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CONDUTORES , ISOLANTES E SEMI CONDUTORES

CARACTERIZAO

CONDUTIVIDADE ELTRICA
A energia eltrica pode ser conduzida atravs da matria pela passagem de carga eltrica de um ponto a outro, sob a forma de corrente eltrica.

A existncia de corrente eltrica implica a existncia de transportadores de


carga na matria e de uma fora que faa com que eles se movam. Os transportadores de carga podem ser: eltrons livres, como no caso dos metais: ons positivos e negativos, como no caso de solues eletrolticas e gases: eltrons e lacunas como no caso dos semicondutores.

A fora que os movimenta o campo eltrico criado pela aplicao de uma diferena de potencial eltrico ( tenso eltrica ).

PORTADORES NOS CONDUTORES


Os portadores de carga nos condutores so os eletrons livres Nos metais, os tomos que formam a rede cristalina - caracterstica das ligaes metlicas - perdem eltrons, tornando-se ons (+). Os eltrons que se libertam passam a se movimentar caoticamente com muita liberdade por toda rede, formando uma espcie de mar de eltrons ao redor dos ons (+). Estes eltrons, que no mais pertencem a um nico tomo, so os "eltrons livres" e ficando sujeitos a um campo eltrico externo se movimentam em funo da fora eltrica deste campo. Na prata, por exemplo, os ons Ag+ formam a rede cristalina do slido ocupando posies fixas e os eltrons livres se movimentam, caoticamente, para todas as direes .O nmero de eltrons livres num metal imenso.

Num fio de cobre tem-se cerca de 8,5 x 1022 eltrons livres/cm que constituem uma espcie de "mar de eltrons" que se agita entre os ons fixos na rede cristalina.

PORTADORES NOS SEMICONDUTORES


Os portadores de carga nos semicondutores so os eltrons livres" e as lacunas . Um tomo de silcio isolado possui quatro eltrons na sua rbita de valncia, porm para ser quimicamente estvel, precisa de oito eltrons. Combina-se ento com outros tomos vizinhos de forma a completar os oito eltrons na sua rbita de valncia. As foras que mantm os tomos unidos quando eles se juntam para formar um cristal so denominadas ligaes covalentes

PAR ELETRON LACUNA


Quando a estrutura cristalina recebe energia externa ( calor , luz , .. ) eleva o nvel de energia do eltron da banda mais energtica ocupada ( banda de valncia) deslocando-o para um nvel maior de energia (banda de conduo ) liberando esse eltron para movimentao no cristal ( eltron livre ) A falta desse eltron nessa ligao covalente (lacuna ) pode ser responsvel tambm pela conduo de energia eltrica como veremos mais adiante.

CARATERISTICAS ELTRICAS COMPARATIVAS 1 1 CONDUTIVIDADE ELTRICA (. )


A condutividade eltrica mede a facilidade que o material apresenta para conduzir a corrente eltrica. Ela depende da concentrao de portadores , da carga eltrica desses portadores e de sua mobilidade A resistividade eltrica

o inverso da condutividade

= 1/

Condutividade dos Condutores:

= n. . q

onde n a concentrao de eltrons livres a mobilidade dos eltrons livres q a carga do eltron

Os materiais condutores apresentam condutividade maior que 104 (. )1

Condutividade dos Semi Condutores:


O transporte de energia eltrica nos semicondutores depende da movimentao dos eltrons e das lacunas

= n. . q + p .+ .
onde n a concentrao de eltrons livres a mobilidade dos eltrons livres p a concentrao de lacunas + a mobilidade das lacunas q a carga do eltron igual a da lacuna

A condutividade dos semicondutores situa-se no intervalo entre 10-10 e 104 (. )1

EXERCICIO
Calcular a corrente que circula em um bloco de 10 centmetro de comprimento e 1 milmetro quadrado da rea transversal S quando submetido a uma fonte de tenso de V = 12 volts caso ele seja : 1 ele seja um cristal de cobre 2 ele seja um germnio com 3-

= 2x104 (. )1 ele seja um isolante com = 10-10(. )1

Soluo R = .l/S Resistncia eltrica = 1/ Resistividade eltrica I = V / R Ohm

2 DEPENDENCIA DA TEMPERATURA A condutividade dos materiais depende da temperatura em que ele est operando Nos condutores o efeito da temperatura se faz mais sensvel no valor da mobilidade dos eltrons no alterando sua concentrao. Aumentando-se a temperatura os eltrons livres encontram mais dificuldade em se movimentar devido ao aumento na agitao dos tomos do material. Isso provoca uma diminuio no valor da mobilidade com consequente aumento na resistividade e portanto no valor da resistncia Nos semicondutores o efeito da temperatura se faz mais sensvel no valor da concentrao dos pares eltrons-lacunas ( n e p ) com pequena diminuio em suas mobilidades o que provoca um aumento nas suas concentraes com elevao da condutividade, diminuio da resistividade e da resistncia.

de se destacar que a mobilidade das lacunas menor que a dos eltrons devido ao fato de seu movimento no ser continuo mas sim formado por movimentos sequenciais de eltrons.

3 DEPENDENCIA DO GRAU DE PUREZA Nos metais quanto maior o grau de impureza menor ser sua condutividade, aumentando sua resistividade e sua resistncia Nos semicondutores ao introduzirmos impureza adequadas estaremos aumentando sua condutividade, diminuindo sua resistividade e sua resistncia As impurezas a serem adicionadas devem ser constitudas de tomos trivalentes ( ndio , Glio e Boro ) ou de tomos pentavalente ( Arsnio , Fsforo e Antimnio ) Ao semicondutor puro se d o nome de intrnseco e ao semicondutor dopado ( com impureza ) se d o nome de extrnseco tipo P ou N conforme a dopagem seja feita com tomos trivalentes ou pentavalentes A introduo de dopagem trivalente faz aumentar concentrao de lacunas no cristal e a introduo de dopagem pentavelente faz aumentar o nmero de eltrons livres no cristal

EXTRINSECO TIPO P

A substituio de um tomo de Silcio tetravalente por um de Boro trivalente faz com que uma ligao covalente fique incompleta produzindo assim uma lacuna na rede cristalina

Nesse semicondutor a concentrao de lacunas maior que a de eltrons livres

EXTRINSECO TIPO N

A substituio de um tomo de Silcio tetravalente por um de Fosforo pentavelente faz com que o quinto eltron de valncia do tomo de Boro se torne livre dentro da rede cristalina

Nesse semicondutor a concentrao de eltrons livres maior que a de lacunas