Você está na página 1de 38

LIGAES QUMICAS

LIGAO QUMICA:

a fora atrativa que mantm os tomos unidos.
O comportamento qumico dos
tomos determinado pelos seus
eltrons de valncia.
As reaes qumicas so consequncia da perda, do
ganho ou do compartilhamento dos eltrons de valncia.
Representao dos eltrons de valncia:

Lewis, 1916
Grupo 1
Grupo 2
Grupo 13
Grupo 14
Grupo 15
Grupo 16
Grupo 17
Grupo 18
1 e-
2 e-
3 e-
4 e-
5 e-
6 e-
7 e-
8 e-
Os tomos tendem a ganhar, perder ou
compartilhar eltrons at que estejam estveis
(configurao de gases nobres).
Na doa 1 e- Cl recebe 1 e-
2 H compartilham seus eltrons
Tipos de Ligaes:
Ligao Inica
Ligao Covalente
Ligao Metlica
Ligaes Inicas:


Consistem na transferncia de eltrons entre os
tomos, gerando ons positivos (ctions) e ons negativos
(nions);


Foras eletrostticas so responsveis por manter
prximos os ons de sinais contrrios;


Ocorrem normalmente quando a diferena de
eletronegatividade entre os tomos grande (metais e
no-metais).
* Ponto de fuso e ebulio altos
Slidos Inicos:
* So quebradios
* So solveis em solventes polares (porm muitas
vezes a solubilidade baixa!!)
* Conduzem eletricidade em soluo ou quando
fundidos;
Na
(g)
+ Cl
(g)
NaCl
(g)
E
f
E
f
= Energia de formao
A densidade eletrnica fica sobre o tomo mais eletronegativo.
Processos envolvidos:

1) Arrancar 1 e- do tomo de Na:
Energia de Ionizao (EI)

2) Adicionar 1 e- ao tomo de Cl:
Afinidade eletrnica (AE)

3) Emparelhar os dois ons para formar um par inico:
Energia do par inico (E
par inico
)
R : E
f
= - 3 9 9 k J / m o l
Exerccio 1: Calcule a energia de formao do cloreto
de sdio gasoso com base nos dados abaixo:


Na
(g)
+ Cl
(g)
NaCl
(g)
E
f


EI = + 502 kJ/mol
AE = - 349 kJ/mol
E
par

inico
= - 552 kJ/mol
E
par inico
o q
+
. q
-
r
onde,

q
+
= carga do ction
q
-
= carga do nion
r = distncia internuclear
] [
10 4396 , 1
] [
10 3071 , 2
4
) ( ) (
12
9
12
28
12 0
2 1
eV
r
J
r r
e z e z
U
Coulomb

=
tc
Carga dos ons:

E
par inico
(NaCl) < E
par inico
(CaO)




Distncia internuclear dos ons:

E
par inico
(LiCl) > E
par inico
(NaCl) > E
par inico
(KCl)
A energia do par inico depende da:
Para N pares inicos, devem ser considerados
tambm as foras repulsivas entre ons de mesma carga:



E
repulsiva
o 1
r
n




A energia de ligao do cristal inico (E
rede
) o
somatrio das energias atrativas e repulsivas.

E
rede
= a energia liberada quando 1 mol de pares de
ons, no estado gasoso, se aproximam de uma
distncia infinita at uma distncia de equilbrio
para formar um slido inico.
E
par inico
o q
+
. q
-
r
E
repulsiva
o 1
r
n
NaCl
(s)
Na
+
(g)
+ Cl
-
(g)
NaCl
(s)
mais estvel do que Na
+
(g)
e Cl
-
(g).
Na
+
(g)
+ Cl
-
(g)
NaCl
(s)
E
rede

Ciclo de Born-Haber:

O ciclo de Born-Haber nos auxilia a calcular a
energia envolvida na formao de um slido inico a partir
de seus elementos na forma mais pura.


Em seu estado mais puro:


- Sdio: slido Na
(s)

- Cloro: gs Cl
2(g)


Na
(s)
+ Cl
2(g)
NaCl
(s)
E
f

Exerccio 2: Monte o ciclo de Born-Haber e calcule a
energia de formao do cloreto de sdio slido com base
nos dados abaixo:

Na
(s)
+ Cl
2(g)
NaCl
(s)
E
f


E
sublimao
= + 107,32 kJ/mol
E
dissociao
= + 243,36 kJ/mol
EI = + 496 kJ/mol
AE = - 349 kJ/mol
E
rede
= - 786 kJ/mol
R : E
f
= - 4 1 0 k J / m o l
Exerccio 3: Monte o ciclo de Born-Haber e calcule a
energia de rede do cloreto de clcio slido com base nos
dados abaixo:

Ca
(s)
+ Cl
2(g)
CaCl
2(s)
E
f


E
sublimao
= + 192 kJ/mol
E
dissociao
= + 238 kJ/mol
1 EI = + 590 kJ/mol
2 EI = + 1146 kJ/mol
AE = - 350 kJ/mol
E
f
= - 795 kJ/mol
R : E
r e d e
= - 2 2 6 1 k J / m o l
Exerccio 4: A partir dos dados experimentais, monte o
ciclo de Born-Haber, diga o que ocorre em cada etapa e
calcule a energia de rede:

Na
(s)
+ Br
2(l)
NaBr
(s)
E
f


Na
(s)
+ Br
2(L)
NaBr
(s)
- 360 kJ/mol
Na
(s)
Na
(g)
109 kJ/mol
Br
2(L)
Br
2(g)
31 kJ/mol
Na
(g)
Na
+
(g)
+ 1e
-
496 kJ/mol
Br
2(g)
2Br
(g)
192 kJ/mol
Br
(g)
+ 1 e
-
Br
-
(g)
- 342,5 kJ/mol
R : E
r e d e
= - 7 3 4 k J / m o l
Ligaes Covalentes:


Resultam do compartilhamento de eltrons entre
tomos que apresentam pouca ou nenhuma diferena de
eletronegatividade (ligao entre no-metais);


H sobreposio de nuvens eletrnicas;


As ligaes so localizadas (a densidade eletrnica fica
entre os tomos).

H + H H
2
Ordem de Ligao (OL):


Indica o nmero de ligaes covalentes que
unem um par especfico de tomos.

OL = 1 H
2
, F
2
, NH
3
, CH
4
, C
2
H
6

OL = 2 CO
2
, C
2
H
4

OL = 3 C
2
H
2


Quanto maior a densidade eletrnica entre os
tomos (maior compartilhamento), maior a ordem de
ligao.
Ordem de ligao energia de ligao:


Energia de ligao: a energia necessria para romper
uma ligao qumica. A quebra de uma ligao sempre
um processo endotrmico.


Quanto maior a ordem de ligao (maior sobreposio
da densidade eletrnica), maior a quantidade de
energia necessria para romper a ligao covalente.
Ordem de ligao comprimento de ligao:



Quanto maior a ordem de ligao (maior
sobreposio da densidade eletrnica), menor o
comprimento da ligao covalente.



Comprimento de ligao C-C:
C
2
H
6
> C
2
H
4
> C
2
H
2
(OL=1) (OL=2) (OL=3)

Raio atmico
(pm)
Energia de ligao
(kJ/mol)
Ligaes Metlicas:



Resultam de foras atrativas que mantm metais puros
unidos;


Metais tem baixo potencial de ionizao;


So ligaes deslocalizadas.
Slidos Metlicos:


- Bons condutores trmicos;

- Bons condutores eltricos;

- Deformam-se (maleabilidade e ductibilidade);

- Apresentam brilho metlico.
Resistncia Mecnica
Brilho Metlico
Teoria da nuvem eletrnica ou mar de e- livres.
Os eltrons de valncia no esto ligados a um nico
tomo e esto relativamente livres para se movimentarem por
todo o metal.
Os eltrons de valncia movem-se livremente pela rede
de ons metlicos positivos, explicando a boa condutividade
eltrica dos metais.
O compartilhamento destes eltrons pelos vrios
ncleos dos metais responsvel pela forte adeso dos tomos.
A teoria do mar de eltrons explica:
* Condutividade eletrnica
* Cor da maioria dos metais


A teoria do mar de eltrons no explica:
* Capacidade calorfica
* Susceptibilidade magntica
* A cor de metais como cobre e ouro
* A existncia de materiais semicondutores e isolantes
Teoria das bandas de valncia.
Li 2s
1
Be 2s
2
Diamante Silcio
Estados
preenchidos
Estados
vazios
Banda vazia
Banda preenchida
Gap
Gap
Condutores
Gap = 0
Isolantes
Gap > 3 eV
Semicondutores
0 < Gap < 3 eV

Banda de conduo
vazia
Banda de
conduo
vazia
Banda vazia
Banda de valncia
preenchida Banda de valncia
preenchida