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Semicondutores

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Estrutura cristalina dos
semicondutores
Quando os tomos se unem para formarem as molculas de uma
substncia, a distribuio e disposio desses tomos pode ser
ordenada e organizada e designa-se por estrutura cristalina.
O Germnio e o Silcio possuem uma estrutura cristalina cbica
como mostrado na seguinte figura.
tomo de silcio
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Ligao covalente
Nessa estrutura cristalina, cada
tomo (representado por S
i
)
une-se a outros quatro tomos
vizinhos, por meio de ligaes
covalentes, e cada um dos
quatro electres de valncia de
um tomo compartilhado com
um electro do tomo vizinho,
de modo que dois tomos
adjacentes compartilham os
dois electres.
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Estrutura cristalina dos
semicondutores
Na prtica, a estrutura cristalina
ilustrada na figura s
conseguida quando o cristal de
silcio submetido temperatura
de zero graus absolutos (ou -
273C). Nessa temperatura,
todas as ligaes covalentes
esto completas os tomos tm
oito electres de valncia o que
faz com que o tomo tenha
estabilidade qumica e molecular,
logo no h electres livres e,
consequentemente o material
comporta-se como um isolante.
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Semicondutor intrnseco
Um semicondutor intrnseco
um semicondutor no estado
puro. temperatura de zero
graus absolutos (-273C)
comporta-se como um isolante,
mas temperatura ambiente
(20C) j se torna um condutor
porque o calor fornece a
energia trmica necessria
para que alguns dos electres
de valncia deixem a ligao
covalente (deixando no seu
lugar uma lacuna) passando a
existir alguns electres livres
no semicondutor.
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Semicondutor extrnseco
H diversas formas de se provocar o aparecimento de pares electro-
lacuna livres no interior de um cristal semicondutor. Um deles atravs
da energia trmica (ou calor). Outra maneira, consiste em fazer com
que um feixe de luz incida sobre o material semicondutor.
Na prtica, contudo, necessitamos de um cristal semicondutor em que
o nmero de electres livres seja bem superior ao nmero de lacunas,
ou de um cristal onde o nmero de lacunas seja bem superior ao
nmero de electres livres. Isto conseguido tomando-se um cristal
semicondutor puro (intrnseco) e adicionando-se a ele (dopagem), por
meio de tcnicas especiais, uma determinada quantidade de outros
tipos de tomos, aos quais chamamos de impurezas.
Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro
(intrnseco) este passa a denominar-se por semicondutor extrnseco.
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Processo de dopagem
Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro
(intrnseco), este passa a ser um semicondutor extrnseco.
As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrnseco
podem ser de dois tipos: impurezas ou tomos dadores e
impurezas ou tomos aceitadores.
tomos dadores tm cinco electres de valncia
(so pentavalentes): Arsnio (A
S
), Fsforo (P) ou
Antimnio (S
b
).

tomos aceitadores tm trs electres de valncia
(so trivalentes): ndio (I
n
), Glio (G
a
), Boro (B) ou
Alumnio (A
l
).
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Semicondutor do tipo N
A introduo de tomos
pentavalentes (como o Arsnio) num
semicondutor puro (intrnseco) faz
com que apaream electres livres
no seu interior. Como esses tomos
fornecem (doam) electres ao cristal
semicondutor eles recebem o nome
de impurezas dadoras ou tomos
dadores. Todo o cristal de Silcio ou
Germnio, dopado com impurezas
dadoras designado por
semicondutor do tipo N (N de
negativo, referindo-se carga do
electro).
Electro livre
do Arsnio
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Semicondutor do tipo P
A introduo de tomos trivalentes
(como o ndio) num semicondutor
puro (intrnseco) faz com que
apaream lacunas livres no seu
interior. Como esses tomos
recebem (ou aceitam) electres eles
so denominados impurezas
aceitadoras ou tomos aceitadores.
Todo o cristal puro de Silcio ou
Germnio, dopado com impurezas
aceitadoras designado por
semicondutor do tipo P (P de
positivo, referindo-se falta da carga
negativa do electro).
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Portadores maioritrios e
minoritrios
Num semicondutor extrnseco do tipo N os electres esto
em maioria designando-se por portadores maioritrios da
corrente elctrica. As lacunas (que so a ausncia de um
electro), por sua vez, esto em minoria e designam-se por
portadores minoritrios da corrente elctrica.
Num semicondutor extrnseco do tipo P as lacunas esto
em maioria designando-se por portadores maioritrios da
corrente elctrica. Os electres, por sua vez, esto em minoria
e designam-se por portadores minoritrios da corrente
elctrica.
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Movimento dos electres e das lacunas
nos semicondutores do tipo N
Num cristal semicondutor tipo N o fluxo de electres ser muito
mais intenso (sete larga) que o fluxo de lacunas (sete estreita)
porque o nmero de electres livres (portadores maioritrios)
muito maior que o nmero de lacunas (portadores minoritrios).
A lacuna comporta-se como se fosse uma partcula semelhante ao electro,
porm com carga elctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor
submetido a uma diferena de potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo modo
que o electro, mas em sentido contrrio, uma vez que possui carga elctrica
contrria. Enquanto os electres livres se deslocam em direco ao plo positivo
do gerador, as lacunas deslocam-se em direco ao plo negativo.
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Movimento dos electres e das lacunas
nos semicondutores do tipo P
Num cristal semicondutor tipo P o fluxo de lacunas ser muito
mais intenso (sete larga) que o fluxo de electres (sete estreita)
porque o nmero de lacunas livres (portadores maioritrios) muito
maior que o nmero de electres livres (portadores minoritrios).
A lacuna comporta-se como se fosse uma partcula semelhante ao electro,
porm com carga elctrica positiva. Isto significa que, quando o semicondutor
submetido a uma diferena de potencial, a lacuna pode mover-se do mesmo modo
que o electro, mas em sentido contrrio, uma vez que possui carga elctrica
contrria. Enquanto os electres livres se deslocam em direco ao plo positivo
do gerador, as lacunas deslocam-se em direco ao plo negativo.
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