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Histrico O funcionamento dos semicondutores foi descoberto em 1874 por Karl Braun em alguns sulfetos metlicos, como o sulfeto

de chumbo e de ferro. Em 1879 David Hughes iniciou uma pesquisa associada ao efeito semicondutor, tendo descoberto um processo de emitir ondas electromagnticas com estes materiais mesmo sem estar a par do trabalho terico de James Clerk Maxwell. A investigao deu origem ao detector electromagntico por efeito semicondutivo, o dodo.

Principio Basico Os semicondutores so substncias cujos tomos possuem quatro eltrons na camada de valncia (ltima camada). condutividade depende da temperatura a qual ele est submetido. Ex: cristal de silcio isolante a 273 c Silcio e germnio usados na construo dispositivos eletrnicos. Ligao Covalente Na ligao covalente, cada tomo compartilha um eltron com o tomo vizinho, desta forma adquiri 8 eltrons e fica estvel. Os tomos de silcio forma uma estrutura cbica, por isso chamado de cristal de silcio

Cristal de silcio forma cbica.

Eltron Livre O que mantm os eltrons presos aos seus respectivos tomos, a fora de atrao exercida pelo ncleo A todo movimento circular, atua a fora centrfuga, que puxa o corpo para fora do centro do movimento.

Se um eltron da CV, receber energia externa como luz calor, e esta for maior que a fora de atrao exercida pelo ncleo, o eltron pode subir para uma rbita acima da camada de valncia, chamada de banda de conduo.

Uma vez na banda de conduo, o eltron est livre para se deslocar pelo cristal.

Corrente de eltrons livres e de lacunas

Os eltrons livres iro se deslocar de um lado para outro do cristal atravs da banda de conduo, os eltrons de valncia se deslocaro de um lado para outro do cristal atravs das lacunas, pulando de uma para a outra.

Este movimento de eltrons de valncia (ou de lacunas), o que diferencia os semicondutores dos condutores.

Semicondutores Intrnsecos

o nome dado a todo semicondutor puro. Um cristal de silcio intrnseco se todos os tomos do slido forem de silcio. A condutividade do silcio a temperatura ambiente de 25c to baixa que no existe aplicao prtica para o mesmo. Uma maneira de aumentar a condutividade de um cristal de silcio introduzindo tomos de impureza,

Dopagem eletrnica consiste num procedimento de adio de impurezas qumicas a um elemento semicondutor para transform-lo num elemento mais condutor, porm, de forma controlada.

Existem dois tipos de impurezas usadas: N: Ocorre com a adio de fsforo ou arsnico ao silcio. P: nesta dopagem, h adio de boro ou glio ao silcio.

O nome semicondutor se justifica, uma vez que uma pequena quantidade de dopagem N ou P conduzem de forma razovel, mas no excelente. O diodo o semicondutor mais simples e possibilita que uma corrente flua apenas em uma direo.

Bandas de Energia Para que um material conduza eletricidade, necessrio que os eltrons de valncia, sob ao de um potencial eltrico aplicado, saltem do nvel de valncia para um nvel ou banda de conduo.

Impurezas

certas substncias, chamadas impurezas so adicionadas, as propriedades eltricas so radicalmente modificadas. Se um elemento como o antimnio, que tem 5 eltrons de valncia, for adicionado e alguns tomos deste substiturem o silcio na estrutura cristalina, 4 dos 5 eltrons iro se comportar como se fossem os de valncia do silcio e o excedente ser liberado para o nvel de conduo.

Juno PN (diodo de juno)

Se um semicondutor tipo P colocado junto a um do tipo N, na regio de contato, chamada juno, haver a formao de uma barreira de potencial.

Juno NPN (transistor de juno)

Um dispositivo formado por duas junes PN contrapostas conforme figura, se adequadamente polarizada e construda segundo alguns critrios, tem a funo de amplificador e chamado transistor de juno NPN.

Juno PNP

O transistor de juno PNP o inverso do anterior. O coletor e emissor so semicondutores tipo P e a base tipo N. A operao similar do anterior, observada a inverso de portadores de cargas e polarizaes das junes.

Dupla Juno PN

Um dispositivo com duas junes de silcio PN conforme abaixo denominado retificador controlado de silcio (sigla SCR, do nome em ingls). Notar que, no circuito dado, as junes externas so polarizadas diretamente e a central, inversamente. Ele pode ser considerado como a combinao de um transistor NPN com um PNP conforme indicado.

Unijuno
Uma barra semicondutora tipo N com dois contatos B1 e B2 e uma juno P conforme a figura forma um transistor de unijuno. Na altura da juno P haver uma tenso na barra que depender da sua resistncia hmica e de Vb. Enquanto Ve for menor que essa tenso, a juno do emissor est inversamente polarizada e, portanto, a corrente nula ou prximo disso. Se Ve aumenta de forma que a juno fica diretamente polarizada, haver um fluxo de portadores entre o emissor e base B1 e a corrente aumenta mesmo que Ve diminua.

Efeito de campo
Um transistor de efeito de campo (FET, do nome em ingls) tem uma construo conforme Figura 01. Uma barra de semicondutor tipo N envolta por um material tipo P, formando uma juno PN denominada porta. Os contatos nas extremidades so chamados de fonte e dreno. A juno da porta inversamente polarizada, o que resulta em corrente quase nula por ela, mas o campo eltrico forma um canal na barra que controla a passagem dos portadores. Assim, a tenso aplicada na porta controla a corrente entre fonte e dreno. Como a porta polarizada inversamente, a sua resistncia de entrada bastante alta, o que conveniente para muitas aplicaes. O exemplo da figura um FET com canal tipo N, mas pode perfeitamente ser tipo P, sendo, neste caso, a porta tipo N e, naturalmente, invertidas as tenses aplicadas (o smbolo tem o sentido da seta invertido). Em muitos diagramas comum o uso das iniciais em ingls para fonte, dreno e porta (Source, Drain, Gate).

Mosfet
Um efeito semelhante ao anterior pode ser obtido com a porta totalmente isolada do canal. Esse dispositivo, que usa uma camada de xido para a isolao da porta, denominado MOSFET.

Caractersticas

Opor-se a passagem de corrente eltrica de conduo So chamados de dieltricos Processo de polarizao, o processo de deslocamento ilimitado de cargas ou a orientao das molculas dipolares

Fenmenos devido a polarizao Podem ser julgados pelo valor da constante dieltrica. Pelos ngulos de perdas dieltricas.

Se a polarizao vem acompanhado de dissipao de energia que provoca o aquecimento do dieltrico.

Tipos de polarizao

Eletrnica e Inica. Polarizao dipolar. Polarizao estrutural.

Grupos de dieltricos
1)

2)
3)

4)

que possuem apenas a polarizao eletrnica. que possuem ao mesmo tempo polarizao eletrnica e dipolar. dieltricos inorgnicos slidos com polarizao eletrnica, inica e on-eletrnica dipolar. Componentes ferroeltricos

Comportamento dos dieltricos em servio


Resistncia de isolamento. No total No constante

Resistncia superficial Acontece com o acumulo de poeira e umidade na superfcie das peas isoladoras onde se forma um novo caminho para a corrente eltrica, ser chamada de superficial.

Ocorre especialmente em peas isoladoras expostas ao tempo com linhas de transmisso areas.

Isolantes gasosos

O isolante gasoso de maior uso sem dvida o ar. Outro gs de uso bastante recente o hexafluoreto de enxofre

Isolantes lquidos

Os isolantes lquidos atuam geralmente em duas reas, ou seja, a refrigerao e a isolao.

leo mineral

obtm-se o leo mineral a partir do petrleo e eventualmente, tambm de outros produtos sedimentares. Os leos minerais isolantes so processados atravs de uma rigorosa purificao

Askarel

O Askarel o nome comercial um leo resultante de uma mistura de hidrocarbonetos derivados de petrleo, contendo Alocloro 124, uma bifenila policlorada (PCB). Trata-se de uma substncia txica persistente, cujo uso deve ser abolido.

leos de silicone so lquidos incolores e transparentes com uma gama bastante ampla de viscosidades e pontos de ebulio, caracterizando-se por um ponto de chama bastante elevado (300oc e acima) e baixo ponto de solidificao (- 100oc);

Isolantes Pastosos e Ceras As pastas ou ceras utilizadas eletricamente se caracterizam por um baixo ponto de fuso, podendo ter estrutura cristalina, baixa resistncia mecnica e baixa higroscopia.
Parafina o material pastoso no-polar mais usado e mais barato. Pasta de silicone Com uma estrutura molecular semelhante dos leos de silicone, e guardando tambm basicamente as mesmas propriedades so usadas mais com finalidades lubrificantes do que eltricas

Vernizes Os vernizes so produtos resultantes de sinas com um solvente, este ltimo eliminado na fase final do processo. a) vernizes de impregnao, o tipo geralmente encontrado em associao com papis, tecidos, cermicas porosas e materiais semelhantes. b) vernizes de colagem, Uma aplicao desse tipo de verniz tambm a colagem de isolantes sobre metais. Distinguem-se tais vernizes por baixa higroscopia e boas caractersticas isolantes. c) vernizes de recobrimento. Se destinam a formar sobre o material slido de base, uma camada de elevada resistncia mecnica, lisa, e prova de umidade e com aparncia brilhante.

Isolantes Slidos Isolantes fibrosos Fibras isolantes podem ser orgnicas e inorgnicas. As orgnicas mais encontradas so a celulose, o papel, o algodo, a seda e outras. Fibras de vidro Derivada do vidro isolante, a fibra de vidro obtida com espessura de 5 a 10 mm (micrometros). A matria-prima deve ser vidro livre de lcalis, para evitar o aparecimento de fissuras capilares tendentes a reter a umidade, prejudicando assim a propriedade de resistncia superficial.

Vidro O vidro a soluo mais moderna para diversos problemas anteriormente s resolvidos com porcelana, e que hoje j encontram tambm solues mediante o uso de resinas (epxi) e aglomerados de resina com borracha.
Minerais Mica A mica um mineral cristalino, que se apresenta em forma de pequenas lamelas ou lminas, devido baixa fora de coeso entre os diversos planos cristalinos.

Materiais da Classe da Borracha

Fundamentalmente podemos diferenciar entre borrachas naturais e artificiais ou sintticas. A borracha natural obtida a partir do ltex A borracha sinttica se desenvolveu sobretudo no sentido de resolver alguns crticos da borracha natural, como rpido envelhecimento, sensvel a ao dos raios solares