Aula 10

Cincia dos Materiais I - Prof.
Nilson Aula 10
LaPTec
www.sorocaba.unesp.br/gpm
Cincia dos Materiais I
Prof. Nilson C. Cruz
Cincia dos Materiais I - Prof. Nilson Aula 10
LaPTec
Viso Geral sobre Propriedades Fsicas e
Aplicaes de Materiais: metais, polmeros,
cermicas e vidros, semicondutores, compsitos
LaPTec
Semicondutores
Banda de
conduo vazia
Banda de
valncia
preenchida
Propriedades eltricas extremamente
sensveis presena de impurezas mesmo em
concentraes nfimas.
Condutividade eltrica no to alta
quanto dos metais.
Semicondutor intrnseco tem suas
caractersticas determinadas pela estrutura
eletrnica do metal puro

Semicondutor extrnseco tem suas
propriedades eltricas ditadas pelas impurezas
LaPTec
T = 0 K
Par eltron-buraco
+ -
o =o
eltrons
+ o
buracos

o =n e
e
+ p e
b
n (p) = n de eltrons (buracos)/m
3

e
(
b
) = mobilidade de eltrons
(buracos)
T > 0 K
n = p
para semicondutores intrnsecos,
LaPTec
Semicondutores intrnsecos
0,01 0,03 - 2,26 ZnTe
- 0,03 - 2,4 CdS
0,07 7,7 2x10
4
0,17 InSb
0,45 0,85 10
-6
1,42 GaAs
0,002 0,05 - 2,25 GaP
0,18 0,38 2,2 0,67 Ge
0,05 0,14 4x10
-4
1,11 Si
b
(m
2
/V-s)

e
(m
2
/V-s) o (-m)
-1
Gap (eV) Material
III-V
II-VI
LaPTec
Semicondutores extrnsecos
Tipo n
Si P
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
P

4+ 5+
Eltron excedente
fracamente ligado
=
LaPTec
Tipo n
Energia

Eltron livre na
banda de conduo
Estado doador
LaPTec
Tipo n
n p o n e
e

LaPTec
Tipo p
Si B
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
B

4+ 3+
Buraco na camada
de valncia
Estado receptor
=
LaPTec
Energia

Buraco na camada
de valncia
Tipo p
LaPTec
p n o p e
b

Tipo p
LaPTec
Temperatura (C)
C
o
n
d
u
t
i
v
i
d
a
d
e

E
l
t
r
i
c
a

(
-
c
m
)
-
1

Efeito da temperatura sobre a condutividade
e a concentrao dos portadores de carga
Germnio

kT
E
C
g
2
ln ~ o
C= constante
E
g
= energia do gap
k = constante Boltzmann
T = temperatura (K)
LaPTec
Condutividade
cresce
com o
aumento
de T

Crescimento de
n e p
superior
diminuio de
e
e
b
.

LaPTec
50 100 200 1000
10
-2
10
4
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
Temperatura (K)
Si puro
400
C
o
n
d
u
t
i
v
i
d
a
d
e

(
O
-
m
)
-
1

Si+0,0013at%B
Si+0,0052at%B
o =10
-2
(-m)
-1

o =600(-m)
-1

LaPTec
k
E
T
g
2 1
ln
=
|
.
|
\
|
A
A o
50 100 200 1000
10
-2
10
4
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
Temperatura (K)
400
C
o
n
d
u
t
i
v
i
d
a
d
e

(
O
-
m
)
-
1

Saturao
Extrnseca
l
n

o

1/T
Si+B
Si
Temperatura alta =
Condutividade intrnseca
LaPTec
A variao de n e p com a temperatura semelhante
variao da condutividade:
kT
E
C p n
g
2
ln ln
'
~ =
C = constante C
LaPTec
Dispositivos semicondutores
O Diodo (juno retificadora) um dispositivo
eletrnico que permite a passagem de corrente eltrica
em apenas um sentido.
+
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+ +
+ -
- +
Lado p Lado n
+ -
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+ -
- +
Lado p Lado n

Polarizao direta
LaPTec
Energia
Juno retificadora com
polarizao direta
Zona de
recombinao
- +
LaPTec
polarizao reversa
+
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+ +
Lado p Lado n

- +
+ -
Polarizao reversa
+
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
- +
+ -
Lado p Lado n
LaPTec
polarizao reversa
+ -
LaPTec
V
0

I
D
-V
0

I
R
Fluxo reverso
Fluxo direto
Tenso, V
C
o
r
r
e
n
t
e
,

I

Ruptura
+
+
-
-
Curva corrente-tenso para
uma juno semicondutora
I
D
I
R
Diodo Zener
LaPTec
Retificao com uma juno
semicondutora
I
D
I
R
T
e
n
s
o

V
0
-V
0
C
o
r
r
e
n
t
e

I
D
I
R
Tempo Tempo
LaPTec
O transistor
Transistor = amplificador
Transistor = interruptor
Os dois principais tipos de transistores so os
de juno e os MOSFET (metal-oxide-semiconductor
field effect transistor)
LaPTec
O transistor de juno
Duas junes p -n em configuraes p-n-p ou n-p-n.
Base
n
Emissor
p
Coletor
p
Base
p
Emissor
n
Coletor
n
Silcio tipo p
Silcio tipo n
emissor
base
coletor
LaPTec
O transistor pnp
Carga
tenso
de
sada
tenso
de
entrada
T
e
n
s
o

d
i
r
e
t
a

T
e
n
s
o

r
e
v
e
r
s
a

T
e
n
s
o

d
e

e
n
t
r
a
d
a

(
m
V
)

0,1
T
e
n
s
o

d
e

s
a
d
a

(
m
V
)

10
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
buracos buracos
buracos
LaPTec
B V
0 C
E
e I I
/
=
Base
n
Emissor
p
Coletor
p
O transistor pnp
V
E
I
C

I
0
, B = constantes

LaPTec
O transistor MOSFET
Si tipo P
Fonte
Si tipo n
Dreno
Si tipo n
Isolante, SiO
2
Porta
- - - - - -
- - - - - -
V
entrada

V
sada

- +
+
50 nm
V
entrada
= 0 V
sada
= 0

Transistor = interruptor (sistema binrio)

LaPTec
O transistor MOSFET
LaPTec
Outras aplicaes de
semicondutores
Termstores: como a condutividade eltrica
dos semicondutores depende da temperatura,
eles podem ser usados como termmetro!
Sensores de presso: como a estrutura de
banda e E
g
so funes do espaamento entre os
tomos do semicondutor, a condutividade
eltrica pode ser usada para medir a presso
atuando sobre o material!
LaPTec
Comportamento dieltrico
Capacitor = armazenador de energia eltrica.
V
Q
C ia Capacitnc =
Q
l
A
l
A
C
0
c =
Q =carga em uma placa
A = rea da placa
l = separao entre placas
c
0
= 8,85x10
-12
F/m
LaPTec
Polarizao
- - - - - - - - - - - - - - -
+ + + + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - -
+ + + + + + + + + +
Polarizao
LaPTec
Polarizao
Eletrnica
Inica
Orientao (dipolos permanentes)
Sem campo eltrico Com campo eltrico
LaPTec
Constante dieltrica
l
A
C c =
k = constante dieltrica ( P=(k-1)c
E )
0
kc c =
k
quantidade de
energia armazenada
LaPTec
Rigidez dieltrica
o maior campo eltrico que um dieltrico pode
manter entre dois condutores.
Rigidez Dieltrica =

max
l
V
LaPTec
Propriedades Eltricas
LaPTec
Freqncia (Hz)
C
o
n
s
t
a
n
t
e

d
i
e
l
t
r
i
c
a

Orientao
Inica
Eletrnica
Dependncia da Constante dieltrica
com a freqncia

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