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DIODO SEMICONDUCTORES

SEMANA I
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* Uno de los parmetros importantes de un diodo


es la resistencia que presenta en el punto o regin operacin. Si consideramos la regin de conduccin definida por la direccin de ID y la polaridad de VD en la fig 1.1a veremos que el valor de la resistencia directa RF, queda definida por medio de la ley de Ohm como:

VF RF IF

* El diodo ideal representa un

circuito cerrado en la regin de conduccin. aplica potencial negativo.

* Considere la regin donde se


* Donde VD es el voltaje de
polarizacin inversa sobre el diodo. circuito abierto en la regin de no conduccin.

* El diodo ideal representa un

VF RF IF
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* El termino resistividad se utiliza para comparar

varios niveles de resistencia de materiales en unidades mtricas, la resistividad de un material se mide como -cm o como -m

RA l

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* Para la regin negativa ,

existe un punto donde al aplicar un exceso mayor de voltaje se ocasiona un cambio drstico en las caractersticas, como se muestra en la fig. la corriente se incrementa a un ritmo muy rpido con una direccin opuesta.

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* Al plica un voltaje DC a un circuito que contiene un diodo
semiconductor tendr por resultado un punto de operacin sobre la curva caracterstica que no vara con el tiempo. valores correspondientes de VD y de ID y aplicando Ohm.

* La resistencia del diodo se puede encontrar localizando los

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* Si en lugar de aplicar una entrada DC se aplica

una senoidal la situacin cambia, la variacin de la entrada desplazar el punto de operacin instantneo hacia arriba y hacia abajo a una regin de las caractersticas y de esta forma definir un cambio especifico en la corriente y en voltaje.

* La designacin de punto Q se deriva de la


palabra estable (del ingls quiescent),

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Vd rd I d
* Donde significa un cambio
finito en la cantidad (1.6)

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* La resistencia asociada con el dispositivo para esta regin se
denomina resistencia de AC promedio, la cual es por definicin la resistencia determinada por una lnea recta trazada entre las dos intersecciones establecidas por los valores mnimos y mximos del voltaje de entrada.

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* Para obtener un circuito equivalente se deber


aproximar las caractersticas del dispositivo utilizando segmentos de lneas rectas.

* Al circuito equivalente resultante se le * Los segmentos lnea recta

denomina circuito equivalente de segmentos lineales. no representan una copia exacta de las caractersticas reales.

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* Los resultantes son lo suficientemente

aproximados a la curva real que es posible establecer un circuito equivalente que proporcionar una primera aproximacin excelente al comportamiento real del dispositivo.

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* Los datos sobre especificaciones de dispositivos


semiconductores son proporcionados normalmente de dos maneras por el fabricante. La forma ms comn es mediante una breve descripcin que se limita a una pgina la otra es por medio de una revisin de las caracterstica utilizando grficas. Ilustraciones, tablas, etc.

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* El voltaje directo VF (para una corriente y temperatura definida) * La corriente directa mxima IF (para una temperatura definida) * La corriente de saturacin inversa IR (para un voltaje y temperatura
definidos)

* El nivel de voltaje inverso


particular

(PIV, PRV o V(BR), donde BR proviene del trmino ruptura (Breakdown) (para una temperatura definida)

* El nivel de disipacin para la mxima potencia en una temperatura * Los niveles de capacitancia * El tiempo de recuperacin inverso trr * El rango de temperatura de operacin

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*Si se proporciona la mxima

potencia o valor de disipacin se entiende que ser igual al siguiente producto: PDmax=VDID

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A. B.

Los voltajes de polarizacin inversa mnimos PIV para un diodo a una corriente de saturacin inversa determinada. Caractersticas de temperatura segn se indic. Observe el empleo de la escala de Celsius y el amplio rango de utilizacin (recuerde que 32F=0C= punto de congelacin (H2O) y que 212F=100C=punto de ebullicin (H2O) Nivel mximo de disipacin de potencia PD=VDID= 500 mW. El valor de potencia mxima disipada. Corriente directa continua mxima IFmax= 500 mA

C. D. E. F.

Rango de valores para VF cuando IF= 200mA.


Rango de valores para VF cuando IF= 1.0 mA. Observe como, en este caso, el lmite superior se acerca a 0.7V.

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G. En el nivel VR= 20V y a una temperatura de operacin tpica, IR= 500 nA= 0.5 A, mientras que a un voltaje inverso mayor IR cae a 5 nA=0.005 A. H. El nivel de capacitancia entre las terminales es aproximadamente de 8 pF par el diodo cuando VR=VD=0V (sin polarizacin=) y con un frecuencia aplicada de 1 MHz. I. El tiempo de recuperacin inverso es de 3 s para la lista de condiciones de operacin.

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* Los dispositivos electrnicos son muy sensibles inherentemente a las

altas frecuencias. La mayora de los efectos capacitivos pueden ignorarse a bajas frecuencias, ya que su reactancia XC=1/2fC es muy alta (equivalente a un circuito abierto). * No se puede ignorar para el caso de frecuencias muy altas, debido a que XC se volver lo suficientemente pequea. * En el diodo semiconductor p-n existen dos efectos capacitivos que debern considerarse. * Se presentan tanto para la regin de polarizacin directa como para la inversa, * Dado que siempre una de ellas supera por mucho a la otra en cada regin, consideraremos los efectos de slo una de ellas para cada regin. * En la regin de polarizacin inversa, se presenta la capacitancia de transicin (CT) o de regin de agotamiento, mientras que para la regin de polarizacin directa tendremos la capacitancia de difusin (CD) o de almacenamiento.

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* Representado por trr, en el estado de polarizacin

directa, existe una gran cantidad de electrones que se mueven del material de tipo n hacia el material del tipo p, y una gran cantidad de huecos en el material tipo p hacia el material tipo n, estos establecen un gran numero de portadores minoritarios en cada material. la corriente automaticamente, lo que no sucede (ver Fig.)

* Al invertir la polaridad del diodo se debe de invertir

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* La corriente del diodo se invierte como se muestra en la fig. y se

mantiene en este nivel perceptible, durante un periodo ts (tiempo de almacenamiento), que requieren los portadores minoritarios para regresar a su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto. En esencia, el diodo permanecer en el estado de circuito cerrado con una corriente Iinversa, determinada por los parmetros de la red.
reducir su nivel hasta alcanzar aquel asociado con el estado de no conduccin. El tiempo de recuperacin inverso ser la suma de estos dos intervalo: trr= ts+tt

* Cuando esta fase de almacenamiento termine, la corriente

* El segundo periodo se representa por tt (intervalo de transicin).

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* En la regin zener que se analizo en un punto anterior, se aprecia


la cada en una forma casi vertical de la caracterstica bajo un potencial de polarizacin inversa denotado como VZ.

* El hecho de que la curva caiga alejada del eje horizontal en

lugar de que se eleve alejada de la regin positiva VD indica que la corriente en la regin Zener mantiene una direccin opuesta a aqulla de un diodo en polarizacin directa. diodos Zener.

* Esta regin de caractersticas nicas se utiliza en el diseo de los

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* El circuito equivalente completo del diodo Zener en la regin

Zener incorpora una pequea resistencia dinmica y una batera dc equivalente al potencial Zener como se muestra en fig. sin embargo, para el resto de las aplicaciones siguientes, debemos asumir como primera aproximacin que los resistores externos son mucho ms grandes en magnitud que el resistor equivalente Zener y que el circuito equivalente simplemente ser el que indica en la fig.

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* La corriente de prueba IZT es la corriente definida para

del nivel de potencia y ZZT es la impedancia dinmica en este nivel de corriente. La impedancia mxima en el punto de inflexin ocurre en la corriente del punto de inflexin IZK, se proporciona adems la corriente de saturacin inversa para un nivel de potencial particular, e IZM es la corriente mxima para la unidad de 20%

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* El coeficiente de temperatura refleja el cambio

porcentual de VZ con respecto a la temperatura, y se define por la ec.

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* CONSTANTES MXIMAS
* La disipacin de potencia de un diodo zener es igual al producto de su
voltaje por su corriente.

* PZ=VZIZ * Mientras PZ sea menor que la potencia nominal, el diodo zener puede
operar en la regin de ruptura sin que se destruya.

* La corriente mxima se relaciona con la potencia nominal como sigue:

I ZM

PZM VZ

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* Donde
* IZM= corriente mxima nominal de zener * PZM= potencia nominal * VZ= voltaje zener

* Regulacin de voltaje * Diodo regulador de voltaje, porque mantiene

constante el voltaje de salida aunque la corriente flucte en l.

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* Funcionamiento en la zona de ruptura


* A causa del divisor de tensin, la tensin Thevenin que ve
el diodo es:

* sta es la tensin que hay cuando el diodo zener est

desconectado del circuito. Esta tensin de Thevenin tiene que ser mayor que la tensin zener; en caso contrario, el diodo no llegara a polarizarse en la zona de ruptura.

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* El diodo zener est funcionando en la zona de ruptura.


En la fig. la corriente que circula por la resistencia en serie est dada por.

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* Corriente por la carga


* Idealmente, la tensin en la carga es igual a la tensin * Esto permite aplicar la ley de Ohm para calcular la
corriente por la carga: IL=VL/RL zener, ya que la resistencia de carga est en paralelo con el diodo zener. VL=VZ

* Corriente zener
* Por la ley de Kirchhoff de las corrientes, * IS=IZ+IL

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* El diodo zener y la resistencia de carga estn

en paralelo. La suma de sus corrientes tiene que ser igual a la corriente total, que es la misma corriente que circula por la resistencia en serie. obtiene esta importante ecuacin IZ=IS - IL

* Expresando esta relacin de otra manera se

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* Son estructuras que pueden emitir luz cuando se polarizan de forma

apropiada. Las dos formas que comnmente se utilizan en la actualidad para realizar dicha funcin son los diodos emisores de luz (LED del ingls: Light Emitting Diode) y la pantalla de cristal lquido (LCD del ingls Liquid Cristal Display) * Es un diodo capaz de emitir luz visible cuando se energiza. En cualquier unin p-n con polarizacin directa existe, dentro de la estructura y principalmente cerca de la unin, una recombinacin de huecos y electrones. Esta recombinacin requiere que la energa poseda por el electrn libre sin enlace ser transferida hacia otro estado, en todas las uniones de semiconductores p-n cierta cantidad de esta energa se desprender en forma de calor y otra en forma de fotones. En el caso del silicio y del germanio, el porcentaje mayor de energa que se desprende es en forma de calor y en una medida insignificante, se deprende luz emitida. En otros materiales, como el fosforo de arseniuro de galio (GaAsP) o el fosforo de galio (GaP), el nmero de fotones de energa luminosa emitida es suficiente como para crear una fuente de luz altamente visible. * Al proceso de emisin de luz mediante la aplicacin de una fuente de energa elctrica se le denomina electroluminiscencia.

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* Los LEDS operan en rangos de voltaje de 1.7 a 3.3 V, lo


cual los hace completamente compatibles con los circuitos de estado slido. Cuentan con tiempos de respuesta rpidos (nanosegundos) y ofrecen ndices huecos de contraste para mejor visibilidad. Sus requerimientos de potencia son tpicamente de 10 a 150 mW con tiempos de vida de ms de 100,00 horas y adems, su construccin de semiconductor les aade un factor de significativa durabilidad

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