SEMICONDUCTORES

No son ni conductores.

Ni aislantes. Pero tienen electrones libres.

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Lo que les caracteriza especialmente son los huecos

Lic.Fs. Melchor Siesqun Sandoval

OBJETIVOS
Conocer las caractersticas de los semiconductores y conductores a nivel atmico. Ser capaz de describir la estructura de un cristal de Silicio. Saber cuales son y como se comportan los dos tipos de portadores y sus impurezas. Ser capaz de explicar las condiciones que se dan en la unin pn sin polarizar, polarizada en directa y polarizada en inversa. Conocer los dos tipos de corrientes de ruptura provocados por la aplicacin sobre un diodo de gran voltaje en inversa.

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Conductores
Un conductor es un material que, en mayor o menor medida, conduce el calor y la electricidad.

Son buenos conductores los metales y malos, el vidrio, la madera, la lana y el aire.
Definamos la carga del electrn como:

1e=-1.6x10-19 C

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El conductor ms utilizado y el que ahora analizaremos es el Cobre (valencia 1), El cobre es un buen conductor Su estructura atmica la vemos en la siguiente figura.

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En cada rbita caben : 2n2 siendo n un nmero entero n = 1, 2, 3, ... Lo que interesa en electrnica es la rbita exterior que es la que determina las propiedades del tomo Como hay + 29 y - 28, queda con + 1.

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Como el electrn de valencia es atrado muy dbilmente por la parte interna, una fuerza externa puede liberarlo fcilmente, por eso es un buen Conductor. Nos referiremos a ese electrn de valencia, como electrn libre. Lo que define a un buen conductor es el hecho de tener un solo electrn en la rbita de valencia (valencia 1).

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As, tenemos que:

A 0 K (-273 C) un metal no conduce. A Temperatura ambiente 300 K ya hay electrones libres debidos a la energa trmica.

Si se aplica al metal un campo elctrico.

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El electrn se mueve dentro de la red cristalina del metal con una velocidad media.

La resistencia que opone la barra de metal al paso de la corriente es:

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SEMICONDUCTORES Son elementos, como el Germanio y el Silicio que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a medida que se eleva la temperatura o bien por la adiccin de determinadas impurezas resulta posible su conduccin Su importancia en electrnica es inmensa en la fabricacin de transistores, circuitos integrados, etc.

Los conductores tienen 1 electrn de valencia

Los semiconductores tienen 4 electrones de valencia

Los aislantes tienen 8 electrones de valencia

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Los semiconductores tienen una parte interna con carga + 4 y 4 electrones de valencia.
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CRISTALES DE SILICIO
Al combinarse los tomos de Silicio para formar un slido, lo hacen formando una estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes", que son las uniones entre tomos que se hacen compartiendo electrones adyacentes de tal forma que se crea un equilibrio de fuerzas que mantiene unidos los tomos de Silicio.

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Cada tomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los tomos vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia, como se ve en la figura.
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Los 8 electrones de valencia se llaman electrones ligados por estar fuertemente unidos en los tomos

El aumento de la temperatura hace que los tomos en un cristal de silicio vibren dentro de l. A mayor temperatura mayor ser la vibracin y el electrn se puede liberar de su rbita, lo que deja un hueco, que a su vez atraer otro electrn, etc.
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A 0 K, todos los electrones son ligados.

A 300 K o ms, aparecen electrones libres.

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La unin de un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin.

Al tiempo entre la creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina "tiempo de vida".

Enlace covalente roto: Es cuando tenemos un hueco, esto es una generacin de pares electrn libre-hueco.

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Segn un convenio ampliamente aceptado tomaremos la direccin de la corriente como contraria a la direccin de los electrones libres.

Los electrones libres (electrones) se mueven hacia la izquierda ocupando el lugar del hueco. Carga del electrn libre = -1.6x10-19 C. Los electrones ligados (huecos) se mueven hacia la derecha. Carga de electrn ligado = +1.6x10-19 C..
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RESUMIENDO
Semiconductores: Conducen los electrones (electrones libres) y los huecos (electrones ligados). Conductores: Conducen los electrones libres.

Dentro de un cristal en todo momento ocurre esto:

Por la energa trmica se estn creando electrones libres y huecos. Se recombinan otros electrones libres y huecos Quedan algunos electrones libres y huecos en un estado intermedio, en el que han sido creados y todava no se han recombinado. .
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SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica. En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero Esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero.

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DOPADO DE UN SEMICONDUCTOR
Para aumentar la conductividad (que sea ms conductor) de un SC (Semiconductor), se le suele dopar o aadir tomos de impurezas a un SC intrnseco.

Un SC dopado es un SC extrnseco.
Caso 1 Impurezas de valencia 5 (Arsnico, Antimonio, Fsforo). Tenemos un cristal de Silicio dopado con tomos de valencia 5.

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Los tomo de valencia 5 tienen un electrn de ms, as con una temperatura no muy elevada (a temperatura ambiente por ejemplo), el 5 electrn se hace electrn libre

Esto es, como solo se pueden tener 8 electrones en la rbita de valencia, el tomo pentavalente suelta un electrn que ser libre.

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Si metemos 1000 tomos de impurezas tendremos 1000 electrones ms los que se hagan libres por generacin trmica (muy pocos).

A estas impurezas se les llama "Impurezas Donadoras"

Para hallar el nmero de electrones libres n (electrones libres/m3).

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CASO 2 Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio). Tenemos un cristal de Silicio dopado con tomos de valencia 3.

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Los tomo de valencia 3 tienen un electrn de menos, entonces como nos falta un electrn tenemos un hueco.
Esto es, ese tomo trivalente tiene 7 electrones en la orbita de valencia.

Al tomo de valencia 3 se le llama "tomo trivalente" o Aceptor". Hay tantos huecos como impurezas de valencia 3 y sigue habiendo huecos de generacin trmica (muy pocos)

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El nmero de huecos se llama p (huecos/m3).

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SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS

Son los semiconductores que estn dopados, esto es que tienen impurezas.
Hay 2 tipos dependiendo de que tipo de impurezas tengan:
a) Semiconductor tipo n

b) Semiconductor tipo p

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a) Semiconductor tipo n

Es el que est impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes
Los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, por lo cual reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".

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Al aplicar una tensin al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco. Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde entran al conductor y fluyen hacia Lic.Fs. Melchor Siesqun Sandoval 27 el positivo de la batera.

b) Semiconductor tipo p

Es el que est impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. El nmero de huecos supera el nmero de electrones libres. Los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.
Al

aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha

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En la figura, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo. En el circuito hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.

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