SEMICONDUCTORES

ESTRUCTURA MOLECULAR DEL

SILICIO Y GERMANIO
ENLACE COVALENTE.
Cada tomo de silicio comparte sus 4
electrones de valencia con los tomos
vecinos, de tal manera que tiene 8
electrones en la rbita de valencia.
La fuerza del enlace covalente es tan
grande porque son 8 los electrones que
quedan (aunque sean compartidos) con
cada tomo, gracias a esta
caracterstica los enlaces covalentes
son de una gran solidez.
Los 8 electrones de valencia se llaman
electrones ligados por estar
fuertemente unidos en los tomos.
El aumento de la temperatura hace que
los tomos en un cristal de silicio
vibren dentro de l, a mayor
temperatura mayor ser la vibracin.
Con lo que un electrn se puede
liberar de su rbita, lo que deja un
hueco, que a su vez atraer otro
electrn, etc...
0 K, todos los electrones son
ligados. A 300 K o ms, aparecen
electrones libres.


A MAS TEMPERATURA = MAS
ELECTRONES LIBRES.


Los electrones libres (electrones) se mueven hacia la izquierda
ocupando
el lugar del hueco.
Carga del electrn libre = -1.6x10-19 Culombios. Los electrones
ligados
(huecos) se mueven hacia la derecha.
Carga de electrn ligado = +1.6x10-19 Culombios.

Semiconductores: Conducen los electrones (electrones libres)
y los huecos (electrones ligados).
Conductores: Conducen los electrones libres.
Para aumentar la conductividad, de un
semiconductor, se le suele dopar o aadir
tomos de impurezas a un semiconductor
intrnseco, un semiconductor dopado es un
semiconductor extrnseco. Los tomo de
valencia 5 tienen un electrn de ms, as con
una temperatura no muy elevada (a
temperatura ambiente por ejemplo), el 5
electrn se hace electrn libre. Esto es, como
solo se pueden tener 8 electrones en la rbita
de valencia, el tomo pentavalente suelta un
electrn que ser libre.
Siguen dndose las reacciones anteriores. Si
metemos 1000 tomos de impurezas
tendremos 1000 electrones ms los que se
hagan libres por generacin trmica (muy
pocos).
A estas impurezas se les llama
"Impurezas Donadoras". El nmero de
electrones libres se llama n electrones
libres/m3.

I mpurezas de valencia 5 (Arsnico, Antimonio, Fsforo).
Cristal de Silicio dopado con tomos de valencia 5.
Los tomo de valencia 3 tienen
un electrn de menos, entonces
como falta un electrn se forma
un hueco. Esto es, ese tomo
trivalente tiene 7 electrones en la
orbita de valencia. Al tomo de
valencia 3 se le llama "tomo
trivalente" o "Aceptor".
A estas impurezas se les llama
"Impurezas Aceptoras". Hay
tantos huecos como impurezas de
valencia 3 y sigue habiendo
huecos de generacin trmica
(muy pocos). El nmero de
huecos se llama p huecos/m3.
I mpurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio).
Cristal de Silicio dopado con tomos de valencia 3.
Impurezas Donadoras
Impurezas Aceptoras
Si un cristal semiconductor se dopa con impurezas tipo P
(trivalentes) por un lado y con impurezas tipo N (pentavalentes)
por otro, en la zona de unin de ambas regiones se producen
fenmenos elctricos muy distintos al del simple aumento de
conductividad que conlleva el dopado unipolar. Esta unin es la
que permite el funcionamiento de los diodos y transistores.
Al formarse la unin, algunos de los electrones de conduccin cercanos a sta se
difunden a travs de la regin p y se recombinan con huecos prximos a la unin.
Por cada electrn que cruza la unin y se recombina con un hueco, en la regin n
cercana a la unin queda un tomo pentavalente con una carga positiva neta, por lo que
es un ion positivo. Tambin, cuando el electrn se recombina con un hueco en la regin
p, un tomo trivalente adquiere carga negativa neta, convirtindose en ion negativo.

A travs de una unin pn en equilibrio no hay paso de corriente. La utilidad primordial del diodo de unin pn es
permitir el paso de corriente slo en una direccin y evitarlo en la otra direccin, segn sea el caso determinado
por la polarizacin. Para una unin pn existen dos condiciones de polarizacin: directa e inversa. Cualquiera
de estas condiciones se obtiene al conectar un voltaje externo de cd en la direccin idnea del diodo.

POLARIZACION EN DIRECTA:
Es la condicin que permite el paso de corriente a travs de una unin pn.
POLARIZACION EN DIRECTA.
FUNCIONAMIENTO:
La terminal negativa de la batera empuja a los electrones de conduccin en la regin n hacia la unin, mientras que
la terminal positiva empuja a los huecos en la regin p tambin hacia la unin. Cuando se supera el potencial de
barrera, la fuente de voltaje de polarizacin externa proporciona a los electrones de la regin n la energa suficiente
para penetrar a la capa de empobrecimiento y cruzar la unin, donde se combinan con los huecos de la regin p.
Cuando los electrones dejan la regin n, fluyen ms electrones procedentes de la terminal negativa de la batera. De
esta manera, la corriente a travs de la regin n es el movimiento de electrones de conduccin hacia la unin.
Una vez que los electrones de conduccin penetran a la regin p y se combinan con huecos, se convierten en
electrones de valencia. A continuacin se desplazan como electrones de valencia de hueco a hueco hacia la
conexin positiva de la batera. El movimiento de estos electrones de valencia produce esencialmente un
movimiento de huecos en la direccin opuesta. As, la corriente en la regin p es el movimiento de huecos
(portadores mayoritarios) hacia la unin.
POLARIZACION EN INVERSA.
FUNCIONAMIENTO:
Es la condicin que evita el paso de corriente a travs de la unin pn.
La terminal negativa de la batera est conectada a la regin p y que la positiva lo est a la regin n. La terminal
negativa de la batera atrae huecos en la regin p, alejndolos de la unin pn, mientras que la terminal positiva
tambin atrae electrones alejndolos de la unin. A medida que los electrones y los huecos se alejan de la unin, la
capa de empobrecimiento se ampla; se crean ms iones positivos en la regin n y ms iones negativos en la p.

Ejemplo:
VOLTAJE CONSTANTE DE SALIDA
CON UN VOLTAJE VARIABLE DE
ENTRADA.

Cuando la corriente es mnima:
I = 4mA el voltaje en la resistencia es:






Cuando la corriente es mxima:

I = 40mA el voltaje en la resistencia es:
( )( ) V k mA V
R
4 1 4 = O =
Z ENT R
V V V =
V V V V V V
Z R ENT
14 10 4 = + = + =
( )( ) V k mA V
R
40 1 40 = O =
Z ENT R
V V V =
V V V V V V
Z R ENT
50 10 40 = + = + =
Cuando el diodo emisor de luz se encuentra polarizado en directa, los electrones cruzan
la unin pn desde el material tipo n y se recombinan con huecos en el material tipo p.
Cuando se lleva a cabo la recombinacin, los electrones que se recombinan liberan
energa en forma de calor y luz. Una gran rea superficial expuesta sobre una capa de
material semiconductor permite que los fotones se emitan como luz visible. Los
materiales semiconductores utilizados en los diodos emisores de luz son arsnico de
galio (GaAs), fosfuro arsnsico de galio (GaAsP) o fosfuro de galio (GaP). Los diodos
emisores de luz de GaAs emiten radiacin infrarroja (RI), que no es visible. Los de
GaAsP producen luz visible roja o amarilla y los de GaP emiten luz visible roja o
verde.
Diodo Varicap
smbolo del diodo varicapEl Diodo de capacidad variable o
Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su
funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la
barrera de potencial en una unin PN varie en funcin de la
tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha
tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la
capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador
variable controlado por tensin. Los valores de capacidad
obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene
que ser de 1 V.
La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la
sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de
FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje
(Oscilador controlado por tensin).
Un fotodiodo es un semiconductor
construido con una unin PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja.
Para que su funcionamiento sea correcto se
polariza inversamente, con lo que se
producir una cierta circulacin de
corriente cuando sea excitado por la luz.
Debido a su construccin, los fotodiodos
se comportan como clulas fotovoltaicas,
es decir, en ausencia de luz exterior,
generan una tensin muy pequea con el
positivo en el nodo y el negativo en el
ctodo. Esta corriente presente en ausencia
de luz recibe el nombre de corriente de
oscuridad.
Transistor
INTRODUCCION.
Transistor, en electrnica, denominacin comn para un grupo de componentes
electrnicos utilizados como amplificadores u osciladores en sistemas de
comunicaciones, control y computacin. Hasta la aparicin del transistor en 1948,
todos los desarrollos en el campo de la electrnica dependieron del uso de tubos de
vaco, amplificadores magnticos, maquinaria rotativa especializada y condensadores
especiales, como los amplificadores. El transistor, que es capaz de realizar muchas de
las funciones del tubo de vaco en los circuitos electrnicos, es un dispositivo de
estado slido consistente en una pequea pieza de material semiconductor,
generalmente germanio o silicio, en el que se practican tres conexiones elctricas. Los
componentes bsicos del transistor son comparables a los de un tubo de vaco triodo e
incluyen el emisor, que corresponde al ctodo caliente de un triodo como fuente de
electrones. El transistor fue desarrollado por los fsicos estadounidenses Walter Houser
Brattain, John Bardeen y William Bradford Shockley de los Bell Laboratories. Este
logro les hizo merecedores del Premio Nobel de Fsica en 1956. Shockley pasa por ser
el impulsor y director del programa de investigacin de materiales semiconductores
que llev al descubrimiento de este grupo de dispositivos. Sus asociados, Brattain y
Bardeen, inventaron un importante tipo de transistor.

La polarizacin en directa de la
base al emisor estrecha la capa de
empobrecimiento BE y la
polarizacin en inversa de la base
al colector ensancha la capa de
empobrecimiento BC. La regin
tipo n del emisor genera
electrones de la banda de
conduccin, que se difunden
Fcilmente a travs de la unin BE polarizada en directa hacia la regin tipo p de la base, justamente
como lo hacen en un diodo polarizado en directa. La regin de la base est dopada ligeramente y es
muy estrecha, por lo que tiene un nmero muy limitado de huecos. As, slo un pequeo porcentaje de
todos los electrones que fluyen a travs de la unin BE puede combinarse con los huecos disponibles.
Estos electrones recombinados, relativamente pocos, emergen del conductor de la base como electrones
de valencia, formando la pequea corriente de la base. Casi todos los electrones que fluyen del emisor
a la estrecha regin de la base no se recombinan y se difunden en la capa de empobrecimiento BC.
Una vez en esta capa, son llevados a travs de la unin BC polarizada en inversa por el campo de la
capa de empobrecimiento establecido por la fuerza de atraccin entre los iones positivos y negativos.
Cuando se cierra el interruptor SW1, una
intensidad muy pequea circular por la Base.
As el transistor disminuir su resistencia
entre Colector y Emisor por lo que pasar una
intensidad muy grande, haciendo que se
encienda la lmpara.
VOLTAJE MINIMO CORRIENTE MAXIMA.
Cuando el interruptor SW1 est abierto no
circula intensidad por la Base del transistor
por lo que la lmpara no se encender, ya
que, toda la tensin se encuentra entre
Colector y Emisor.
VOLTAJE MAXIMO CORRIENTE MINIMA.
Ejemplo:
Transistor como switch.
GRAFICA NISITOR
PRUEBA
TRANSISTOR
Para poder utilizar los transistores como dispositivos amplificadores de voltaje,
amplificadores de corriente o como elementos de control, es necesario
energizarlos (polarizarlos).
La razn usual para esta polarizacin es que el dispositivo conduzca, y en
particular, colocarlo en operacin en la regin de la caracterstica en donde el
transistor opera ms linealmente.
El propsito del circuito de polarizacin es hacer que el dispositivo opere en la
regin lineal deseada, la cual se define mejor por el fabricante para cada tipo de
dispositivo.
El propsito de la polarizacin en cd es establecer un nivel estable de corriente y
voltaje en el transistor, denominado punto de operacin o de reposo (Q).
Por BC se entiende que la base es el
punto de referencia (comn) para la
seal de entrada y la seal de salida,
estas seales son de ca.
La entrada en el emisor y la salida en
el colector.

Por CC se entiende que el colector es el
punto de referencia (comn) para la
seal de entrada y la seal de salida,
estas seales son de ca.
La entrada en la base y la salida en el
emisor.

Por EC se entiende que el emisor es el
punto de referencia (comn) para la
seal de entrada y la seal de salida,
estas seales son de ca.
La entrada en la base y la salida en el
colector.







Determinar el punto de Operacin (Q), del
siguiente circuito.
Seccin de Entrada:
0 = V
0 =
BE R EE
V V V
E

V V
BE
7 . 0 =

BE EE R
V V V
E
=
E
BE EE
E
R
V V
I

=
Tenemos que :

V V
EE
7 . 8 =
mA I
E
2 =
Como la corriente de base es muy
pequea, tenemos:
mA I I
C E
2 = =
Seccin de Salida:
0 = V
0 =
CB R CC
V V V
C
C C R
R I V
C
=
) 5 )( 2 ( O = K mA V
C
R
V V
C
R
10 =
C
R CC CB
V V V =
v v V
CB
10 20 =
V V
CB
10 =
V V
CC
20 =



Determinar el punto de Operacin (Q), del
siguiente circuito.
Seccin de Entrada:
0 = V

0 =
E B
R BE R CC
V V V V
0 ) 5 . 2 ( 7 . 0 ) 100 ( 9 = O O K I V K I V
E B
Tenemos que: 45 = |
B
E
I
I
= |
B E
I I | =
0 ) 5 . 2 )( 45 ( 7 . 0 ) 100 ( 9 = O O
B B
I K V I K V
) 5 . 2 )( 45 ( 100
7 . 0 9
O + O

=
K K
V V
I
B
A I
B
06 . 39 =
) 06 . 39 )( 45 ( A I
E
=
mA I
E
76 . 1 =
Seccin de Salida:

= 0 V
0 =
E E CE CC
R I V V
E E CC CE
R I V V =
) 5 . 2 )( 76 . 1 ( 9 O = K mA V V
CE
V V
CE
6 . 4 =
Determinar el punto de Operacin (Q), del
siguiente circuito.
50 = |
Seccin de Entrada:

= 0 V
0 =
BE R CC
V V V
B
BE CC R
V V V
B
=
V V V
B
R
7 . 0 12 =

V V
B
R
3 . 11 =
IR V =

B
R
R
R
V
I
B
B
=


O
=
K
V
I
B
R
250
3 . 11

A I
B
R
2 . 45 =

A I
B
2 . 45 =
B
C
I
I
= |


B C
I I | =


) 2 . 45 ( 50 A I
C
=


mA I
C
26 . 2 =
Seccin de Salida:

= 0 V
0 =
CE R CC
V V V
C
C
R CC CE
V V V =
Pero
E C
I I ~
mA I
E
26 . 2 =
( )( ) O = K mA V V
CE
1 . 2 26 . 2 12


V V
CE
746 . 4 =
E cd base ENT
R R | =
) (
( )
CC
E cd
E cd
B
V
R R R
R R
V
|
|
||
||
2 1
2
+
=
CC B
V
R R
R
V
|
|
.
|

\
|
+
=
2 1
2
BE B E
V V V =
E
E
E
R
V
I =
E E C E CC CE
R I R I V V =
( )
E C E CC CE
R R I V V =
Determine :
= CE
V =
C
I
Con los siguientes datos:
100 =
CD
|
100
1
= R
O = K R 6 . 5
2
O = K R
C
1
O = 560
E
R
CC B
V
R R
R
V
|
|
.
|

\
|
+
=
2 1
2
V
K K
K
V
B
10
6 . 5 10
6 . 5
|
.
|

\
|
O + O
O
=
V V
B
59 . 3 =
E
E
E
R
V
I =
O
=
560
89 . 2 V
I
E
mA I
E
16 . 5 =
mA I
C
16 . 5 ~

( )
E C E CC CE
R R I V V =
( ) O O = 560 1 16 . 5 10 K mA V V
CE
V V
CE
95 . 1 =
AMPLI FI CADOR BASE COMUN (BC).
E
BE EE
E
R
V V
I

=
e ent
r Z ' ~
C c sal
R i v =
e e ent
r i v ' =
Corriente de emisor en cc.
Impedancia de entrada:
Voltaje de salida en ca:
Voltaje de entrada en ca:
e e
C c
ent
sal
r i
R i
v
v
'
=
e
C
r
R
A
'
~
Ganancia de Voltaje:
C sal
R Z ~
AMPLI FI CADOR BASE COMUN (BC).
CC B
V
R R
R
V
|
|
.
|

\
|
+
~
2 1
2
V
K K
K
V
B
10
22 100
22
|
.
|

\
|
O + O
O
~
V V
B
8 . 1 ~
V V V
E
7 . 0 8 . 1 = V V V
B E
7 . 0 =
V V
E
1 . 1 =
O = = = 73 . 22
1 . 1
25
mA
mV
r R
e ent
L C c
R R R || =
O = K R
c
8 . 1
e
c
v
r
R
A =
O
O
=
K
K
A
v
73 . 22
8 . 1
2 . 79 =
v
A
AMPLI FI CADOR COLECTOR COMUN (CC).
L E e
R R R || =
Datos:
O = K R 10
1
O = K R 10
2 Vrms V
ent
1 =
O = K R
E
1
O = K R
L
10
175 =
ca
|
O O = K K R
e
10 || 10
O = 909
e
R
e ca base ent
R R | ~
) (
) 909 )( 175 (
) (
O ~
base ent
R
O ~ K R
base ent
159
) (
) ( 2 1
|| ||
base ent ent
R R R R =
O O O = K K K R
ent
159 || 10 || 10
O = K R
ent
85 . 4
O
= =
K
V
R
V
I
E
E
E
1
3 . 4
mA I
E
3 . 4 =
mA
mV
I
mV
r
E
e
3 . 4
25 25
= =
O = 8 . 5
e
r
e e
e
v
R r
R
A
+
=
O + O
O
=
909 8 . 5
909
v
A
994 . 0 =
v
A
AMPLIFICADOR EMISOR COMUN (EC).
CC B
V
R R
R
V
|
|
.
|

\
|
+
=
2 1
2
V
K
K
V
B
12
7 . 26
7 . 4
|
.
|

\
|
O
O
=
V V
B
11 . 2 =
V V V
B E
7 . 0 = V V
E
41 . 1 =
E
E
E
R
V
I =
O
=
560
41 . 1 V
I
E
mA I
E
5 . 2 =
C C CC C
R I V V = V V V
C
5 . 2 12 = V V
C
5 . 9 =
E C CE
V V V =
V V
CE
09 . 8 =
E
e
I
mV
r
25
=
mA
mV
r
e
5 . 2
25
=
O =10
e
r
E e
C
v
R r
R
A
+
=
O + O
O
=
560 10
1K
A
v
75 . 1 =
v
A
Estructura bsica de los dos tipos de JFET.
JFET Canal n. JFET Canal p.
El FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le
adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta
(gate) y que estn unidas entre si.
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain),
Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate).
OPERACIN DE UN JFET.
La regin que existe entre
el drenador y la fuente, y
que es el camino obligado
de los electrones se llama
"canal".
La corriente circula de
Drenaje (D) a Fuente (S).
El FET es un dispositivo
semiconductor que
controla un flujo de
corriente por un canal
semiconductor, aplicando
un campo elctrico
perpendicular a la
trayectoria de la corriente.
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor
bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con
respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se
polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente
pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source.
La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es
diferente para cada FET.

El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y
requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la
corriente de colector.

El FET es controlado por tensin, y los cambios en tensin de la compuerta
(gate) a fuente (Vgs) modifican la regin del campo elctrico y causan que vare
el ancho del canal.
La curva caracterstica del
FET.

Este grfico muestra que al aumentar el voltaje
Vds (voltaje drenador - fuente), para un Vgs
(voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta
rpidamente (se comporta como una resistencia)
hasta llegar a un punto A (voltaje de estriccin),
desde donde la corriente se mantiene casi
constante hasta llegar a un punto B (entra en la
regin de ruptura), desde donde la corriente
aumenta rpidamente hasta que el transistor se
destruye.
Si ahora se repite este grfico para ms de un
voltaje de compuerta a surtidor (Vgs), se obtiene
un conjunto de grficos. Ver que Vgs es "0"
voltios o es una tensin de valor negativo.
Si Vds se hace cero por el transistor no circular
ninguna corriente.
FET
Canal n.
FET
Canal p.
Construccin Bsica
Circuito Equivalente
Smbolo
Esquemtico
Polarizacin del
diodo Shockley
Circuito Equivalente
Construccin Bsica
Polarizacin
Smbolo
Esquemtico
Construccin Bsica
Circuito Equivalente
Polarizacin
Smbolo
Esquemtico
Construccin Bsica
Circuito Equivalente
Polarizacin
Construccin Bsica
Circuito Equivalente
Polarizacin
SISTEMA DE NUMERACION DECIMAL.
Smbolos: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 y 9.
Es un sistema de base 10.
Tiene la caracterstica de valor de posicin.

Por ejemplo, en el nmero 426:
El 6 tiene la posicin de las unidades.
El 2 tiene la posicin de decenas.
El 4 tiene la posicin de las centenas.







Otros sistemas de numeracin:
BINARIOS.
OCTALES
HEXADECIMALES.

Todos guardan las mismas caractersticas
que el decimal y su uso en sistemas
digitales primordial.
SISTEMA DE NUMERACION BINARIO.
Smbolos: 0 y 1.
Es un sistema de base 2.
Tiene la caracterstica de valor de posicin.

Cada dgito binario se denomina bit.

CONVERSION BINARIO DECIMAL.
Ejemplo: Convierta el numero 10011 base 2 a decimal.
Multiplicamos
el valor de la
posicin por el
binario.
CONVERSION BINARIO DECIMAL
Ejemplo: Convierta el numero 1110.101 base 2 a decimal.
CONVERSION DECIMAL BINARIO
Ejemplo: Convierta el numero 87 a binario.
CONVERSION DECIMAL BINARIO
Ejemplo: Convierta el numero 0.375 a binario.
SISTEMA DE NUMERACION HEXADECIMAL.
Smbolos: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, A, B,
C, D, E y F.
Es un sistema de base 16.
Tiene la caracterstica de valor de
posicin.
COMPARACION DECIMAL, BINARIO Y HEXADECIMAL
CONVERSION HEXADECIMAL DECIMAL.
Ejemplo: Convierta el numero A3F.C base 16 a decimal.
Multiplicamos
el valor de la
posicin por el
hexadecimal.
CONVERSION DECIMAL HEXADECIMAL
Ejemplo: Convierta el numero 45 a Hexadecimal.
CONVERSION DECIMAL HEXADECIMAL
Ejemplo: Convierta el numero 0.25 a Hexadecimal.
Cdigos Binarios.

Debido a la naturaleza biestable de los circuitos de electrnica
digital, estos solo procesan cdigos que constan de 0 y 1 (cdigos
binarios) existen muchas situaciones en la electrnica digital en la
que necesitamos realizar tareas especificas, por lo tanto se
necesitaran utilizar una serie de cdigos que tambin utilizan ceros
(0) y unos (1), pero sus significados pueden variar.


CODIGOS BINARIOS.

Los cdigos BCD (Binary Coded Decimal) (Decimal Codificado en
Binario) son grupos de 4 bits en el cual cada grupo de 4 bits solo
puede representar a un nico dgito decimal (del 0 al 9). Estos
cdigos son llamados cdigos con peso ya que cada bit del grupo
posee un peso o valor especifico.
Existen por lo tanto cdigos BCD's de acuerdo al valor o peso que
posea cada bit. Ejemplos de estos cdigos son el BCD 8421, el BCD
4221, el BCD 5421, el BCD 7421, el BCD 6311, etc. donde la parte
numrica indica el peso o valor de cada bit.
As por ejemplo el cdigo BCD 8421 nos indica que el MSB posee
un valor de 8, el segundo MSB posee un valor de 4, el tercer MSB
tiene un valor de 2 y el LSB tiene un valor de 1.
El cdigo decimal codificado en binario (BCD), realiza la
conversin a decimal de forma mucho ms fcil.
Decimal
BCD
8 4 2 1
0 0 0 0 0
1 0 0 0 1
2 0 0 1 0
3 0 0 1 1
4 0 1 0 0
5 0 1 0 1
6 0 1 1 0
7 0 1 1 1
8 1 0 0 0
9 1 0 0 1
Ejemplo:
De decimal a BCD:
Decimal 1 5 0 . 8 4

BCD 0001 0101 0000 . 1000 0100
De BCD a decimal:
BCD 0111 0001 . 0000 1000

Decimal 7 1 0 8

CODIGO EXCESO 3 (XS3).
Est relacionado con el cdigo BCD 8421 por su naturaleza
decimal codificada en binario.
El nmero XS3 siempre es el nmero 8421 BCD ms 3.
Propiedad distributiva
La funcin que queda:
ENTRADAS SALIDA
A B X
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1
COMPUERTA AND
TABLA DE VERDAD
SIMBOLO
X = AB
OPERACION
COMPUERTA OR
ENTRADAS SALIDA
A B X
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1
TABLA DE VERDAD
SIMBOLO
X = A + B
OPERACION

ENTRADAS

SALIDA
A X
0 1
1 0
X = A
COMPUERTA NOT
TABLA DE VERDAD
OPERACION
COMPUERTA NAND
ENTRADAS SALIDA
A B X
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0
TABLA DE VERDAD
X = AB
OPERACION
ENTRADAS SALIDA
A B X
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0
TABLA DE VERDAD
X = A+B
OPERACION
COMPUERTA NOR
COMPUERTA OR
EXCLUSIVA
ENTRADAS SALIDA
A B X
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0
TABLA DE VERDAD
X = A B
OPERACION
COMPUERTA NOR
EXCLUSIVA
TABLA DE VERDAD
ENTRADAS SALIDA
A B X
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 1
X = A B
Las puertas lgicas se encuentran encapsuladas dentro de circuitos integrados,
tambin conocidos como chips.
:
MULTIPLEXOR MECANICO.
MULTIPLEXORES Y BITS.
A un multiplexor le llegan nmeros por distintas entradas y segn
el nmero que le llegue por la entrada de seleccin, lo manda por
la salida o no.
Los circuitos digitales slo trabajan con nmeros. Estos nmeros
siempre vendrn expresados en binario y por lo tanto se podrn
expresar mediante bits. Cuantos bits? Depende de lo grande que
sean los nmeros con los que se quiere trabajar.
Modo de
operacin
ENTRADAS SALIDAS
S R Q Q
Prohibido 0 0 1 1
Set 0 1 1 0
Reset 1 0 0 1
Mantenimiento 1 1 No cambia
FLIP FLOP R-S
Flip Flop a base de compuertas NAND.
FLIP FLOP R-S
Ejemplo:
Lista el modo de operacin del flip-flop para cada pulso de entrada
mostrado.
a= set d = sin cambio g = set j = reset
b = sin cambio e = reset h = sin cambio
c = reset f = sin cambio i = prohibido
FLIP FLOP R-S SINCRONO
Modo de
operacin
ENTRADAS SALIDAS
CLK S R Q Q
Mantenimiento
0 0
No cambia
Set
0
1 0 1
Reset 1 0 1 0
Prohibido 1 1 1 1
FLIP FLOP R-S SINCRONO
Ejemplo:
Verifique como funciona este
flip-flop.
FLIP FLOP D