REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITCNICA DE LA FUERZA ARMADA

BOLIVARIANA NCLEO - ZULIA CTEDRA: MICROONDAS

Integrantes SECCIN 07-ITE-N01 REALIZADO POR: YUNG E. NUEZ C. JOS A. GIL S.

C.I: 18.988.978 C.I: 20.583.806

 En los tubos de haz lineal (linear-beam), tambin conocidos como 'O', el haz de electrones fluye en una direccin paralela a los campos elctrico y magntico, atravesando toda la longitud del tubo.

En los tubos de haz lineal (linear-beam), tambin conocidos como 'O', el haz de electrones fluye en una direccin paralela a los campos elctrico y magntico, atravesando toda la longitud del tubo.

Como s > 0 > f, slo las ondas lentas de carga espacial pueden convertir la energa cintica asociada al haz en energa electromagntica. En este principio se basan los amplificadores de tubos de onda progresiva (TWT).

En resumen, cuando un electrn que tiene cierta energa cintica penetra en un campo acelerado, adquiere ms energa, pero cuando interacciona con un campo decelerado, cede energa al campo. Este cambio de energa se traduce, generalmente, en un cambio de la velocidad.

El proceso de modulacin de velocidad se utiliza en el klystron. Si se coloca una segunda cavidad a una distancia que verifique la condicin:

Entonces se excitar un campo en la segunda cavidad mucho ms intenso que en la primera, que se puede recoger con ayuda de una sonda. Con slo dos cavidades se puede lograr una ganancia de hasta 20 dB. En la prctica, la ganancia se puede hacer mayor colocando una o ms cavidades intermedias entre las dos anteriores (que generalmente se llaman buncher y catcher). El lmite de ganancia se puede cifrar en unos 90 dB.

Puede aproximarse el estudio del tubo TWT a partir de un klystron dotado de un gran nmero de cavidades dispuestas muy prximas unas a otras. En lugar de cavidades resonantes, los TWT emplean estructuras de onda lenta de tipo distribuido, por las que se propagan ondas electromagnticas cuya velocidad de fase se ajusta a la de las ondas de carga espacial asociadas al haz de electrones. Como los electrones del haz permanecen en puntos de fase constante de la onda durante un recorrido largo, se produce una modulacin acumulativa en la velocidad de los mismos, provocando su enracimado y que cedan parte de su energa cintica a la onda. Este proceso da lugar a un crecimiento exponencial de la onda a lo largo del tubo. Como estructura de onda lenta se acostumbra a utilizar un conductor helicoidal (sheath helix). Aunque la seal de RF viaje a lo largo del conductor a la velocidad de la luz, la velocidad en direccin axial se reduce a: vz = c sen() (1.30) donde es el ngulo caracterstico de la hlice.

En la figura de la izquierda se muestran las posibles trayectorias que puede seguir un electrn en un diodo plano en presencia de campos electrostticos y magnetostticos. En ausencia de campo magntico, viajar en lnea recta desde el ctodo hasta el nodo. A medida que la intensidad del campo magntico se hace mayor, la trayectoria del electrn comienza a curvarse, como se indica que en caso (a); puede llegar el caso de que el campo sea tan intenso que el electrn tan slo pueda incidir de forma rasante sobre el nodo y regresar al ctodo (b); un incremento adicional en la intensidad del campo magntico se traduce en la trayectoria (c), segn la cual el electrn nunca llega a alcanzar el nodo, describiendo una cicloide cuya frecuencia ser proporcional a la intensidad del campo. En una configuracin cilndrica (vase la figura de la derecha) el electrn se mueve siguiendo trayectorias similares.

El nodo de un magnetrn consiste en un bloque slido de metal, en el que existen ocho cavidades con una estructura similar a la mostrada en la figura. Todas las cavidades tienen la misma frecuencia de resonancia y son capaces de soportar un campo de RF con las lneas mostradas en la figura.

Amplificadores microondas
Los amplificadores microondas no son mas que el aumento de una potencia sin importar su magnitud, las consideraciones de diseo ms importantes en un amplificador

en pequea seal son la estabilidad, la ganancia en potencia, el

ancho de banda, el ruido, y los requisitos de DC. En esta seccin se tratan principalmente los problemas de estabilidad y

ganancia en potencia en amplificadores de banda estrecha.

Consideraciones de diseo
En general se pueden distinguir los siguientes objetivos en el diseo de amplificadores de microondas:

Mxima ganancia de potencia Mnima figura de ruido para la primera etapa. Ganancia estable, sin oscilaciones. Razn de onda estacionaria (VSWR) cercana a la unidad, tanto en la entrada como en la salida. Ganancia uniforme en una cierta banda de frecuencia. Respuesta en frecuencia de la fase lineal, ie, sin distorsin. Insensibilidad a cambios en los parmetros S o cambios en la polarizacin.

AMPLIFICADOR KLYSTRON

El Klystron se utiliza como amplificador de potencia en algunas estaciones terrestres de comunicaciones satelitales. Generalmente se utilizan 5 cavidades en un Klystron de 3 Kw de potencia. Se dispone de un can electrnico que emite un haz de electrones que pasa a travs del espacio intermedio entre las cavidades de cada uno de los resonadores.

AMPLIFICADOR CON KLYSTRON

Funcionamiento
La primer cavidad sirve para ingresar la seal de microondas a ser amplificada, mientras que la segunda se usa para extraer la seal ya amplificada. La seal de entrada excita la primer cavidad creando un campo elctrico el cual modula a su vez el haz de electrones. La velocidad de los electrones es proporcional al campo resultante en la cavidad. En la ltima cavidad se genera un campo elctrico como funcin de la velocidad de los electrones que se transforma en una corriente de microondas de salida.

AMPLIFICADOR KLYSTRON

AMPLIFICADOR TWT
Consiste en un generador de haz electrnico y una estructura de enfoque magntico. Una estructura en forma de hlice facilita la interaccin entre el campo de microondas y el haz electrnico. La velocidad de los electrones se ajusta para que sea igual a la velocidad de fase de las microondas.

AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO PARAMTRICO

Mientras en el transmisor se recurre a amplificadores con Klystron, TWT o transistores, en el lado recepcin se recurre a amplificadores con transistores o paramtricos. El principal requerimiento para el amplificador del receptor es el bajo ruido interno. Existen amplificadores paramtricos2) sin enfriar con temperatura de ruido de 50 K. Con amplificadores a transistores FET se han obtenido temperaturas de ruido de 80 a 300 K sin enfriamiento Peltier y de 55 K con celdas Peltier. El amplificador paramtrico utiliza una reactancia no lineal (reactancia que vara en funcin de una seal apropiada). El diodo varactor acta como una resistencia negativa ante la presencia de la seal lo cual produce la amplificacin. La seal que vara la resistencia se llama seal de bombeo.

AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO PARAMTRICO Funcionamiento

La resistencia de prdida de los elementos en serie Rs es proporcional al ruido trmico del amplificador y de reducirse Rs mejora el factor de ruido. El valor de Rs disminuye cuando se enfra el conjunto con una celda Peltier o con las mejoras introducidas en el diseo del diodo y los materiales. En la misma figura se muestra el diagrama del amplificador paramtrico. amplificador consiste en 3 seales: la seal de bombeo proveniente de un oscilador con diodo Gunn de frecuencia superior a la seal a amplificar; la seal a amplificar y la seal complementaria que se produce al mezclarse ambas seales precedentes. En condiciones ideales toda la potencia de la seal de bombeo se transfiere a la seal a amplificar; esto ocurre cuando la frecuencia de la seal de bombeo es el doble de la otra seal y cuando ambas estn en fase.

AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO PARAMTRICO