TRANSISTORES

ING. GUSTAVO PINTO HERRERA

Instructor Sena
Telecomunicaciones

EL TRANSISTOR
El transistor fue inventado en 1948 en los
laboratorios de la Bell Thelephone en E.U.A
por un grupo de cientficos liderados por
John Bardeen, William Shockle y Walter
Brattinn, lo que hizo ganar el premio nobel
de fsica en el ao 1956.
EL TRANSISTOR
La palabra transistor es un acrnimo de
los trminos transfer y resistor (resistencia
de transferencia) y designa, en forma
genrica, a un componente electrnico
de tres terminales cuya resistencia entre
dos de ellos (colector y emisor) depende
del nivel de corriente o voltaje aplicado
al terminal de base.
El transistor es un dispositivo
semiconductor de tres
terminales, que al aplicar
una pequea seal en una
de los terminales controlas
a las otras.
APLICACIN DE LOS TRANSISTOR
Aprovechando esta propiedad los transistores se utilizan
como amplificadores, interruptores electrnicos, fuentes de
corriente controladas, osciladores, mezcladores y en otras
aplicaciones
TIPOS DE
TRANSISTORES
TIPOS DE
TRANSISTORES
BJT
CONSTRUCCIN DE TRANSISTORES BJT
Se utilizan tres capas semiconductoras, con dos de tipo P y
una de tipo N (transistor PNP), o dos tipo N y una tipo P
(transistor NPN), conformando lo que se conoce como
transistor bipolar.
P N P
Transistor PNP
Transistor NPN
EMISOR
E
COLECTOR
C
BASE B
P N N
COLECTOR
BASE
EMISOR
E C
B
E E
C
C
B B
Smbolo del transistor
TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)
N P N
Colector
(C)
Base
(B)
Emisor
(E)
En principio un transistor bipolar est
formado por dos uniones PN.

Para que sea un transistor y no dos diodos
deben de cumplirse dos condiciones.

1.- La zona de Base debe ser muy estrecha
(Fundamental para que sea transistor).

2.- El emisor debe de estar muy dopado.

Normalmente, el colector est muy poco
dopado y es mucho mayor.
N
+

P
N
-

C
E B
ASPECTO MAS REAL DE UN
TRANSISTOR BIPOLAR
IMPORTANTE !!!
No es un dispositivo simtrico
C E
B
SMBOLO
POLARIZACIN
DE LOS TRANSISTORES
Un transistor puede pensarse como compuesto por dos diodos:
el diodo Emisor-Base y el diodo Base-Colector.
La forma normal de alimentar un transistor es aplicando una
polarizacin directa a la unin o juntura Emisor-Base y una
polarizacin inversa a la juntura Base-Colector:
Transistor PNP Transistor NPN
E C
B
+
+
P N P
+ +
E
C
B
P N N
Polarizacin
Directa
Polarizacin
Inversa
POLARIZACIN DE LOS TRANSISTORES
Aunque podra pensarse que
ambos terminales pueden
operar indistintamente uno
de otro, no es as, ya que la
capa semiconductora
utilizada en el Colector est
especialmente preparada para
manejar una gran corriente, a
pesar de estar polarizada
inversamente.
Llamando V
BB
al voltaje
aplicado a la unin Emisor-
Base, y V
CC
al aplicado a la
unin Base-Colector, la
circulacin de corriente para
un transistor PNP ser:

C B E
I I I
C B E
I I I
RELACION DE CORRIENTE
Recuerdese la ley de las corrientes de Kirchhoff.
Establece que la suma de todas las corrientes que
entran a un nodo es igual a la suma de todas las
corrientes que salen de ese nodo. Al aplicase a un
transistor, la ley de kirchhoff proporciona esta
importante relacin entre las tres corrientes del
transistor.

Es habitual hacer la siguiente relacin aproximacin:

Y la corriente de base es mucho mas pequea que la
corriente de colector:

Se cumplen las siguientes relaciones:
De las expresiones anteriores se deduce que (despreciando la
corriente de inversa de polarizacin):
E C C B E
I I I I I ;
B B C C B E C
I I I I I I I

1
) (
El factor se conoce como ganancia de corriente
continua en emisor comn, y en las especificaciones tcnicas
se lo suele denominar h
FE
.
B
C
I
I

El factor se conoce como ganancia de corriente
continua en base comn.
GANANCIA ESTTICA
CONFIGURACIO EMISOR COMUN EC
Existen tres formas tiles de conector un
transistor: en EC(emisor comn), en CC
(colector comn ) y en BC(base comn).

Ecuacin de
entrada
Ecuaciones de
salida

Curvas caractersticas
Para analizar el efecto que tiene la
polarizacin sobre este circuito,
pueden determinarse las caractersticas
de entrada-salida.
Avalancha
Primaria
I
C
V
CE
V
CEMax
I
CMax
P
Max
= V
CE
I
C
1V
Avalancha
Secundaria
Saturacin
I
B6
I
B5
I
B4
I
B3
I
B2
I
B1
I
B
= 0
Corte
Activa
I
B
V
BE
V
CE
= 0
V
CE1
V
CE2
Caracterstica
de Entrada
Caracterstic
a
de Salida
ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
Las curvas de la grafica de caractersticas de salida exhibe diferentes
zonas, en cada una de las cuales el funcionamiento del transistor es
diferente.

Zona activa:

Esta ubicada en la zona central, donde VCE esta entre 1 y 40 V, aprox.
Es esta zona representa el funcionamiento normal del transistor . En ella el
diodo de emisor esta polarizado en directo y el diodo de colector tiene
polarizacin inversa. Donde el colector se encuentra recogiendo casi
todos los electrones que el emisor ha enviado a la base y por esto los
cambios en la tensin de colector no tienen efecto sobre la corriente de
colector.

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
Zona ruptura :

Es esta zona el transistor nunca debe
funcionar, ya que en tal caso seria
altamente probable que se destruya.


Zona de corte:
En esta zona la corriente de base es cero, aunque
todava hay cierta corriente de colector.