1

11-PROPRIEDADES ELTRICAS,
TRMICAS, PTICAS E MAGNTICAS
DOS MATERIAIS
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2
PROPRIEDADES ELTRICAS
CONDUTIVIDADE ELTRICA ()
o movimento de cargas
eltricas (eltrons ou ons) de
uma posio para outra.
= 1/= n.q.
= condutividade eltrica (ohm
-1
.cm
-1
)
= resistividade eltrica (ohm.cm)
n= nmero de portadores de carga por cm
3

q= carga carregada pelo portador
(coulombs) [q do eltron= 1,6x10
-19

coulombs]
= mobilidade dos portadores de carga
(cm
2
/V.s)

R = . l/A
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PROPRIEDADES ELTRICAS
SEMICONDUTORES
Tem resistividade entre metais e isolantes

10
-6
-10
-4
.cm 10
10
-10
20
.cm
A resistividade diminui com o aumento de
temperatura (ao contrrio dos metais)
A resistividade diminui com a adio de
certas impurezas
A resistividade aumenta com a presena de
imperfeies nos cristais.

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PROPRIEDADES ELTRICAS
EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
Silcio, Germnio (Grupo IV da Tabela
Peridica)
GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da
Tabela Peridica)
PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela
Peridica)

95% dos dispositivos eletrnicos so fabricados com
Silcio
65% dos dispositivos de semicondutores do grupo III-
V so para uso militar

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EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
SO USADOS PARA A FABRICAO DOS
SEGUINTES DISPOSITIVOS ELETRNICOS E
OPTOELETRNICOS
Transistor
Diodos
Circuito integrado
LEDS
Detetores de infravermelho
Clulas solares, etc.
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CAMPOS DE APLICAO DOS
DISPOSITIVOS DE SEMICONDUTORES
Indstria de computadores (memrias,
microprocessadores, etc.)
Indstria aeroespacial
Telecomunicaes
Equipamentos de udio e vdeo
Relgios
Na robtica
Sistemas industriais de medidas e controles
Sistemas de segurana
Automveis
Equipamentos mdicos,...

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LIGAO QUMICA
A- METAIS
Os eltrons de valncia no esto ligados a
nenhum tomo especfico (esto livres)
H atrao entre os eltrons livres (de valncia) e os
ons positivos (ncleo mais eltrons de valncia)
Os metais tm elevada condutividade eltrica
devido os eltrons estarem livres para moverem-se
(alta mobilidade).
No entanto, a agitao trmica reduz o livre
percurso mdio dos eltrons, a mobilidade dos
mesmos e como conseqncia a condutividade.

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EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA
DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE
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EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA
DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE
ESTRUTURA PERFEITA A
BAIXA TEMPERATURA
MOVIMENTO DOS ELTRONS A MAIS
ALTA TEMPERATURA
MOVIMENTO DOS ELTRONS
EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS
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LIGAO QUMICA
B- SEMICONDUTORES
Todos os semicondutores tm ligao
covalente, com 4 eltrons de valncia. Os
semicondutores compostos (grupos III-V e II-
VI) tm 4 eltrons de valncia em mdia.

RESISTIVIDADE VERSUS TEMPERATURA
PARA UM SEMICONDUTOR
O aumento da temperatura fornece energia
que liberta transportadores de cargas
adicionais.

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BANDAS DE ENERGIA
Os semicondutores se caracterizam por sua estrutura
eletrnica em bandas de energia.
Os eltrons de valncia de dois tomos adjacentes
interagem entre si quando so aproximados um do outro,
como acontece em um slido cristalino. Isso faz com que
novos nveis de energia sejam estabelecidos, originando
ento bandas de energia (so nveis discretos de energia,
mas com diferenas apenas infinitesimais)
A banda de energia corresponde um nvel de energia
de um tomo isolado
As bandas de energia nem sempre se sobrepem
Assim como orbitais, as bandas de energia podem
comportar no mximo dois eltrons.

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GAP DE ENERGIA (BANDA
PROBIDA)
o espao entre as bandas de energia

o que distingue um semicondutor de
um condutor ou isolante.
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NVEL DE DE ENERGIA DE
FERMI
definido como o nvel de energia
abaixo do qual todos os estados de
energia esto ocupados a 0K.



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CONDUTOR
Os eltrons no
preenchem todos os
estados possveis da
banda de valncia e por
isso a conduo ocorre
na banda de valncia.
Num metal o nvel de
Fermi esta localizado na
banda de valncia.

Nvel de Fermi
Banda de valncia
incompleta
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ISOLANTES
Os eltrons
preenchem todos os
estados possveis da
banda de valncia e por
isso a conduo NO
ocorre na banda de
valncia.

Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de
energia
Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV
Gap de um isolante maior
Nvel de fermi
BANDA
DE
CONDUO
BANDA
DE
VALNCIA
GAP DE ENERGI A

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SEMICONDUTOR
Da mesma forma
que nos isolantes,
os eltrons
preenchem todos os
estados possveis
da banda de
valncia.

Nvel de fermi
BANDA
DE
CONDUO
BANDA
DE
VALNCIA
GAP DE ENERGIA
Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de
energia
Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV
Gap de um isolante maior
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SEMICONDUTOR
Num semicondutor, os eltrons
podem ser excitados para a banda de
conduo por energia eltrica,
trmica ou ptica (fotoconduo)

Quando um eltron excitado para a
banda de conduo deixa um buraco ou
uma vacncia na banda de valncia
que contribui tambm para a corrente.

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a conduo resultante dos
movimentos eletrnicos nos materiais
puros.
Um semicondutor pode ser tipo "p" ( conduo
devido aos buracos) ou tipo "n" (conduo
devidos aos eltrons)
Este tipo de conduo se origina devido a
presena de uma imperfeio eletrnica ou
devido a presena de impurezas residuais.

CONDUO INTRNSECA
(SEMICONDUTOR INTRNSECO)
CONDUO INTRNSECA
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CONDUO INTRNSECA
(SEMICONDUTOR INTRNSECO)
a conduo resultante dos movimentos eletrnicos
nos materiais puros.
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CONDUO EXTRNSECA
Quando adiciona-se intencionalmente uma
impureza dopante para proporcionar eltrons ou
buracos extras.
Os semicondutores extrnsecos podem ser:
Tipo p: com impurezas que proporcionam buracos
extras.
Tipo n: com impurezas que proporcionam eltrons
extras


Os processos utilizados para dopagem so difuso e
implantao inica
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(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P)
.Quando adiciona-se intencionalmente
uma impureza dopante para CRIAR
buracos extras.
Impurezas tipo "p" ou aceitadores
proporcionam buracos extras
Exemplo: Dopagem do Si (valncia 4)
com Boro (valncia 3)

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(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P)
BORO UM DOPANTE
TIPO P PARA O SILCIO
PORQUE PROPORCIONA
BURACOS EXTRA
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(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P)
NVEL DE FERM I
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(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO N)
Impurezas tipo "n"
ou doadores.
proporcionam
eltrons extra
Exemplo: Dopagem
do Si (valncia 4)
com Fsforo
(valncia 5)

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(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO N)
NVEL DE FERMI
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CONDUO EXTRNSECA
CONSIDERAES GERAIS
Os eltrons tem maior mobilidade
que os buracos.
A presena de impurezas pode
alterar o tamanho do gap de energia do
semicondutor.

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OPERAO DO DIODO
(JUNO P-N)
Dispositivos eletrnicos como transistors,
circuitos integrados, chips, etc... usam a
combinao de semicondutores
extrnsecos tipo p e tipo n .
DIODO um dispositivo que permite
a corrente fluir em um sentido e no em
outro. construdo juntando um
semicondutor tipo n e tipo p.

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JUNO P-N
-Quando uma voltagem aplicada
como no esquema abaixo, os dois
tipos de cargas se movero em
direo juno onde se
recombinaro. A corrente eltrica
ir fluir.
-Como no esquema abaixo, a
voltagem causar o movimento de
cargas para longe da juno. A
corrente no ir fluir no dispositivo.

29
PROPRIEDADES
MAGNTICAS
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PROPRIEDADES
MAGNTICAS
A maioria dos elementos e materiais no
exibem propriedades magnticas.
Materiais que exibem propriedades
magnticas:

Ferro, Nquel, Cobalto, Gadolneo, algumas
ligas (SmCo5, Nd2Fe14B, ...)
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Ferromagnetismo
a propriedade de concentrar as linhas de fora
magntica, caracterizada pela permeabilidade
magntica.

Ferromagnticos- permeabilidade magntica >1 (subst.
Paramagnticas) - eltrons desemparelhados
Ferro, Cobalto, Nquel e Gadolnio

Outros metais-permeabilidade magntica <1 (subst.
Diamagnticas) - eltrons emparelhados

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PERMEABILIDADE
MAGNTICA
Permeabilidade Magntica ()-
est relacionada com a intensidade
de magnetizao.
A intensidade de magnetizao
varia em funo da intensidade do
campo aplicado.
caracterstica do material
= tg B/H

dada em Gauss/Oersted

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Domnios magnticos
So regies da estrutura do
material onde todos os tomos
cooperam magneticamente, ou
seja, so zonas de magnetizao
espontnea (<0,05mm).
Quando um campo magntico
aplicado, os domnios
magnticos tendem a se alinhar
com o campo e, ento, o material
exibe propriedades magnticas.

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Ponto de Curie


a temperatura na qual os domnios
magnticos so destrudos.
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Curva de magnetizao ou de histerese
Induo residual (Br) - a induo magntica que se
conserva no corpo magnetizado, depois de anulada a
intensidade do campo.
dada em Gauss
Fora coercitiva (Hc)- a intensidade de campo que
tem de ser aplicado para desmagnetizar.
dado em Oersted
Material com elevado Hc = consome energia para
alinhar os domnios magnticos, de uma direo para
outra. A quantidade de energia necessria para
magnetizar proporcional a rea do ciclo de
histerese.
Permeabilidade Magntica ()- a intensidade de
magnetizao. A intensidade de magnetizao varia
em funo da intensidade do campo. caracterstica
do material
= tg B/H
dada em Gauss/Oersted

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Classificao das ligas
magnticas
A classificao feita de acordo com a
forma da curva de histerese.
O nome esta relacionado com as
propriedades mecnicas/metalrgicas da
liga:

Ligas Magnticas Duras
Ligas Magnticas Macias

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Ligas magnticas duras
- Se caracterizam pelo grande valor de Hc e
alto Br
- So ligas endurecidas com estruturas
desiquilibradas, dispersas
- So utilizadas na fabricao de ims
permanentes

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Ligas magnticas macias
- Apresentam Hc de baixo valor e pequenas
perdas de histerese e baixo Br.
- So ligas organizadas. Geralmente metais
puros com boa qualidade estrutural.
- So empregadas como ligas a serem
submetidas magnetizao alternada
(ncleos de transformadores)

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39
CURVA HISTERTICA PARA LIGAS MAG. DURAS E
MACIAS
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40
Papel dos elementos de liga
Aumentam a fora coercitiva ou dureza magntica
Diminuem o tamanho de gro
A formao de uma segunda fase, pela adio de elementos
de liga (acima do limite de solubilidade), contribui para o
aumento do Hc. Quanto mais elevada a disperso da segunda
fase maior o Hc.
O endurecimento causado pela transformaes de fase ou
pela diminuio do tamanho de gro aumentam o Hc, porque
evitam a redistribuio ao acaso dos domnios magnticos.

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41
INFORMAES ADICIONAIS


No xerox encontram-se tabelas com
exemplos de materiais magnticos moles e
duros
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ESTUDAR (XEROX)
ASSUNTOS:
SUPERCONDUTIVIDADE (Van Vlack)
EFEITO PIEZOELTRICO (CALLISTER)
PROPRIEDADES PTICAS:
OPACIDADE, TRANSPARNCIA E
LUMINESCNCIA, LASER (Van Vlack)