TIRISTORES y TRIACS

El SCR
1. 2. 3. 4. 5. 6. Introduccin Estructura de semiconductor del SCR Modelo del SCR Curva caracterstica del SCR DRIVERS para SCRs Proteccin del SCR
Contra dV/dt Contra di/dt Contra el calor

7.

Control de Potencia con SCRs

Ejemplo de control de potencia con SCR Semiconvertidor monofsico Convertidor monofsico completo

El SCR.- Introduccion
Dispositivo de 4 capas y 3 terminales Manejo de potencias significativas
I > 5kA V > 10kV

Las junturas externas estn polarizadas en directa y la interna en reversa. Una corriente por el gate sirve para polarizar la juntura intermedia y poner el dispositivo en conduccin

Estructura de semiconductor del SCR

Una regin de alta resistividad, base-n, esta presente en todos los tiristores. Esta regin y la juntura J23 asociada son las que soportan altos voltajes directos aplicados, que ocurren cuando el dispositivo esta en estado de bloqueo. La base-n, tpicamente se dopa con impurezas de tomos de fosforo en una concentracin de aprox. 1014 cm-3. La base-n puede ser desde decenas a centenas de micrmetros de espesor para soportar altos voltajes. El perfil del dopado de las regiones p van desde aprox. 1015 a 1017 cm-3. Estas regiones p pueden ser hasta decenas de micrmetros de espesor. La regin ctodo (tpicamente solo unos pocos micrmetros de espesor) se forma usando tomos de fosforo en una densidad de dopado de 1017 a 1018 cm-3. A mayor capacidad de bloqueo de voltaje directo, mayor debe ser el espesor de la regin de base-n. El incremento del espesor de esta regin, resulta en encendidos y apagados lentos ( los mayores tiempos de conmutacin y/o baja frecuencia de conmutacin se debe a mayor carga almacenada durante la conduccin). Los tomos de impurezas como platino u oro, o irradiacin electrnica, son usados para crear recombinacin de portadores de carga en el tiristor. Tener un gran numero de recombinaciones reduce el tiempo de vida promedio de los portadores. Un reducido tiempo de vida de portadores reduce los tiempo de conmutacin a expensas de incrementar la cada de conduccin directa.

Modelo del SCR

Cuando un voltaje positivo es aplicado al nodo con respecto al ctodo, el tiristor esta en modo de estado de bloqueo en directa. La juntura central J23 es polarizada en inversa. En este modo de operacin la corriente de puerta se mantiene en cero (circuito abierto). En la practica, la puerta se polariza a un voltaje negativo bajo con respecto al ctodo para polarizar en inversa la juntura J34 y evitar que los portadores de carga se inyecten en la base-p. En esta condicin solo fluye a travs del dispositivo corriente de fuga generado trmicamente y puede aproximarse a cero. Mientras el voltaje directo aplicado no exceda el valor necesario para causar excesiva multiplicacin de portadores en la regin de agotamiento alrededor de J23 (ruptura por avalancha), el tiristor permanecer en el estado de apagado (bloqueo en directa). Si el voltaje aplicado excede el voltaje de bloqueo en directa mximo del tiristor, el tiristor conmutara a su estado de encendido. Este modo de encendido causa flujo de corriente no uniforme, es generalmente destructiva y debera evitarse. Cuando una corriente positiva en la puerta es inyectada en el dispositivo, J34 se polariza en directa y electrones son inyectados dese el emisor n dentro de la base-p. Algunos de estos electrones se difunden a travs de la base-p y son recolectados en la base-n. Esta carga recolectada causa un cambio en la condicin de polarizacin de J12. El cambio en la polarizacin de J12 causa que huecos se inyecten desde el emisor p dentro de la base-n. Estos huecos se difunden a travs de la base-n y son coleccionados en la base p. La adicin de estos huecos coleccionados en la base p actan de igual forma como la corriente de puerta. El proceso entero es regenerativo y causara el incremento de portadores de carga hasta que J23 llegue a ser polarizado en directa y el tiristor se enganche al estado de encendido (conduccin directa). La accin regenerativa tomara lugar mientras que la corriente de puerta es aplicado en cantidad suficiente y por suficiente tiempo. Este modo de encendido es el recomendado y es controlado por la seal de puerta.

El comportamiento de conmutacin tambin se puede explicar en trminos de un modelo de dos transistores. Los dos transistores son acoplados regenerativamente de tal manera que la suma de sus ganancias de corriente en directa (alphas) exceda la unidad, cada transistor conduce al otro hacia la saturacin. La ecuacin escribe la condicin necesaria para que el tiristor se mueva desde el estado de bloqueo en directa hacia el estado de conduccin en directa. Los factores alphas dependen de la corriente y se incrementan cuando se incrementa la corriente. La juntura central J23 esta polarizada en inversa bajo un voltaje aplicado en directa (voltaje en el nodo positivo). El campo elctrico asociado en la regin de agotamiento alrededor de la juntura puede resultar en una multiplicacin de portadores, denotado como factor multiplicativo M sobre los componentes de corriente ICO y IG. En el estado de bloqueo en directa, la corriente de fuga ICO es pequea, ambos alphas son pequeos y su suma es menor que la unidad. La corriente de puerta incrementa la corriente en ambos transistores, incrementando sus alphas. La corriente de colector en el transistor NPN acta como la corriente de base para el transistor PNP, y anlogamente la corriente de colector del PNP acta como la corriente de base excitando al transistor NPN. Cuando la suma de los dos alphas es igual a uno, el tiristor conmuta a su estado de encendido. Esta condicin puede alcanzarse sin corriente de puerta, incrementando el voltaje directo aplicado tal que el factor de multiplicacin de portadores (M>>1) en J23 incremente la corriente de fuga interno, esto incrementa los dos alphas. Una tercera forma de incrementar los alphas es incrementando la temperatura de los dispositivos. Incrementando la temperatura de los dispositivos causa un incremento correspondiente en la corriente de fuga ICO al punto donde la conduccin pueda ocurrir.

Existe otra forma de causar conmutacin de un tiristor desde el estado de bloqueo en directa a conduccin en directa. Bajo un voltaje en directa aplicado, J23 esta polarizado en inversa mientras que las otras dos junturas estn polarizadas en directa en el modo bloqueo. La polarizacin inversa de la juntura J23 es la capacitancia dominante de las tres junturas y determina la corriente que fluye. Si la tasa de incremento en el voltaje aplicado VAK es suficiente (dvAK / dt), causara una corriente significante a travs de la capacitancia de J23. Esta corriente puede iniciar la conmutacin similar a la corriente de puerta aplicada. Este fenmeno dinmico es inherente en todo tiristor y causa que exista un limite (dv/dt) a la tasa de tiempo del voltaje VAK aplicado que puede ser puesto sobre el dispositivo para evitar conmutacin no controlada. Una vez que el tiristor se ha movido al estado de conduccin en directa, no es necesaria la corriente en la puerta. El tiristor esta enganchado y los SCR no pueden regresar al modo bloqueo usando el terminal de puerta. La corriente en el nodo debe ser eliminada del SCR por un tiempo suficiente para permitir que la carga almacenada se recombine. Solo despus de que este tiempo de recuperacin ha transcurrido se puede aplicar un voltaje en directa y el SCR nuevamente ser operado en modo de bloqueo en directa. Si el voltaje en directa es reaplicado antes que transcurre un tiempo de recuperacin suficiente, el SCR regresara al estado de conduccin en directa.

Seccin de un Tiristor

Seccin Longitudinal

Curvas caractersticas del SCR

Con corriente de puerta cero y vAK positivo, la caracterstica en directa en el estado de conduccin y bloqueo es determinada por la juntura central J2, la cual esta polarizada en inversa. En el punto de operacin 1, fluye muy poca corriente (solo ICO) a travs del dispositivo. Si el voltaje aplicado excede el voltaje de bloqueo en directa, el tiristor conmuta a su estado de encendido o de conduccin (punto 2) debido a la multiplicacin de portadores (factor M). El efecto de la corriente de puerta es disminuir el voltaje de bloqueo en el punto donde ocurre la conmutacin. Cuando el tiristor se mueve del estado de bloqueo en directa al estado de conduccin en directa, el circuito externo debe permitir corriente de nodo suficiente para mantener el dispositivo enganchado. La corriente de nodo mnima causara que el dispositivo permanezca en el estado de conduccin en directa (corriente de enganche IL). El mnimo valor de corriente de nodo necesario para mantener el dispositivo en conduccin directa despus que ha operado en valores de corriente de nodo altas se conoce como corriente de mantenimiento IH. La corriente de mantenimiento es menor a la corriente de enganche.

 La caracterstica de reversa del tiristor esta determinada por las junturas J1 y J3, los cuales estn en polarizacin inversa en este modo de operacin (vAK negativo).

Parmetros del Tiristor

Entender las tasas mximas y caractersticas elctricas del tiristor es necesario para una aplicacin apropiada. Las tasas son valores mximos o mnimos que ponen limites en la capacidad del dispositivo.

Tasas Mximas especificadas por los fabricantes

Caractersticas Tpicas Mximas y Mnimas Especificadas por los fabricantes

La caracterstica real V I del tiristor est representada en la figura:

Caractersticas estticas:
Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores mximos que colocan al elemento en el lmite de sus posibilidades: VRRM, VDRM, VT, ITAV, ITRMS, IR, Tj, IH.

Caractersticas de control:
Determinan la naturaleza del circuito de mando que mejor responde a las condiciones de disparo. Para la regin puerta - ctodo los fabricantes definen entre otras las siguientes caractersticas: VGFM, VGRM, IGM, PGM, PGAV, VGT, VGNT (VGD), IGT, IGNT (IGD), VGNT
(VGD) e IGNT (IGD) que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado.

Caractersticas de control

Construccin de la curva caracterstica de puerta

Caractersticas de control

Dentro de esta zona encontramos una parte en la cual el disparo resulta inseguro Esta corriente mnima disminuye al aumentar la temperatura:

PG(AV) PGM

Caractersticas Dinmicas de Conmutacin

El tiempo de subida tanto de la corriente de nodo (di/dt) durante el encendido y el voltaje nodo ctodo (dv/dt) durante el apagado es un parmetro importante para asegurar una operacin apropiada y confiable. Todos los tiristores tiene limite mximo para di/dt y dv/dt que no se deben exceder.

Caractersticas de conmutacin:
Los tiristores necesitan un tiempo para pasar de bloqueo a conduccin y viceversa.
A.- Tiempo de Encendido (tON)

El tiempo de encendido (paso de corte a conduccin) tgt = tON, lo dividimos en dos partes: A1.- Tiempo de retardo. (td) A2.- Tiempo de subida. (tr)

B.- Tiempo de Apagado (tOFF) Es el tiempo de paso conduccin a corte

Dividimos el tiempo de apagado en dos: B1.- T de recuperacin inversa. (trr). B2.- T de recuperacin de puerta. (tgr).

t off t q t rr t gr

Caractersticas de conmutacin:

La extincin del tiristor se producir por dos motivos: Por reduccin de la corriente de nodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por anulacin de la corriente de nodo.

Parmetros que influyen sobre toff: Corriente en conduccin (IT). Tensin inversa (VR). Velocidad de cada de la corriente de nodo dI/dt. Pendiente de tensin dVD/dt. Temperatura de la unin Tj o del contenedor Tc. Condiciones de puerta.

Angulo de Conduccin

La corriente y la tensin media de un tiristor variarn en funcin del instante en el que se produzca el disparo, es decir, todo va a depender del ngulo de conduccin. La potencia entregada y la potencia consumida por el dispositivo, tambin dependern de l: cuanto mayor sea ste, mayor potencia tendremos a la salida del tiristor
Cuanto mayor es el ngulo disparo, menor es el de conduccin:
180 = ng conduccin + ng disparo

Mtodos de disparo:
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente largo como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir.
Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo. Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son: - Por puerta. - Por mdulo de tensin. (V) - Por gradiente de tensin (dV/dt) - Disparo por radiacin. - Disparo por temperatura.
El modo usado es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de tensin son modos no deseados.

Disparo por puerta

Disparo por dc

Disparo por impulso

Disparo por puerta:

Circuitos de Puerta

Es posible encender un tiristor inyectando un pulso de corriente dentro de la puerta. Este proceso es conocido como disparo del tiristor. La restriccin mas importante son el pico mximo y duracin del pulso de corriente de puerta. A fin de permitir una conmutacin de encendido segura, el pulso de corriente debera ser lo suficientemente alta para evitar un apagado inmediato luego de encender el tiristor, as mismo debera de durar un tiempo suficiente. Debera de usarse las caracterstica corriente voltaje de la hoja de datos del dispositivo para estimar el valor de la corriente. Otra caracteristica del circuito de puerta que deberia ser analizado es el requerimiento de la rapidez del encendido. A fin de permitir un encendido rapido y correspondientemente una gran di/dt de anodo durante el proceso de encendido, un gran pulso de corriente de puerta durante la fase inicial del encendido con un gran diG/dt. La corriente de puerta es mantenido a un valor bajo, por un tiempo despues que el tiristor es encendido a fin de evitar un apagado no deseado.

Forma de Onda de la Corriente de Puerta.

Diagrama de un Circuito de Puerta Aislado

Curva i-v de puerta para Tiristores

Requerimientos del circuito de puerta

El valor de VG e IG no esta restringido a algn valor en especial, puede variar en un rango amplio. Depende de las caractersticas de puerta del dispositivo.

La curva 3 representa la potencia mxima permisible en la puerta. El rectangulo mnop debe ser evitado segn el fabricante. La recta de carga wxyz debe pasar por encima de esta area (mnop) La zona preferible de operacin es cerca a la curva 3. Incrementara di/dt, minimiza el tiempo de conmutacion en el encendido, y reduce las perdidas de conmutacion en el tiristor. El punto de operacin sera q, y VG = os e IG=or. El rango de operacin estara entre x e y.

Corriente maxima o en corto circuito del circuito driver es Es/(Rs+R1). R1 debe seleccionarse de tal forma que no dae a la fuente Es. El voltaje maximo del circuito driver es Es, R2 es opcional, sin embargo mejora la inmunidad al ruido del tiristor. Cuando R2 es conectado entre G y K, el maximo VG debe ser menor que VGM:

Estas condiciones son validas para un voltajes DC en el gate. Para un tren de pulsos o un pulso, estos criterios son validos, hasta un ancho de pulso de 100us. Para pulsos angostos, el valor de VG e IG debe ser incrementado. Para pulsos unicos, el ancho del pulso debe ser suficiente para que la corriente de anodo alcance el valor de la corriente de enganche del tiristor. Esto es valido para cargas altamente inductivas. Para un tren de pulso, se recomienda un ancho de pulso de 50us, freq = 10KHz, DC = 50%.

Ejemplo
Disee un circuito de disparo para un tiristor: 800V, 110 A, conectado a una fuente de 6V DC. La mxima corriente permisible de la fuente es 200mA y la corriente de cortocircuito es de 500mA. El SCR tiene las siguientes caractersticas de puerta: VG = 2.5V, IG= 50mA, VGM = 3V, IGM= 100mA, PGM= 0.5W.

Sol: Rs= Es/Isc= 6/0.5=12 Ohms Rs+R1 >= Es/0.2 = 30 Ohms (para proteger la fuente de corriente excesiva). R1 >= 18 Ohms Rs + R1 > = Es/ IGM = 6 /0.1 = 60 Ohms ( para proteger la juntura puerta catodo). R1 >= 48 Ohms Utilizando los valores tipicos de VG e IG: Rs+R1<= (Es VG)/IG , R1 < = 58 Ohms R2: Como VG no debe exceder el valor de VGM: Es*R2 /(Rs+R1+R2) < = VGM , R2 < = 69 Ohms

Seales de Disparo
El tiristor se disparo cuando VG alcanza el valor critico de VGT, el cual depende de la temperatura de la juntura GK y de la corriente de anodo y del voltaje de la fuente.

Corriente de puerta Ideal del Tiristor

Circuitos de Disparo para SCRs

Los circuitos de disparo pueden ser realizados con redes R y RC, son baratos y consumen poca potencia. Sin embargo el control y el voltaje de salida hacia la carga son susceptibles a las variaciones de temperatura. Mas aun control por realimentacin no se puede incorporar fcilmente.

Circuito de Disparo Resistivo

Para disparar un SCR se puede emplear un salto de voltaje DC, una seal DC de subida lenta o una seal positiva rectificada de media onda. Cuando el voltaje aplicado al terminal del gate excede el nivel de VGT, ocurre el disparo. El ngulo de disparo esta limitado a 90.

Circuito de Disparo Resistivo para SCR

 Despreciando R2, VG ser: El mnimo valor de Rmin es: El mximo valor de R2 es:

Circuitos de Disparo RC
El ngulo de disparo puede ser mayor a 90. Dos tipos:
AC DC
Media Onda Onda Completa

Tipo AC
Despreciando la descarga del capacitor durante el periodo de conduccin del SCR, el circuito puede ser analizado por la respuesta en estado estable sinusoidal de un circuito RC lineal. Por lo tanto el ngulo del voltaje en el capacitor, puede ser controlado desde 0 hasta casi 90. El valor rms del voltaje en el capacitor (Vc), que es igual a Vcos(), decrece drsticamente para valores mayores de . = tan-1(wCR) vc = 1,41Vcos()sin(wt-) , voltaje instantneo en el capacitor.

Circuito de Disparo con DIAC

El capacitor se carga a travs de R durante cada medio ciclo. Cuando vc alcanza el voltaje de ruptura del DIAC (aprox 30V), el DIAC conduce y se proporciona una corriente en la puerta necesaria para hacer conducir el Triac. El triac conduce y el voltaje a travs del capacitor disminuye para el resto del semi ciclo. En el siguiente semiciclo ocurre lo mismo. El triac conduce en los semiciclos positivos y negativos.

Circuito de Disparo con UJT

Un transistor UJT provee frecuencia constante, pulsos angostos con tiempo de subida cortos. El UJT es un dispositivo de 3 terminales, tiene un semiconductor tipo N (entre dos terminales de base B1 y B2) con un dopado tipo P pequeo. El terminal de emisor divide la resistencia interbase VBB en dos partes (RB1 y RB2). Si se aplica un voltaje de polarizacion DC a traves de los terminales de base, el voltaje en el material tipo N cerca del terminal del emisor (k) es dado por:

Donde n es la razon intrinseca del UJT (0.5 0.85). Cuando el voltaje en el emisor vE es menor que VK (o nVBB), la juntura emisor B1 se comporta como un diodo en la condicion de polarizacion inversa y por lo tanto ofrece una alta impedancia.

Oscilador UJT

 Cuando se conecta un voltaje DC (VBB), la carga del capacitor empieza a traves de la resistencia Rmin y R. El voltaje a traves del capacitor aumenta. Tan pronto como como vE excede ligeramente Vk o (nVBB + VD), la juntura P-N se comporta como un diodo en la condicion de polarizacion directa. Luego la impedancia entre el emisor y la base 1 colapsa y el flujo de IE a traves de R1 toma lugar. El capacitor se descarga a traves de R1 y por lo tanto aparece un pulso de voltaje a traves de R1.

 Sin embargo, en un circuito de disparo, no puede ser igual en cada ciclo de la fuente de voltaje. Por lo tanto no se mantiene igual sino que varia aleatoriamente en cada ciclo. Para tener un valor constante de , se requiere sincronizar los pulsos de disparo con la fuente de alimentacin.

Consideraciones de Diseo
Seleccin de R1:
Debe ser lo mas bajo posible para evitar el disparo no deseado del SCR. R1 esta relacionado con el Voltaje mximo en el gate (VGD) que no disparar al SCR en cualquier temperatura.

Seleccin de R2:
Se selecciona de las condiciones de estabilidad , ya que Vp disminuye con la T.

Seleccin del capacitor:

Debera almacenar suficiente carga para disparar al SCR. Los valores tpicos son desde 0.01 a 0.7 uF.

 Seleccin de Rmin: Seleccin de R:

Circuitos de Driver para SCR

Limitaciones del tiristor

Las ms importantes son debidas a:
Frecuencia de funcionamiento. Sobretensiones y pendiente de tensin (dV/dt). Pendiente de intensidad (dI/dt). Temperatura.

En ctos donde el valor de dV/dt sea superior al valor dado por el fabricante, se pueden utilizar ctos supresores de transitorios. Se conectan en bornes de la alimentacin, en paralelo con el semiconductor o en paralelo con la carga. Una solucin muy utilizada en la prctica es conectar en paralelo con el tiristor un cto RC (Red SNUBBER), para evitar variaciones bruscas de tensin en los extremos del semiconductor:

Proteccin del SCR