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Brattain y Joseph Barden Es un dispositivo semiconductor formado por dos capas de material tipo n ( p) y una capa entre ellas de material tipo p ( n).
La capa del emisor est fuertemente dopada La del colector ligeramente dopada Y la de la base muy poco dopada, adems ms delgada.
B Tiene dos uniones: Emisor-Base y Colector-Base Tiene 3 modos de operacin: Corte, Saturacin y Activo.
Modo Corte Activo Saturacin Unin E-B Inverso Directo Directo Unin C-B Inverso Inverso Directo
E n
p B
En este modo la corriente de colector es determinada por la ecuacin anterior. La corriente de base es una fraccin de la corriente de colector El valor de es tpico de 100 a 200, y en dispositivos especiales hasta de 1000. La corriente del emisor es la suma de las corrientes
Considere un transistor npn con VBE=0.7 cuando Ic=1mA. Encuentre VBE cuando la corriente del colector es 0.1mA y 10mA. (VT=25mV a temperatura ambiente)
Los transistores de cierto tipo se especifican para tener valores de en el intervalo de 50 a 100, encuentre el intervalo de valores de .
Considere un transistor npn con VE=-0.7 , una =50 . Encuentre las corrientes de emisor, base y colector, adems el voltaje de colector.
n C
p
B
n E
C B Smbolo
C
B +
VBE
IE IB
+
VBE
p C
n
B
p E
C B Smbolo
E +
VBE
+
B
VEB
IB
IE
La corriente de colector es constante, por tanto el colector se comporta como una fuente de corriente constante en la regin activa.
A diferencia de la configuracin anterior, el voltaje CE si tiene influencia sobre la magnitud de la corriente de colector.
Esta configuracin se utiliza para propsitos de acoplamiento de impedancias. Pues tiene alta impedancia de entrada y baja de salida, al contrario de las otras dos configuraciones.
Para todos los propsitos prcticos las caractersticas de salida de esta configuracin son las mismas que se usan para EMISOR comn.
Punto de Operacin 1.
2. 3. 4. 5.
El anlisis de circuitos a transistores, requiere de conocimiento de la operacin del mismo tanto en DC como en AC
El teorema de la superposicin puede ser aplicado al circuito Una vez definidos los niveles de DC se debe establecer el punto de operacin deseado. Cada diseo determinar la estabilidad del sistema El punto de operacin es un punto fijo sobre las caractersticas del transistor que definen una regin para la amplificacin de la seal aplicada.
Variando RB
Ic/Rc
Recta de carga
Variando RC
Vcc
Ic/Rc
Vcc
VE=(1/10)Vcc
Ri=(+1)RE
R2(1/10)RE Icq=(1/2)ICSat
ICSat=Vcc/Rc
ICSat=Vcc/(Rc+ RE)
10V
4V
4.7k
=100
3.3k
10V
6V
4.7k
=100
3.3k
10V
4.7k
=100
3.3k
10V
2k
=100
1k -10V
10V
5V
2k
=100
100k
Modelo re
Ic= Ib Ic= Ie