Transistores de Potncia

Comportamento Dinmico e Esttico; Freqncia de Chaveamento; Potncia; Caractersticas Fsicas; Aplicaes; Novas Aplicaes. Andr, Dfine, Eduardo, Kenji, Nagai, Ulisses

Transistor Bipolar de Potencia (BPT)

O BPT sempre do tipo NPN A corrente flui atravs do BPT verticalmente

Transistor Bipolar de Potencia (BPT)

Referncia BUT102 Caractersticas 400/300V, 50A, 300W Aplicaes Chaveamento Potencia Caixa Pinagem 1-Emissor 2-Base 3-Coletor 1-Base 2-Coletor 3-Emissor 4-Coletor 1-Base 2-Coletor 3-Emissor 4-Coletor

BUT98

850/450V, 30A, 200W

Chaveamento Potencia

BUT11

850/400V, 5A, 100W

Chaveamento Potencia

Caractersticas Estticas do Transistor Bipolar de Potencia (BPT)

Regio Ativa Regio de Corte Regio Quase Saturao Regio de Forte Saturao

Caractersticas Estticas do Transistor Bipolar de Potencia (BPT)

Primeira Avalanche (Ruptura)

Caractersticas Estticas do Transistor Bipolar de Potencia (BPT)

Segunda Avalanche (Ruptura) Devido a elevadas concentraes de corrente numa determinada regio. Devido caracterstica do coeficiente negativo de temperatura, o aumento da corrente reduz a resistncia do componente que aumenta a corrente e a temperatura e, assim sucessivamente at a ruptura.

Caractersticas Dinmicas do Transistor Bipolar de Potencia (BPT)

Transistor Operando como Chave

O circuito a transistor na configurao chave, definido por quanto IB maior que IBSAT , para garantir a saturao. Juno CB - diretamente polarizada, VCB variando de 0,4V a 0,5V. Transistor na regio de saturao.

Transistor Operando como Chave

Transistor Operando como Chave

Tipos de Chave
DISPOSITIVO Transistor Bipolar MOSFET GTO IGBT MCT CAPACIDADE DE POTNCIA Mdia Baixa Alta Mdia Mdia VELOCIDADE DE CHAVEAMENTO Mdia Rpida Lenta Mdia Mdia

Passam para o estado ligado em menos de 1s e para desligado em menos de 2s. So usados em aplicaes cuja freqncia chega 100 kHz

Tenses e Correntes nos Transistores NPN E PNP

O transistor, tanto PNP quanto NPN, formado por 3 Terminais: (C) Coletor (B) Base (E) Emissor E por duas junes: (CB) Coletor Base (BE) Base Emissor

Caractersticas de Operao

Caractersticas de Operao

Caractersticas de Operao

Regies de Operao
1 Corte
O transistor est desligado ou a corrente IB no grande o suficiente para lig-lo e as junes esto reversamente polarizadas.

2 Saturao
O transistor funciona como um amplificador onde IC amplificada pelo ganho de corrente e a diminuio da queda VCE. A juno coletor-base est reversamente polarizada e a juno base-emissor, diretamente polarizada.

3 Ativa
A corrente de base IB suficientemente grande, fazendo com que a tenso VCE seja muito baixa. Assim, o transistor opera como chave. Ambas as junes esto diretamente polarizadas.

Regies de Operao

Tenso e Corrente no Transistor

Enquanto VCE VBE, a juno CB est reversamente polarizada e o transistor est na regio ativa. A mxima corrente de coletor Icmax na regio ativa, determinada quando VCB igual a zero.

Tenso e Corrente no Transistor

Assim, o transistor vai para a saturao. A saturao de um transistor pode ser definida como o ponto acima do qual algum aumento na corrente de base no provoca uma aumento significativo na corrente de coletor. Na saturao :

Tenso e Corrente no Transistor

Normalmente, o circuito a transistor na configurao chave, definido por quanto IB maior que IBSAT , para garantir a saturao. A razo entre IB e IBSAT definido por fator de sobreacionamento - overdrive factor - ODF

Tenso e Corrente no Transistor

A potncia dissipada pelas duas junes dada por:

Caractersticas Fsicas
Materiais utilizados na fabricao do transistor:
Silcio (Si); Germnio (Ge); Glio (Ga); Alguns xidos;

Fabricao do transistor
Silcio purificado; Cortado em finos discos; Dopagem (impurezas); Cria-se o PNP ou o NPN;

Modelos de Transistores

Aplicaes no Campo da Eletrnica

Amplificador de Corrente , na configurao Darlington, o ganho final o produto dos ganhos de cada transistor; Prs: alta impedncia de entrada e alto ganho de corrente (~1000X); Contras: elevado tempo de comutao, queda de tenso, alto custo do circuito de controle.

Aplicaes no Campo da Eletrnica

Controle das deflexes verticais e horizontais de dispositivos CRT (tubo de raios catdicos), neste caso operam em alta tenso; Ignio automotiva, reatores eletrnicos para lmpadas; Amplificao de sinais de udio em aparelhos de som (substituto das vlvulas);

Aplicaes no Campo da Potncia

Circuito de potencia para interfaceamento entre carga e o respectivo sistema de controle (CLPs e FPGAs), atua como chave no acionamento do rel;

Novas Aplicaes
DMOS E LIGBT LDMOS GaN MOSFET

Novos Modelos Para DMOS E LIGBT

DMOS ("Double-diffused Metal Oxide Semiconductor") e LIGBT ("lateral-insulated gate bipolar transistor"); Na falta de modelos adequados um consumo de energia maior do que seria necessrio maiores gastos na produo; Utilizao automveis mais modernos, nos circuitos que controlam a direo eltrica, ar-condicionado e todo o aparato que cada vez mais acionado de forma eltrica e controlado eletronicamente; Modelos existentes temperatura ambiente. Uma situao muito diferente do que ocorre sob o cap de um automvel; Modelo atual funcionamento com o aumento da temperatura e aumento da velocidade de chaveamento; Resultados: Economia de energia e otimizao do componente para cada aplicao.

GEN7 LDMOS
Gen7 LDMOS: permite aumento da densidade de potncia, melhora da eficincia e reduo da resistncia trmica Rth. LDMOS (semicondutor de xido de metal difundido lateralmente) Usando a tecnologia Gen7 LDMOS, a NXP oferece o mais elevado desempenho em transistor de potncia LDMOS para amplificadores de potncia para estao rdio-base, permitindo maior eficincia e valor agregado, comparado a qualquer outro produto no mercado. desempenho recorde em aplicaes de at 3.8 GHz soluo com capacitncia de sada mais baixa do que as antigas geraes, permite um casamento de impedncias de sada em bandas muito mais largas, com um projeto muito mais simples.

GaN MOSFET, Alternativa aos transistores de silcio

Weixiao Huang, no Instituto Politcnico Rensselaer, nos Estados Unidos. Transstor base de nitreto de glio (GaN) menor consumo de energia e maior eficincia em aplicaes de eletrnica de potncia. Desempenho melhor do que o silcio e tambm funcionam em ambientes extremos. Os novos transistores reduzem significativamente as perdas de energia, o que significa que chips que os utilizem aquecero menos.

Referncias
Canesin, C. A., LEP2K2, 2002. Disponvel em:< http://www.dee.feis.unesp.br/gradua/elepot/principal.html > acesso em: 10 nov. 2008. Ahmed, A., Eletrnica de Potencia. SoPaulo: Prentice Hall, 2000. 479 p.

Sedra, A. S., Smith, K. C., Microeletrnica, 4. Ed.. SoPaulo: MAKRON Books, 2000. 1270 p.

Obrigado!