Transistor NPN
Est formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas mencionadas (E, B, C). El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base. En la base se gobiernan dichos portadores. En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base. Unin emisor: es la unin pn entre la base y el emisor. Unin colector: es la unin pn entre la base y colector. Cada una de las zonas est impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces menos que el colector o emisor. La base tiene menor tamao, despus el emisor y a 2 veces de espesor el colector.

Transistor PNP El BJT pnp est formado tambin por un cristal semiconductor con tres regiones definidas por el tipo de impurezas. Las tensiones de continua aplicadas son opuestas a las del npn. Las corrientes fluyen en sentido contrario al del npn. Por lo dems, este dispositivo es similar al npn. El BJT pnp desde el emisor emite huecos, controlada por la base. El exceso de huecos que no pueden recombinarse en la base van a parar al colector.

Configuraciones del BJT Aunque el transistor posea nicamente tres terminales, se puede realizar su estudio como un cuadripolo (dos terminales de entrada y dos de salida) si uno de sus terminales es comn a la entrada y salida: Base Comn. Emisor Comn. Colector Comn. Existen 3 zonas de funcionamiento en base a estas 3 configuraciones, donde estas 3 zonas de funcionamiento corresponden a: Zona Activa. Zona de Corte. Zona de Saturacin.

Configuracin de base comn

La base es comn a la entrada (emisor-base) y a la salida (colector-base).

Configuracin de base comn La terminologa de la base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. Para describir el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para la entrada y otro para la salida. En la Figura, se muestra el conjunto de caractersticas de entrada para el amplificador de base comn, relacionara la corriente de entrada (IE) con el voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).

Configuracin de base comn En la Figura, se muestra el conjunto de caractersticas de salida para el amplificador de base comn, relacionara la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCB) para varios niveles de corriente de entrada (IE). El conjunto de caractersticas de salida tiene tres regiones operativas del transistor bipolar, como se indica en la figura: La regin activa (Active regin), la regin de corte (cutoff regin) y la regin de saturacin (saturation region).

Configuracin de emisor comn

El emisor es comn tanto a la entrada (base-emisor) como a la salida (colector-emisor). La entrada esta en la base y la salida en el colector.

Configuracin de emisor comn La terminologa emisor comn se deriva del hecho de que el emisor es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. Para describir el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para la entrada y otro para la salida. En la Figura, se muestra el conjunto de caractersticas de entrada para el amplificador de emisor comn, relacionara la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCE).

Configuracin de emisor comn En la Figura, se muestra el conjunto de caractersticas de salida para el amplificador de emisor comn, relacionara la corriente de salida (Ic) con el voltaje de salida (VCE) para varios niveles de corriente de entrada (IB).

Configuracin de colector comn

El colector es comn tanto a la entrada (base-colector) como a la salida (emisor-colector). La entrada esta en la base y la salida en el emisor.

Configuracin de colector comn

La terminologa colector comn se deriva del hecho de que el colector es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. Para describir el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para la entrada y otro para la salida. El conjunto de caractersticas de entrada para el amplificador de colector comn, relacionara la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada (VBC) para varios niveles de voltaje de salida(VCE). En la Figura, se muestra el conjunto de caractersticas de salida para el amplificador de colector comn, relacionara la corriente de salida (IE) con el voltaje de salida (VCE) para varios niveles de corriente de entrada (IB).

Como Verificar si un transistor esta en buenas condiciones.

Regiones de Operacin del Transistor

Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor = 0A, (Ic = Ie = 0A). En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0A (Ib =0A). Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima,(Ic=Ie=Imxima)En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de los resistores conectados en el colector o el emisor o en ambos. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (Recordar que Ic = * Ib). En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es 0V. Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor).Esta regin es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

Resumen Regiones de Operacin del Transistor

Saturacin VBE VCE VBC IC IB 0,8 0 VCC < IS Variable

Corte < 0,7 VCC 0 = ICE 0 =0

Activa 0,7 Variable Variable = IS Variable

Transistor de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores donde el control de la corriente se realiza mediante un campo elctrico. Tienen las siguientes caractersticas: - Dispositivo unipolar: un nico tipo de portadores de carga - Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el bipolar, lo que supone una gran ventaja para aplicaciones de microelectrnica - Tienen una gran impedancia de entrada (del orden de M) Existen dos tipos de transistores de efecto campo: - De unin: JFET o simplemente FET - De puerta aislada: IGFET, MOS, MOST o MOSFET

En primer lugar, la principal diferencia entre ambos radica en el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que los transistores FET son dispositivos controlados por tensin. En ambos casos, la corriente del circuito de salida es controlada por un parmetro del circuito de entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensin aplicada. De forma anloga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.

Vamos a comenzar el estudio de los transistores de efecto de campo con los JFET (Junction Field Effect Transistor) o simplemente FET. Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos: JFET de canal n. JFET de canal p.

En la Figura se ha representado la construccin bsica de un JFET de canal n. Podemos observar como la mayor parte de la estructura es de material tipo n ligeramente dopado formando un canal con contactos hmicos en ambos extremos (terminales de Drenador y Fuente). Este canal se encuentra inserto entre dos regiones de compuerta tipo p+ (material tipo p fuertemente dopado) con sendos contactos hmicos que constituyen los terminales de puerta. En algunos casos los dos terminales de puerta estn accesibles (JFET de doble puerta) aunque lo ms habitual es que ambos terminales estn cortocircuitados teniendo un nico terminal de puerta (dispositivo de tres terminales).

En algunos casos los dos terminales de puerta estn accesibles (JFET de doble puerta) aunque lo ms habitual es que ambos terminales estn cortocircuitados teniendo un nico terminal de puerta (dispositivo de tres terminales).

D = Drenador: (Del ingls Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el de canal p) S = Fuente: (Del ingls Source). Es el terminal por el que entran los portadores. G = Puerta: (Del ingls Gate). Es el terminal mediante el que se controla la corriente de portadores a travs del canal.

Polarizacin del JFET.

Para el funcionamiento ms habitual, los transistores de canal n se polarizan aplicando una tensin positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensin negativa entre puerta y fuente (VGS). De esta forma, la corriente circular en el sentido de drenador a fuente. En el caso del JFET de canal p la tensin VDS a aplicar debe ser negativa y la tensin VGS positiva, de esta forma la corriente fluir en el sentido de la fuente hacia el drenador.

Caractersticas y parmetros de un BJT

Cuando se polariza un transistor tanto pnp o npn, a voltajes de polarizacin de CC, VBB polariza en directa la unin base emisor y VCC polariza en inversa la unin base colector.

Caractersticas y parmetros de un BJT

La ganancia de corriente de CC de un transistor es la divisin entre la corriente de colector IC y la corriente de base IB y se expresa como Beta de CC (CC). CC =

Los valores tipos de beta estn entre 20 hasta 200 o mas, ahora la divisin entre la corriente de colector IC y la corriente de emisor IE determinan Alfa de CC (CC). Cabe mencionar que alfa es un parmetro menos utilizado que beta en circuitos con transistores CC =

En general los valores de CC van desde 0,95 hasta 0,99 o ms, aunque siempre es menor que 1. La razn es que IC siempre es un poco menor que IE en una cantidad de IB. Por ejemplo si IE = 110mA e IB = 1mA, entonces IC = 99mA y CC = 0,99.

Caractersticas y parmetros de un BJT

Determine la ganancia de corriente de CC, CC y la corriente de emisor IE para un transistor con IB = 50A e IC = 3,65 mA.

Cierto transistor tiene un CC de 200. Cuando la corriente de base es de 50A, determine la corriente de colector .

Analisis de un circuito de un BJT

IB: corriente de CC de base. IE: corriente de CC de emisor. IC: corriente de CC de colector. VBE: voltaje de CC en la base con respecto al emisor. VCB: voltaje de CC en el colector con respecto a la base. VCE: voltaje de CC en el colector con respecto al emisor. RB: resistencia de base. RC: resistencia de colector.

Analisis de un circuito de un BJT

Como el emisor est conectado a tierra (0V), de acuerdo con la ley de voltaje de kirchoff, el voltaje a travs de RB es: = As mismo, de acuerdo con la ley de ohm, =

Sustituyendo en lugar de se obtiene

= VBB VBE Despejando para IB, =

Analisis de un circuito de un BJT

El voltaje en el colector con respecto al emisor conectado a tierra es, = = El voltaje en el colector con respecto al emisor se escribe como: Donde = =

Como la cada a travs de RC es,

El voltaje a travs de la unin colector base polarizada en inversa es: =

Analisis de un circuito de un BJT

Determinar IB, IC, IE, VBE, VCE y VCB en el circuito de la figura, el transistor tiene una = 150.

Analisis de un circuito de un BJT

Determinar IB, IC, IE, VBE, VCE y VCB en el circuito anterior, con los siguientes valores de RB = 22k, RC = 220, VBB = 6V, VCC = 9V y con una = 90.