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Un electrn movindose alrededor del ncleo, en un tomo, puede ser considerado como una pequea corriente cerrada con

un momento dipolar magntico. Los tomos pueden o no presentar un momento dipolar magntico neto, dependiendo de la simetra o de la orientacin relativa de sus rbitas electrnicas. Sin embargo, la presencia de un campo magntico externo distorsiona el movimiento electrnico dando lugar a una polarizacin magntica neta o magnetizacin del material.

Consideremos, por simplicidad, una sustancia en forma de cilindro que esta magnetizada en direccin paralela al eje del mismo. Esto significa que los dipolos magnticos moleculares estn orientados paralelamente al eje del cilindro, y por lo tanto las corrientes electrnicas moleculares estn orientadas perpendicularmente al eje del cilindro.

La figura muestra las corrientes circulares atmicas en el cilindro, alineadas con sus momentos magnticos atmicos a lo largo del eje del cilindro las corrientes internas tienden a cancelarse debido a los efectos contrarios de las corrientes adyacentes, de modo que no se observa corriente neta en el interior de la sustancia.

Sin embargo, como no existe cancelacin en la superficie del material, el resultado de estas corrientes circulares es una corriente sobre la superficie del material. La corriente superficial o corriente amperiana, es semejante a la corriente real en los arrollamientos de un solenoide.

El vector magnetizacin M de un material se define como el momento magntico del medio por unidad de volumen. Si m es el momento dipolar magntico de cada tomo o molcula y n es el nmero de tomos o molculas por unidad de volumen, la magnetizacin es M= nm

El cilindro mismo se comporta como un gran dipolo magntico resultante de la superposicin de todos los dipolos individuales. Si S es el rea de la seccin transversal del cilindro y L su longitud, su volumen es LS, y por consiguiente su momento dipolar magntico total es: M(LS)=(ML)S Pero S es precisamente el rea de la seccin transversal del circuito formado por la corriente superficial. Como m = IMS

El efecto de un campo magntico sobre el movimiento electrnico en un tomo es equivalente a una corriente adicional inducida en el tomo. Esta corriente est orientada en un sentido tal que el momento dipolar magntico, a ella asociado, tiene sentido opuesto al del campo magntico. Como este efecto es independiente de la orientacin del tomo y es el mismo para todos los tomos, concluimos que la sustancia ha adquirido una magnetizacin M opuesta al campo magntico resultado que contrasta con el encontrado en el caso del campo elctrico. Este comportamiento llamado diamagnetismo.

A continuacin veamos el efecto de orientacin. Como se indic un tomo o molcula puede tener un momento dipolar magntico permanente, asociado al momentum angular de sus electrones. En este caso la presencia de un campo magntico externo produce un torque que tiende a alinear todos los dipolos magnticos segn el campo magntico, con Io cual resulta una magnetizacin adicional llamada paramagnetismo. El magnetismo adquirido por una sustancia paramagntica tiene, por consiguiente, la misma direccin del campo magntico. Este efecto es mucho ms intenso que el diamagnetismo y, en el caso de sustancias paramagnticas, los efectos diamagnticos estn completamente compensados por los efectos paramagnticos.

Una tercera clase de sustancias magnticas son las llamadas ferromagneticas. La principal caracterstica de estas sustancias es que presentan una magnetizacin permanente, que sugiere una tendencia natural de los momentos magnticos de sus tomos. La magnetita, el hierro, cobalto y el nquel y as como la aleacin de estos.

Modelo

La mayora de los amplificadores operacionales de propsito general se fabrican con tecnologa BIFET, porque proporciona un rendimiento superior al de los amplificadores operacionales bipolares. Los amplificadores operacionales BIFET, generalmente presentan caractersticas de rendimiento muy buenas, entre las que incluyen un mayor ancho de banda, una mayor salida de potencia, impedancias de entradas mas altas y corrientes de polarizacin menores.

En los amplificadores operacionales BIFET, se encuentran combinados, transistores de efecto de campo JFET con transistores bipolares en circuitos integrados; se trata de un montaje monoltico. El proceso de implantacin inica usado para hacer los transistores BIFET da como resultado transistores muy bien apareados.

Los amplificadores BIFET tienen una alta resistencia de entrada, baja corriente de consumo, bajo nivel de ruido y baja tensin de alimentacin. Algunos amplificadores operacionales BIFET poseen un ajuste de potencia, hecho a travs de un resistor externo, que permite la seleccin del nivel de corriente de operacin. Al mismo tiempo que este control permite ajustar mejor la disipacin de potencia, tambin significa un mayor control sobre la banda de frecuencias de operacin.

Los FET se caracterizan por una impedancia muy alta de entrada, que se refleja directamente en las caractersticas de entrada del amplificador operacional BIFET. Las corrientes de polarizacin de entrada se sitan en el orden pA. Es preciso tener en cuenta que las tensiones de offset de estos amplificadores, as como el nivel de ruido de entrada, es mayor del que presentan los amplificadores operacionales con transistores bipolares. El principal uso para este tipo de amplificador operacional, es en equipos de telecomunicaciones alimentados por batera, donde el consumo de energa es un factor de gran importancia.

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Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, Octava Edicin, Editorial Pearson. http://smdelectronicayalgomas.blogspot.com/2010/09/ampli

ficador-bifet-ch-p-driver-mosfet.html
http://ieeexplore.ieee.org/search/DBIFET http://electronica.webcindario.com/glosario/ampopfet.htm

http://www.oocities.org/ar/clubelectronico/enciclopedia
Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith, Circuitos microelectronicos, Cuarta Edicin.

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