Aula 06 Cincias dos

Materiais
Estrutura Cristalinas dos Metais e
Defeitos Parte I
*

Figuras e estruturas dos defeitos baseadas na aula Profa Eleani Maria da Costa- DEM/PUCRS disponibilizada em rede
virtual pblica.
Fator de Empacotamento para um
metal de raio r
Cbico simples:
FEA = 4/3r
3
como a=2r FEA=0,52 1

a
3

Cbico de Corpo Centrado:
FEA = 4/3r
3
como a=4r/3 FEA=0,68 2

Cbico de Face Centrada:
FEA = 4/3r
3
como a=2r/2 FEA=0,74 4
a
3
a3
N
o
de tomos
por clula
Clculo da densidade terica de
um slido metlico
= nPA
V
C
N
A

Onde:
n= nmero de tomos por clula unitria
PA= peso atmico
V
C
= volume da clula unitria
N
A
= nmero de Avogrado (6,02x10
23
)
Exerccios
Calcule o raio de um
tomo de tntalo
sabendo que o Ta
possui uma estrutura
cristalina CCC, uma
massa especfica
(densidade) de
16,6g/cm
3
e um peso
atmico de 180,9
g/mol.

Exerccios
O Nibio possui um raio atmico de 0,143
nm e uma massa especfica de 8,57g/cm
3
.
Determine se ele possui uma estrutura
cristalina CFC ou CCC. Peso atmico
=92,9g/mol.
= nPA
V
C
N
A
Exerccios
O raio atmico do Pb
vale 0,175nm, calcule
o volume de sua
clula unitria em m
3
sabendo que o Pb
apresenta estrutura
cristalina CFC.

Defeitos Cristalinos o que um
defeito? Devem ser evitados?
- Defeitos pontuais
- Defeitos de linha
(discordncias)
- Defeitos de interface
(gro e maclas)
- Defeitos volumtricos
(incluses, precipitados)
uma imperfeio no arranjo peridico
regular dos tomos em um cristal.

Podem envolver uma irregularidade na
posio dos tomos e no tipo de tomos

O tipo e o nmero de defeitos dependem:
- da constituio qumica do material
- das circunstncias sob as quais o
material processado.
Tipos de Defeitos: classificados de acordo com sua
geometria ou dimenses
Defeitos Pontuais associados c/ 1 ou 2
posies atmicas

Defeitos lineares uma dimenso

Defeitos planos ou interfaciais (fronteiras)
duas dimenses

Defeitos volumtricos trs dimenses
Nem sempre Malfico
DEFEITOS
INTRODUO
SELETIVA
CONTROLE
DO NMERO
ARRANJO
Permite desenhar e criar novos materiais
com a combinao desejada de propriedades
Casos Positivos

O processo de dopagem em semicondutores:

mudana no tipo de condutividade

A deformao mecnica dos materiais promove a
formao de imperfeies:

geram um aumento na resistncia mecnica
(processo encruamento):

Wiskers de ferro (sem imperfeies do tipo discordncias):


resistncia maior que 70GPa
ferro comum r 270MPa.
Defeitos Pontuais

Vacncias ou vazios





tomos Intersticiais
Schottky
Frenkel
Ocorrem em slidos inicos
Defeitos Pontuais: viso geral
Defeitos Pontuais: vacncias ou lacunas
Envolve a falta de um
tomo.
So formados durante
a solidificao do
cristal ou como
resultado das vibraes
atmicas (os tomos
deslocam-se de suas
posies normais).
Defeito Pontual: vacncias ou vazios
O nmero de vacncias aumenta
exponencialmente com a temperatura

Nv= N exp (-Qv/KT) lacunas/m
3


Nv= nmero de vacncias
N= nmero total de stios por unidade de volume
Qv= energia requerida para formao de vacncias
K= constante de Boltzman = 1,38x10
23
J/at.K ou
8,62x10
-5
eV/ at.K

N= N
A


PA

Onde: N
A
=n
o
avogrado;
= densidade e PA=
peso atmico
Clculo de lacunas a uma dada T
Calcule o n
o
de lacunas em equilbrio por
m
3
de Cu, a 1000
o
C. A energia para
formao de uma lacuna de 0,9
eV/atomo.
PA: 63,5 g/mol
= 8,4 g/cm
3
(T=1000
o
C)
N
AVOG
= 6,02x10
23
atomos/mol
Defeito Intersticial
tomo intersticial pequeno
tomo intersticial grande
Gera maior distoro na rede
Defeito Intersticial
Envolve um tomo extra no
interstcio (do prprio cristal)

Produz uma distoro no
reticulado, j que o tomo
geralmente maior que o
espao do interstcio

A formao de um defeito
intersticial implica na
criao de uma vacncia, por
isso este defeito menos
provvel que uma vacncia
Defeitos Pontuais
Defeitos Pontuais
FRENKEL

Ocorre em slidos
inicos
Ocorre quando um
on sai de sua
posio normal e vai
para um interstcio
SCHOTTKY

Presentes em
compostos que tem
que manter o balano
de cargas
Envolve a falta de
um nion e/ou um
ction
Superfcie metlica: microscpia eletrnica de
tunelamento ou microscopia de fora atmica
Superfcie (111) do ouro (estrutura
CFC)

adio uma monocamada de
cobre
Em nveis de monocamadas nem sempre o elemento de liga provoca
Aparecimento de de defeitos.
A ADIO DE IMPUREZAS PODE FORMAR
Solues slidas [tomos] < limite de
solubilidade
Segunda fase [tomos] > limite de
solubilidade

A solubilidade depende :
Temperatura
Tipo de impureza
Concentrao da impureza

IMPUREZAS NOS SLIDOS
As impurezas (chamadas elementos de
liga) so adicionadas intencionalmente
com a finalidade:
aumentar a resistncia mecnica
aumentar a resistncia corroso
aumentar a condutividade eltrica
etc.
IMPUREZAS NOS SLIDOS
Um metal considerado puro sempre tem
impurezas (tomos estranhos) presentes



99,9999% = 10
22
-10
23
impurezas por cm
3

A presena de impurezas promove a
formao de defeitos pontuais
Terminologia

Elemento de liga soluto (< quantidade)
(ou impureza)

Matriz solvente(>quantidade)
(ou hospedeiro)

Especificao da Composio
Composio de uma liga em termos de
seus elementos constituintes:

porcentagem em peso (ou massa)(%p)
porcentagem atmica (n
o
tomos) (%a)

Exerccios
Uma liga contm 80% em peso de Al e 20% em
peso de Mg. Qual a porcentagem atmica de
cada um na liga?

Suponha que 20% dos tomos de Cu so
substitudos por Al em um bronze de alumnio.
Quais porcentagens de peso que esto
presentes?

PA: Mg- 24,3 g/mol; Al- 26,98 g/mol; Cu- 63,54g/mol
N
v
= 6,02x10
23
atomos/mol