EL DIODO

Un diodo (del griego "dos caminos") es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor.

Los primeros diodos eran vlvulas grandes o tubos de vaco, tambin llamadas vlvulas termoinicas constituidas por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue realizado en 1904 por John Ambrose Fleming, de la empresa Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.

Al igual quelas lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a travs del que circulaba corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco; electrones que son conducidos electrostticamente hacia una placa cargada positivamente (el nodo).

Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.

Tipos de vlvula diodo Diodo de alto vaco Diodo de gas Rectificador de mercurio

Segn el nmero de electrodos las vlvulas se clasifican en: Diodos, Triodos, Tetrodos, Pentodos, y as sucesivamente.

Otros tipos de vlvulas termoinicas son: Se llama tiratrn a una vlvula termoinica parecida a un triodo que estuviera lleno de gas. Se utilizaba para el control de grandes potencias y corrientes, lo que en un dispositivo de vaco es muy difcil debido al nmero limitado de electrones que puede producir un ctodo termoinico. Aadiendo un gas inerte que se ioniza, inicialmente por medio de los electrones termoinicos, se tiene un nmero mucho mayor de portadores de corriente que en el triodo.

 El tubo de rayos catdicos (CRT del ingls Cathode Ray Tube) es una tecnologa que permite visualizar imgenes mediante un haz de luz constante a una pantalla de vidrio recubierta de fsforo y plomo. El fsforo permite reproducir la imagen proveniente del haz de luz, mientras que el plomo bloquea los rayos X para proteger al usuario de sus radiaciones. Se emplea principalmente en monitores, televisores y osciloscopios, aunque en la actualidad se estn sustituyendo paulatinamente por tecnologas como plasma, LCD y LED Iconoscopios, orticones, vidicones, plumbicones: son tubos de cmara de televisin.

 Ojos mgicos: Se llama ojo mgico a una vlvula termoinica, desarrollada por RCA, que incluye una pequea pantalla de rayos catdicos. Se utiliz principalmente como indicador de sintona en las radios de gama alta. Suele incluir un triodo que amplifica la seal de entrada antes de aplicarla a un electrodo de deflexin de la parte de rayos catdicos. El efecto que se produce es que una zona luminosa crece o decrece segn el nivel de seal. Esto ayudara al usuario a sintonizar el aparato.

 Klistrones, magnetrones, Tubos de onda progresiva, todos ellos dispositivos de microondas. Klistrones se utiliza como amplificador en la banda de microondas o como oscilador. Magnetrn es un dispositivo que transforma la energa elctrica en energa electromagntica en forma de microonda. Tubo de onda progresiva (TWT por Traveling-Wave Tube) es un dispositivo electrnico usado para amplificar seales de radio frecuencia (RF).

 Decatrn y trocotrn, son tubos contadores. Decatrn es una vlvula termoinica que funciona como contador de pulsos. Consta de diez nodos que son las salidas del tubo. Adems, tiene dos grupos de otros diez nodos, los de cada grupo interconectados entre s de modo que al exterior salen dos patillas, que son las seales de conteo. Aplicndoles consecutivamente un pulso positivo, se avanza o retrocede la cuenta.

Trocotrn es un tipo de vlvula termoinica destinada a servir de contador decimal. El nombre proviene de que los electrones siguen trayectorias trocoidales, por la interaccin de un campo magntico con el campo elctrico entre los electrodos de la vlvula.

 Selectrn: memoria digital. Es una vlvula termoinica capaz de actuar como memoria de acceso aleatorio (RAM), diseada por RCA en 1946, pero que no estuvo disponible comercialmente hasta la primavera de 1948. Se fabric con capacidades de 4096 bits, para un ordenador, pero debido a las dificultades de RCA se utilizaron tubos Williams (era un tubo de rayos catdicos usado para almacenar electrnicamente datos binarios).

 VFD, Displays fluorescentes de vaco El acrnimo VFD, del ingls Vacuum Fluorescent Display, refiere a las pantallas fluorescentes de vaco. Consisten en una ampolla de vidrio que contiene uno o varios filamentos que actan de ctodo, varios nodos recubiertos de fsforo y una rejilla. Al polarizar positivamente los nodos y las rejillas, los electrones emitidos por ctodo alcanzan un nodo, que se ilumina.

Diodo pn o Unin pn Los diodos p-n, son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y tipo n, por lo que tambin reciben la denominacin de unin p-n. Ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

Formacin de la zona de carga espacial

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p. Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio. Al dispositivo obtenido se le denomina diodo, si no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no est polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo, mientras que la zona n ctodo.

Polarizacin directa Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n, diremos que estamos en "Polarizacin Directa".

As los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente convencional lo tomaremos siempre contrario al del electrn.

Lo que le sucede al electrn: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente entra por el extremo derecho del cristal y se desplaza a travs de la zona n como electrn libre. En la unin se recombina con un hueco y se convierte en electrn de valencia. Se desplaza a travs de la zona p como electrn de valencia. Tras abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.

Polarizacin inversa Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el terminal negativo de la batera conectado al lado p y el positivo al n, esta conexin se denomina "Polarizacin Inversa.

El terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones libres, as los huecos y los electrones libres se alejan de la unin y la (zce) zona de carga espacial se ensancha.

A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de deplexin deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la tensin inversa aplicada (V), entonces los electrones y huecos dejan de alejarse de la unin. A mayor la tensin inversa aplicada mayor ser la z.c.e.

Existe una pequea corriente en polarizacin inversa, La zona de deplexin empuja a los electrones hacia la derecha y el hueco a la izquierda, se crea as la "Corriente Inversa de Saturacin"(IS) que depende de la temperatura.

Adems hay otra corriente "Corriente Superficial de Fugas" causada por las impurezas del cristal y las imperfecciones en su estructura interna. Esta corriente depende de la tensin de la pila (V VP)

Entonces la corriente en inversa (I IR) ser la suma de esas dos corrientes:

Ruptura Los diodos admiten unos valores mximos en las tensiones que se les aplican, existe un lmite para la tensin mxima en inversa con que se puede polarizar un diodo sin correr el riesgo de destruirlo. A la tensin en la que la IR aumenta de repente, se le llama "Tensin de Ruptura" (VRuptura). A partir de este valor IR es muy grande y el diodo se estropea. En el diodo ha ocurrido el "Efecto Avalancha" o "Ruptura por Avalancha". Efecto Avalancha = Ruptura por Avalancha = Multiplicacin por Avalancha

Efecto Avalancha Aumenta la tensin inversa y con ella la z.c.p. Ocurre lo siguiente dentro del diodo:

Justo en el lmite antes de llegar a Ruptura, la fuente de voltaje va acelerando a los electrones. Y estos electrones pueden chocar con la red cristalina, con los enlaces covalentes. Choca el electrn y rebota, pero en VRuptura la velocidad es muy grande que al chocar cede energa al electrn ligado y lo convierte en libre. El electrn incidente sale con menos velocidad que antes del choque. O sea, de un electrn libre obtenemos dos electrones libres.

Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrn de un enlace covalente, ceden su energa... y se repite el proceso y se crea una Multiplicacin por Avalancha. Y ahora IR ha aumentado muchsimo, tenemos una corriente negativa y muy grande. Con esta intensidad el diodo se estropea porque no est preparado para trabajar a en esa IR.

Efecto Zener Este es otro efecto que puede estropear el diodo, y es muy parecido al anterior. Se suele dar en diodos muy impurificados, diodos con muchas impurezas.

Al tener la z.c.e. muy pequea y seguimos teniendo la misma tensin (0.7 V), tenemos muy juntos los tomos de impurezas teniendo as ms carga en menos espacio.

Curva caracterstica del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida(V ). La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la z.c.e. zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. Corriente mxima(Imax ). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobretodo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin(Is ). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin depares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo, esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura(Vr ). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.